JPS6310612A - 新規な感光性組成物 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な感光性組成物、さら(二詳しくいえば、
加熱処理により耐熱性高分子化合物:二変換しうる感光
性組成物に関するものである。
加熱処理により耐熱性高分子化合物:二変換しうる感光
性組成物に関するものである。
従来、ポリイミドに代表される耐熱性高分子化合物は、
その耐熱性や電気特性などを生かして、例えば電気、自
動車、航空機、宇宙、原子力などの分野で、構造部材、
プリント基板材料、耐熱絶縁材料など1:広く用いられ
ている。
その耐熱性や電気特性などを生かして、例えば電気、自
動車、航空機、宇宙、原子力などの分野で、構造部材、
プリント基板材料、耐熱絶縁材料など1:広く用いられ
ている。
一方、感光性高分子化合物は、塗料や印刷版などの用途
に広く用いられており、特に最近ではそのリソグラフィ
ー特性を生かして、プリント回路作成用Vシスト、金属
板エツチング用レジスト、半導体素子作成用レジストな
どの微細加工用材料として、目覚ましい進歩がみられる
ことは周知のところである。
に広く用いられており、特に最近ではそのリソグラフィ
ー特性を生かして、プリント回路作成用Vシスト、金属
板エツチング用レジスト、半導体素子作成用レジストな
どの微細加工用材料として、目覚ましい進歩がみられる
ことは周知のところである。
近年、この耐熱性と感光性という2種の有用な機能を合
わせもつ高分子材料について、特シー電子材料や光学材
料用として積極的に開発がなされており、例えばパッシ
ベーション膜、α線遮へい膜、ジャンクションコート膜
などの表面保護膜や多層配線用の層間絶縁膜のような半
導体素子用絶縁膜あるいは液晶表示素子用配向膜、薄膜
磁気ヘッド用絶縁膜などの用途が検討されている〔例え
ば、「機能材料」、7月号第デ〜/タページ(/り♂3
年)及び、[フォトグラフィック・ナイエンス・アンド
・エンジニャリング(Photographic 5c
ienceand Bngineering ) J第
303〜309ページ(/97り年)参照〕。
わせもつ高分子材料について、特シー電子材料や光学材
料用として積極的に開発がなされており、例えばパッシ
ベーション膜、α線遮へい膜、ジャンクションコート膜
などの表面保護膜や多層配線用の層間絶縁膜のような半
導体素子用絶縁膜あるいは液晶表示素子用配向膜、薄膜
磁気ヘッド用絶縁膜などの用途が検討されている〔例え
ば、「機能材料」、7月号第デ〜/タページ(/り♂3
年)及び、[フォトグラフィック・ナイエンス・アンド
・エンジニャリング(Photographic 5c
ienceand Bngineering ) J第
303〜309ページ(/97り年)参照〕。
従来、耐熱性感光性組成物としては、例えばポリイミド
の前駆体であるポリアミド酸のエステル側鎖(二二重結
合などの活性官能基を導入したポリマー(二、光増感剤
や共重合性七ツマ−を加えた、光照射(二より架橋構造
が形成されうる組成物が知られている(特公昭jター3
0.207号公報、特公昭、fj−11/4t22号公
報)。このものはいわゆる感光性ポリイミドに代表され
るリソグラフィー用耐熱性高分子材料の基本的な組成物
であるが、光感度が低く、実用C二重するには不十分で
あった。
の前駆体であるポリアミド酸のエステル側鎖(二二重結
合などの活性官能基を導入したポリマー(二、光増感剤
や共重合性七ツマ−を加えた、光照射(二より架橋構造
が形成されうる組成物が知られている(特公昭jター3
0.207号公報、特公昭、fj−11/4t22号公
報)。このものはいわゆる感光性ポリイミドに代表され
るリソグラフィー用耐熱性高分子材料の基本的な組成物
であるが、光感度が低く、実用C二重するには不十分で
あった。
又、このような欠点を改良した組成物として、前記の側
鎖活性官能基にメタクリレート基又はアクリンート基を
用い、光開始剤としてp−アセトアミド−フェニルスル
ホンアジドなどのアジド化合物を加えたものが提案され
ている(特開昭!j−/j!3’17号公報)。しかし
ながら、この組成物は若干光感度が向上しているものの
、まだ十分であるとはいえない。
鎖活性官能基にメタクリレート基又はアクリンート基を
用い、光開始剤としてp−アセトアミド−フェニルスル
ホンアジドなどのアジド化合物を加えたものが提案され
ている(特開昭!j−/j!3’17号公報)。しかし
ながら、この組成物は若干光感度が向上しているものの
、まだ十分であるとはいえない。
一方、ポリアミド酸と二重結合などの活性官能基を有す
るアミン化合物との混合物を主成分とする感光性組成物
が提案されている(特開昭57−/乙♂バー号公報、特
開昭5グ一/4tj7タグ号公報、特開昭jター/6θ
/4tθ号公報)。
るアミン化合物との混合物を主成分とする感光性組成物
が提案されている(特開昭57−/乙♂バー号公報、特
開昭5グ一/4tj7タグ号公報、特開昭jター/6θ
/4tθ号公報)。
しかしながら、このものはその溶液の粘度が極めて高い
ために、より低濃度の溶液で取扱う必要があり、半導体
素子表面の製膜に汎用されているスピンコーターなどを
用いた場合、厚膜を形成することが困難であった。又、
これらはイオン結合型であるために、塗布乾燥後放置す
ると、吸湿によりクラックを生じやすいという問題点が
あった。
ために、より低濃度の溶液で取扱う必要があり、半導体
素子表面の製膜に汎用されているスピンコーターなどを
用いた場合、厚膜を形成することが困難であった。又、
これらはイオン結合型であるために、塗布乾燥後放置す
ると、吸湿によりクラックを生じやすいという問題点が
あった。
これら先行技術(=開示されている組成物の使用法(二
ついては、いずれも溶液として基体上に塗布し、乾燥後
、フォトマスクを通して紫外線などの活性光線を照射し
たのち、適当な現像溶媒で未露光部分を溶解除去して画
像を形成し、次いで高温処理を行なってイミド環などに
閉環し、同時にポリアミド酸側鎖や架橋鎖、開始剤など
を気化せしめることにより耐熱性のフィルムを形成せし
めるプロセスが代表的な形態として用いられる。
ついては、いずれも溶液として基体上に塗布し、乾燥後
、フォトマスクを通して紫外線などの活性光線を照射し
たのち、適当な現像溶媒で未露光部分を溶解除去して画
像を形成し、次いで高温処理を行なってイミド環などに
閉環し、同時にポリアミド酸側鎖や架橋鎖、開始剤など
を気化せしめることにより耐熱性のフィルムを形成せし
めるプロセスが代表的な形態として用いられる。
ところで、従来の先行技術(二おいては、いわゆる感光
性ポリイミドの膜厚を厚くしていくと、光感度が極端(
=低下して、硬化に必要な露光時間が長くなるという欠
点を有することが見い出された。
性ポリイミドの膜厚を厚くしていくと、光感度が極端(
=低下して、硬化に必要な露光時間が長くなるという欠
点を有することが見い出された。
また、我々は、すで1:、光開始剤として、ある種の構
造を有するオキシム化合物と増感剤とを組合せることに
より光感度を向上させることを見いだした(特開昭J/
−/ /、!’423号)が、さら(二、感度を向上
させる必要がある。
造を有するオキシム化合物と増感剤とを組合せることに
より光感度を向上させることを見いだした(特開昭J/
−/ /、!’423号)が、さら(二、感度を向上
させる必要がある。
本発明者らは、このような事情(二鑑み、光感度が高く
、特に厚膜で使用する場合においても、高い光感度を有
する耐熱性感光性組成物を提供すべく鋭意研究を重ねた
。
、特に厚膜で使用する場合においても、高い光感度を有
する耐熱性感光性組成物を提供すべく鋭意研究を重ねた
。
その結果、必須成分として特定の構造を有する重合体、
オキシム化合物、及び吸収ピーク波長が、2jθ〜jθ
Q nmにある増感剤を含有して成る組成物がその目的
(−適合しうることを見出し、この知見に基づいて本発
明を完成するに至った。
オキシム化合物、及び吸収ピーク波長が、2jθ〜jθ
Q nmにある増感剤を含有して成る組成物がその目的
(−適合しうることを見出し、この知見に基づいて本発
明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、(イ)一般式U>〔式中のXは(
,2+n)価の炭素環式基又は複素環式基、Yは(2+
m)価の炭素環式基又は複素環式R*は炭素−炭素二重
結合を有する基、Wは熱処理により、−COOR*のカ
ルボニル基と反応して環を形成しうる基、nは/又は2
、mはθ、/又はコリ位の関係にある〕 で示される繰り返し単位を有する重合体(以下(イ)成
分と称す) (ロ) 一般式(2) 〔式中R,は水素原子、炭素数7ないし乙のアルキル基
、炭素数/ないし乙のアルコキシ基、又はニトロ基、R
2は炭素数7ないし乙のアルキル基、又は炭素数6ない
し10の芳香族炭化水素基、R3は炭素数/ないし乙の
アルキル基、炭素数/ないし乙のアルコキシ基、炭素数
6ないし/θの芳香族炭化水素基、又は炭素数乙ないし
/θのアリーロキン基を示す〕 で示されるオキシム化合物(以下(ロ)成分と称す)、
および (ハ) 吸収ピーク波長が2jO〜j0onmi二ある
増感剤(以下(ハ)成分と称す)を必須成分として含有
して成る感光性組成物を提供するものである。
,2+n)価の炭素環式基又は複素環式基、Yは(2+
m)価の炭素環式基又は複素環式R*は炭素−炭素二重
結合を有する基、Wは熱処理により、−COOR*のカ
ルボニル基と反応して環を形成しうる基、nは/又は2
、mはθ、/又はコリ位の関係にある〕 で示される繰り返し単位を有する重合体(以下(イ)成
分と称す) (ロ) 一般式(2) 〔式中R,は水素原子、炭素数7ないし乙のアルキル基
、炭素数/ないし乙のアルコキシ基、又はニトロ基、R
2は炭素数7ないし乙のアルキル基、又は炭素数6ない
し10の芳香族炭化水素基、R3は炭素数/ないし乙の
アルキル基、炭素数/ないし乙のアルコキシ基、炭素数
6ないし/θの芳香族炭化水素基、又は炭素数乙ないし
/θのアリーロキン基を示す〕 で示されるオキシム化合物(以下(ロ)成分と称す)、
および (ハ) 吸収ピーク波長が2jO〜j0onmi二ある
増感剤(以下(ハ)成分と称す)を必須成分として含有
して成る感光性組成物を提供するものである。
本発明組成物において、(イ)成分として用いる重合体
は、前記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する
ものであり、式中のXは3又はグ価の炭素環式基又は複
素環式基であって、この上うなXとしては、例えばベン
ゼン環や、ナフタレン環、アントラセン環などの縮合多
環芳香環、ピリジン、チオフェンなどの複素環式基、及
び一般式(11)X2はCH,又はCF、である〕 で示される基などが挙げられる。これらの中で炭素数乙
〜/4tの芳香族炭化水素基や、Xlが+CH2÷CF
。
は、前記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する
ものであり、式中のXは3又はグ価の炭素環式基又は複
素環式基であって、この上うなXとしては、例えばベン
ゼン環や、ナフタレン環、アントラセン環などの縮合多
環芳香環、ピリジン、チオフェンなどの複素環式基、及
び一般式(11)X2はCH,又はCF、である〕 で示される基などが挙げられる。これらの中で炭素数乙
〜/4tの芳香族炭化水素基や、Xlが+CH2÷CF
。
しく、さらに式
%式%)
で示されるものが好ましい。
前記一般式(1)におけるYは認、3又はグ価の炭素環
式基又は複素環式基であって、このようなものとしては
、例えばナフタレン、アントラセンなどに由来する炭素
数70〜/との2価の芳香族炭化水素環、ピリジン、イ
ミダゾールなど1=由来する複素環式基及び式 〔式中のYlは)l 、 CH,、(CH,)、C)]
、 QC)(、、C00)I 。
式基又は複素環式基であって、このようなものとしては
、例えばナフタレン、アントラセンなどに由来する炭素
数70〜/との2価の芳香族炭化水素環、ピリジン、イ
ミダゾールなど1=由来する複素環式基及び式 〔式中のYlは)l 、 CH,、(CH,)、C)]
、 QC)(、、C00)I 。
ハロゲン原子又は801B 、YzR+cHI÷p(た
だし、pはθ又はlである)、−SO,−1 Y、及びY4はH,CH,、C,1−1,、QC)I8
、ハロゲン原子、C0OH%5O3H又はNo2%Ys
及びY6はH、CN 、 /%C7ゲン原子、CH,、
OCH,、5o3H又はOHである〕で示される基など
が挙げられる。これらの中で炭素数7θ〜/4tの2価
の芳香族炭化水素環や、有が÷CH2÷ (ただし、p
はθ又は/)、−C−1”
11〇 一8Or、−〇−又は−S−で、かつYl及びY4がと
も(=水素原子である式(15)で示される基が好まし
く、さらに式 で示される基が好ましい。
だし、pはθ又はlである)、−SO,−1 Y、及びY4はH,CH,、C,1−1,、QC)I8
、ハロゲン原子、C0OH%5O3H又はNo2%Ys
及びY6はH、CN 、 /%C7ゲン原子、CH,、
OCH,、5o3H又はOHである〕で示される基など
が挙げられる。これらの中で炭素数7θ〜/4tの2価
の芳香族炭化水素環や、有が÷CH2÷ (ただし、p
はθ又は/)、−C−1”
11〇 一8Or、−〇−又は−S−で、かつYl及びY4がと
も(=水素原子である式(15)で示される基が好まし
く、さらに式 で示される基が好ましい。
前記一般式(1)におけるWは、熱処理により、−CO
OR*のカルボニル基と反応して環を形成しうる基であ
って、このようなものとしては、特に−C−N)1.が
好適である。又、nとしては2が好まじい。
OR*のカルボニル基と反応して環を形成しうる基であ
って、このようなものとしては、特に−C−N)1.が
好適である。又、nとしては2が好まじい。
さらに、前記一般式(1) l:おけるR*は炭素−炭
素二重結合を有する基であって、このようなものとして
は1例えば、 −R“−C)(=CH2(Is) 〔式中R′は水素原子、又はメチル基、R#は炭素数7
ないし3のアルキレン基、nは/又はコ〕などが挙げら
れる。
素二重結合を有する基であって、このようなものとして
は1例えば、 −R“−C)(=CH2(Is) 〔式中R′は水素原子、又はメチル基、R#は炭素数7
ないし3のアルキレン基、nは/又はコ〕などが挙げら
れる。
(nl)の例としては、
(!2)の例としては、
(13)の例としては、
(14)の例としては、
(ms)の例としては、
=CH,−CH=CH。
=CH,−CH,−CH=C)I。
(16)の例としては、
υ しh3
−CB2−CH,−NH−C−CH;CH。
(fi))の例としては、
などが挙げられる。
これらの内、光感度、及び、保存安定性等から=CH,
−CH,−NH−C−CH=CH。
−CH,−NH−C−CH=CH。
などが好ましい。
本発明組成物において(ロ)成分として用いるオキシム
化合物は、前記一般式(2)で示されるものである。
化合物は、前記一般式(2)で示されるものである。
式中R1は水素原子、炭素数7ないし乙のアルキル基、
炭素数7ないし乙のアルコキシ基、又はニトロ基であり
、好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、メトキ
シ基、エトキシ基、ニトロ基などが挙げられる。式中R
,は炭素@lないし6のアルキル基、又は炭素数6ない
しIOの芳香族炭化水素基であり、好ましくは、メチル
基、エチル基、フェニル基、トシル基などが挙げられる
。式中R3は炭素数/ないし乙のアルキル基、炭素数/
ないし乙のアルコキシ基、炭素数6ないしIOの芳香族
炭化水素基、又は炭素数6ないし/θのアリーロキシ基
であり、好ましくは、エチル基、ブチル基、メトキシ基
、エトキシ基、フェニル基、トシル基、フェニルオキシ
基などが挙げられる。オキシム化合物の例としては。
炭素数7ないし乙のアルコキシ基、又はニトロ基であり
、好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、メトキ
シ基、エトキシ基、ニトロ基などが挙げられる。式中R
,は炭素@lないし6のアルキル基、又は炭素数6ない
しIOの芳香族炭化水素基であり、好ましくは、メチル
基、エチル基、フェニル基、トシル基などが挙げられる
。式中R3は炭素数/ないし乙のアルキル基、炭素数/
ないし乙のアルコキシ基、炭素数6ないしIOの芳香族
炭化水素基、又は炭素数6ないし/θのアリーロキシ基
であり、好ましくは、エチル基、ブチル基、メトキシ基
、エトキシ基、フェニル基、トシル基、フェニルオキシ
基などが挙げられる。オキシム化合物の例としては。
などが挙げられるが、これらに限定されるものではない
。なおこれらは単独でも複数を混合して使用してもよい
。
。なおこれらは単独でも複数を混合して使用してもよい
。
本発明組成物において(ハ)成分として用いる増感剤は
、吸収ピーク波長が、2jθ〜!0θnmにあるもので
あり、このような例としては、ts 〔式中R11、netはそれぞれメチル基、又はエチル
基、Rlmは水素原子、又はメチル基、R14は炭素数
乙ないし/θの芳香族炭化水素、R,、はメチル基、エ
チル基、又は炭素数乙ないし10の芳香族炭化水素、R
16、R17はそれぞれ水素原子、脂肪族基、置換脂肪
族基、または炭素数にないし/θの芳香族炭化水素から
なる基である、R111、R1?の少なくとも一方は水
素原子ではない基であり、RIsは水素原子、メチル基
、エチル基、または水素基、m、noはそれぞれθ、/
又はコ〕 などが挙げられる。
、吸収ピーク波長が、2jθ〜!0θnmにあるもので
あり、このような例としては、ts 〔式中R11、netはそれぞれメチル基、又はエチル
基、Rlmは水素原子、又はメチル基、R14は炭素数
乙ないし/θの芳香族炭化水素、R,、はメチル基、エ
チル基、又は炭素数乙ないし10の芳香族炭化水素、R
16、R17はそれぞれ水素原子、脂肪族基、置換脂肪
族基、または炭素数にないし/θの芳香族炭化水素から
なる基である、R111、R1?の少なくとも一方は水
素原子ではない基であり、RIsは水素原子、メチル基
、エチル基、または水素基、m、noはそれぞれθ、/
又はコ〕 などが挙げられる。
増感剤の例としては、ミヒラーズヶトン、り、9′−ビ
ス−(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン1.2J−ビ
ス−(タージエチルアミノベンザル)−シクロペンタノ
ン、コメ−ビス−(タージエチルアミノベンザル)−シ
クロヘキサノン1.2.tg −1m’スー(り′−ジ
メチルアミノベンザル)−ターメチル−シクロヘキサノ
ン、認、乙−ビス(llt’−ジエチルアミノベンザル
)−クーメチルーンクロヘキサノン%り、タービス−(
ジメチルアミノ)−カルコン、g、4t’−ビス−(ジ
エチルアミノ)−カルコン、ゲージメチルアミノシンナ
ミリデンインダノン、ダージメチルアミノペンジリデン
インダノン、2−(クージメチルアミノフェニルビニレ
ン)−ベンゾチアゾール、λ−(ゲージメチルアミノフ
ェニルビニレン)−イソナフトチアソール、/、3−ビ
ス−(4t′−ジメチルアミノベンザル)−アセトン、
7.3−ビス−(タージエチルアミノベンザル)−アセ
トン、3.3′−カルボニル−ビス−(7−ジニチルア
ミノクマリン)、7−ジエチルアミノ−3−ベンゾイル
クマリン、2−ジエチルアミノ−q−メチルクマリン、
N−フェニル−ジェタノールアミン、N−p−)リルー
ジエチルアミンなどが挙げられるか、これに限定される
ものではない。
ス−(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン1.2J−ビ
ス−(タージエチルアミノベンザル)−シクロペンタノ
ン、コメ−ビス−(タージエチルアミノベンザル)−シ
クロヘキサノン1.2.tg −1m’スー(り′−ジ
メチルアミノベンザル)−ターメチル−シクロヘキサノ
ン、認、乙−ビス(llt’−ジエチルアミノベンザル
)−クーメチルーンクロヘキサノン%り、タービス−(
ジメチルアミノ)−カルコン、g、4t’−ビス−(ジ
エチルアミノ)−カルコン、ゲージメチルアミノシンナ
ミリデンインダノン、ダージメチルアミノペンジリデン
インダノン、2−(クージメチルアミノフェニルビニレ
ン)−ベンゾチアゾール、λ−(ゲージメチルアミノフ
ェニルビニレン)−イソナフトチアソール、/、3−ビ
ス−(4t′−ジメチルアミノベンザル)−アセトン、
7.3−ビス−(タージエチルアミノベンザル)−アセ
トン、3.3′−カルボニル−ビス−(7−ジニチルア
ミノクマリン)、7−ジエチルアミノ−3−ベンゾイル
クマリン、2−ジエチルアミノ−q−メチルクマリン、
N−フェニル−ジェタノールアミン、N−p−)リルー
ジエチルアミンなどが挙げられるか、これに限定される
ものではない。
なおこれらは単独でも複数を混合して使用してもよい。
好ましくは、(■1)ないしくvlg)の構造を有する
増感剤と(v19)の構造を有する増感剤を混合して使
用する。
増感剤と(v19)の構造を有する増感剤を混合して使
用する。
本発明の組成物には、必要に応じて炭素−炭素二重結合
を有する化合物を添加することができる。
を有する化合物を添加することができる。
この炭素−炭素二重結合を有する化合物は添加すること
により光重合反応を容易にするような化合物であって、
このようなものとしては、2−エチルへキシルアクリレ
ート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、N−ビニル
ーニーピロリドン、カルピトールアクリレート、テトラ
ヒドロフルフリルアクリレート、インボルニルアクリレ
ート、/。
により光重合反応を容易にするような化合物であって、
このようなものとしては、2−エチルへキシルアクリレ
ート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、N−ビニル
ーニーピロリドン、カルピトールアクリレート、テトラ
ヒドロフルフリルアクリレート、インボルニルアクリレ
ート、/。
乙−へキチンジオールジアクリレート、ネオペンチルグ
リコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペン
タエリスリトールジアクリレート、トリメチロールプロ
パントリアクリレート。
リコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペン
タエリスリトールジアクリレート、トリメチロールプロ
パントリアクリレート。
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールへキサアクリレート、テトラメチロールメタ
ンテトラアクリレート、テトラエチレングリコールジア
クリレート、ノナエチレングリコールジアクリレート、
メチレンビスアクリルアミド、N−メチロールアクリル
アミド及び、上記のアクリレート又はアクリルアミドを
メタクリレート又はメタクリルアミドに変えたもの等が
挙げられ、これらの中で好ましいものは、コつ以上の炭
素−炭素二重結合を有する化合物である。
スリトールへキサアクリレート、テトラメチロールメタ
ンテトラアクリレート、テトラエチレングリコールジア
クリレート、ノナエチレングリコールジアクリレート、
メチレンビスアクリルアミド、N−メチロールアクリル
アミド及び、上記のアクリレート又はアクリルアミドを
メタクリレート又はメタクリルアミドに変えたもの等が
挙げられ、これらの中で好ましいものは、コつ以上の炭
素−炭素二重結合を有する化合物である。
さらに本発明組成物にメルカプタン化合物を添加するこ
と(二より、光感度をさらに向上させることができる。
と(二より、光感度をさらに向上させることができる。
メルカプタン化合物の例としては、例えば、λ−メルカ
プトベンズイミダゾール、ニーメルカプトベンゾチアゾ
ール、/−フェニル−j−メルカプ)−/H−テトラゾ
ール、λ−メルカプトチアゾール、認−メルカプト−ク
ーフェニルチアゾール、2−アミノ−5−メルカプト−
/。
プトベンズイミダゾール、ニーメルカプトベンゾチアゾ
ール、/−フェニル−j−メルカプ)−/H−テトラゾ
ール、λ−メルカプトチアゾール、認−メルカプト−ク
ーフェニルチアゾール、2−アミノ−5−メルカプト−
/。
3、¥−チアゾール、コーメルカブトイミダゾール、コ
ーメルカブトーj−メチル−/、3.4t−チアジアゾ
ール、j−メルカプト−7−メチル−/【(−テトラゾ
ール、2.グ、乙−トリメルカブトーs −)リアージ
ン、コージプチルアミノーダ、乙−ジメルカプ)−5−
)リアジン、コ、!−ジメルカプト−/、3゜グーチア
ジアゾール、ターメルカプト−/、3.4t −チアジ
アゾール、/−エチル−!−メルカプl−−/、2,3
,4t−テトラゾール、コーメルカブト−6一二トロチ
アゾール、コーメルカブトベンゾオキナゾール、グーフ
ェニルーコーメルカブトチアゾール、メルカプトピリジ
ン、コーメル力プトキノリン、/−メチルーコーメルカ
プトイミダゾール、コーメルカプトーβ−ナフトチアゾ
ールなどが挙げられる。
ーメルカブトーj−メチル−/、3.4t−チアジアゾ
ール、j−メルカプト−7−メチル−/【(−テトラゾ
ール、2.グ、乙−トリメルカブトーs −)リアージ
ン、コージプチルアミノーダ、乙−ジメルカプ)−5−
)リアジン、コ、!−ジメルカプト−/、3゜グーチア
ジアゾール、ターメルカプト−/、3.4t −チアジ
アゾール、/−エチル−!−メルカプl−−/、2,3
,4t−テトラゾール、コーメルカブト−6一二トロチ
アゾール、コーメルカブトベンゾオキナゾール、グーフ
ェニルーコーメルカブトチアゾール、メルカプトピリジ
ン、コーメル力プトキノリン、/−メチルーコーメルカ
プトイミダゾール、コーメルカプトーβ−ナフトチアゾ
ールなどが挙げられる。
又、さらに本発明組成物には、必要に応じて官能性ジア
ルコキシシラン化合物を添加又は、基材にプレコートし
て用いることができる。このジアルコキシシラン化合物
は、本発明組成物の耐熱性高分子膜と基材であるSl及
び無機絶縁膜との界面の接着性を向上するような化合物
であって、これらの例としては、例えば、r−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル
)r−アミノプロピルジメトキシシラン、r−グリシド
キンプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルメチルジメトキシシラン、ジフトキン−3−メ
ルカプトプロビルメチルンラン、3−メタクリロキシプ
ロピルジメトキシメチルシラン、3−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3−ピ
ペリジノプロビルシラン、ジェトキシ−3−グリンドキ
シプロビルメチルシラン、N−(3−ジェトキシメチル
シリルプロピル)スクシンイミド等が挙げられる。
ルコキシシラン化合物を添加又は、基材にプレコートし
て用いることができる。このジアルコキシシラン化合物
は、本発明組成物の耐熱性高分子膜と基材であるSl及
び無機絶縁膜との界面の接着性を向上するような化合物
であって、これらの例としては、例えば、r−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル
)r−アミノプロピルジメトキシシラン、r−グリシド
キンプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルメチルジメトキシシラン、ジフトキン−3−メ
ルカプトプロビルメチルンラン、3−メタクリロキシプ
ロピルジメトキシメチルシラン、3−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3−ピ
ペリジノプロビルシラン、ジェトキシ−3−グリンドキ
シプロビルメチルシラン、N−(3−ジェトキシメチル
シリルプロピル)スクシンイミド等が挙げられる。
これらジアルコキシシラン化合物の使用方法及び効果に
ついては、例えば、特願昭乙θ−3乙バユ号に詳しく記
載されている。又、本発明組成物の溶液の保存安定性を
向上させるため(二、重合禁止剤を添加することもでき
る。この重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン
、N−ニトロソジフェニルアミン、 p −tcrt
−メチルカテコール、フェノチアジン、N−フェニルナ
フチルアミン、2.6−シーtert−ブチル−p−メ
チルフェノール等が挙げられるが、これらに限定される
ものではない。
ついては、例えば、特願昭乙θ−3乙バユ号に詳しく記
載されている。又、本発明組成物の溶液の保存安定性を
向上させるため(二、重合禁止剤を添加することもでき
る。この重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン
、N−ニトロソジフェニルアミン、 p −tcrt
−メチルカテコール、フェノチアジン、N−フェニルナ
フチルアミン、2.6−シーtert−ブチル−p−メ
チルフェノール等が挙げられるが、これらに限定される
ものではない。
本発明における(口)成分のオキシム化合物の含有割合
については、特に制限はないが、好ましくは(イ)成分
の重合体に対し0.7〜20重量%、さらに好ましくは
、7〜/j重量係の範囲で含有させることが望ましい。
については、特に制限はないが、好ましくは(イ)成分
の重合体に対し0.7〜20重量%、さらに好ましくは
、7〜/j重量係の範囲で含有させることが望ましい。
含有量が少ない場合は、光感度が十分でなく、含有量が
多すぎる場合は、熱処理を行なった後の膜特性が低下す
る。
多すぎる場合は、熱処理を行なった後の膜特性が低下す
る。
又、本発明における(ハ)成分の増感剤の含有割合:二
ついては、(イ)成分の重合体に対し0.0 /〜20
重量%、好ましくは、θ、θ!〜/j重量係の範囲で含
有させることが望ましい。含有量が少ない場合は、光感
度が十分でなく、含有量が多すぎる場合は、逆(−光感
度が低下する。
ついては、(イ)成分の重合体に対し0.0 /〜20
重量%、好ましくは、θ、θ!〜/j重量係の範囲で含
有させることが望ましい。含有量が少ない場合は、光感
度が十分でなく、含有量が多すぎる場合は、逆(−光感
度が低下する。
炭素−炭素二重結合を有する化合物の添加量は、(イ)
成分の重合体に対してλ、θ重量重量上以下ましC1゜
メルカプタン化合物の添加量は、好ましくは(イ)成分
の重合体(二対して、IO重量係以下が望ましく、さら
(二好ましくは、j恵’11%以下である。
成分の重合体に対してλ、θ重量重量上以下ましC1゜
メルカプタン化合物の添加量は、好ましくは(イ)成分
の重合体(二対して、IO重量係以下が望ましく、さら
(二好ましくは、j恵’11%以下である。
又、前記官能性ジアルコキジノラン化合物を添加して用
いる場合、その添加量は、(イ)成分の重合体に対して
0.0!〜70重量係、好ましくは0.7〜9重量%で
ある。
いる場合、その添加量は、(イ)成分の重合体に対して
0.0!〜70重量係、好ましくは0.7〜9重量%で
ある。
又、前記重合禁止剤は、(イ)成分の重合体(二対して
!重量係以下、好ましくは、θ、j重量重量上以下添加
用いられる。
!重量係以下、好ましくは、θ、j重量重量上以下添加
用いられる。
本発明組成物において(イ)成分として用いる重合体は
、例えば、一般式 で示される化合物と、一般式 で示される化合物とを重縮合又は重付加することにより
得られる。前記一般式(1)におけるZ、の例トシテハ
、−COOH(鳳t) 、COCl (璽z) 、NC
O(js)、NHz(14) 、−08(b)があり、
それぞれに対応する一般式(1)の略号な0内(−示す
。又、一般式(1v)におけるZ鵞の例としては、−C
OC皿(IV+) 、−COOH(fft) 、 −N
CO(IVs) 、NHz(lVn)があり、それぞれ
(二対応する一般式(IT)の略号を()内に示す。な
お、X%R,Y及びWは前記と同じ意味をもつ。
、例えば、一般式 で示される化合物と、一般式 で示される化合物とを重縮合又は重付加することにより
得られる。前記一般式(1)におけるZ、の例トシテハ
、−COOH(鳳t) 、COCl (璽z) 、NC
O(js)、NHz(14) 、−08(b)があり、
それぞれに対応する一般式(1)の略号な0内(−示す
。又、一般式(1v)におけるZ鵞の例としては、−C
OC皿(IV+) 、−COOH(fft) 、 −N
CO(IVs) 、NHz(lVn)があり、それぞれ
(二対応する一般式(IT)の略号を()内に示す。な
お、X%R,Y及びWは前記と同じ意味をもつ。
前記の一般式(1)で示される化合物と一般式(IV)
で示される化合物との重縮合又は恵付加反応により−Z
1と為−とが反応して結合鎖2が形成される。この際の
zlと22との好ましい組合わせ、生成するZの種類及
び得られた重合体を加熱処理した時に生成する環構造基
をまとめて第7表1:示す。
で示される化合物との重縮合又は恵付加反応により−Z
1と為−とが反応して結合鎖2が形成される。この際の
zlと22との好ましい組合わせ、生成するZの種類及
び得られた重合体を加熱処理した時に生成する環構造基
をまとめて第7表1:示す。
(以下余白)
第1表
〔注〕 *1 環構造
IM 、イミド環
QD:キナゾリンジオン環
OD=オキサジンジオン環
(イ)成分の重合体は、次に示す方法(二よっても製造
することができる。すなわち、一般式%式%(7) 〔式中のXは前記と同じ意味をもつ〕 で示される化合物を前記一般式(■3)又は(■4)で
示される化合物と反応させて得られた生成物のカルボキ
シル基を、一般式 〔式中のR*は前記と同じ意味をもつ〕で示されるエポ
キシ化合物、又は、たとえば一般式 で示されるアミン化合物、又は、一般式で示される四級
アンモニウム塩と反応させること:二より、該重合体が
得られる。
することができる。すなわち、一般式%式%(7) 〔式中のXは前記と同じ意味をもつ〕 で示される化合物を前記一般式(■3)又は(■4)で
示される化合物と反応させて得られた生成物のカルボキ
シル基を、一般式 〔式中のR*は前記と同じ意味をもつ〕で示されるエポ
キシ化合物、又は、たとえば一般式 で示されるアミン化合物、又は、一般式で示される四級
アンモニウム塩と反応させること:二より、該重合体が
得られる。
なお、これらの反応は、例えば特開昭56−32jコグ
号公報、特開昭60−/94t4t4tグ号公報);記
載されている。
号公報、特開昭60−/94t4t4tグ号公報);記
載されている。
前記の一般式(璽1)で示される化合物は、例えば、一
般式(I6) (JLI で示される酸無水物をR*OH(R*は前記と同じ意味
をもつ)で開環させて得られる。該酸無水物(16)と
しては、例えば、無水ピロメリット酸、3゜3’、47
.41’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
3.3’、<t、tt′−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物、3.3′、4t、q′−ジフェニル
テトラカルボン酸二無水物、3.37<t、tt′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,3,
6,7−ナフタレンテトラカルボン酸無水物、チオフェ
ン−2,3,’l。
般式(I6) (JLI で示される酸無水物をR*OH(R*は前記と同じ意味
をもつ)で開環させて得られる。該酸無水物(16)と
しては、例えば、無水ピロメリット酸、3゜3’、47
.41’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
3.3’、<t、tt′−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物、3.3′、4t、q′−ジフェニル
テトラカルボン酸二無水物、3.37<t、tt′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,3,
6,7−ナフタレンテトラカルボン酸無水物、チオフェ
ン−2,3,’l。
j−テトラカルボン酸無水物、2.2−ビス−(3゜グ
ービスカルボキンフェニル)プロパンm水物等が挙げら
れ、アルコールR*OHとしては、コーヒドロキシエチ
ルメタクリレート、コーヒドロキシエチルアクリレート
、−一ヒドロキシプロピルメタクリレート、コーヒドロ
キシブロビルアクリレ−)、7!Jアルコール及ヒエチ
レングリコールモノアリルエーテル等が挙げられる。
ービスカルボキンフェニル)プロパンm水物等が挙げら
れ、アルコールR*OHとしては、コーヒドロキシエチ
ルメタクリレート、コーヒドロキシエチルアクリレート
、−一ヒドロキシプロピルメタクリレート、コーヒドロ
キシブロビルアクリレ−)、7!Jアルコール及ヒエチ
レングリコールモノアリルエーテル等が挙げられる。
これらの酸無水物(厘6)をアルコールR*OHと反応
させるに際して、ピリジン、ジメチルアミノピリジン等
を添加すること(二より反応が加速される。
させるに際して、ピリジン、ジメチルアミノピリジン等
を添加すること(二より反応が加速される。
前記の第1表における番号l及び7′の組み合わせは好
ましい実施態様の7例であり、この組み合わせで用いら
れる一般式(■4)で示されるジアミンとしては、例え
ば、g、4t’−ジアミノジフェニルエーテル、り、9
′−ジアミノピフェニル、2.り′−ジアミノトルエン
、g、g’−ジアミノベンゾフェノン、ダ。
ましい実施態様の7例であり、この組み合わせで用いら
れる一般式(■4)で示されるジアミンとしては、例え
ば、g、4t’−ジアミノジフェニルエーテル、り、9
′−ジアミノピフェニル、2.り′−ジアミノトルエン
、g、g’−ジアミノベンゾフェノン、ダ。
クージアミノジフェニルスルホン、フェニルインダンジ
アミン、粘タージアミノジフェニルメタン、p−フェニ
レンジアミン、m−フェニレンジアミン、/、!−ジア
ミノナフタレン、3.3′−ジメトキシーグ、グ′−ジ
アミノピフェニル、3.3’−ジメチル−’l、¥’−
ジアミノピフェニル、o−トルイジンスルホン、コ、コ
ービス(クーアミノフェノキシフェニル)プロパン、ビ
ス(グーアミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(
4t−アミノフェノキシフェニル)スルフィド、/、ク
ービス(4t−アミノフェノキシ)ベンゼン、7.3−
ビス(クーアミノフェノキシ)ベンゼン、3.¥’−ジ
アミノジフェニルエーテル、9.9−ビス(4t−アミ
ノフェニル)アントラセン−(10)、9.9−ビス(
グーアミノフェニル)フルオレン、3.3′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、嶋°ダージー(3−アミノフェノ
キン)ジフェニルスルホン、り、ダージアミノペンズア
ニ9 )’、3,4t’−ジアミノジフェニルエーテル
、グ、ダー[: /、3−フェニレンビス(/−メチル
エチリデン)〕、4t、グー〔1,4t−フェニレンビ
ス(/−メチルエチリデン))、Q、4t’(m−フェ
ニレンジイソプロピリデン〕ビス(m−)ルイジン)、
グ、¥’−(p−)ユニレンジイソプロビリデン)ビス
< m’−+−ルイジン)等が挙げられる。
アミン、粘タージアミノジフェニルメタン、p−フェニ
レンジアミン、m−フェニレンジアミン、/、!−ジア
ミノナフタレン、3.3′−ジメトキシーグ、グ′−ジ
アミノピフェニル、3.3’−ジメチル−’l、¥’−
ジアミノピフェニル、o−トルイジンスルホン、コ、コ
ービス(クーアミノフェノキシフェニル)プロパン、ビ
ス(グーアミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(
4t−アミノフェノキシフェニル)スルフィド、/、ク
ービス(4t−アミノフェノキシ)ベンゼン、7.3−
ビス(クーアミノフェノキシ)ベンゼン、3.¥’−ジ
アミノジフェニルエーテル、9.9−ビス(4t−アミ
ノフェニル)アントラセン−(10)、9.9−ビス(
グーアミノフェニル)フルオレン、3.3′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、嶋°ダージー(3−アミノフェノ
キン)ジフェニルスルホン、り、ダージアミノペンズア
ニ9 )’、3,4t’−ジアミノジフェニルエーテル
、グ、ダー[: /、3−フェニレンビス(/−メチル
エチリデン)〕、4t、グー〔1,4t−フェニレンビ
ス(/−メチルエチリデン))、Q、4t’(m−フェ
ニレンジイソプロピリデン〕ビス(m−)ルイジン)、
グ、¥’−(p−)ユニレンジイソプロビリデン)ビス
< m’−+−ルイジン)等が挙げられる。
この組み合わせのうち、一般式(L)で示される化合物
と一般式(■4)で示される化合物との反応は、カルボ
ジイミド型脱水縮合剤、例えば、シンクロヘキシルカル
ボジイミドを用いて行なうことができる。
と一般式(■4)で示される化合物との反応は、カルボ
ジイミド型脱水縮合剤、例えば、シンクロヘキシルカル
ボジイミドを用いて行なうことができる。
又、前記一般式(I2)で示される化合物は、一般式(
Is)で示される半エステルに塩化チオニルや五塩化リ
ンなどを反応させること(二より得ることができる。
Is)で示される半エステルに塩化チオニルや五塩化リ
ンなどを反応させること(二より得ることができる。
これらの反応の方法については、例えば、特開昭4/−
72022号、特願昭60−99/♂号、特開昭4/−
//♂4t23号等ζ;詳しく記載されている。
72022号、特願昭60−99/♂号、特開昭4/−
//♂4t23号等ζ;詳しく記載されている。
本発明において(ロ)成分として用いるオキシム化合物
の製造法は、まず、スルホニルアセトフェノン誘導体を
ニトロソ化することにより、α−オキシム体を合成する
。この合成法は、オーガニック・シンセンス・コレクテ
ィブ・ボ1リューAl、3/3〜j/乙頁、又は、オー
ガニック・シンセンス・コレクティブ・ボリュームB、
363〜33グ頁等に記載されている方法と同様に行う
ことが出来る。さら(二得られたα−オキシム体と酸ハ
ロゲン化物を反応させることにより、本発明のオキシム
化合物を製造することが出来る。
の製造法は、まず、スルホニルアセトフェノン誘導体を
ニトロソ化することにより、α−オキシム体を合成する
。この合成法は、オーガニック・シンセンス・コレクテ
ィブ・ボ1リューAl、3/3〜j/乙頁、又は、オー
ガニック・シンセンス・コレクティブ・ボリュームB、
363〜33グ頁等に記載されている方法と同様に行う
ことが出来る。さら(二得られたα−オキシム体と酸ハ
ロゲン化物を反応させることにより、本発明のオキシム
化合物を製造することが出来る。
本発明組成物は、該組成物中のすべての成分を溶解しう
る溶媒(二溶解して所定の基体上に塗布して用いる。こ
の際、基体との密着性を高めるために、前記ジアルコキ
シシラン化合物を基体にプレコートして用いることもで
きる。
る溶媒(二溶解して所定の基体上に塗布して用いる。こ
の際、基体との密着性を高めるために、前記ジアルコキ
シシラン化合物を基体にプレコートして用いることもで
きる。
前記溶媒としては極性溶媒が好ましく、例えばジメチル
ホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセト
アミド、ジグライム、酢酸イソブチル、シクロペンタノ
ンなど沸点が高すぎないものが望ましい。さらに、アル
コール、芳香族炭化水素、エーテル、ケトン、エステル
などの溶媒を成分を析出させない範囲で加えることもで
きる。
ホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセト
アミド、ジグライム、酢酸イソブチル、シクロペンタノ
ンなど沸点が高すぎないものが望ましい。さらに、アル
コール、芳香族炭化水素、エーテル、ケトン、エステル
などの溶媒を成分を析出させない範囲で加えることもで
きる。
基体上に塗布する方法としては、前記のようにして得ら
れた溶液を、フィルターで濾過した後、例エバスピンコ
ーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコ
ーター、スクリーン印刷法などで基体に塗布する方法、
基体を該溶液に浸漬する方法、該溶液を基体に噴霧する
方法などを用いることができる。
れた溶液を、フィルターで濾過した後、例エバスピンコ
ーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコ
ーター、スクリーン印刷法などで基体に塗布する方法、
基体を該溶液に浸漬する方法、該溶液を基体に噴霧する
方法などを用いることができる。
基体としては、例えば金属、ガラス、シリコン半導体、
化合物半導体、金属酸化物絶縁体、窒化ケイ素などの耐
熱材料が好ましく、又、加熱処理しない場合は、銅張ガ
ラスエポキシ積層板などの材料を用いることができる。
化合物半導体、金属酸化物絶縁体、窒化ケイ素などの耐
熱材料が好ましく、又、加熱処理しない場合は、銅張ガ
ラスエポキシ積層板などの材料を用いることができる。
次に、このようにして得られた塗膜を風乾、加熱乾燥、
真空乾燥などを組み合わせて乾燥したのち、通常フォト
マスクを通して露光を行なう。この際、用いる活性光線
としては、例えば紫外線、X線、電子線などが挙げられ
、これらの中で紫外線が好ましく、その光源としては、
例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲ
ンランプなどが挙げられる。これらの光源の中で超高圧
水銀灯が好適である。又、露光は窒素雰囲気下で行なう
ことが好ましい。
真空乾燥などを組み合わせて乾燥したのち、通常フォト
マスクを通して露光を行なう。この際、用いる活性光線
としては、例えば紫外線、X線、電子線などが挙げられ
、これらの中で紫外線が好ましく、その光源としては、
例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲ
ンランプなどが挙げられる。これらの光源の中で超高圧
水銀灯が好適である。又、露光は窒素雰囲気下で行なう
ことが好ましい。
このようにして露光したのち、未照射部を除去すべく、
浸漬法やスプレー法などを用いて現像を行なう。この廃
用いる現像液としては、未露光膜を適当な時間内(二完
全に溶解除去しうるようなものが好ましく、例えばN−
メチルピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N
、N −,7メチルボルムアミド、N、N−ジメチルア
セトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホス
ホリックトリアミド、N−ベンジル−2−ピロリドン、
γ−ブチロラクトンなどの非プロトン性極性溶媒を単独
で用いてもよいし、あるいはこれらに第2成分として、
例えばエタノール、イソプロパツールなどのアルコール
、トルエン、キシレンナトノ芳香族炭化水素化合物、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケト
ン、酢酸エチル、プロピオン酸メチルなどエステル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテルなどの
溶媒を混合して用いてもよい。さらt:、現像直後(:
前記第2成分として示したような溶媒でリンスすること
が好ましい。
浸漬法やスプレー法などを用いて現像を行なう。この廃
用いる現像液としては、未露光膜を適当な時間内(二完
全に溶解除去しうるようなものが好ましく、例えばN−
メチルピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N
、N −,7メチルボルムアミド、N、N−ジメチルア
セトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホス
ホリックトリアミド、N−ベンジル−2−ピロリドン、
γ−ブチロラクトンなどの非プロトン性極性溶媒を単独
で用いてもよいし、あるいはこれらに第2成分として、
例えばエタノール、イソプロパツールなどのアルコール
、トルエン、キシレンナトノ芳香族炭化水素化合物、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケト
ン、酢酸エチル、プロピオン酸メチルなどエステル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテルなどの
溶媒を混合して用いてもよい。さらt:、現像直後(:
前記第2成分として示したような溶媒でリンスすること
が好ましい。
このようにして得られた画像は乾燥後、130〜950
℃の温度範囲で加熱することにより、イミド環、イソイ
ンドロキナゾリンジオン環、オキサジンジオン環、キナ
ゾリンジオン環などを有する耐熱性高分子化合物に変換
される。
℃の温度範囲で加熱することにより、イミド環、イソイ
ンドロキナゾリンジオン環、オキサジンジオン環、キナ
ゾリンジオン環などを有する耐熱性高分子化合物に変換
される。
本発明組成物は、従来の先行技術で開示されている組成
物(二元べて多くの利点を有している。この利点として
は、まず、高い光感度が達成されたことが挙げられ、又
、フォトレジストの特性として重要視されているリソグ
ラフィー特性も著しく改良されたことが挙げられる。こ
れらの結果として本発明組成物は、低露光量で高解像度
を示すというフォトレジストとして理想的な特性を有し
ていることが分る。さら(二鎖組成物は、長期の放置安
定性を有し、塗膜乾燥時における好ましからざるゲル化
及びクラックの発生もないという利点がある。
物(二元べて多くの利点を有している。この利点として
は、まず、高い光感度が達成されたことが挙げられ、又
、フォトレジストの特性として重要視されているリソグ
ラフィー特性も著しく改良されたことが挙げられる。こ
れらの結果として本発明組成物は、低露光量で高解像度
を示すというフォトレジストとして理想的な特性を有し
ていることが分る。さら(二鎖組成物は、長期の放置安
定性を有し、塗膜乾燥時における好ましからざるゲル化
及びクラックの発生もないという利点がある。
本発明組成物は、半導体素子用の層間絶縁膜や表面保護
膜などに用いれば、前記の特性を反映してプロセスがよ
り短縮され、かつ微細加工が容易となり、その上、より
平坦な層を形成しうるなどの特徴を発揮する。
膜などに用いれば、前記の特性を反映してプロセスがよ
り短縮され、かつ微細加工が容易となり、その上、より
平坦な層を形成しうるなどの特徴を発揮する。
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。なお、実施例に用いたポリマー、オキシム化合物、
増感剤、炭素−炭素二重結合を有する化合物(七ツマ−
)、メルカプタン化合物、官能性ジアルコキンシラン化
合物、重合禁止剤の名称等を表2に示す。
本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。なお、実施例に用いたポリマー、オキシム化合物、
増感剤、炭素−炭素二重結合を有する化合物(七ツマ−
)、メルカプタン化合物、官能性ジアルコキンシラン化
合物、重合禁止剤の名称等を表2に示す。
(2) オキシム化合物
(4) モノマー
(5) メルカプタン化合物
(6) 官能性ジアルコキシシラン化合物(7)
重合禁止剤 実施例1−コθ 表3に示したポリマー100重量部に対し、添加剤を同
表に示した重量部加え、120重量部のNメチルピロリ
ドンに溶解した。この溶液をシリコンクエバー上にスビ
ンコー)(7θQ rpm X 7式)シ、7部℃空気
中で6時間乾燥して均一な塗膜を得た。
重合禁止剤 実施例1−コθ 表3に示したポリマー100重量部に対し、添加剤を同
表に示した重量部加え、120重量部のNメチルピロリ
ドンに溶解した。この溶液をシリコンクエバー上にスビ
ンコー)(7θQ rpm X 7式)シ、7部℃空気
中で6時間乾燥して均一な塗膜を得た。
次に窒素雰囲気下でグレースケール(KodakPho
tographic 8tep Tablel、 、1
f、、;l )を通して、超高圧水銀灯(♂mW/d
)で5分間露光した。このクエへ−を23℃で3部分間
放置した後、スプレ一式現像機を用い、r−ブチロラク
トンとキシレンの等量混合液で現像し、キシレンでリン
スして乾燥した。グレースケールの各ステップの硬化状
態より感度を段数として求めた。(段数が高いほど感度
が高いことを示し、段数が1段上がると、その露光量V
Σだけ低いことを意味する。)得られた結果を同表に示
す。
tographic 8tep Tablel、 、1
f、、;l )を通して、超高圧水銀灯(♂mW/d
)で5分間露光した。このクエへ−を23℃で3部分間
放置した後、スプレ一式現像機を用い、r−ブチロラク
トンとキシレンの等量混合液で現像し、キシレンでリン
スして乾燥した。グレースケールの各ステップの硬化状
態より感度を段数として求めた。(段数が高いほど感度
が高いことを示し、段数が1段上がると、その露光量V
Σだけ低いことを意味する。)得られた結果を同表に示
す。
比較例/〜j
実施例7〜コOと同様C二して表ダの組成物(二ついて
実験を行ない、同表(:示した結果を得た。
実験を行ない、同表(:示した結果を得た。
比較例6〜/1
本発明のオキシム化合物のかわりに、他の光重合開始剤
を用いて、実施例/〜コθと同様C二して、表jの組成
物について実験を行ない、同表に示した結果を得た。
を用いて、実施例/〜コθと同様C二して、表jの組成
物について実験を行ない、同表に示した結果を得た。
実施例27〜ココ
ジアミノジフェニルエーテル1009(0,5モル)を
N−メチルピロリドン♂♂θtに溶解しピロメリット酸
二無水物/θりf(0,5モル)を加えて、jO〜60
℃で3時間反応させることにより1.2部℃で2♂ポア
ズのポリマー溶液を得た。
N−メチルピロリドン♂♂θtに溶解しピロメリット酸
二無水物/θりf(0,5モル)を加えて、jO〜60
℃で3時間反応させることにより1.2部℃で2♂ポア
ズのポリマー溶液を得た。
(このポリマー溶液なP−4と表わす)このポリマー溶
液700重量部に対し、添加剤を表乙)二示した重量部
加え、溶解する。この溶液をシリコンクエバー上にスピ
ンコード(j00rpmX/θ式)し70℃で7時間乾
燥して均一な塗膜を得た。さらにこの塗膜上で、溶液を
スピンコード、乾燥をダ回くり返し塗膜を得た。次に、
窒素雰囲気下でグレースケ−A/ (Kodak Ph
otographic 8tepTablet &2
)を通して、超高圧水銀灯(J’ mw/111)で
5分間露光した。このクエハーを23℃で30分間放置
した後、スプレ一式現像機を用い、N −メチルピロリ
ドン(2部)とメタノール(7部)の混合溶液で現像し
、メタノールでリンスして乾燥した。硬化感度は段数と
して示す。得られた結果を表6書=示す。
液700重量部に対し、添加剤を表乙)二示した重量部
加え、溶解する。この溶液をシリコンクエバー上にスピ
ンコード(j00rpmX/θ式)し70℃で7時間乾
燥して均一な塗膜を得た。さらにこの塗膜上で、溶液を
スピンコード、乾燥をダ回くり返し塗膜を得た。次に、
窒素雰囲気下でグレースケ−A/ (Kodak Ph
otographic 8tepTablet &2
)を通して、超高圧水銀灯(J’ mw/111)で
5分間露光した。このクエハーを23℃で30分間放置
した後、スプレ一式現像機を用い、N −メチルピロリ
ドン(2部)とメタノール(7部)の混合溶液で現像し
、メタノールでリンスして乾燥した。硬化感度は段数と
して示す。得られた結果を表6書=示す。
(以下余白)
参考例/
本発明で用いるオキシム化合物の製造法として下記構造
式のオキシム化合物(略号:に−3)の製造法の一例を
示す。
式のオキシム化合物(略号:に−3)の製造法の一例を
示す。
(1) オキシム体の製造法
H
フェニルスルホニルアセトフェノンj2t<0.2モル
)を酢酸l夕O−とエタノール/ Otnl I: 溶
解し、亜硝酸ナトリウム4ti、q t (0,6モル
)/水♂3−の水溶液を7時間で滴下した。滴下終了後
−晩、室温で攪拌した。この反応液をジエチルエーテル
!θ0−で抽出し、7%炭酸水素ナトリウム水溶液で中
和した。さら(=このエーテル層を水洗し、無水硫酸ナ
トリウムで脱水し、エバポレーターにより蒸発乾固した
。収量は37?(収率:53.6優)であった。
)を酢酸l夕O−とエタノール/ Otnl I: 溶
解し、亜硝酸ナトリウム4ti、q t (0,6モル
)/水♂3−の水溶液を7時間で滴下した。滴下終了後
−晩、室温で攪拌した。この反応液をジエチルエーテル
!θ0−で抽出し、7%炭酸水素ナトリウム水溶液で中
和した。さら(=このエーテル層を水洗し、無水硫酸ナ
トリウムで脱水し、エバポレーターにより蒸発乾固した
。収量は37?(収率:53.6優)であった。
(2) オキシム化合物の製造法
H
オキシム体/ 11.¥ j f (0,05モル)と
トリエチルアミンt、o t t (o、o tモル)
をアセトン、200−に溶解し、70℃以下で、ベンゾ
イルクロライド♂、113 f (0,06モル)を滴
下した。滴下後、室温で2時間攪拌を続けた。反応終了
後、反応液を口過し、0液を蒸発乾固した。得られたオ
キシム化合物は、エタノールで再結晶した。収量は、/
3.6y (収率:69チ)であった。
トリエチルアミンt、o t t (o、o tモル)
をアセトン、200−に溶解し、70℃以下で、ベンゾ
イルクロライド♂、113 f (0,06モル)を滴
下した。滴下後、室温で2時間攪拌を続けた。反応終了
後、反応液を口過し、0液を蒸発乾固した。得られたオ
キシム化合物は、エタノールで再結晶した。収量は、/
3.6y (収率:69チ)であった。
特許出願人 旭化成工業株式会社
手続補正書(自発)
昭和61年9り/−日
特許庁長官 黒 1)明 雄 殿
1、事件の表示
昭和61年特許願第152609号
2、発明の名称
新規な感光性組成物
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番6号4、補正の対象
明細書の[発明の詳細な説明ゼの欄
パ°′ −・)
雪代 ()
5、補正の内容
+11 明細書第151を別紙1のように訂正する。
(2) 同第17頁を別紙2のように訂正する。
(3)同第29頁、12行目の「2.0重世%以下」を
、「20重量%以下」と訂正する。
、「20重量%以下」と訂正する。
以上
別紙I
R’ Cl1=CHz (■S
)〔式中R′は水素原子、又はメチル基、R#は炭素数
1ないし3のアルキレン基、nは1又は2〕などが挙げ
られる。
)〔式中R′は水素原子、又はメチル基、R#は炭素数
1ないし3のアルキレン基、nは1又は2〕などが挙げ
られる。
(■、)の例としては、
(nz)の例としては、
0 」別紙2
r−cut−co2〜N)l−C−CI=CJ(■、)
の例としては、 などが挙げられる。
の例としては、 などが挙げられる。
これらの内、光感度、及び、保存安定性等から−C1l
z−C1lz−Nll−C−CII=C1h0
」 手続補正書(自発) 昭和61年12月タロ 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 1、事件の表示 昭和61年特許願第 15260
9 号2、発明の名称 新規な感光性組成物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番6号4、補正の対象 a 補正の内容 昭和61年9月12日付提出の手続補正書別紙2の下か
ら3行目の と訂正する。
z−C1lz−Nll−C−CII=C1h0
」 手続補正書(自発) 昭和61年12月タロ 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 1、事件の表示 昭和61年特許願第 15260
9 号2、発明の名称 新規な感光性組成物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番6号4、補正の対象 a 補正の内容 昭和61年9月12日付提出の手続補正書別紙2の下か
ら3行目の と訂正する。
以上
Claims (1)
- (1)(イ)一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔式中のXは(2+n)価の炭素環式基又は複素環式基
、Yは(2+m)価の炭素環式基又は複素環式基、Zは
▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼、R^*は炭素−炭
素二重結合を有する基、Wは熱処理により、−COOR
^*のカルボニル基と反応して環を形成しうる基、nは
1又は2、mは0、1又は2であり、かつCOOR^*
とZは互いにオルト位又はペリ位の関係にある〕で示さ
れる繰返し単位を有する重合体、 (ロ)一般式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 〔式中のR_1は水素原子、炭素数1ないし6のアルキ
ル基、炭素数1ないし6のアルコキシ基、又はニトロ基
、R_2は炭素数1ないし6のアルキル基、又は炭素数
6ないし10の芳香族炭化水素基、R_3は炭素数1な
いし6のアルキル基、炭素数1ないし6のアルコキシ基
、炭素数6ないし10の芳香族炭化水素基、又は炭素数
6ないし10のアリーロキシ基を示す〕 で示されるオキシム化合物、および (ハ)吸収ピーク波長が250〜500nmにある増感
剤を含有して成る感光性組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15260986A JPS6310612A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 新規な感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15260986A JPS6310612A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 新規な感光性組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6310612A true JPS6310612A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15544138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15260986A Pending JPS6310612A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 新規な感光性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6310612A (ja) |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP15260986A patent/JPS6310612A/ja active Pending
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