JPS63108A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS63108A JPS63108A JP14326086A JP14326086A JPS63108A JP S63108 A JPS63108 A JP S63108A JP 14326086 A JP14326086 A JP 14326086A JP 14326086 A JP14326086 A JP 14326086A JP S63108 A JPS63108 A JP S63108A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子の製造方法に関する。
従来の技術
基板上に直接あるいは基板上に絶縁物を形成した上にシ
リコン薄膜を形成し、このシリコン薄膜上にトランジス
タや抵抗素子等を形成した半導体素子がある。こうした
素子は１例えば薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）、三次元Ｉ
Ｃ，ＳＯ８等でみられる。
リコン薄膜を形成し、このシリコン薄膜上にトランジス
タや抵抗素子等を形成した半導体素子がある。こうした
素子は１例えば薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）、三次元Ｉ
Ｃ，ＳＯ８等でみられる。
また、このシリコン薄膜層をレーザーアニールあるいは
電子ビームアニールあるいはフラッシュランプアニール
あるいはシー／メルティング法によって再結晶化し、こ
の再結晶化したシリコン薄膜上に半導体素子を形成する
方法もある。再結晶化を行う場合、面方位を制御し結晶
粒界のない結晶性の良いシリコン層を得るため、シリコ
ン層の一部を除去し島状にしたシ、単結晶シリコン基板
。
電子ビームアニールあるいはフラッシュランプアニール
あるいはシー／メルティング法によって再結晶化し、こ
の再結晶化したシリコン薄膜上に半導体素子を形成する
方法もある。再結晶化を行う場合、面方位を制御し結晶
粒界のない結晶性の良いシリコン層を得るため、シリコ
ン層の一部を除去し島状にしたシ、単結晶シリコン基板
。
上の絶縁膜の一部を除去しその表面を露出させた後シリ
コン薄膜を形成した構造にしたりしていた。
コン薄膜を形成した構造にしたりしていた。
発明が解決しようとする問題点
基板上に形成したシリコン薄膜上に作製したトランジス
タ（薄膜トランジスタ）を高速で動作させるためには、
シリコン薄膜を再結晶化して結晶粒界をなくし、移動度
を上げなくてはならない。
タ（薄膜トランジスタ）を高速で動作させるためには、
シリコン薄膜を再結晶化して結晶粒界をなくし、移動度
を上げなくてはならない。
フグ法などの手法がある。
第４図のように、単結晶シリコン基板（つ：Ｃ／％）２
１上に絶縁膜１１を形成し、その−部を除去しシリコン
基板２１の表面を露出させその後シリコン薄膜４を形成
した構造では、基板２１は単結晶シリコンでなくてはな
らない。石英ガラスあるいはアルミナセラミックあるい
は無アルカリガラスなどの絶縁基板上では、この方法で
は、結晶方位を制御し結晶粒界のない結晶を得ることが
できない。
１上に絶縁膜１１を形成し、その−部を除去しシリコン
基板２１の表面を露出させその後シリコン薄膜４を形成
した構造では、基板２１は単結晶シリコンでなくてはな
らない。石英ガラスあるいはアルミナセラミックあるい
は無アルカリガラスなどの絶縁基板上では、この方法で
は、結晶方位を制御し結晶粒界のない結晶を得ることが
できない。
また、基板上のシリコン薄膜の一部を除去しシリコン層
を島状に形成した構造では、大面積にわたって一様に結
晶化を行うことができず、大容量の集積した半導体回路
を形成することができなへ本発明は大面積にわたって良
質な語注シリコン薄膜を形成することを目的とする。
を島状に形成した構造では、大面積にわたって一様に結
晶化を行うことができず、大容量の集積した半導体回路
を形成することができなへ本発明は大面積にわたって良
質な語注シリコン薄膜を形成することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、基板上に第１シリコン薄膜を形成し、この第
１シリコン薄膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の一部
を除去し前記第１シリコン薄膜の表面を露出させた後、
第２シリコン薄膜を形成させ、この第２シリコン薄膜を
レーザーアニールあるいは電子ビームアニールあるいは
ゾーンメルティング法あるいはフラッシュランプアニー
ルによって再結晶化させる半導体素子の製造方法である
。さらに望ましくは、第１シリコン薄膜をレーザーアニ
ールあるいは電子ビームアニールあるいはゾーンメルテ
ィング法あるいはフラッシュランプアニールによって再
結晶化する方法である。
１シリコン薄膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の一部
を除去し前記第１シリコン薄膜の表面を露出させた後、
第２シリコン薄膜を形成させ、この第２シリコン薄膜を
レーザーアニールあるいは電子ビームアニールあるいは
ゾーンメルティング法あるいはフラッシュランプアニー
ルによって再結晶化させる半導体素子の製造方法である
。さらに望ましくは、第１シリコン薄膜をレーザーアニ
ールあるいは電子ビームアニールあるいはゾーンメルテ
ィング法あるいはフラッシュランプアニールによって再
結晶化する方法である。
作 用
以上の方法によって、絶縁基板上に面方位の制御された
単結晶シリコン薄膜が大面積にわたって形成することが
できる。
単結晶シリコン薄膜が大面積にわたって形成することが
できる。
実施例
第１図にて本発明の第１の実施例の方法を説明する。絶
縁基板１上に減圧ＣＶＤ法あるいはスノくツタ−法等の
各種蒸着法でシリコン薄膜２を形成する。この薄膜は、
大面積にわたって一様に結晶方位のそろった単結晶には
なっていない。このシリコン薄膜２を種々のアニール法
（例えばレーザーアニール、 電子ヒームアニール、フ
ラッシュランプアニール、ゾーンメルティング法）で単
結晶化を行う。この単結晶化したシリコン薄膜２上に。
縁基板１上に減圧ＣＶＤ法あるいはスノくツタ−法等の
各種蒸着法でシリコン薄膜２を形成する。この薄膜は、
大面積にわたって一様に結晶方位のそろった単結晶には
なっていない。このシリコン薄膜２を種々のアニール法
（例えばレーザーアニール、 電子ヒームアニール、フ
ラッシュランプアニール、ゾーンメルティング法）で単
結晶化を行う。この単結晶化したシリコン薄膜２上に。
酸化シリコン膜等の絶縁膜３を形成し、その−部を除去
しである面方位例えば（１００＞をもった単結晶化した
シリコン薄膜２の表面を露出させる。
しである面方位例えば（１００＞をもった単結晶化した
シリコン薄膜２の表面を露出させる。
その後、減圧ＣＶＤ法等によりシリコン薄膜４を形成す
る。そして、露出したシリコン薄膜２を結晶種としてこ
のシリコン薄膜４をアニールして単結晶化を行う。単結
晶化は、下層の再結晶化したシリコン薄膜２との界面で
起こり、これがシリコン薄膜４全面に成長するように行
う。このようにして、大面積にわたって良好な単結晶シ
リコン薄膜４が得られる。その後通常の半導体プロセス
によってこの薄膜４にトランジスタ等の半導体素子を形
成することによって半導体集積回路が得られる。
る。そして、露出したシリコン薄膜２を結晶種としてこ
のシリコン薄膜４をアニールして単結晶化を行う。単結
晶化は、下層の再結晶化したシリコン薄膜２との界面で
起こり、これがシリコン薄膜４全面に成長するように行
う。このようにして、大面積にわたって良好な単結晶シ
リコン薄膜４が得られる。その後通常の半導体プロセス
によってこの薄膜４にトランジスタ等の半導体素子を形
成することによって半導体集積回路が得られる。
第２図に本発明の第２の実施例を示す。基板１− 上
に酸化シリコン等の絶縁膜１１．を形成する。基板１の
表面に凹凸がある場合、絶縁膜１１の表面も凹凸が発生
するが、このときは半導体プロセスを用いて、絶縁膜の
凹凸を１０００人かそれ以下にして平らな表面を作製す
る。この上に実施例１で述べた方法で、単結晶シリコン
薄膜４を得る。
に酸化シリコン等の絶縁膜１１．を形成する。基板１の
表面に凹凸がある場合、絶縁膜１１の表面も凹凸が発生
するが、このときは半導体プロセスを用いて、絶縁膜の
凹凸を１０００人かそれ以下にして平らな表面を作製す
る。この上に実施例１で述べた方法で、単結晶シリコン
薄膜４を得る。
第３図に本発明の第３の実施例を示す。基板１上にシリ
コン薄膜２を形成する。この場合基板は、単層であって
も良いし、絶縁膜を形成し多層構造になっていても良い
。表面に凹凸のない平らな基板になっていれば良い。シ
リコン薄膜２の一部を除去しシリコン薄膜を島状にある
いは島状同志を連結した構造にする。このような構造の
シリコン薄膜２を単結晶化する。その後、絶縁膜３を形
成し、エツチング等の半導体プロセスを用いてシリコン
２の表面を露出するとともにシリコン薄膜２と絶縁膜３
の厚さを同程度にして平坦化を行う。
コン薄膜２を形成する。この場合基板は、単層であって
も良いし、絶縁膜を形成し多層構造になっていても良い
。表面に凹凸のない平らな基板になっていれば良い。シ
リコン薄膜２の一部を除去しシリコン薄膜を島状にある
いは島状同志を連結した構造にする。このような構造の
シリコン薄膜２を単結晶化する。その後、絶縁膜３を形
成し、エツチング等の半導体プロセスを用いてシリコン
２の表面を露出するとともにシリコン薄膜２と絶縁膜３
の厚さを同程度にして平坦化を行う。
その後、シリコン薄膜４を形成し単結晶を行う。
この構造にすれば、シリコン薄膜２と絶縁膜３の境界付
近に段差がないため、シリコン薄膜４は歪が少なく大面
積にわたって一様で良質の単結晶膜が得られる。この単
結晶膜上に通常の半導体プロセスを用いて半導体素子を
形成する。
近に段差がないため、シリコン薄膜４は歪が少なく大面
積にわたって一様で良質の単結晶膜が得られる。この単
結晶膜上に通常の半導体プロセスを用いて半導体素子を
形成する。
発明の効果
以上の方法を用いることによって、絶縁基板上に単結晶
シリコン薄膜を形成することが可能であシ、このシリコ
ン薄膜の移動度が、シリコン単結晶と同程度であり絶縁
基板上に高速のトラ／ジスを行うことができる。
シリコン薄膜を形成することが可能であシ、このシリコ
ン薄膜の移動度が、シリコン単結晶と同程度であり絶縁
基板上に高速のトラ／ジスを行うことができる。
第１図〜第３図は本発明の実施例の方法を説明するため
の断面図、第４図は従来の方法を説明するための断面図
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・シリコン薄膜、３
・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・シリコン薄膜。
の断面図、第４図は従来の方法を説明するための断面図
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・シリコン薄膜、３
・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・シリコン薄膜。
Claims (2)
- （１）基板上に第１シリコン薄膜を形成し、この第１シ
リコン薄膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の一部を除
去し前期第１シリコン薄膜の表面を露出させた後、第２
シリコン薄膜を形成し、前記第２シリコン薄膜を熱処理
して再結晶化させることを特徴とする半導体素子の製造
方法。 - （２）第１シリコン薄膜を、レーザーアニールあるいは
電子ビームアニールあるいはゾーンメルティング法ある
いはフラッシュランプアニールによって再結晶化するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14326086A JPS63108A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14326086A JPS63108A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108A true JPS63108A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15334608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14326086A Pending JPS63108A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4929860A (en) * | 1988-05-17 | 1990-05-29 | Sundstrand Data Control, Inc. | Electrode configuration for vibrating beam transducers |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP14326086A patent/JPS63108A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4929860A (en) * | 1988-05-17 | 1990-05-29 | Sundstrand Data Control, Inc. | Electrode configuration for vibrating beam transducers |
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