JPH01216345A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JPH01216345A JPH01216345A JP4065188A JP4065188A JPH01216345A JP H01216345 A JPH01216345 A JP H01216345A JP 4065188 A JP4065188 A JP 4065188A JP 4065188 A JP4065188 A JP 4065188A JP H01216345 A JPH01216345 A JP H01216345A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は耐熱性高分子となる、新規な感光性樹脂組成物
に関するものである。
に関するものである。
近年、電子材料や光学材料用として、耐熱性感光性高分
子材料の開発が活発に行われている。rNえばジャンク
ションコート膜、パッシベーション膜、バファーコート
膜、α線遮蔽膜等の表面保護膜や、多層配線用層間絶縁
膜の様な半導体素子用絶B膜、あるいは液晶表示素子用
配向膜、薄膜磁気ヘッド用絶縁膜、多層プリント基板用
絶縁膜等の用途が検討されている。
子材料の開発が活発に行われている。rNえばジャンク
ションコート膜、パッシベーション膜、バファーコート
膜、α線遮蔽膜等の表面保護膜や、多層配線用層間絶縁
膜の様な半導体素子用絶B膜、あるいは液晶表示素子用
配向膜、薄膜磁気ヘッド用絶縁膜、多層プリント基板用
絶縁膜等の用途が検討されている。
(従来の技術)
従来、感光性を有する耐熱性高分子としては、例えば、
ポリイミド前駆物質となりうるポリアミド酸と二重結合
等の活性官能基を有するアミン化合物との混合物等が知
られている。(特開昭54−145794号公報、特公
昭55−30275号公報、特公昭55−41422号
公報、特開昭57−168942号公報)。
ポリイミド前駆物質となりうるポリアミド酸と二重結合
等の活性官能基を有するアミン化合物との混合物等が知
られている。(特開昭54−145794号公報、特公
昭55−30275号公報、特公昭55−41422号
公報、特開昭57−168942号公報)。
これらのポリマー又は混合物は、必要に応じて、光増感
剤や、光重合性モノマーなどを加え、光照射により架t
atm造が形成される組成物として用いられる。これら
は一般に感光性ポリイミドとよばれ、塗布、露光、現像
等のプロセス後、熱処理を行うことにより耐熱性被膜を
与えるものである。
剤や、光重合性モノマーなどを加え、光照射により架t
atm造が形成される組成物として用いられる。これら
は一般に感光性ポリイミドとよばれ、塗布、露光、現像
等のプロセス後、熱処理を行うことにより耐熱性被膜を
与えるものである。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来の感光性重合体組成物において、ポ
リイミドの前駆体であるポリイミド酸のエステル側鎖に
、二重結合等の活性官能基を導入したポリマーや、ポリ
アミド酸と二重結合等の活性官能基を有するアミン化合
物との混合物等では、ベースとなる感光性重合体組成物
そのものに紫外線等の活性光線に対する十分な感度がな
く、架橋効率が低いために、実用に必要な十分な感度が
得られなかったり、あるいは活性光線の照射後、露光部
と未露光部に十分な溶解度差を与えることができず、現
像時に露光部のパターンが溶出しやすく、微細なパター
ンを解像することができないといった問題点をもってい
た。従来法ではこれらを補うために、これらの感光性樹
脂組成物に、光重合性七ツマ−などを混合させることに
よる改良が試みられてきた。しかしながら感光性モノマ
ーの添加による改良では、これらの感光性モノマーは感
光性重合体組成物にたいして相当量添加しなければ効果
がなく、その結果、同改良法によるものでは最終的な加
熱処理の際に多量の揮発分を生成し、塗膜は大きく収縮
してしまい、得られたパターンの寸法精度が著しく低下
してしまうといった問題点があった。またさらに感度の
面においては、活性光線のエネルギーが感光性モノマー
そのものの重合にも消費されてしまうため、感度の向上
には限界がある。
リイミドの前駆体であるポリイミド酸のエステル側鎖に
、二重結合等の活性官能基を導入したポリマーや、ポリ
アミド酸と二重結合等の活性官能基を有するアミン化合
物との混合物等では、ベースとなる感光性重合体組成物
そのものに紫外線等の活性光線に対する十分な感度がな
く、架橋効率が低いために、実用に必要な十分な感度が
得られなかったり、あるいは活性光線の照射後、露光部
と未露光部に十分な溶解度差を与えることができず、現
像時に露光部のパターンが溶出しやすく、微細なパター
ンを解像することができないといった問題点をもってい
た。従来法ではこれらを補うために、これらの感光性樹
脂組成物に、光重合性七ツマ−などを混合させることに
よる改良が試みられてきた。しかしながら感光性モノマ
ーの添加による改良では、これらの感光性モノマーは感
光性重合体組成物にたいして相当量添加しなければ効果
がなく、その結果、同改良法によるものでは最終的な加
熱処理の際に多量の揮発分を生成し、塗膜は大きく収縮
してしまい、得られたパターンの寸法精度が著しく低下
してしまうといった問題点があった。またさらに感度の
面においては、活性光線のエネルギーが感光性モノマー
そのものの重合にも消費されてしまうため、感度の向上
には限界がある。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、このような事情に鑑み、高感度でかつ、
解像性に優れたレリーフパターンを形成する感光性樹脂
組成物を提供する事を目的として、鋭意検討を重ねた結
果、従来の感光性樹脂組成物に特定のIII造を有する
アジド基含有ポリマーを加える事により、活性光線照射
による架橋形成が効果的に生じ、その結果感度、解像性
が向上することを見出だし、本発明を完成させるに至っ
た。
解像性に優れたレリーフパターンを形成する感光性樹脂
組成物を提供する事を目的として、鋭意検討を重ねた結
果、従来の感光性樹脂組成物に特定のIII造を有する
アジド基含有ポリマーを加える事により、活性光線照射
による架橋形成が効果的に生じ、その結果感度、解像性
が向上することを見出だし、本発明を完成させるに至っ
た。
すなわち本発明は
(1)(イ)下記−最大
%式%)
(但し、(1)式中R4は炭素芳香族環式基又は複素芳
香族環式基より構成される4価の有機基を、R2は炭素
芳香族環式基及び/又は複素芳香族環式基を構造中に1
つ以上含む2価の有機基をそれぞれ示し、R3は活性光
線等によって架橋可能な炭素炭素二重結合を有する°基
を示す、また主鎖と−COOR3基は互いにオルト位又
はぺり位の関係にある。)で表される縁り返し単位を有
するポリアミド酸エステル100重量部と (ロ)アジド基含有ポリマー1〜100重量部と(ハ)
必要に応じて加える増感剤 の(イ)〜(ハ)からなる感光性樹脂組成物を提供する
ものである。
香族環式基より構成される4価の有機基を、R2は炭素
芳香族環式基及び/又は複素芳香族環式基を構造中に1
つ以上含む2価の有機基をそれぞれ示し、R3は活性光
線等によって架橋可能な炭素炭素二重結合を有する°基
を示す、また主鎖と−COOR3基は互いにオルト位又
はぺり位の関係にある。)で表される縁り返し単位を有
するポリアミド酸エステル100重量部と (ロ)アジド基含有ポリマー1〜100重量部と(ハ)
必要に応じて加える増感剤 の(イ)〜(ハ)からなる感光性樹脂組成物を提供する
ものである。
本発明のポリアミド酸エステルは、前記−最大(1)で
表わされる構造単位を有するものであり、これらは加熱
処理によってポリイミドとなり得、高い耐熱性を有する
事のできうるちのである。
表わされる構造単位を有するものであり、これらは加熱
処理によってポリイミドとなり得、高い耐熱性を有する
事のできうるちのである。
(1)式中R1は炭素芳香族環式基または複素芳香族環
式基より精成される4価の有機基であってこのようなR
1としては、例えばベンゼン、ナフタレン、アントラセ
ンなどの縮合多環芳香環式基、ピリジン、チオフェン等
の複素環式基または下記−最大 (式中1はO又は1.RはCH3又はCF3である、)
] で示される基などが挙げられる。
式基より精成される4価の有機基であってこのようなR
1としては、例えばベンゼン、ナフタレン、アントラセ
ンなどの縮合多環芳香環式基、ピリジン、チオフェン等
の複素環式基または下記−最大 (式中1はO又は1.RはCH3又はCF3である、)
] で示される基などが挙げられる。
前記−最大(1)におけるR2は炭素芳香族環式基及び
/又は複素芳香族環式基を構造中に1つ以上含む2価の
有機基であって、この様なものとしては例えば、ベンゼ
ン、イミダゾールなどに由来する複素環式基または (式中Rは、H,CH、(CH3)2CH。
/又は複素芳香族環式基を構造中に1つ以上含む2価の
有機基であって、この様なものとしては例えば、ベンゼ
ン、イミダゾールなどに由来する複素環式基または (式中Rは、H,CH、(CH3)2CH。
E式中R9は(CH2)I (但しmはOまたは1であ
る)。
る)。
−c−、−s−、−o−、−so、、−、−c−。
−s−、−c−、−so、、−である。)であり、R及
びR11はそれぞれH,CH3・C2H5・0CH3,
ハロゲン原子、C0OH,5O3H。
びR11はそれぞれH,CH3・C2H5・0CH3,
ハロゲン原子、C0OH,5O3H。
No、またはCONH2である。]
で示される基などが挙げられる。
さらに前記−最大(1)に於けるC00R8基は活性光
線等によって架橋可能な炭素炭素二重結合を有する基で
あってこの様なものとしては例えばo
OR14 −C−0−CH−CI−R13−C−C−C=CH2(
4d)■ 1 −1自 0 0)1 0R14 −C−0−R−CH= CH2(4e)13
2 (4’C−0−R−NR15−C−
C=CH 00R14 (式中R13は炭素数1ないし6のアルキレン基、Rは
HまたはCH,RはH,CH3,またCH、R、Rはそ
れぞれH,CH3゜ 2 5 16 17゜ たは1である。) で示される基等が挙げられる。ここで、これらのポリア
ミド酸の分子量は1,000以上10G、 Goo以下
で用いるのが好ましい、上記範囲を逸脱すると膜の性能
及び溶解性に悪影響をもたらす。
線等によって架橋可能な炭素炭素二重結合を有する基で
あってこの様なものとしては例えばo
OR14 −C−0−CH−CI−R13−C−C−C=CH2(
4d)■ 1 −1自 0 0)1 0R14 −C−0−R−CH= CH2(4e)13
2 (4’C−0−R−NR15−C−
C=CH 00R14 (式中R13は炭素数1ないし6のアルキレン基、Rは
HまたはCH,RはH,CH3,またCH、R、Rはそ
れぞれH,CH3゜ 2 5 16 17゜ たは1である。) で示される基等が挙げられる。ここで、これらのポリア
ミド酸の分子量は1,000以上10G、 Goo以下
で用いるのが好ましい、上記範囲を逸脱すると膜の性能
及び溶解性に悪影響をもたらす。
本発明組成物において用いられるアジド基含有ポリマー
は、下記−最大(2)で表わされる構造単位を有するも
のである。
は、下記−最大(2)で表わされる構造単位を有するも
のである。
C冨0
扉
(但し、式中R4は芳香族環式基を構造中に含む2価の
有機基を示し、(2)式中のアジド基(−N3)は該芳
香族環式基に直接結合しているものとする。
有機基を示し、(2)式中のアジド基(−N3)は該芳
香族環式基に直接結合しているものとする。
(2)式中のR4はアジド基と直接結合する芳香族環式
基を構造中に含む2価の有機基であり、例えば R19(5c) [式中、R78は÷CH2+−1,→CH=CHt−。
基を構造中に含む2価の有機基であり、例えば R19(5c) [式中、R78は÷CH2+−1,→CH=CHt−。
リ
−CH=CH−C−(但し、式中、9はoないし6、脂
は1ないし3>、R19は水素原子または炭素数1ない
し6のアルキル基または炭素数1ないしGのアルコキシ
基またはニトロ基またはハロゲン原子である。]で示さ
れる基等が挙げられる。
は1ないし3>、R19は水素原子または炭素数1ない
し6のアルキル基または炭素数1ないしGのアルコキシ
基またはニトロ基またはハロゲン原子である。]で示さ
れる基等が挙げられる。
これらのアジド基含有ポリマーは、例えば角田らの
Bull、Tecl+、As5oc Grapl+i
c Arts Jpn、、0verSeas、NO
,3,18(1972)に記載されている方法により製
造することができる。具体的には 式 %式% 等が望ましい例として挙げられる。
Bull、Tecl+、As5oc Grapl+i
c Arts Jpn、、0verSeas、NO
,3,18(1972)に記載されている方法により製
造することができる。具体的には 式 %式% 等が望ましい例として挙げられる。
ここでこれらのアジド基含有ポリマーの分子量は100
以上1 、000.000以下で用いるのがよく、さら
に好ましくは1 、000以上100.Goo以下で用
いるのが好ましい、アジド基含有ポリマーの分子量が低
すぎるとパターンの解像性向上に十分な効果が得られず
、また逆に分子量が高すぎると、溶解性或いは基板との
密着性に悪影響をもたらす。
以上1 、000.000以下で用いるのがよく、さら
に好ましくは1 、000以上100.Goo以下で用
いるのが好ましい、アジド基含有ポリマーの分子量が低
すぎるとパターンの解像性向上に十分な効果が得られず
、また逆に分子量が高すぎると、溶解性或いは基板との
密着性に悪影響をもたらす。
またこのアジド基含有ポリマーの配合割合は、−数式(
1)で表わされるポリアミド酸エステル100重量部に
対して、1重量部以上100重量部以下で用いられるが
、5重量部以上50重量部以下で用いるのが好ましい、
上記範囲を逸脱すると被膜の特性及びパターン精度に悪
影響をもたらす。
1)で表わされるポリアミド酸エステル100重量部に
対して、1重量部以上100重量部以下で用いられるが
、5重量部以上50重量部以下で用いるのが好ましい、
上記範囲を逸脱すると被膜の特性及びパターン精度に悪
影響をもたらす。
本発明による感光性樹脂組成物は、上記構成成分を適当
な有機溶媒に溶解させて調合されるが。
な有機溶媒に溶解させて調合されるが。
この場合用いる溶媒としては溶解性の面がら非プロトン
性極性溶媒が好ましく用いられる0例えばN−メチル−
2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトアミド、N、
N−ジメチルホルムアミド。
性極性溶媒が好ましく用いられる0例えばN−メチル−
2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトアミド、N、
N−ジメチルホルムアミド。
ヘキサメチルリン酸トリアミド、シクロペンタノン等が
典型的な例として用いられる。
典型的な例として用いられる。
本発明の感光性樹脂組成物は通常溶液の形で実用に供せ
られる。この溶液は構造単位(1)を主成分とするポリ
マーと構造単位(2)を主成分とするポリマーの他に、
必要に応じて光重合開始剤、増感剤を添加する事ができ
るが、その添加量はポリアミド酸エステル100重量部
に対して20重量部以下で用いるのが望ましい、上記範
囲を逸脱すると溶液の保存安定性及び最終的な被膜の特
性に悪影響をもたらす、これらの光重合開始剤及び増感
剤としてはアジドの光分解過程に作用するものが好まし
く用いられ、例えばニトロピレン、ベンゾフェノン、ア
セトフェノン、アントロン、フェナントレン、コーント
ロフルオレン、5−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン
、N−アセチル−1)−二l・ロアニリン、N−アセチ
ル−4−二トロー1−ナフチルアミン、ベンジルなどが
挙げられるが、これらに限定されない。
られる。この溶液は構造単位(1)を主成分とするポリ
マーと構造単位(2)を主成分とするポリマーの他に、
必要に応じて光重合開始剤、増感剤を添加する事ができ
るが、その添加量はポリアミド酸エステル100重量部
に対して20重量部以下で用いるのが望ましい、上記範
囲を逸脱すると溶液の保存安定性及び最終的な被膜の特
性に悪影響をもたらす、これらの光重合開始剤及び増感
剤としてはアジドの光分解過程に作用するものが好まし
く用いられ、例えばニトロピレン、ベンゾフェノン、ア
セトフェノン、アントロン、フェナントレン、コーント
ロフルオレン、5−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン
、N−アセチル−1)−二l・ロアニリン、N−アセチ
ル−4−二トロー1−ナフチルアミン、ベンジルなどが
挙げられるが、これらに限定されない。
また本発明の感光性樹脂組成物は上記成分の他に、熱重
合禁止剤や基板との接着性改良剤等を含んでいてもなん
ら一向にさしつかえない0本発明の感光性樹脂組成物は
、上記のごとくポリアミド酸溶液として使用する事によ
り従来のフォトレジスト技術でレリーフパターンを形成
できる。
合禁止剤や基板との接着性改良剤等を含んでいてもなん
ら一向にさしつかえない0本発明の感光性樹脂組成物は
、上記のごとくポリアミド酸溶液として使用する事によ
り従来のフォトレジスト技術でレリーフパターンを形成
できる。
以下にこのレリーフパターンの形成方法について説明す
る。
る。
まず、前記のごとく調整したポリアミド酸溶液を基板に
塗布する。この基板への塗布は例えばスピンナーで、行
う事ができる6次いでこれを圧力1〜5011M<1の
減圧下、温度10〜100℃、好ましくは40〜70℃
で1〜20時間乾燥して、有機溶媒を蒸発させ、残存溶
媒を10%以下、好ましくは5%以下にする。乾燥後、
塗布膜にネガ型のフォトマスクチャートを置き、紫外線
、電子線、X線などの活性光線を照射させるが、活性光
線として紫外線が特に望ましい6次いで未露光の部分を
現像液で洗い出す事によりレリーフパターンを得る。上
記現像液としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド、N−メチルピロリドン、ヘキサメチルホス
ホトリックl−リアミド等の溶媒と、メタノール、エタ
ノール、との混合系が望ましい、現代処理後、レリーフ
パターンの加熱処理が施され、この熱処理により、レリ
ーフパターンはポリイミド環構造を有する耐熱ポリマー
となる。このようにして形成されたレリーフパターンは
解像性が良好なものである。
塗布する。この基板への塗布は例えばスピンナーで、行
う事ができる6次いでこれを圧力1〜5011M<1の
減圧下、温度10〜100℃、好ましくは40〜70℃
で1〜20時間乾燥して、有機溶媒を蒸発させ、残存溶
媒を10%以下、好ましくは5%以下にする。乾燥後、
塗布膜にネガ型のフォトマスクチャートを置き、紫外線
、電子線、X線などの活性光線を照射させるが、活性光
線として紫外線が特に望ましい6次いで未露光の部分を
現像液で洗い出す事によりレリーフパターンを得る。上
記現像液としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド、N−メチルピロリドン、ヘキサメチルホス
ホトリックl−リアミド等の溶媒と、メタノール、エタ
ノール、との混合系が望ましい、現代処理後、レリーフ
パターンの加熱処理が施され、この熱処理により、レリ
ーフパターンはポリイミド環構造を有する耐熱ポリマー
となる。このようにして形成されたレリーフパターンは
解像性が良好なものである。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明の感光性樹脂組成物は光開
始剤などの他の添加剤なしに単独で活性光線に対して敏
感に反応し架橋を行わせしめる事が可能なアジド含有ポ
リマーを有している。その結果、少量の活性光線照射に
対するわずかな光架橋反応でも、効果的に三次元的な網
目構造を形成せしめる事が可能となり、感度を著しく向
上できると同時に解像性をも向上できる。したがってこ
れらの組成物は感度及び解像性に対する要求が今後ます
ます厳しくなりゆく半導体用耐熱性感光材料、例えばパ
ッシベーション膜、α線遮蔽膜などの表面保護膜や、半
導体素子用層間絶縁膜あるいは、液晶表示用配向膜さら
には多層プリント基板用絶縁膜などに有効に使用できる
。
始剤などの他の添加剤なしに単独で活性光線に対して敏
感に反応し架橋を行わせしめる事が可能なアジド含有ポ
リマーを有している。その結果、少量の活性光線照射に
対するわずかな光架橋反応でも、効果的に三次元的な網
目構造を形成せしめる事が可能となり、感度を著しく向
上できると同時に解像性をも向上できる。したがってこ
れらの組成物は感度及び解像性に対する要求が今後ます
ます厳しくなりゆく半導体用耐熱性感光材料、例えばパ
ッシベーション膜、α線遮蔽膜などの表面保護膜や、半
導体素子用層間絶縁膜あるいは、液晶表示用配向膜さら
には多層プリント基板用絶縁膜などに有効に使用できる
。
(実施例)
次に実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発
明はこれらの例によってなんら限定されるものではない
。
明はこれらの例によってなんら限定されるものではない
。
実施例1
撹拌機、窒素導入管、塩化カルシウム管、試薬導入口を
取り付けた500■1用セパラブルフラスコに無水ピロ
メリット酸21.8g、2−ヒドロキシエチルメタクリ
レート11B、 OQ 、γ−ブチルラクトン100
mlを加え、この混合物に水冷下、ピリジン3311を
よく撹拌しながらゆっくり滴下した0滴下後、室温で更
に16時間かきまぜた後塩化チオニルを10℃でゆっく
り滴下し、その後15℃で1時間よくかきまぜた。更に
この混合物に4.4°−ジアミノジフェニルエーテルI
G、 09をジアセトアミド100 mlに溶解した
溶液を水冷下、激しく攪拌しながらゆっくり滴下し、更
に、室温で16時間よく攪拌した。得られた溶液を41
のイオン交換水中に滴下し、生じた沈澱物を濾取し、イ
オン交換水でよく洗浄した後、乾燥させ、ポリアミド酸
エステル2G(lを得た。このポリアミド酸エステルの
平均分子量(Mw)をGPCにより求めたところ15.
Gooであった。
取り付けた500■1用セパラブルフラスコに無水ピロ
メリット酸21.8g、2−ヒドロキシエチルメタクリ
レート11B、 OQ 、γ−ブチルラクトン100
mlを加え、この混合物に水冷下、ピリジン3311を
よく撹拌しながらゆっくり滴下した0滴下後、室温で更
に16時間かきまぜた後塩化チオニルを10℃でゆっく
り滴下し、その後15℃で1時間よくかきまぜた。更に
この混合物に4.4°−ジアミノジフェニルエーテルI
G、 09をジアセトアミド100 mlに溶解した
溶液を水冷下、激しく攪拌しながらゆっくり滴下し、更
に、室温で16時間よく攪拌した。得られた溶液を41
のイオン交換水中に滴下し、生じた沈澱物を濾取し、イ
オン交換水でよく洗浄した後、乾燥させ、ポリアミド酸
エステル2G(lを得た。このポリアミド酸エステルの
平均分子量(Mw)をGPCにより求めたところ15.
Gooであった。
この様にして得られたポリアミド酸エステル5g、アジ
ド基含有ポリマーとして、平均分子量(M W )
10,000のポリ(pアジドベンゾエートビニル)、
ポリ(ビニルアルコール)共重合体(共重合体比7G/
3G)1Gを10m1のN−メチル−2ピロリドン(N
MP)に溶解させ、組成物の溶液を得た。この感光性樹
脂組成物をシリコンウェハ上に塗布し、これを圧力1m
aHgの減圧下、温度55℃で5時間乾燥して厚さ1.
Op−の塗膜を形成した。この塗膜を2に一超高圧水銀
灯で8m−/−の照射量でネガ型フォトマスクチャート
を通して90秒間露光した0次いでこれをNMPとメタ
ノールの2:1 混合溶媒に浸漬して現像した後、13
5℃、200℃、300℃、400℃で各々30分間づ
つ段階昇温方式で熱処理したところ。
ド基含有ポリマーとして、平均分子量(M W )
10,000のポリ(pアジドベンゾエートビニル)、
ポリ(ビニルアルコール)共重合体(共重合体比7G/
3G)1Gを10m1のN−メチル−2ピロリドン(N
MP)に溶解させ、組成物の溶液を得た。この感光性樹
脂組成物をシリコンウェハ上に塗布し、これを圧力1m
aHgの減圧下、温度55℃で5時間乾燥して厚さ1.
Op−の塗膜を形成した。この塗膜を2に一超高圧水銀
灯で8m−/−の照射量でネガ型フォトマスクチャート
を通して90秒間露光した0次いでこれをNMPとメタ
ノールの2:1 混合溶媒に浸漬して現像した後、13
5℃、200℃、300℃、400℃で各々30分間づ
つ段階昇温方式で熱処理したところ。
アスペクト比2のネガ型のポリイミドのレリーフパター
ンを得た。
ンを得た。
実施例2
実施例1で得たポリアミド酸エステル5gをN−メチル
ピロリドン1Gm+に溶解させ、更にアジド基含有ポリ
マーとして平均分子量(M w )10、Gooのポリ
(pアジドナフトニートビニル)。
ピロリドン1Gm+に溶解させ、更にアジド基含有ポリ
マーとして平均分子量(M w )10、Gooのポリ
(pアジドナフトニートビニル)。
ポリ(ビニルアルコール)共重合体 (共重合体比7G
/30)lを溶解させ組成物を得た。この組成物の溶液
を実施例1と同様にシリコンウェハ上に塗布し、膜厚1
.Ousの塗膜を得た。これを実施例1と同様な方法で
露光、現像次いで加熱処理を行ったところ、アスペクト
比2のシャープなレリーフパターンを得た。
/30)lを溶解させ組成物を得た。この組成物の溶液
を実施例1と同様にシリコンウェハ上に塗布し、膜厚1
.Ousの塗膜を得た。これを実施例1と同様な方法で
露光、現像次いで加熱処理を行ったところ、アスペクト
比2のシャープなレリーフパターンを得た。
(比較例1)
実施例1で得たポリアミド酸エステル5gをN−メチル
ピロリドン10 mlに溶解させ、更にアジド基含有ポ
リマーとして平均分子ffi (Mw)20Gのポリ(
pアジドベンゾエートビニル)。
ピロリドン10 mlに溶解させ、更にアジド基含有ポ
リマーとして平均分子ffi (Mw)20Gのポリ(
pアジドベンゾエートビニル)。
ポリ(ビニルアルコール)共重合体 (共重合体比70
/3 G ) 19を溶解させ組成物を得た。この組成
物の溶液を実施例1と同様にシリコンウェハ上に塗布し
、膜厚1.Ou諺の塗膜を得た。これを実施例1と同様
な方法で露光、現像を行なったところ、解像性が著しく
悪く、目的とする良好なパターンは得られなかった。
/3 G ) 19を溶解させ組成物を得た。この組成
物の溶液を実施例1と同様にシリコンウェハ上に塗布し
、膜厚1.Ou諺の塗膜を得た。これを実施例1と同様
な方法で露光、現像を行なったところ、解像性が著しく
悪く、目的とする良好なパターンは得られなかった。
(比較例2)
実施例1で得たポリアミド酸エステル5gをN−メチル
ピロリドンlGm1に溶解させ、さらにアジド基含有ポ
リマーとして平均分子量(Mw)2.000.Gooの
ポリ(pアジドベンゾエートビニル)、ポリ(ビニルア
ルコール)共重合体 く共重合体比7G/30)1!J
を溶解させ組成物を得た。この組成物の溶液を実施例1
と同様にシリコンウェハ上に塗布し、膜厚1.Ou■の
塗膜を得た。これを実施例1と同様な方法で露光、現像
を行なったところ、パターンに剥離が生し目的とする良
好なパターンは得られなかった。
ピロリドンlGm1に溶解させ、さらにアジド基含有ポ
リマーとして平均分子量(Mw)2.000.Gooの
ポリ(pアジドベンゾエートビニル)、ポリ(ビニルア
ルコール)共重合体 く共重合体比7G/30)1!J
を溶解させ組成物を得た。この組成物の溶液を実施例1
と同様にシリコンウェハ上に塗布し、膜厚1.Ou■の
塗膜を得た。これを実施例1と同様な方法で露光、現像
を行なったところ、パターンに剥離が生し目的とする良
好なパターンは得られなかった。
Claims (2)
- (1)(イ)下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (但し、(1)式中R_1は炭素芳香族環式基又は複素
芳香族環式基より構成される4価の有機基を、R_2は
炭素芳香族環式基及び/又は複素芳香族環式基を構造中
に1つ以上含む2価の有機基を示し、R_3は活性光線
等により架橋可能な炭素炭素二重結合を有する基を示す
。また主鎖と−COOR基は互いにオルト位又はペリ位
の関係にある。)で表される繰り返し単位を有するポリ
アミド酸エステル100重量部と (ロ)アジド基含有ポリマー1〜100重量部と(ハ)
必要に応じて加える増感剤 の(イ)〜(ハ)からなる感光性樹脂組成物。 - (2)アジド基含有ポリマーが下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(2) (但し、式中R_4は芳香族環式基を構造中に含む2価
の有機基を示し、(2)式中のアジド基(−N_3)は
該芳香族環式基に直接結合しているものとし、(xは5
以上100以下の整数である))で表わされる繰り返し
単位を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の感光性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4065188A JPH01216345A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4065188A JPH01216345A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01216345A true JPH01216345A (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=12586455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4065188A Pending JPH01216345A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01216345A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01259351A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Nitto Denko Corp | 感光性樹脂組成物 |
JPH0611832A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Toshiba Chem Corp | 感光性ポリイミド組成物 |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP4065188A patent/JPH01216345A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01259351A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Nitto Denko Corp | 感光性樹脂組成物 |
JPH0611832A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Toshiba Chem Corp | 感光性ポリイミド組成物 |
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