JPS62215263A - 新規な感光性組成物 - Google Patents

新規な感光性組成物

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Publication number
JPS62215263A
JPS62215263A JP5709486A JP5709486A JPS62215263A JP S62215263 A JPS62215263 A JP S62215263A JP 5709486 A JP5709486 A JP 5709486A JP 5709486 A JP5709486 A JP 5709486A JP S62215263 A JPS62215263 A JP S62215263A
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JP
Japan
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group
formula
carbon atoms
sensitizer
polymer
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Pending
Application number
JP5709486A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiko Suga
菅 伸彦
Hideo Ai
愛 英夫
Akihiko Ikeda
章彦 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP5709486A priority Critical patent/JPS62215263A/ja
Publication of JPS62215263A publication Critical patent/JPS62215263A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な感光性組成物、さらに詳しくいえば、加
熱処理により耐熱性高分子化合物に変換しうる感光性組
成物に関するものである。
従来、ポリイミドに代表される耐熱性高分子化合物は、
その耐熱性や電気特性などを生かして、例えば電気、自
動車、航空機、宇宙、原子力などの分野で、構造部材、
プリント基板材料、耐熱絶縁材料などに広く用いられて
いる。
一方、感光性高分子化合物は、塗料や印刷版などの用途
に広く用いられており、特に最近ではそのリソグラフィ
ー特性を生かして、プリント回路作成用レジスト、金属
板エツチング用レジスト、半導体素子作成用レジストな
どの微細加工用材料として、目覚ましい進歩がみられる
ことは周知のところである。
近年、この耐熱性と感光性という2種の有用な機能を合
わせもつ高分子材料について、特に電子材料や光学材料
用として積極的に開発がなされており、例えばパッシベ
ーション膜、αilI遮へい膜、ジャンクションコート
膜などの表面保護膜や多層配線用の層間絶縁膜のような
半導体素子用絶縁膜あるいは液晶表示素子用配向膜、薄
膜磁気ヘッド用絶縁膜などの用途が検討されている〔例
えば、「機能材料」、7月号第9〜19ページ(198
2年)及び、「フォトグラフィック・サイエンス吻アン
ド・エンジニャリング(Photographic 5
cience andEngineering ) J
第303〜309ページ(1979年)参照〕。
〔従来の技術〕
従来、耐熱性感光性組成物としては、例えばポリイミド
の前駆体であるポリアミド酸のエステル側鎖に二重結合
などの活性官能基を導入したポリマーに、光増感剤や共
重合性モノマーを加えた、光照射により架m構造が形成
されうる組成物が知られている(特公昭55−3020
7号公報、特公昭55−41422号公報)。このもの
はいわゆる感光性ポリイミドに代表されるリソグラフィ
ー用耐熱性高分子材料の基本的な組成物であるが、光感
度が低く、実用に供するには不十分であった。又、この
ような欠点を改良した組成物として、前記の側鎖活性官
能基にメタクリレート基又はアクリレート基を用い、光
開始剤としてp−アセトアミド−フェニルスルホンアジ
ドなどのアジド化合物を加えたものが提案されている(
特開昭55−155347号公報)。しかしながら、こ
の組成物は若干光感度が向上しているものの、まだ十分
であるとけいえない。
一方、ポリアミド酸と二重結合などの活性官能基を有す
るアミン化合物との混合物を主成分とする感光性組成物
が提案されている(特開昭57−168942号公報、
特開昭54−145794号公報、特開昭59−160
140号公報)。
しかしながら、このものはその溶液の粘度が極めて高い
ために、より低濃度の溶液で取扱う必要があり、半導体
素子表面の製膜に汎用されているスピンコーターなどを
用いた場合、厚Mf形成することが困難であった。又、
これらはイオン結合型であるために、塗布乾燥後放置す
ると、吸湿によりクラックを生じやすいという問題点が
あった。
これら先行技術に開示されている組成物の使用法につい
ては、いずれも溶液として基体上に塗布し、乾燥後、フ
ォトマスクを通して紫外線などの活性光線を照射したの
ち、適肖な現像溶媒で未露光部分を溶解除去して画像を
形成し、次いで高温処理を行なってイミド環などに閉環
し、同時にポリアミド酸側鎖や架橋鎖、開始剤などを気
化せしめることにより耐熱性のフィルムを形成せしめる
プロセスが代表的な形態として用いられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来の先行技術においては、いわゆる感光性
ポリイミドの膜厚を厚くしていくと、光感度が極端に低
下して硬化に必要な露光時間が長くなるという欠点を有
することが見い出された。
本発明者らは、このような事情に鑑み、光感度が高く、
特に厚膜で使用する場合においても、高い光感度を有す
る耐熱性感光性組成物を提供すべく鋭意研究を重ねた。
〔問題点を解決するための手段〕
その結果、必須成分として特定の構造を有する重合体、
ジケトンエステル化合物 及び吸収ピーク波長が250
〜500nmにある増感剤を含有して成る組成物がその
目的に適合しうろことを見出し、この知見に基づいて本
発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、(イ)一般式(1)%式% 〔式中のXは(2+n)価の炭素環式基又は複素環式基
、Yは(2+ m )価の炭素環式基又はる基、Wは熱
処理により、−COO? のカルボニル基と反応して環
を形成しうる基、nは1又は2、mは0.1又は2であ
り、かつcoofとZは互いにオルト位又はべり位の関
係にある〕で示される繰り返し単位を有する重合体(以
下(イ)成分と称す)、 (ロ)一般式(2)で示されるジケトンエステル化合物
〔式(2)中のR1は 水素原子、炭素数1〜4のアル
キル基、又は、炭素数1〜4のアルコキシ基、R2は 
炭素数1〜6のアルキル基、 炭素数1〜6のアルコキ
シ基、炭素数6〜10の芳香族炭化水素、又は、炭素数
6〜10のアリロキシ基を示す〕及び (ハ)吸収ピーク波長が250〜500 nmにある増
感剤を必須成分として含有して成る感光性組成物である
本発明組成物において、((イ)成分として用いる重合
体は、前記一般式(1)で示される繰り返し単位を有す
るものであり、式中のXは3又は4価の炭素環式基又は
複素環式基であって、このよりなXとしては、例えばベ
ンゼン環や、ナフタレン環、アントラセン環などの縮合
多環芳香環、ピリジン、チオフェンなどの複素環式基及
び一般式(工、)3テミ==5ミhxt<ミゴ==〒ミ
’i          (I、ン1はO又は1、X2
はCH3又はCF3  である。〕で示される基などが
挙げられる。これらの中で炭素数6〜工4の芳香族炭化
水床基や、X、が+CH2+1F3 しく、さらに式 %式%) で示されるものが好ましい。
前記一般式(1)におけるYは2.3又は4価の炭素環
式基又は複素環式基であって、このようなものとしては
、例えばナフタレン、アントラセンなどに由来する炭素
数10〜18の2価の芳香族炭化水素環、ピリジン、イ
ミダゾールなどに由来する複素環式基及び式 3Y4 〔式中のYoはHXCN3、(CH3)2CH,QC)
I3、C00I(、ハロゲン原子又はSo、H,Y2は
+CH2−)−。
(ただし、pは0又はlである)、5O2−1Y3及び
Y4はHXCN3、C2H5、OCH3、ハロゲン原子
、C00H1S03H又はNO2、Y5及びY6はHX
CN。
ハロゲン原子、CH3、OCH3,5O3H又はOHで
ある〕で示される基などが挙げられる。これらの中で炭
素数10〜14の2価の芳香族炭化水素環や、Y2が+
”H2+p は“し・ pは°又は1)・ −丘一−s
o、−s一〇−又は−S−で、かつY3及びY4がとも
に水素原子である式(工、)で示される基が好ましく、
さらに式 で示される基が好ましい。
前記一般式(1)におけるWは、熱処理により、−CO
OR”のカルボニル基と反応して31J’e形成しうる
基であって、このようなものとしては、特に−C−NH
2が好適である。又、nとしては2が好ましい。
さらに1前記一般式(1)におけるR3は炭素−炭素二
重結合を有する基であって、このようなものとしては、
例えば、 −R”−OC−CH2(Ift) −べEl))−CH=CH2(ll5)Ft’−CH=
 CH2(IIs ) OR’ 〔式中R′は 水素原子、又は、メチル基、ν′は炭素
数1ないし3のアルキレン基、nは1又は2〕 などが挙げられる。
(R1)の例としては、 −CH2−O−C−CH= CH。
(R2)の例としては、 (R3)の例としては、 −(!H2−CH2舎CH= CH2 (■4)の例としては、 (■、)の例としては、 −CH2−CH= CH2 −CH2−CH2−CH= 0M2 (■6ンの例としては、 −CH2−(J、→ff1−C−CH= CH2(■7
)の例としては、 本発明組成物において(ロ)成分として用いるジケトン
エステル化合物は、ヂ記一般式(2)で示されるもので
ちる。
式中R1は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、又
は炭素数1〜4のアルコキシ基であり、好ましくは、水
素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基
などが挙げられる。
式中R2は、炭素環l〜6のアルキル基、炭素数1〜6
のアルコキシ基、炭素環6〜10の芳香族炭化水素、又
は炭素数6〜10のアリロキシ基であり、好ましくは、
エチル基、ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニ
ル基、トシル基、フェニルオキシ基などが挙げられる。
ジケトンエステル化合物の例としては、 などが挙げられるが、これらに限定されるものではない
本発明組成物において(−ウ成分として用いる増感剤は
、吸収ピーク波長が250〜500 nmにあるもので
あり、このような例としては、 R( 〔式中R1,R2は、メチル基、又はエチル基、R3は
、水素原子、又はメチル基、R4は、炭素数6〜10の
芳香族炭化水素、R5は、メチル基、エチル基又は炭素
数6〜10の芳香族炭化水素、R6、R7は、水素原子
、解秦券子 脂肪族基、置換脂肪族基、炭素数6〜10
の芳香族炭化水素からなる基であり、R6、R7の少な
くとも一方は、水素原子ではない基であり、R8は、水
素原子、メチル基、エチル基、水酸基、m g nは、
0,1又は2〕 などが挙げられる。
増感剤の例としては、ミヒラーズケトン、4.4’−ビ
ス−(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、2.5−ビ
ス−(4’−ジエチルアミノベンザル)−シクロペンタ
ノン、2.6−ビス−(4’−ジエチルアミノベンザル
)−シクロヘキサノン、2,6−ビス−(4′−ジメチ
ルアミノベンザル)−4−メチル−シクロヘキサノン、
2,6−ビス−(4’−ジエチルアミノベンザル)−4
−メチル−シクロヘキサノン、4.4’−ビス−(ジメ
チルアミノ)−力ルコン、4.4’−ビス−(ジエチル
アミノ)−カルフン、4−ジメチルアミノシンナミリデ
ンインダノン、4−ジメチルアミノベンジリデンインダ
ノン、2−(4’−ジメチルア4ノフェニルビニレンン
ーペンゾチアゾール、2−(4’−ジメチルアミノブエ
ニールビニレン)−イソナフトチアゾール、1,3−ビ
ス−(4′−ジメチルアミノベンザル)−アセトン、工
、3−ビス−(4’  −ジエチルアミノベンザル)−
アセトン、3.3’−カルボニル−ビス−(7−ジニチ
ルアミノクマリン)、7−ジエチルアミン−3−ベンゾ
イルクマリン、7−ジエチルアミノ−4−メチルクマリ
ン、N−フェニル−ジェタノールアミン、N−p−)リ
ルージエチルアミンなどが挙げられるが、これらに限定
されるものではない。なおこれらは単独でも複数を混合
して使用してもよい。好ましくは、(■、)ないしく■
8)の構造を有する増感剤と(■、)の構造を有する増
感剤を混合して使用する。
本発明の組成物には、必要に応じて炭素−炭素二重結合
を有する化合物を添加することができる。
この炭素−炭素二重結合を有する化合物は添加すること
により光重合反応を容易にするような化合物であって、
このようなものとしては、2−エチルへキシルアクリレ
ート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、N−ビニル
−2−ピロリドン、カルピトールアクリレート、テトラ
ヒドロフルフリルアクリレート、イソボルニルアクリレ
ート、1.6−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオ
ペンチルクリコールジアクリレート、エチレンクリコー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、ペンタエリスリトールジアクリレート、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、ジペンタエリスリトールへキサア
クリレート、ナト2メチロールメタンテトラアクリレー
ト、テトラエチレングリフールジアクリレート、ノナエ
チレングリコールジアクリレート、メチレンビスアクリ
ルアミド、N−メチロールアクリルアミド及び上記のア
クリレート又はアクリルアミドをメタクリレート又はメ
タクリルアミドに変えたもの等が挙げられ、これらの中
で好ましいものは、2つ以上の炭素−炭素二重結合を有
する化合物である。
さらに本発明組成物にメルカプタン化合物を添加するこ
とにより、光感度をさらに向上させることができる。メ
ルカプタン化合物の例としては、例えば、2−メルカプ
トベンズイミダゾール、2−メルカプトベンゾチアゾー
ル、l−フェニル−5−メルカプ)−1H−テトラゾー
ル、2−メルカプトチアゾリン、2−メルカプト−4−
フェニルチアゾール、2−アミノ−5−メルカプト−1
,3,4−チアジアゾール、2−メルカプトイミダゾー
ル、2−メルカプト−5−メチル−1,3,4−チアジ
アゾール、5−メルカプ)−1−メチル−I■−テトラ
ゾール、2t4t61’リメルカプトーS −)リアジ
ン、2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−S 
−)リアジン、2.5−ジメルカプ) −1,3,4−
チアジアゾール、5−メルカプト−1,3,4−チアジ
アゾール、1−エチル−5−メルカプト−1,2,3,
4−テトラゾール、2−メルカプト−6−二トロチアゾ
ール、2−メルカプトベンジオキサゾール、4−フェニ
ル−2−メルカフトチアゾール、メルカプトピリジン、
2−メルカプトキノリン、1−メチル−2−メルカプト
イミダゾール、2−メルカプト−β−ナフトチアゾール
などが挙げられる。
又、さらに本発明組成物には、必要に応じて官能性ジア
ルコキシシラン化合物を添加又は基材にプレコートして
用いることができる。このジアルコキシシラン化合物は
、本発明組成物の耐熱性高分子膜と基材であるSl及び
無機絶縁膜との界面の接着性を向上するような化合物で
あって、これらの例としては、例えば、γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)
γ−アミノプロピルジメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロビルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルメチルジメトキシシラン、ジメトキシ−3−メル
カプトプロピルメチルシラン、3−メタクリロキシプロ
ピルジメトキシメチルシラン、3−メタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3−ピペ
リジノプロピルシラン、ジェトキシ−3−グリシドキシ
プロビルメチル7ラン、N−(3−ジェトキシメチルシ
リルプロビル)スクシンイミド等が挙げられる。
これらジアルコキシシラン化合物の使用方法及び効果に
ついては、例えば、特願昭60−38242号公犀に詳
しく記載されている。又、本発明組成物の溶液の保存安
定性を向上させるために、重合禁止剤を添加することも
できる。この重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキ
ノン、N−ニトロソジフェニルアミン、p −tert
−ブチルカテコール、フェノチアジン、N−フェニルナ
フチルアミン、2.6−シーtert−ブチル−p−メ
チルフェノール等が挙げられるが、これらに限定される
ものではない。
本発明における(口)成分のジケトンエステル化合物の
含有割合については、特に制限はないが、好ましくは@
)成分の重合体に対し0.1〜20重量%、さらに好ま
しくは、1〜15重量%の範囲で含有させることが望ま
しい。又、本発明における0う成分の増感剤の含有割合
については、(イ)成分の重合体に対し0.01〜20
重量%、さらに好ましくは0.05〜15重量%で含有
させることが望ましい。
炭素−炭素二重結合を有する化合物の添加量は、(6)
成分の重合体に対して20重量%以下が望ましい。メル
カプタン化合物の添加量は、好ましくは(6)成分の重
合体に対して、10重量%以下が望ましく、さらに好ま
しくは、5重量−以下である。
又、前記官能性ジアルコキシシラン化合物を添加して用
いる場合、その添加量は、(イ)成分の重合体に対して
0.05〜lO重量%、好ましくは0.1〜4重量%で
ある。
又、前記重合禁止剤は、(イ)成分の重合体に対して5
重量%以下、好ましくは0.5重量%以下添加して用い
られる。
本発明組成物において(イ)成分として用いる重合体は
、例えば、一般式 で示される化合物と、一般式 で示される化合物とを重縮合又は重付加することにより
得られる。前記一般式(nI)におけるzlの例として
は、 C0OH(J) 、COCl (I[I2) 、
Neo (I[[3)、−NH2(II[4) 、0H
(IIIs)があり、 それぞれに対応する一般式(I
[[)の略号全0内に示す。又、一般式(IV)におけ
るz2の例としては、−COCl(■1ン、C00H(
IV2) 、NCO(■3) 、NH2(IV4)があ
り、それぞれに対応する一般式(IV)の略号全0内に
示す。
なお、X、R,Y及びWは前記と同じ意味をもつ。
前記の一般式(III)で示される化合物と一般式(I
V)で示される化合物との重縮合又は重付加反応により
一2□と22−とが反応して結合鎖2が形成される。こ
の際の20と22との好ましい組み合わせ、生成する2
の種類及び得られた重合体を加熱処理した時に生成する
環構造基をまとめて第1表に示す。
以下余白 第  1  表 〔注〕 *1 環構造 工M:イミ ト環 QD:キナゾリンジオン環 ODニオキサジンジオン猿 (イ)成分の重合体は、次に示す方法によっても製造す
ることができる。すなわち、一般式%式%) 〔式中のXは前記と同じ意味をもつ〕 で示される化合物を前記一般式(■3)又は(■−で示
される化合物と反応させて得られた生成物のカルボキシ
ル基を、一般式 〔式中のR”は前記と同じ意味をもつ〕で示されるエポ
キシ化合物、又はたとえば一般式で示されるアミン化合
物、又は一般式 で示される四級アンモニウム塩と反応させることにより
、該重合体が得られる。
なお、これらの反応は、例えば特開昭56−32524
号公報、特開昭60−19444.4号公報に記載され
ている。
前記の一般式(■、)で示される化合物は、例えば、一
般式(■6) で示される酸無水物をR“0H(R”は前記と同じ意味
をもつ)で開環させて得られる。該酸無水物島)として
は、例えば、無水ピロメリット酸、3.3’、4゜4′
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3.3’
、4.4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無
水物、s t s’t 4 t 4’−ジフェニルテト
之カルボン酸二無水物、3 * 3’y 4 y 4’
−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,
3,6.7−す7タレンテトラカルボン酸無水物、チオ
フェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸無水物、2
,2−ビス−(3,4−ビスカルボキシフェニル)プロ
パン無水物等カ挙げられ、アルコールR”OHとしては
、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキ
シエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、アリルアル
コール及びエチレングリコールモノアリルエーテル等が
挙げられる。
これらの酸無水物(■、)をアルコールR”OHと反応
させるに際して、ピリジン、ジメチルアイノビリジン等
を添加することにより反応が加速される。
前記の第1表における番号I及び1′の組み合わせは好
ましい実施態様の1例であり、この組み合わせで用いら
れる一般式(■4)で示されるジアミンとしては、例え
ば、4.4’−ジアミノジフェニルエーテル、4.4’
−ジアミノビフェニル、2.4’−ジアミノトルエン、
4,4′−ジアミノベンゾフェノン、4.4’−ジアミ
ノジフェニルスルホン、フェニルインダンジアミン、4
.4’−ジアミノジフェニルメタン、p−7二二レンジ
アミン、m−フ二二レンジアミン、1,5−ジアミノナ
フタレン、3.3’−ジメトキシ−4,4′−ジアミノ
ビフェニル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノ
ビフェニル、o−トルイジンスルホン、2,2−ビス(
4−アミノフェノキシフェニル)フロパン、ビス(4−
アミノフェノキシフェニルンスルホン、ビス(4−アミ
ノフェノキシフェニル)スルフィド、l、4−ビス(4
−7ミノフエノキシ)ベンゼン、工、3−ビス(4−−
アミノフェノキシ)ベンゼン、3.4’−ジアミノジフ
ェニルエーテル、9,9−ビス(4−アミツク”工二ル
)アントラセン−(10)、9,9−ビス(4−アミノ
フェニル)フルオレン、3.3’−ジアミノジフェニル
スルホン、4.4’−ジー(3−アミノフェノキシ)ジ
フェニルスルホン、4.4’−シアオノベンズアニリド
、3T4’−ジアミノジフェニルエーテル、4.4’−
(1,3−)ユニしンビス(1−メチルエチリデン) 
) 、4,4’−1: 1.4−7エニレンビス(1−
メチルエチリデン) 〕、4.4’ −(m−7二二レ
ンジインプロビリデン)ビス(m、−)ルイジン)、4
.4’  (p−7二二レンジインプロヒリデン)ビス
(m−)ルイジン)等が挙げられる。
この組み合わせのうち、一般式(I[I、)で示される
化合物と一般式(■4)で示される化合物との反応は、
カルボジイミド型脱水縮合剤、例えば、ジシクロへキシ
ルカルボジイミドを用いて行なうことができる。
又、前記一般式(■2)で示される化合物は、一般式 
(■1)で示される半エステルに塩化チオニルや五塩化
リンなどを反応させることにより得ることができる。
これらの反応の方法については、例えば、特願昭59−
193737号公報、特願昭60−9918号公報、等
願昭59−238545号公報等に詳しく記載されてい
る。
本発明組成物は、該組成物中のすべての成分を溶解しう
る溶媒に溶解して所定の基体上に塗布して用いる。この
際、基体との密着性を高めるために、前記ジアルコキシ
シラン化合物を基体にプレコートして用いることもでき
る。
前記溶媒としては極性溶媒が好ましく、例えばジメチル
ホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセト
アミド、ジグライム、酢酸イノプ゛チル、シクロペンタ
ノンなど沸点が高すぎないものが望ましい。さらに、ア
ルコール、芳香族炭化水素、エーテル、ケトン、エステ
ルなどの溶媒を成分を析出させない範囲で加えることも
できる。
基体上に塗布する方法としては、前記のようにして得ら
れた溶液を、フィルターでろ過した後、例エバスピンコ
ーター、バーコーター、7”レートコーター、スクリー
ン印刷法などで基体に塗布する方法、基体を該溶液に浸
漬する方法、該溶液を基体に噴霧する方法などを用いる
ことができる。
基体としては、例えば金属ガラス、シリコン半導体、金
属酸化物絶縁体、窒化ケイ素などの耐熱材料が好ましく
、又、加熱処理しない場合は、銅張ガラスエポキシ積層
板などの材料を用いることができる。
次に、このようにして得られた塗膜を風乾、加熱乾燥、
真空乾燥などを組み合わせて乾燥したのち、通常フォト
マスクを通して露光を行なう。この際、用いる活性光線
としては、例えば紫外線、X線、電子線などが挙げられ
、これらの中で紫外線が好ましく、その光源としては、
例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲ
ンランプなどが挙げられる。これらの光源の中で超高圧
水銀灯が好適である1、又、露光は窒素雰囲気下で行な
うことが好ましい。
このようにして露光したのち、未照射部を除去すべく、
浸漬法やスプレー法などを用いて現像を行なう。この除
用いる現像液としては、未露光膜を適当な時間内に完全
に溶解除去しうるようなものが好ましく、例えばN−メ
チルピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N、
N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリッ
クトリアミド、N−ベンジル−2−ピロリドン、γ−ブ
チロラクトンなどの非プロトン性極性溶媒を単独で用い
てもよいし、あるいはこれらに第2成分として、例えば
エタノール、インプロノ(ノールなどのアルコール、ト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素化合物、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、
酢酸エチル、プロピオン峻メチルなどエステル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテルなどの溶媒
を混合して用いてもよい。さらに、現像直後に前記第2
成分として示したような溶媒でリンスすることが好まし
い。
このようにして得られた画像は乾燥後、150〜450
℃の温度範囲で加熱することにより、イミド環、イソイ
ンドロキナゾリンジオン環、オキサジンジオン環、キナ
ゾリンジオン環などを有する耐熱性高分子化合物に変換
される。
〔発明の効果〕
本発明組成物は、従来の先行技術で開示されている組成
物に比べて多くの利点を有している。
この利点としては、まず、高い光感度が達成されたこと
が挙げられ、又、フォトレジストの特性として重要視さ
れているリソグラフィー特性も著しく改良されたことが
挙げられる。これらの結果として本発明組成物は、低露
光量で高解像度を示すというフォトレジストとして理想
的な特性を有していることが分る。さらに該組成物は、
長期の放置安定性を有し、塗膜乾燥時における好ましか
らざるゲル化及びクラックの発生もないという利点があ
る。
本発明組成物は、半導体素子用の層間絶縁膜や表面保護
膜などに用いれば、前記の特性を反映してプロセスがよ
り短縮され、かつ微細加工が容易となり、その上、より
平坦な層を形成しうるなどの特徴を発揮する。
〔実施例〕
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。なお、実施例に用いたポリマー、ジケトンエステル
化合物、増感剤、炭素−炭素二重結合を有する化合物(
モノマー〕、メルカプタン化合物、官能性ジアルコキシ
シラン化合物、重合禁止剤の名称等を表1に示す。
(1)  ポリマー * NMpA’ll+溶液で測定したViscosit
y Number (23℃)(単位:d/1) (2)  ジケトンエステル化合物 以下余白 (3)増感剤 吸収ピーク波長は、バリアン社製キャリー219分光光
度計(Varian CARY2195pectro 
Photometer)により、溶媒にエタノールを用
いて測定した。
(4)モノマー (5)  メルカプタン化合物 (6)官能性ジアルコキシシラン化合物(7)重合禁止
剤 実施例1〜15 表2に示したポリマー100重量部に対し、添加剤を同
表に示した重量部加え、130重量部のNメチルピロリ
ドンに溶解した。この溶液をシリコンウェハー上にスピ
ンコード(1300rpmX30sec )  し、7
0℃空気中で1時間乾燥して均一な塗膜を得た。
次に窒素雰囲気下でグレースケール(KodakPho
tographic 5tep Tablet Na2
 )  f通して、超高圧水銀灯(8mW/cjl) 
 で5分間露光した。このウェハーを23℃で30分間
放置した後、揺動浸漬式現像機ヲ用い、23℃でN−メ
チルピロリドンとキシレンの2:3 (体積比ン混合液
で現像し、キシレンでリンスして乾燥した。グレースケ
ールの各ステップの硬化状態より感度を段数として求め
た。
(段数が高いほど感度が高いことを示し、段数が1段上
がると、その露光量かむ−だけ低いことを意味する。) 得られた結果を同表に示す。
比較例1〜5 実施例1〜15  と同様にして表3の組成物について
実験を行ない、同表に示した結果を得た。
比較例6〜10 ジケトンエステル化合物のイ〜わりに、他の光重合開始
剤を用いて、実施例1〜15と同様にして、表4の組成
物について実験を行ない、同様に示した結果を得た。
以下余白

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (イ)一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔式中のXは(2+n)価の炭素環式基又は複素環式基
    、Yは(2+m)価の炭素環式基又は複素環式基、Zは
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼、R^*は炭素
    −炭素二重結合を有する基、Wは熱処理により、−CO
    OR^*のカルボニル基と反応して環を形成しうる基、
    nは1又は2、mは0、1又は2であり、かつCOOR
    ^*とZは互いにオルト位又はペリ位の関係にある で示される繰返し単位を有する重合体、 (ロ)一般式(2)で示されるジケトンエステル化合物
    ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 〔式(2)中のR_1は、水素原子、炭素数1〜4のア
    ルキル基、又は、炭素数1〜4のアルコキシ基、R_2
    は 炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコ
    キシ基、炭素数6〜10の芳香族炭化水素、又は、炭素
    数6〜10のアリロキシ基を示す〕 及び (ハ)吸収ピーク波長が250〜500mmにある増感
    剤を含有してなる感光性組成物
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4908793A (en) * 1986-10-17 1990-03-13 Hitachi, Ltd. Storage apparatus including a semiconductor memory and a disk drive

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4908793A (en) * 1986-10-17 1990-03-13 Hitachi, Ltd. Storage apparatus including a semiconductor memory and a disk drive

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