JPS63109299A - タ−ボ真空ポンプ - Google Patents
タ−ボ真空ポンプInfo
- Publication number
- JPS63109299A JPS63109299A JP25381686A JP25381686A JPS63109299A JP S63109299 A JPS63109299 A JP S63109299A JP 25381686 A JP25381686 A JP 25381686A JP 25381686 A JP25381686 A JP 25381686A JP S63109299 A JPS63109299 A JP S63109299A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rotor
- vacuum stage
- pump
- reaction products
- turbo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 16
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔、産業上の利用分野〕
本発明は、大気から超高真空まで一台のポンプで排気可
能なターボ真空ポンプに係り、特に半導体製造装置の搭
載に好適なターボ真空ポンプに関する。
能なターボ真空ポンプに係り、特に半導体製造装置の搭
載に好適なターボ真空ポンプに関する。
従来のターボ真空ポンプ、とりわけターボ分子ポンプを
半導体製造装置に用いる場合には、10−2〜I To
rrの中低真領域で作動する翼車の流路に半導体製造装
置の反応生成物が堆積し、排気速度減少などの性能劣化
が起きるばかりか、最悪の場合には回転不能となる問題
が生じていた。この対策として、定期的にポンプを分解
して洗浄することにより堆積した反応生成物を取り除く
ことが行われている。実開昭60−43197号公報で
は、反発生成物の堆積により分解が困難とならないステ
ータ構成が提案されている。また、反応生成物の堆積を
防ぐ一般的な方法として、反応生成物の堆積面を60℃
以上にヒータ等を用いて加熱するという方法が特開昭6
0−198394号公報に提案されている。
半導体製造装置に用いる場合には、10−2〜I To
rrの中低真領域で作動する翼車の流路に半導体製造装
置の反応生成物が堆積し、排気速度減少などの性能劣化
が起きるばかりか、最悪の場合には回転不能となる問題
が生じていた。この対策として、定期的にポンプを分解
して洗浄することにより堆積した反応生成物を取り除く
ことが行われている。実開昭60−43197号公報で
は、反発生成物の堆積により分解が困難とならないステ
ータ構成が提案されている。また、反応生成物の堆積を
防ぐ一般的な方法として、反応生成物の堆積面を60℃
以上にヒータ等を用いて加熱するという方法が特開昭6
0−198394号公報に提案されている。
実開昭60−43197号公報では、半導体製造装置の
反応生成物の堆積について考慮しているもののポンプは
分解洗浄を行わなくてはならなす、メンテナンスに多大
な時間がかかるという問題があった。また、特開昭60
−198394号公報に開示されているような、ヒータ
等で反応生成物が堆積する面を60℃以上に加熱すると
いう方法ば、ポンプ駆動に要する電力以外に電力を必要
とするという問題があった。
反応生成物の堆積について考慮しているもののポンプは
分解洗浄を行わなくてはならなす、メンテナンスに多大
な時間がかかるという問題があった。また、特開昭60
−198394号公報に開示されているような、ヒータ
等で反応生成物が堆積する面を60℃以上に加熱すると
いう方法ば、ポンプ駆動に要する電力以外に電力を必要
とするという問題があった。
本発明の目的は、ポンプ駆動に要する電力以外の電力を
用いないで、反応生成物の堆積を防ぎ半導体製造装置の
排気に好適なターボ真空ポンプを提供することにある。
用いないで、反応生成物の堆積を防ぎ半導体製造装置の
排気に好適なターボ真空ポンプを提供することにある。
上記目的は、高真空段、中真空段、低真空段から成るタ
ーボ真空ポンプにおいて低真空段から中真空段への熱伝
達手段を設けることにより達成される。
ーボ真空ポンプにおいて低真空段から中真空段への熱伝
達手段を設けることにより達成される。
低真空段では、断熱圧縮の過程で多量の熱が発生し、低
真空段のステータは200℃程度の温度となる。従って
、低真空段から中真空段に熱伝達手段を設けると低真空
段の熱が中真空段に効率よく移動し、中真空段を60℃
以上に加熱することができる。これによって半導体製造
装置の反応生成物の堆積を防ぐことができる。以上によ
り、ポンプ駆動に要する電力以外の電力を用いずに半導
体製造装置の反応生成物の堆積を防ぎ、分解洗浄のメン
テナンスの必要をなくすることができる。
真空段のステータは200℃程度の温度となる。従って
、低真空段から中真空段に熱伝達手段を設けると低真空
段の熱が中真空段に効率よく移動し、中真空段を60℃
以上に加熱することができる。これによって半導体製造
装置の反応生成物の堆積を防ぐことができる。以上によ
り、ポンプ駆動に要する電力以外の電力を用いずに半導
体製造装置の反応生成物の堆積を防ぎ、分解洗浄のメン
テナンスの必要をなくすることができる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
第1図において、ロータ1はケーシング2内に配置され
釣り鐘型をしている。ロータ3は、前記釣り鐘型ロータ
に包含されている。ロータ1の吸気側には高真空で作動
する軸流翼のロータ羽根4が備えられ、これに対向して
ステータリング5に支えられる軸流翼のステータ羽根6
が備えられている。また、ロータ1の排気側には、前記
ロータ外周面にロータ軸心に対して特定角度を有し周方
向に複数個配列した動翼溝から形成され、中真空で作動
する混流翼ロータ羽根7が備えられ、前記混流翼ロータ
羽根に対向して前記ロータ軸心に対して前記動翼溝と逆
方向角度をなすように配列した静翼溝から形成される混
流ステータ羽根8が備えられている。ロータ3の外周に
は、渦流翼9が備えられ、これと対向したステータ面に
は第2図に示すように、通風路10が備えられている。
釣り鐘型をしている。ロータ3は、前記釣り鐘型ロータ
に包含されている。ロータ1の吸気側には高真空で作動
する軸流翼のロータ羽根4が備えられ、これに対向して
ステータリング5に支えられる軸流翼のステータ羽根6
が備えられている。また、ロータ1の排気側には、前記
ロータ外周面にロータ軸心に対して特定角度を有し周方
向に複数個配列した動翼溝から形成され、中真空で作動
する混流翼ロータ羽根7が備えられ、前記混流翼ロータ
羽根に対向して前記ロータ軸心に対して前記動翼溝と逆
方向角度をなすように配列した静翼溝から形成される混
流ステータ羽根8が備えられている。ロータ3の外周に
は、渦流翼9が備えられ、これと対向したステータ面に
は第2図に示すように、通風路10が備えられている。
この通風路の周方向1ケ所には渦流翼とわずかな間隙を
隔て前記通風路を区画する仕切部11があり、その仕切
部の両側の回転方向前方には吸入口12゜回転方向後方
には吐出口13が備えられている。
隔て前記通風路を区画する仕切部11があり、その仕切
部の両側の回転方向前方には吸入口12゜回転方向後方
には吐出口13が備えられている。
ロータ1およびロータ3はモータシャフト14にナツト
15で締結されている。モータシャフトは、下ケーシン
グ16に支えられる軸受17、ベース18を介して下ケ
ーシングに支えられる軸受19により支承されている。
15で締結されている。モータシャフトは、下ケーシン
グ16に支えられる軸受17、ベース18を介して下ケ
ーシングに支えられる軸受19により支承されている。
モータシャフト14下端には、シャフト駆動用のロータ
モータ2o及びモータステータ21が備えられている。
モータ2o及びモータステータ21が備えられている。
下ケーシングには、低真空で作動する渦流翼9により発
生する熱を中真空で作動する混流翼部に伝達するために
ヒートパイプ22が周方向に複数個設けられている。以
上の構成で半導体製造装置の反応ガスの排気に使用する
と、反応ガスは吸気口23よりポンプに排気され、軸流
翼部で圧縮されしだいにガス濃度が大となるが、軸流翼
部では常温で堆積するほど濃度は大とならない、しかし
、混流翼部でさらに圧縮されてくるとガス濃度がさらに
大となり常温では反応生成物がしだいに堆積してくるよ
うになる。しかしながら、低真空段の渦流翼で発生した
熱をヒートパイプ22により移動することにより中真空
段の混流翼部のステータを60℃以上に保持することが
でき、これにより反応生成物が堆積を防ぐことができる
。反応ガスは、低真空段の渦流翼部でさらに圧縮され濃
度がさらに大となるが、渦流翼部は断熱圧縮で発生する
熱により200℃程度となっているので反応生成物が堆
積する恐れがない。このようにして最終的に反応ガスは
排気口24より反応ガス処理装置へと排気される。
生する熱を中真空で作動する混流翼部に伝達するために
ヒートパイプ22が周方向に複数個設けられている。以
上の構成で半導体製造装置の反応ガスの排気に使用する
と、反応ガスは吸気口23よりポンプに排気され、軸流
翼部で圧縮されしだいにガス濃度が大となるが、軸流翼
部では常温で堆積するほど濃度は大とならない、しかし
、混流翼部でさらに圧縮されてくるとガス濃度がさらに
大となり常温では反応生成物がしだいに堆積してくるよ
うになる。しかしながら、低真空段の渦流翼で発生した
熱をヒートパイプ22により移動することにより中真空
段の混流翼部のステータを60℃以上に保持することが
でき、これにより反応生成物が堆積を防ぐことができる
。反応ガスは、低真空段の渦流翼部でさらに圧縮され濃
度がさらに大となるが、渦流翼部は断熱圧縮で発生する
熱により200℃程度となっているので反応生成物が堆
積する恐れがない。このようにして最終的に反応ガスは
排気口24より反応ガス処理装置へと排気される。
以上により、ポンプの駆動に要する電力以外に電力を使
うことなしに反応生成物をポンプ内部に堆積させること
なく反応ガスを排気することができるので分解洗浄のメ
ンテナンスをする必要がなく、半導体製造装置の稼動率
をあげることができ、スループットの向上につながる。
うことなしに反応生成物をポンプ内部に堆積させること
なく反応ガスを排気することができるので分解洗浄のメ
ンテナンスをする必要がなく、半導体製造装置の稼動率
をあげることができ、スループットの向上につながる。
従って、本実施例のターボ真空ポンプは半導体製造装置
の排気に適したポンプである。
の排気に適したポンプである。
本発明によれば、ポンプの駆動に要する電力以外の電力
を用いずに、半導体製造装置の反応生成物のポンプ内部
への堆積を防ぐことができるので分解洗浄によるメンテ
ナンスの必要をなくすることができる。
を用いずに、半導体製造装置の反応生成物のポンプ内部
への堆積を防ぐことができるので分解洗浄によるメンテ
ナンスの必要をなくすることができる。
第1図は本発明の一実施例を示すターボ真空ポンプの縦
断面図、第2図は第1の渦流翼を軸方向から見た横断面
図である。 1・・・ロータ、2・・・ケーシング、3・・・ロータ
、4・・・軸流翼ロータ羽根、5・・・ステータリング
、6・・・軸流翼ステータ羽根、7・・・渦流翼ロータ
羽根、8・・・渦流翼ステータ羽根、9・・・渦流翼、
10・・・通風路、11・・・仕切部、12・・・吸入
口、13・・・吐出口、14・・・モータシャフト、1
5・・・ナツト、16・・・下ケーシング、17・・・
軸受、18・・・ベース、19・・・軸受、20・・・
モータロータ、21・・・モータステータ、22・・・
ヒートパイプ、23・・・吸気口、24・・・排気口。
断面図、第2図は第1の渦流翼を軸方向から見た横断面
図である。 1・・・ロータ、2・・・ケーシング、3・・・ロータ
、4・・・軸流翼ロータ羽根、5・・・ステータリング
、6・・・軸流翼ステータ羽根、7・・・渦流翼ロータ
羽根、8・・・渦流翼ステータ羽根、9・・・渦流翼、
10・・・通風路、11・・・仕切部、12・・・吸入
口、13・・・吐出口、14・・・モータシャフト、1
5・・・ナツト、16・・・下ケーシング、17・・・
軸受、18・・・ベース、19・・・軸受、20・・・
モータロータ、21・・・モータステータ、22・・・
ヒートパイプ、23・・・吸気口、24・・・排気口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、翼車が高真空段、中真空段、低真空段から構成され
、大気圧から超高真空まで一台のポンプで排気できるタ
ーボ真空ポンプにおいて、釣り鐘型のロータと釣り鐘型
ロータに包含されるロータがあり、釣り鐘型ロータの外
周に高真空段、中低真空段を設け、釣り鐘型ロータに包
含されるロータの外周に低真空段を設け、低真空段から
中真空段への熱伝達手段を設けたことを特徴とするター
ボ真空ポンプ。 2、特許請求の範囲の第1項記載のターボ真空ポンプに
おいて、熱伝達手段がヒートパイプであるターボ真空ポ
ンプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25381686A JPS63109299A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | タ−ボ真空ポンプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25381686A JPS63109299A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | タ−ボ真空ポンプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63109299A true JPS63109299A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17256533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25381686A Pending JPS63109299A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | タ−ボ真空ポンプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63109299A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11351190A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-12-21 | Boc Group Plc:The | 真空ポンプ |
EP0979947A2 (en) * | 1998-08-12 | 2000-02-16 | Seiko Seiki Kabushiki Kaisha | Turbomolecular pump |
US6824357B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-11-30 | Pfeiffer Vacuum Gmbh | Turbomolecular pump |
-
1986
- 1986-10-27 JP JP25381686A patent/JPS63109299A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11351190A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-12-21 | Boc Group Plc:The | 真空ポンプ |
EP0979947A2 (en) * | 1998-08-12 | 2000-02-16 | Seiko Seiki Kabushiki Kaisha | Turbomolecular pump |
EP0979947A3 (en) * | 1998-08-12 | 2001-03-28 | Seiko Seiki Kabushiki Kaisha | Turbomolecular pump |
US6824357B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-11-30 | Pfeiffer Vacuum Gmbh | Turbomolecular pump |
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