JPS61170731A - 耐熱性フオトレジストフイルム - Google Patents
耐熱性フオトレジストフイルムInfo
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- JPS61170731A JPS61170731A JP991885A JP991885A JPS61170731A JP S61170731 A JPS61170731 A JP S61170731A JP 991885 A JP991885 A JP 991885A JP 991885 A JP991885 A JP 991885A JP S61170731 A JPS61170731 A JP S61170731A
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- Japan
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- film
- polymer
- precursor
- arom
- photosensitive
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規な耐熱性フォトレジストフィルムに関す
る。近年、電子材料や光学材料用として耐熱性をもつ感
光性高分子材料の開発が活発に行なわれている。例えば
、ジャンクションコート膜、パッシベーション膜、バッ
ファーコート膜、α線遮蔽膜などの表面保護膜や多層配
線用の層間絶縁膜のようか半導体素子用絶縁膜、あるい
は液晶表示素子用配向膜、薄膜磁気ヘッド用絶縁膜、多
層プリント基板用絶縁膜などの用途が検討されている。
る。近年、電子材料や光学材料用として耐熱性をもつ感
光性高分子材料の開発が活発に行なわれている。例えば
、ジャンクションコート膜、パッシベーション膜、バッ
ファーコート膜、α線遮蔽膜などの表面保護膜や多層配
線用の層間絶縁膜のようか半導体素子用絶縁膜、あるい
は液晶表示素子用配向膜、薄膜磁気ヘッド用絶縁膜、多
層プリント基板用絶縁膜などの用途が検討されている。
〔従来の技−術と発明が解決しようとする問題点〕従来
、耐熱性感光性組成物としては、例えば、ポリイミド前
駆体であるポリアミド酸と、感光性化合物の混合物また
はポリアミド酸エステルの側鎖に二重結合等の活性官能
基を導入したポリマーに、光重合開始剤や共重合モノマ
ーを加えた、光照射により架橋構造が形成されうる組成
物が知られている(特開昭jμ−l≠j7り弘号公報、
特公昭j!−30207号公報、特公昭j1−μ/弘2
λ号公報)。これらは、感光性ポリイミドに代表される
リソグラフィー用耐熱性高分子材料の基本的な組成物で
ある。これらを用いて画儂を形成するには、ポリマーと
添加剤の溶液をスクリーン印刷、スピンコード、カーテ
ンコート等の方法により画儂形成すべき基体上へ塗布し
乾燥を行ないレジスト塗膜を形成せしめた後に露光、現
偉等を行なう方法が通常である。これら液状ポリイミド
前駆体は、スビイコートして用いる場合、基体上に全く
均一な膜厚の塗膜を形成することは非常圧困難であり、
特に外縁部が中心部に比べ厚くなることが多い。また所
定の膜厚の均一性を得るためKは、レジスト濃度、粘度
およびスピンコーター回転数等の微妙な調整が必1lI
Kなる等その使用には高度の技術を必要とする。一方、
プリント配線板の製造用の感光性組成物として感光層と
支持フィルムからなるドライフィルムレジストが知られ
ている(特公昭jr−32342号公報、特公昭μj−
232J1号公報)。これらを用いて画偉形成する場合
、感光性組成物の積層体を基体上に加熱、加圧して積層
するため、スクリーン印刷法と比べ乾燥工程が不要であ
り、かつ均一な膜厚が得られるという利点がある。
、耐熱性感光性組成物としては、例えば、ポリイミド前
駆体であるポリアミド酸と、感光性化合物の混合物また
はポリアミド酸エステルの側鎖に二重結合等の活性官能
基を導入したポリマーに、光重合開始剤や共重合モノマ
ーを加えた、光照射により架橋構造が形成されうる組成
物が知られている(特開昭jμ−l≠j7り弘号公報、
特公昭j!−30207号公報、特公昭j1−μ/弘2
λ号公報)。これらは、感光性ポリイミドに代表される
リソグラフィー用耐熱性高分子材料の基本的な組成物で
ある。これらを用いて画儂を形成するには、ポリマーと
添加剤の溶液をスクリーン印刷、スピンコード、カーテ
ンコート等の方法により画儂形成すべき基体上へ塗布し
乾燥を行ないレジスト塗膜を形成せしめた後に露光、現
偉等を行なう方法が通常である。これら液状ポリイミド
前駆体は、スビイコートして用いる場合、基体上に全く
均一な膜厚の塗膜を形成することは非常圧困難であり、
特に外縁部が中心部に比べ厚くなることが多い。また所
定の膜厚の均一性を得るためKは、レジスト濃度、粘度
およびスピンコーター回転数等の微妙な調整が必1lI
Kなる等その使用には高度の技術を必要とする。一方、
プリント配線板の製造用の感光性組成物として感光層と
支持フィルムからなるドライフィルムレジストが知られ
ている(特公昭jr−32342号公報、特公昭μj−
232J1号公報)。これらを用いて画偉形成する場合
、感光性組成物の積層体を基体上に加熱、加圧して積層
するため、スクリーン印刷法と比べ乾燥工程が不要であ
り、かつ均一な膜厚が得られるという利点がある。
これらドライフィルムレジストの中で、耐熱性を有する
感光性組成物の積層体としては、ソルダーマスクフィル
ムが知られている(特開昭13−jtOIlr 号公報
)。しかし、このソルダーマスクフィルムの耐熱性は、
例えば、300℃ハンダ浴中で数十秒の浸漬に耐える要
求の本のであシ、本発明の用途、すなわち、350℃以
上の耐熱性を必要とする用途には適さない。
感光性組成物の積層体としては、ソルダーマスクフィル
ムが知られている(特開昭13−jtOIlr 号公報
)。しかし、このソルダーマスクフィルムの耐熱性は、
例えば、300℃ハンダ浴中で数十秒の浸漬に耐える要
求の本のであシ、本発明の用途、すなわち、350℃以
上の耐熱性を必要とする用途には適さない。
[問題を解決するための手段]
本発明者らは、このような事情に鑑み、十分な耐熱性を
備えたフォトレジストフィルムをi供すぺ〈鋭意研究を
重ねた結果、0)感光性化合物を混合するか、あるいは
化学結合を介して感光性基を導入した熱重量減少開始温
度が310℃以上の可溶性の耐熱性芳香族重合体または
加熱処理しS熱重量減少開始温度が310℃以上の耐熱
性芳香族重合体に変換しうる可溶性前駆体と、←)光重
合開始剤とを必須成分として含有して成るフォトレジス
トフィルムがその目的に適合していることを見い出し、
本発明を完成するに至った。
備えたフォトレジストフィルムをi供すぺ〈鋭意研究を
重ねた結果、0)感光性化合物を混合するか、あるいは
化学結合を介して感光性基を導入した熱重量減少開始温
度が310℃以上の可溶性の耐熱性芳香族重合体または
加熱処理しS熱重量減少開始温度が310℃以上の耐熱
性芳香族重合体に変換しうる可溶性前駆体と、←)光重
合開始剤とを必須成分として含有して成るフォトレジス
トフィルムがその目的に適合していることを見い出し、
本発明を完成するに至った。
本発明において0)成分として用いる重合体は、その熱
重量減少開始温度が310℃以上、好ましくはψOO℃
以上のものであり、これをもって耐熱性 lの尺度と
する。これら耐熱性の重合体は、一般に縮合系の高分子
化合物であり、例えば、「高分子の耐熱性J C/97
3年)、「高分子の熱分解と耐熱性」(127弘年)、
「スタビリテイ−オプ ハイテンベラチャー ボリマー
ズJ (Stability of Hlgh Tsm
p@raturePol)+m@rs )ジャーナルオ
プポリマーサイエンス(Journal of Pol
ymer 5eience )マクロモリキュラーレヴ
:” −(Macromolecular Revie
ws ) / ’I第コt!頁(lタック)IC記載さ
れている重合体で熱重量減少開始温度が310℃以上、
好ましくはgoo℃以上のものである。0)成分として
用いる重合体本しくけ前駆体で代表的な本のは、ポリイ
ミドまたはその前駆体である。例えば、芳香族カルボン
酸二無水物と芳香族ジアミンから生成するポリアミド酸
または該ポリアミド酸のエステル等がその前駆体であり
、これらを加熱処理することKよりポリイミドが得られ
る。これらのうち可溶性のものが本発明に適用され、先
に掲げた引用文献およびJournal ofMacr
omoleeular 5cienc@、Review
of Macrom61scularCh@m1st
ry C// G/)第弘!頁(/り7μ)および「ス
トラフチャー ツルビリティ リレイションシップイン
ポリマーズJ (Structure −5olbi
lity Re1ationahip inPolym
srs (/り77)K詳しく記載されている。ポリイ
ミド前駆体の具体例につき述べるならば、例えば、一般
式 〔式中のXは(コ+n)価の炭素環式基または複素環式
基、Yは(λ+m)価の炭素環式基または−0−C−■
−、Rは水素原子または炭化水素基、Wは熱処理により
ROMを脱離せしめるに際し、−〇〇〇Hのカルボニル
基と反応して環を形成しうる基、nは1またはコ、mは
0./またはコであり、かつC0ORと2は互いにオル
ト位またはべり位の関係にある〕 で示される繰シ返し単位を有する重合体であり、式中の
Xは三または四価の炭素環式基または複素環式基であっ
て、このよりなXとしては、例えばベンゼン環やナフタ
レン環、アントラセン環などの縮合多環芳香環、ピリジ
ン、チオフェンなどの複素環式基、および一般式(II
の X2 1はOまたは/、X2はCHs 、またはCF、である
]で示される基などが挙げられる。これらの中で炭CF
。
重量減少開始温度が310℃以上、好ましくはψOO℃
以上のものであり、これをもって耐熱性 lの尺度と
する。これら耐熱性の重合体は、一般に縮合系の高分子
化合物であり、例えば、「高分子の耐熱性J C/97
3年)、「高分子の熱分解と耐熱性」(127弘年)、
「スタビリテイ−オプ ハイテンベラチャー ボリマー
ズJ (Stability of Hlgh Tsm
p@raturePol)+m@rs )ジャーナルオ
プポリマーサイエンス(Journal of Pol
ymer 5eience )マクロモリキュラーレヴ
:” −(Macromolecular Revie
ws ) / ’I第コt!頁(lタック)IC記載さ
れている重合体で熱重量減少開始温度が310℃以上、
好ましくはgoo℃以上のものである。0)成分として
用いる重合体本しくけ前駆体で代表的な本のは、ポリイ
ミドまたはその前駆体である。例えば、芳香族カルボン
酸二無水物と芳香族ジアミンから生成するポリアミド酸
または該ポリアミド酸のエステル等がその前駆体であり
、これらを加熱処理することKよりポリイミドが得られ
る。これらのうち可溶性のものが本発明に適用され、先
に掲げた引用文献およびJournal ofMacr
omoleeular 5cienc@、Review
of Macrom61scularCh@m1st
ry C// G/)第弘!頁(/り7μ)および「ス
トラフチャー ツルビリティ リレイションシップイン
ポリマーズJ (Structure −5olbi
lity Re1ationahip inPolym
srs (/り77)K詳しく記載されている。ポリイ
ミド前駆体の具体例につき述べるならば、例えば、一般
式 〔式中のXは(コ+n)価の炭素環式基または複素環式
基、Yは(λ+m)価の炭素環式基または−0−C−■
−、Rは水素原子または炭化水素基、Wは熱処理により
ROMを脱離せしめるに際し、−〇〇〇Hのカルボニル
基と反応して環を形成しうる基、nは1またはコ、mは
0./またはコであり、かつC0ORと2は互いにオル
ト位またはべり位の関係にある〕 で示される繰シ返し単位を有する重合体であり、式中の
Xは三または四価の炭素環式基または複素環式基であっ
て、このよりなXとしては、例えばベンゼン環やナフタ
レン環、アントラセン環などの縮合多環芳香環、ピリジ
ン、チオフェンなどの複素環式基、および一般式(II
の X2 1はOまたは/、X2はCHs 、またはCF、である
]で示される基などが挙げられる。これらの中で炭CF
。
または−C−である一般弐〇りで示される基が好みF3
(qはθまたは/である)
(112) (Ill)で示
されるものが好ましい。
されるものが好ましい。
前記一般式(I)におけるYは、二、三または四価の炭
素環式基または複素環式基であって、このようなものと
しては、例えば、ナフタレン、アントラセンなどに由来
する炭素数10〜/rの二価の芳香族炭化水素環、ピリ
ジン、イミダゾールなどに由来する複素環式基および式 Y3 Y4 〔式中のytはH% CH8、(CHs)1 CH%
OCH3、C0OH%ノ・口ハロゲン原子、C0OH、
5o3HtたはNo、、Y5およびY6はH,CN、ハ
ロゲン原子、CH3,0CHs 、5O3HまたはOH
である〕 で示される基などが挙げられる。これらの中で炭素数1
0−/Fの二価の芳香族炭化水素環や、Y2が一8O冨
−1−〇−または−S−で、かつY3およびY4がとも
に水嵩原子である式(H5)で示される基が好ましく、
さらに式 で示される基が好ましい。
素環式基または複素環式基であって、このようなものと
しては、例えば、ナフタレン、アントラセンなどに由来
する炭素数10〜/rの二価の芳香族炭化水素環、ピリ
ジン、イミダゾールなどに由来する複素環式基および式 Y3 Y4 〔式中のytはH% CH8、(CHs)1 CH%
OCH3、C0OH%ノ・口ハロゲン原子、C0OH、
5o3HtたはNo、、Y5およびY6はH,CN、ハ
ロゲン原子、CH3,0CHs 、5O3HまたはOH
である〕 で示される基などが挙げられる。これらの中で炭素数1
0−/Fの二価の芳香族炭化水素環や、Y2が一8O冨
−1−〇−または−S−で、かつY3およびY4がとも
に水嵩原子である式(H5)で示される基が好ましく、
さらに式 で示される基が好ましい。
前記一般式中におけるWFi、熱処理により、−COO
Rのカルボニル基と反応して環を形成しうる基であって
、このようなものとしては、特に−C−NH2が好適で
ある。また、nとしてはλが好オしい。
Rのカルボニル基と反応して環を形成しうる基であって
、このようなものとしては、特に−C−NH2が好適で
ある。また、nとしてはλが好オしい。
ここで、Rとして水素もしくは飽和炭化水素基等感光性
のないものを用いる場合は、後述する炭素炭素二重結合
を有する化合物やビスアジド化合物等を加えることによ
り、リソグラフィー性を付与することができる。また、
Rとして感光性の炭素炭素二重結合を有する基等を用い
ることにより一般式中で示される前駆体に感光性を付与
することができる。なお、本発明では炭素炭素二重結合
等、光重合開始剤と組み合わせることにより現実的な感
光性を発揮するものを広義Kr感光性」と称する。この
場合、Rとしては、例えば、−R’−CH=CH2(I
t ) 〔式中R′は、水素原子、またはメチル基、rは、炭素
数/ないし3のアルキレン基、nは1またはコ〕 などが挙げられる。
のないものを用いる場合は、後述する炭素炭素二重結合
を有する化合物やビスアジド化合物等を加えることによ
り、リソグラフィー性を付与することができる。また、
Rとして感光性の炭素炭素二重結合を有する基等を用い
ることにより一般式中で示される前駆体に感光性を付与
することができる。なお、本発明では炭素炭素二重結合
等、光重合開始剤と組み合わせることにより現実的な感
光性を発揮するものを広義Kr感光性」と称する。この
場合、Rとしては、例えば、−R’−CH=CH2(I
t ) 〔式中R′は、水素原子、またはメチル基、rは、炭素
数/ないし3のアルキレン基、nは1またはコ〕 などが挙げられる。
(■1)の例としては、
−CH2−0−C−CH= CH2
(Il12)の例としては、
(I3)の例としては、
(■4)の例としては、
すn (J L:H3(Is)の例と
しては、 −CHl−CH=CH2 −CHt CH2−CH=CH2 (I8)の例としては、 I (■7)の例としては、 などが挙げられる。
しては、 −CHl−CH=CH2 −CHt CH2−CH=CH2 (I8)の例としては、 I (■7)の例としては、 などが挙げられる。
また、これら(イ)成分として用いる重合体は、一般式
(11において結合形式2が同じ本のの節回で、X−R
,Y−Wの組み合わせのうちからそれぞれ7種類以上を
選んで共重合することによっても得られる。また、ホモ
ポリマーまたけコポリマーのうちから2種類以上を選び
混合物として用いることもできる。
(11において結合形式2が同じ本のの節回で、X−R
,Y−Wの組み合わせのうちからそれぞれ7種類以上を
選んで共重合することによっても得られる。また、ホモ
ポリマーまたけコポリマーのうちから2種類以上を選び
混合物として用いることもできる。
本発明において、(ロ)成分として用いられる光重合開
始剤は周知のものであり、増感剤もこれに含む。以下に
例を示す。
始剤は周知のものであり、増感剤もこれに含む。以下に
例を示す。
ベンゾフェノン、アセトフェノン、アセナフテン−キノ
ン、メチルエチルケトン、バレロフエノン、ヘキサフェ
ノン、γ−フェニルブチロフェノン、p−モルホリノプ
ロピオフェノン、ジベンゾスベロン、弘−モルホリノベ
ンゾフェノン、v′−モルホリノデオキシベンゾイン、
p−ジアセチルベンゼン、弘−アミノベンゾフェノン、
弘′−メトキシアセトフェノン、ベンズアルデヒド、α
−テトラロン、ターアセチルフェナントレン、コーアセ
チルフエナントレン、IO−チオキサンテノン、3−ア
セチルフェナントレン、3−アセチルインドール、ター
フルオレノン、/−インダノン、43、 j −)リア
セチルベンゼン、チオキサンテ/−ターオン、キナンテ
ンーヂーオン、7−H−ベンズ[aelアントラセン−
7−オン、/−ナフトフルデヒド、フルオレン−ターオ
ン、/′−アセトナフトン、コ′−アセトナフトン、!
、3−ブタンジオン、ミヒラーケトン、ベンジル、芳香
族オキシム類、l−フェニル−!−メルカプトー/H−
テトラゾール、!、6−ジ(弘ノージアジドベンザル)
−g−メチルシクロヘキサノンおよび、2.z−ジ(4
′−ジアジドベンザル)シクロヘキサノン等が含まれる
が、これらに限定されるわけではない。
ン、メチルエチルケトン、バレロフエノン、ヘキサフェ
ノン、γ−フェニルブチロフェノン、p−モルホリノプ
ロピオフェノン、ジベンゾスベロン、弘−モルホリノベ
ンゾフェノン、v′−モルホリノデオキシベンゾイン、
p−ジアセチルベンゼン、弘−アミノベンゾフェノン、
弘′−メトキシアセトフェノン、ベンズアルデヒド、α
−テトラロン、ターアセチルフェナントレン、コーアセ
チルフエナントレン、IO−チオキサンテノン、3−ア
セチルフェナントレン、3−アセチルインドール、ター
フルオレノン、/−インダノン、43、 j −)リア
セチルベンゼン、チオキサンテ/−ターオン、キナンテ
ンーヂーオン、7−H−ベンズ[aelアントラセン−
7−オン、/−ナフトフルデヒド、フルオレン−ターオ
ン、/′−アセトナフトン、コ′−アセトナフトン、!
、3−ブタンジオン、ミヒラーケトン、ベンジル、芳香
族オキシム類、l−フェニル−!−メルカプトー/H−
テトラゾール、!、6−ジ(弘ノージアジドベンザル)
−g−メチルシクロヘキサノンおよび、2.z−ジ(4
′−ジアジドベンザル)シクロヘキサノン等が含まれる
が、これらに限定されるわけではない。
感光性フィルムの組成物としてこれらの開始剤は、該重
合体に対しO1/〜−o4添加される。これらの開始剤
は、単独または数種類の混合物で用いられる。
合体に対しO1/〜−o4添加される。これらの開始剤
は、単独または数種類の混合物で用いられる。
適切な開始剤の特定の例は、ミヒラーケトン、ベンジル
および/−フェニル−よ−メルカプト−J/H−テトラ
ゾールの組み合わせ、またはミヒラーケトン、オキシム
型開始剤〔例えば、ワード・ブレンキンツブ(Thyd
Blenkinsop )のカンタキュア(Quan
tacure ) PDO1およびノーフェニル−よ−
メルカプ)−/H−テトラゾールの組み合わせである。
および/−フェニル−よ−メルカプト−J/H−テトラ
ゾールの組み合わせ、またはミヒラーケトン、オキシム
型開始剤〔例えば、ワード・ブレンキンツブ(Thyd
Blenkinsop )のカンタキュア(Quan
tacure ) PDO1およびノーフェニル−よ−
メルカプ)−/H−テトラゾールの組み合わせである。
本発明のフィルムの組成物には、必要に応じて炭素−炭
素二重結合を有する化合物を添加することができる。
素二重結合を有する化合物を添加することができる。
物であって、このようなものとしては、2−エチルへキ
シルアクリレート、コーヒドロキシエチルアクリレート
、N−ビニル−2−ピロリドン、カルピトールアクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボ/
L品ルアクリレート、46−ヘキサンジオールジアクリ
レート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、エチ
レングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコー
ルジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレー
ト、トリメチロールプロパントリアクリレ−′ト、ペン
タエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリ
トールへキサアクリレート、テトラメチロールメタンテ
トラアクリレートおよび、上記のアクリレートをメタク
リレートに変えたものなどが挙げられ、これらの中で好
ましいものは、λつ以上の炭素−炭素二重結合を有する
化合物である。
シルアクリレート、コーヒドロキシエチルアクリレート
、N−ビニル−2−ピロリドン、カルピトールアクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボ/
L品ルアクリレート、46−ヘキサンジオールジアクリ
レート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、エチ
レングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコー
ルジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレー
ト、トリメチロールプロパントリアクリレ−′ト、ペン
タエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリ
トールへキサアクリレート、テトラメチロールメタンテ
トラアクリレートおよび、上記のアクリレートをメタク
リレートに変えたものなどが挙げられ、これらの中で好
ましいものは、λつ以上の炭素−炭素二重結合を有する
化合物である。
また特に1前記一般式中で示した重合体のうち、Rが一
般式(Is)ないしくNs)で示された構造をもつ重合
体の場合、ジアジド型開始剤を含む組成物または、先に
示した光重合開始剤等とポリチオール化合物を含む組成
物として用いることが好ましい。
般式(Is)ないしくNs)で示された構造をもつ重合
体の場合、ジアジド型開始剤を含む組成物または、先に
示した光重合開始剤等とポリチオール化合物を含む組成
物として用いることが好ましい。
これらポリチオール化合物は、一般式
%式%])
〔ただし、R6とR2は「反応性」不飽和炭素炭素結合
基を含まない有機基であり、nは2以上の整数である〕
で示される。ここで「反応性炭素炭素不飽和結合基」と
いう語は、適当な条件下でチオ−を生じる基を意味する
。
基を含まない有機基であり、nは2以上の整数である〕
で示される。ここで「反応性炭素炭素不飽和結合基」と
いう語は、適当な条件下でチオ−を生じる基を意味する
。
本発明に適切なポリチオール化合物の例には、チオグリ
コール酸(H8CHzCOOH) 、α−メルカプトプ
ロピオン酸(H8−CH(CH3) −COOH)およ
びβ−メルカプトプロピオン酸(H8CHz CH2C
0OH)とグリコール、トリオール、テトラオール、ペ
ンタオール、ヘキサオール等のようなポリヒドロキシ化
合物とのエステルが含まれるが、それらに限定されるわ
けではない。適切なポリチオールの特定の例には、エチ
レングリコールジチオグリコレート、エチレングリコー
ルジ(3−メルカプトプロピオネート)、トリメチロー
ルプロパントリチオグリコレート、トリメチロールプロ
パントリ(3−メルカプトプロピオレート)、ペンタエ
リスリトールテトラチオグリコレート、ペンタエリスリ
トールテトラ(3−メルカプトプロピオネート)、トリ
メチロールエタントリチオグリコレート、トリメチロー
ルエタントリ(3−メルカプトプロピオネート、ジペン
タエリスリトールヘキサ(3−メルカプトプロピオネー
ト)等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
コール酸(H8CHzCOOH) 、α−メルカプトプ
ロピオン酸(H8−CH(CH3) −COOH)およ
びβ−メルカプトプロピオン酸(H8CHz CH2C
0OH)とグリコール、トリオール、テトラオール、ペ
ンタオール、ヘキサオール等のようなポリヒドロキシ化
合物とのエステルが含まれるが、それらに限定されるわ
けではない。適切なポリチオールの特定の例には、エチ
レングリコールジチオグリコレート、エチレングリコー
ルジ(3−メルカプトプロピオネート)、トリメチロー
ルプロパントリチオグリコレート、トリメチロールプロ
パントリ(3−メルカプトプロピオレート)、ペンタエ
リスリトールテトラチオグリコレート、ペンタエリスリ
トールテトラ(3−メルカプトプロピオネート)、トリ
メチロールエタントリチオグリコレート、トリメチロー
ルエタントリ(3−メルカプトプロピオネート、ジペン
タエリスリトールヘキサ(3−メルカプトプロピオネー
ト)等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
これらのポリチオールは、該重合体に対して、0、/−
20重量%添加され、好ましくは、5〜75重量%添加
される。また、これらのポリチオールは単独で使用され
るだけでなく、何種類かの組み合わせでも用いることが
できる。
20重量%添加され、好ましくは、5〜75重量%添加
される。また、これらのポリチオールは単独で使用され
るだけでなく、何種類かの組み合わせでも用いることが
できる。
以上の組成物のフィルムは、すべてネガ型感光性のもの
であるが、ポジ型感光性フィルムの組成物としては、次
のものが挙げられる。すなわち、前記一般式(I)で示
した重合体のうち、Rが一般式(H3)ないしくIS)
で示された構造をもつ重合体と、先に示した開始剤等お
よびメルカプト酸化合物からなる組成物であり、このメ
ルカプト酸化合物は、一般式 %式%(3) で例示できる。ただし、mは7以上の整数であり、R6
は「反応性」不飽和炭素炭素結合基を含まず、窒素ま念
は酸素原子を含んでもよいm+/価の炭化水素基である
。 I本発明に適切
なメルカプト酸としては、3−メルカプトプロピオ/酸
、チオグリコール酸、2−メルカプトプロピオン酸、チ
オリンゴ酸、/L2−メルカプトトリデカン酸、チオサ
リチル酸、/−カルボキシメチル−よ−メルカプト−4
2,3,≠−テトラゾール、l−スルホキシメチル−3
−1ルカプト−423,≠−テトラゾール、コーカルボ
キシメチルチオーよ一メルカグトチアジアゾール等が挙
げられるが、これらに限定されるわけではない。
であるが、ポジ型感光性フィルムの組成物としては、次
のものが挙げられる。すなわち、前記一般式(I)で示
した重合体のうち、Rが一般式(H3)ないしくIS)
で示された構造をもつ重合体と、先に示した開始剤等お
よびメルカプト酸化合物からなる組成物であり、このメ
ルカプト酸化合物は、一般式 %式%(3) で例示できる。ただし、mは7以上の整数であり、R6
は「反応性」不飽和炭素炭素結合基を含まず、窒素ま念
は酸素原子を含んでもよいm+/価の炭化水素基である
。 I本発明に適切
なメルカプト酸としては、3−メルカプトプロピオ/酸
、チオグリコール酸、2−メルカプトプロピオン酸、チ
オリンゴ酸、/L2−メルカプトトリデカン酸、チオサ
リチル酸、/−カルボキシメチル−よ−メルカプト−4
2,3,≠−テトラゾール、l−スルホキシメチル−3
−1ルカプト−423,≠−テトラゾール、コーカルボ
キシメチルチオーよ一メルカグトチアジアゾール等が挙
げられるが、これらに限定されるわけではない。
これらのメルカプト酸は、該重合体に対して007〜2
0重量%添加され、好ましくは、1−/j重量%添加さ
れる。また、これらのメルカプト酸は単独で使用される
だけでなく何種類かの組み合わせでも用いることができ
る。
0重量%添加され、好ましくは、1−/j重量%添加さ
れる。また、これらのメルカプト酸は単独で使用される
だけでなく何種類かの組み合わせでも用いることができ
る。
(イ)成分として用いられる重合体のうち、ポリイミド
等に代表される縮合型芳香族重合体は、一般に酸性基を
もつ芳香族化合物と塩基性基をもつ芳香族化合物との加
熱縮合またはポリリン酸等を用いた重縮合反応によ抄合
成される。また、一般式(I)で示される重合体は、一
般式 で示される化合物と、一般式 %式%() で示される化合物とを重縮合または重付加することによ
り得られる。前記一般式Mにおけるzlの例としてR1
−COO[Vt ) 、−Co C1(Vz) 、−N
CO(Vl)、−■鵞(v4)、−0H(V5)があり
、それぞれに対応する一般式Mの略号を0内に示す。ま
た、一般式■におけるZz(7)例としては、−COC
I (Vb) 、−COOH(Vlz)、−NCO(V
la)、NH!(Vl4)があり、それぞれに対応する
一般式(2)の略号を0内に示す。なお、X、 R,Y
およびWは前記と同じ意味をもつ。
等に代表される縮合型芳香族重合体は、一般に酸性基を
もつ芳香族化合物と塩基性基をもつ芳香族化合物との加
熱縮合またはポリリン酸等を用いた重縮合反応によ抄合
成される。また、一般式(I)で示される重合体は、一
般式 で示される化合物と、一般式 %式%() で示される化合物とを重縮合または重付加することによ
り得られる。前記一般式Mにおけるzlの例としてR1
−COO[Vt ) 、−Co C1(Vz) 、−N
CO(Vl)、−■鵞(v4)、−0H(V5)があり
、それぞれに対応する一般式Mの略号を0内に示す。ま
た、一般式■におけるZz(7)例としては、−COC
I (Vb) 、−COOH(Vlz)、−NCO(V
la)、NH!(Vl4)があり、それぞれに対応する
一般式(2)の略号を0内に示す。なお、X、 R,Y
およびWは前記と同じ意味をもつ。
前記の一般式Mで示される化合物と一般式(Vl)で示
される化合物との重縮合または重付加反応により、−2
1と為−とが反応して結合鎖2が形成する。
される化合物との重縮合または重付加反応により、−2
1と為−とが反応して結合鎖2が形成する。
この際のzlと22との好ましい組み合わせ、生成する
2の糧類および得られた重合体を加熱処理した時に生成
する環構造名をまとめて第1表に示す。
2の糧類および得られた重合体を加熱処理した時に生成
する環構造名をまとめて第1表に示す。
第 l 表
〔注1 */ II構造
IM: イミド環
QD: キナゾリンジオン環
OD= オキサジンジオン環
前記の一般式(Vl) で示される化合物は、例えば
、一般式(v6) で示される酸無水物をROH(Rは前記と同じ意味をも
つ)で開環させて得られる。l*酸無水物(V6)とし
ては、例えば、無水ピロメリット酸、J、 j、’乞弘
′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3、シ
′乞弘′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水
物、J、 !、’tAp’−ジフェニルテトラカルボン
酸二無水物、3.シ′tAμ′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、2.33.7−ナフタレンテ
トラカルボン酸無水物、チオフェン−2J、 g j
−テトラカルボン酸無水物、2.コービス−(j、 弘
−ビスカルボキシフェニル)プロパン無水物等が挙ケラ
れ、アルコールROMとしては、l−ヒドロキ l
ジエチルメタクリレート、コーヒドロキシエチルアクリ
レート、2−ヒドロキシプ四ピルメククリレート、コー
ヒドロキシプロビルアクリレート、アリルアルコールお
よびエチレングリコールモノアリルエーテル等が挙げら
れる。
、一般式(v6) で示される酸無水物をROH(Rは前記と同じ意味をも
つ)で開環させて得られる。l*酸無水物(V6)とし
ては、例えば、無水ピロメリット酸、J、 j、’乞弘
′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3、シ
′乞弘′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水
物、J、 !、’tAp’−ジフェニルテトラカルボン
酸二無水物、3.シ′tAμ′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、2.33.7−ナフタレンテ
トラカルボン酸無水物、チオフェン−2J、 g j
−テトラカルボン酸無水物、2.コービス−(j、 弘
−ビスカルボキシフェニル)プロパン無水物等が挙ケラ
れ、アルコールROMとしては、l−ヒドロキ l
ジエチルメタクリレート、コーヒドロキシエチルアクリ
レート、2−ヒドロキシプ四ピルメククリレート、コー
ヒドロキシプロビルアクリレート、アリルアルコールお
よびエチレングリコールモノアリルエーテル等が挙げら
れる。
これらの酸無水物(v6)をアルコールROMと反応さ
せるに際して、ピリジン、ジメチルアミノピリジン等を
添加することにより反応が加速される。
せるに際して、ピリジン、ジメチルアミノピリジン等を
添加することにより反応が加速される。
前記の第1表における番号lおよびl′の組み合わぜは
好ましい実施態様の7例であり、この組み合わせで用い
られる一般式(■4)で示されるジアミンとしては、例
えば、IA弘′−ジアミノジフェニルエーテル、偶弘′
−ジアミノビフェニル、J、#’−ジアミノトルエン、
lA≠′−ジアミノベンゾフェノン、lAψ′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、フェニルインダンジアミン、I
AμI−ジアミノジフェニルメタン、p−フェニレンジ
アミン、m−フェニレンジアミン、/、j−ジアミノナ
フタレン、J、J’−ジメトキシ−4Ap’−ジアミノ
ビフェニル、J、J’−ジメチル−41,弘′−ジアミ
ノビフェニル、o−トルイジンスルホン、シ2−ビス(
l−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス(弘−
アミノフェノキシフェニル〕スルホン、ビス(弘−アミ
ノフェノキシフェニル)スルフィド、/、44−ビス(
グーアミノフェノキシ)ベンゼン、43−ビス(弘−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン、3.≠′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、zタービス(クーアミノフェニル)アン
トラセン−(10)、7タービス(4t−アミノフェニ
ル)フルオレン、j、!’−ジアミノジフェニルスルホ
ン、lA弘′−ジー(3−アミノフェノキシ)ジフェニ
ルスルホン、lA≠′−ジアミノベンズアニリド、3.
v′−ジアミノジフェニルエーテル、lAμ’−[/、
J−フェニレンビス(/−メチルエチリデン)]、41
iμ′−〔4μm)ユニしンビス(/−メチルエチリデ
ン) ] 、’A ’l’−(m−フェニレンジイソプ
ロピリデン)ビス(m−トルイジン)、41.47’
−(p−フェニレンジイソプロピリデン)ビス(m−ト
ルイジン)等が挙げられる。
好ましい実施態様の7例であり、この組み合わせで用い
られる一般式(■4)で示されるジアミンとしては、例
えば、IA弘′−ジアミノジフェニルエーテル、偶弘′
−ジアミノビフェニル、J、#’−ジアミノトルエン、
lA≠′−ジアミノベンゾフェノン、lAψ′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、フェニルインダンジアミン、I
AμI−ジアミノジフェニルメタン、p−フェニレンジ
アミン、m−フェニレンジアミン、/、j−ジアミノナ
フタレン、J、J’−ジメトキシ−4Ap’−ジアミノ
ビフェニル、J、J’−ジメチル−41,弘′−ジアミ
ノビフェニル、o−トルイジンスルホン、シ2−ビス(
l−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス(弘−
アミノフェノキシフェニル〕スルホン、ビス(弘−アミ
ノフェノキシフェニル)スルフィド、/、44−ビス(
グーアミノフェノキシ)ベンゼン、43−ビス(弘−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン、3.≠′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、zタービス(クーアミノフェニル)アン
トラセン−(10)、7タービス(4t−アミノフェニ
ル)フルオレン、j、!’−ジアミノジフェニルスルホ
ン、lA弘′−ジー(3−アミノフェノキシ)ジフェニ
ルスルホン、lA≠′−ジアミノベンズアニリド、3.
v′−ジアミノジフェニルエーテル、lAμ’−[/、
J−フェニレンビス(/−メチルエチリデン)]、41
iμ′−〔4μm)ユニしンビス(/−メチルエチリデ
ン) ] 、’A ’l’−(m−フェニレンジイソプ
ロピリデン)ビス(m−トルイジン)、41.47’
−(p−フェニレンジイソプロピリデン)ビス(m−ト
ルイジン)等が挙げられる。
この組み合わせのうち、一般式(■1)で示される化合
物と一般式(■4)で示される化合物との反応は、カル
ボジイミド型脱水縮合剤、例えば、ジシクロへキシルカ
ルボジイミドを用いて行なうことができる。溶媒として
、例えば、ジメチルホルムアミド、ヘキザメチルホスホ
リツクトリアミド、N−メチルピロリドン、N、N−ジ
メチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、γ−ブチロ
ラクトン等の非プロトン性極性溶媒を用いることが好ま
しい。反応温度は一り0℃〜gθ℃、好ましくは一10
℃〜30℃であり、反応時間は7〜100時間、好まし
くけ2〜2弘時間である。なお、このカルボジイミド類
を用いるポリアミドの合成方法は、本出願者らにより特
願昭jター/り3737号、特願昭よター/9.t10
コ号および特願昭!?−210に+p号において示され
ている。
物と一般式(■4)で示される化合物との反応は、カル
ボジイミド型脱水縮合剤、例えば、ジシクロへキシルカ
ルボジイミドを用いて行なうことができる。溶媒として
、例えば、ジメチルホルムアミド、ヘキザメチルホスホ
リツクトリアミド、N−メチルピロリドン、N、N−ジ
メチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、γ−ブチロ
ラクトン等の非プロトン性極性溶媒を用いることが好ま
しい。反応温度は一り0℃〜gθ℃、好ましくは一10
℃〜30℃であり、反応時間は7〜100時間、好まし
くけ2〜2弘時間である。なお、このカルボジイミド類
を用いるポリアミドの合成方法は、本出願者らにより特
願昭jター/り3737号、特願昭よター/9.t10
コ号および特願昭!?−210に+p号において示され
ている。
また、化合物(■1)と化合物(■4)とのモル比を変
えることKより、得られる重合体の分子量を調節するこ
とができる。さらに1一方の成分が過剰の条件で反応を
行なう場合は残存する末端基の封止剤を加えることが好
ましい。
えることKより、得られる重合体の分子量を調節するこ
とができる。さらに1一方の成分が過剰の条件で反応を
行なう場合は残存する末端基の封止剤を加えることが好
ましい。
との封止剤としては、化合物(V+ )が過剰の場合例
えば、メタノール、エタノール、ROM (Rは前記と
同じ意味をもつ)等のアルコールやブチルアミン、アニ
リン等のアミンが好適である。
えば、メタノール、エタノール、ROM (Rは前記と
同じ意味をもつ)等のアルコールやブチルアミン、アニ
リン等のアミンが好適である。
また、反応混合物から生成重合体を単離するには、反応
混合物をアルコール類に少量ずつ加える方法を用いるこ
とが好ましい。このようにして得られた固体を、さらに
テトラヒドロフランに溶解]−1水中に少量ずつ加えて
再沈殿させることにより精製する。
混合物をアルコール類に少量ずつ加える方法を用いるこ
とが好ましい。このようにして得られた固体を、さらに
テトラヒドロフランに溶解]−1水中に少量ずつ加えて
再沈殿させることにより精製する。
また、前記一般式(v2)で示される化合物は、一般式
(Vl)で示される半エステルに塩化チオニルや五塩化
リンなどを反応させることにより得ることができる。一
般式(V2)で示される化合物と一般式(■4)で示さ
れる化合物との反応においては、化合物(V、)との反
応と同じ溶媒を用いることができる。
(Vl)で示される半エステルに塩化チオニルや五塩化
リンなどを反応させることにより得ることができる。一
般式(V2)で示される化合物と一般式(■4)で示さ
れる化合物との反応においては、化合物(V、)との反
応と同じ溶媒を用いることができる。
ただし翫テトラヒドロフラン、またはr−ブチロラクト
ンを用いる場合は、ピリジンやトリエチルアミンなどの
アミンを脱塩酸剤として加える必要がある。
ンを用いる場合は、ピリジンやトリエチルアミンなどの
アミンを脱塩酸剤として加える必要がある。
tえ、あ応混**;d−1zヶよ、8ケを。、オる。
lは、反応混合物を多量の水中に少量ずつ加える方法
を用いることが好ましい。このようKして得られた固体
はさらに細かく粉砕して洗浄するか、再度反応に用いう
るような有機溶媒に溶解し、水に加えて再沈殿させるこ
とを繰り返すことにより精製する。
lは、反応混合物を多量の水中に少量ずつ加える方法
を用いることが好ましい。このようKして得られた固体
はさらに細かく粉砕して洗浄するか、再度反応に用いう
るような有機溶媒に溶解し、水に加えて再沈殿させるこ
とを繰り返すことにより精製する。
本発明において、特開昭jターフ073μを号公報、特
開昭!ター/θlθ3/号公報、特開昭!ター/弘!2
7を号公報、特開昭!’t−/’737り≠号公報およ
び特開昭j7−/1J9tlλ号公報記載の組成物も使
用することができる。
開昭!ター/θlθ3/号公報、特開昭!ター/弘!2
7を号公報、特開昭!’t−/’737り≠号公報およ
び特開昭j7−/1J9tlλ号公報記載の組成物も使
用することができる。
本発明のフィルムは、該組成物をそのすべての成分を溶
解しうる溶媒に溶解して所定の支持体上に、バーコータ
ーまたはブレードコーター等を用いて塗布し、乾燥する
ことにより得られ、支持体または、剥離可能な保護フィ
ルムとともに用いられるか、オ六は、支持体フィルムか
ら剥離することKより単独で用いられる。
解しうる溶媒に溶解して所定の支持体上に、バーコータ
ーまたはブレードコーター等を用いて塗布し、乾燥する
ことにより得られ、支持体または、剥離可能な保護フィ
ルムとともに用いられるか、オ六は、支持体フィルムか
ら剥離することKより単独で用いられる。
前記溶媒としては、極性溶媒であり、かつ沸点が高すぎ
ないものが好ましく、例えば、シクロペンタノン、7ク
ロヘキサノン等を用いることができる。支持体としては
、透明で、十分な強度をもち、使用する溶剤に不溶のも
のが好オしく、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロ
ピレン等のフィルムを用いることができる。保護フィル
ムトシても同種のフィルムを用いることが好ましい。塗
布したフィルムの乾燥条件は、≠θ〜IOθ℃の循環オ
ーブンで1〜10分であり、好ましい乾燥条件は70℃
20分である。このようにして形成されたフィルムは、
カバーフィルムを剥離した状態で、または剥離しながら
支持体フィルムとともに、加熱および加圧により基体上
に積層される。好ましい積層の条件は、ホットロールラ
ミネーターを用いて、ロール温度≠θ℃〜ljO℃およ
びロール圧力O!〜j Kv’cdであり、特に好まし
くは、lOj℃および2V−である。これらの支持体フ
ィルムは、露光前または露光後で現儂前に剥離される。
ないものが好ましく、例えば、シクロペンタノン、7ク
ロヘキサノン等を用いることができる。支持体としては
、透明で、十分な強度をもち、使用する溶剤に不溶のも
のが好オしく、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロ
ピレン等のフィルムを用いることができる。保護フィル
ムトシても同種のフィルムを用いることが好ましい。塗
布したフィルムの乾燥条件は、≠θ〜IOθ℃の循環オ
ーブンで1〜10分であり、好ましい乾燥条件は70℃
20分である。このようにして形成されたフィルムは、
カバーフィルムを剥離した状態で、または剥離しながら
支持体フィルムとともに、加熱および加圧により基体上
に積層される。好ましい積層の条件は、ホットロールラ
ミネーターを用いて、ロール温度≠θ℃〜ljO℃およ
びロール圧力O!〜j Kv’cdであり、特に好まし
くは、lOj℃および2V−である。これらの支持体フ
ィルムは、露光前または露光後で現儂前に剥離される。
露光は通常のフォトマスクを通して行なわれる。
この際、用いる活性光線としては、例えば、紫外線、X
線、電子線などが挙げられ、これらの中で紫外線が好ま
しく、その光源としては、例えば低圧水銀灯、高圧水銀
灯、超高圧水釧灯、ハロゲンランプ、殺菌灯などが挙げ
られる。これらの光源の中で超高圧水鍋灯が好適である
。また、露光は窒素雰囲気下で行なうことが好ましい。
線、電子線などが挙げられ、これらの中で紫外線が好ま
しく、その光源としては、例えば低圧水銀灯、高圧水銀
灯、超高圧水釧灯、ハロゲンランプ、殺菌灯などが挙げ
られる。これらの光源の中で超高圧水鍋灯が好適である
。また、露光は窒素雰囲気下で行なうことが好ましい。
このようにして露光したのち、未照射部を除去すべく、
浸漬法やスプレー法などを用いて現偉を行なう。この除
用いる現像液としては、未露光膜を適当な時間内に完全
に溶解除去しうるようなものが好ましく、先に挙げたネ
ガ型感光性組成物のフィルム、すなわち、メルカプト酸
を用いるポジ型感光性組成物のフィルム以外のフィルム
に対しては、例えば、γ−ブチロラクトン、N−メチル
ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド
、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックト
リアミド、N−ペンジルーーーピロリドンなどの非プロ
トン性極性溶媒を単独で用いてもよいし、あるいはこれ
らKmコ成分として、例えば、エタノール、イソプロパ
ツールなどのアルコール、トルエン、キシレンなどの芳
香族炭化水素化合物、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン、酢酸エチル、プロピオン酸
メチルなどのエステル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンのようなエーテルなどの溶媒を混合して用いてもよい
。
浸漬法やスプレー法などを用いて現偉を行なう。この除
用いる現像液としては、未露光膜を適当な時間内に完全
に溶解除去しうるようなものが好ましく、先に挙げたネ
ガ型感光性組成物のフィルム、すなわち、メルカプト酸
を用いるポジ型感光性組成物のフィルム以外のフィルム
に対しては、例えば、γ−ブチロラクトン、N−メチル
ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド
、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックト
リアミド、N−ペンジルーーーピロリドンなどの非プロ
トン性極性溶媒を単独で用いてもよいし、あるいはこれ
らKmコ成分として、例えば、エタノール、イソプロパ
ツールなどのアルコール、トルエン、キシレンなどの芳
香族炭化水素化合物、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン、酢酸エチル、プロピオン酸
メチルなどのエステル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンのようなエーテルなどの溶媒を混合して用いてもよい
。
さらに1現偉直後に前記第2成分として示したような溶
媒でリンスすることが好ましい。
媒でリンスすることが好ましい。
ま九、以上のネガ型感光性フィルムでは、少なくとも現
儂前に支持フィルムを剥離しなければならないが、ます
先に示した第一支持フィルム上に感光性フィルムを形成
し、その上に現像液に可溶なポリスチレン、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリビニルアルコール等の第二支持フィルムをラ
ミネートして、これらを第一支持フィルムから剥離しな
がら基体に積層して得られた積層体においては、感光性
フィルム上の第二支持フィルムを剥離することなくその
まま現偉できるため、支持フィルムを剥離する場合の感
光性フィルム層の基体からの剥離等の6□1ツアき、1
え12.カッ、□□い、 lポジ聾感光性組成物の
フィルムに対する現像液としては、例えば、無機アルカ
リである水酸化ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、リ
ン酸ナトリウム等の水溶液や有機アルカリであるテトラ
メチルアンモニウムハイドロキサイド、プリン等の溶液
が挙げられβ。
儂前に支持フィルムを剥離しなければならないが、ます
先に示した第一支持フィルム上に感光性フィルムを形成
し、その上に現像液に可溶なポリスチレン、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリビニルアルコール等の第二支持フィルムをラ
ミネートして、これらを第一支持フィルムから剥離しな
がら基体に積層して得られた積層体においては、感光性
フィルム上の第二支持フィルムを剥離することなくその
まま現偉できるため、支持フィルムを剥離する場合の感
光性フィルム層の基体からの剥離等の6□1ツアき、1
え12.カッ、□□い、 lポジ聾感光性組成物の
フィルムに対する現像液としては、例えば、無機アルカ
リである水酸化ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、リ
ン酸ナトリウム等の水溶液や有機アルカリであるテトラ
メチルアンモニウムハイドロキサイド、プリン等の溶液
が挙げられβ。
用いられる溶媒としては、エタノール、イソプロパツー
ル、N、N−ジメチルホルムアミド、アセトン、ジメチ
ルスルホキシド等の有機溶媒、または水およびこれらの
混合溶媒が挙げられる。また現像液の他の例は、アンモ
ニア水やナトリウムメトキサイドのメタノール溶液等が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。また
、半導体、集積回路の製作にはアルカリ金属は特性に悪
影響を与えるため、現像液としては有機アルカリ系のも
のが好ましい。さらK、現僚直後に希硫酸や酢酸等の酸
で中和処理することが好ましい。
ル、N、N−ジメチルホルムアミド、アセトン、ジメチ
ルスルホキシド等の有機溶媒、または水およびこれらの
混合溶媒が挙げられる。また現像液の他の例は、アンモ
ニア水やナトリウムメトキサイドのメタノール溶液等が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。また
、半導体、集積回路の製作にはアルカリ金属は特性に悪
影響を与えるため、現像液としては有機アルカリ系のも
のが好ましい。さらK、現僚直後に希硫酸や酢酸等の酸
で中和処理することが好ましい。
また、とのポジ型感光性フィルムに対しても、先に挙げ
た現像液可溶性の第二支持フィルムを用いることができ
る。
た現像液可溶性の第二支持フィルムを用いることができ
る。
この上うKして得られたすべての画像は乾燥後、/ψo
Naro℃の温度範囲で加熱することにより、イミド環
、イソインドロキナゾリンジオン環、オキサジンジオン
環、キナシリ/ジオン環などを有する耐熱性高分子化合
物に変換される。
Naro℃の温度範囲で加熱することにより、イミド環
、イソインドロキナゾリンジオン環、オキサジンジオン
環、キナシリ/ジオン環などを有する耐熱性高分子化合
物に変換される。
本発明の耐熱性フォトレジストフィルムは、従来のレジ
スト材料と比べて多くの利点を有している。この利点と
しては、まず耐熱性のレジストで感光性のものを、ドラ
イフィルム化したことであ抄、これにより従来のこの種
の材料で常法とされていたスピンコート工程が省略でき
る。すなわち、スピンコードでは限界のある十分な膜厚
の均一性が得られ、また基体の前処理からラミネート、
露光、現偉、乾燥および加熱処理までのすべての工程を
連続作業で行なうことKよりスループット性の向上が得
られ、製造工程の自動化も可能となる。
スト材料と比べて多くの利点を有している。この利点と
しては、まず耐熱性のレジストで感光性のものを、ドラ
イフィルム化したことであ抄、これにより従来のこの種
の材料で常法とされていたスピンコート工程が省略でき
る。すなわち、スピンコードでは限界のある十分な膜厚
の均一性が得られ、また基体の前処理からラミネート、
露光、現偉、乾燥および加熱処理までのすべての工程を
連続作業で行なうことKよりスループット性の向上が得
られ、製造工程の自動化も可能となる。
また、この製造ラインを孤立されたクリーンな環境に置
くことにより、ウニ・・−等の基体をスピンコーター上
等、作業者の操作を伴なう場所に置くことがなくなるた
め、レジスト層への空気中の塵等の異物の混入を軽減で
き、微細加工等に必要なりリーン度の管理が容易に々る
。
くことにより、ウニ・・−等の基体をスピンコーター上
等、作業者の操作を伴なう場所に置くことがなくなるた
め、レジスト層への空気中の塵等の異物の混入を軽減で
き、微細加工等に必要なりリーン度の管理が容易に々る
。
本発明耐熱性フォトレジストフィルムは、半導体素子用
の眉間絶縁膜や表面保護膜および銅ポリイミド基板等に
代表される多層配線基板などに用いれば、前記の特性を
反映してプロセスが短縮、クリーン化および自動化され
、微細加工等が容易になるなどの特徴を発揮する。
の眉間絶縁膜や表面保護膜および銅ポリイミド基板等に
代表される多層配線基板などに用いれば、前記の特性を
反映してプロセスが短縮、クリーン化および自動化され
、微細加工等が容易になるなどの特徴を発揮する。
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。なお、実施例に用いたポリマー、モノマー、開始剤
および禁止剤の原料および名称を表1に示す。
本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。なお、実施例に用いたポリマー、モノマー、開始剤
および禁止剤の原料および名称を表1に示す。
(以下余白)
(4)禁止剤
実施例/
ポリツーとして(P−/)23?、モノマーとして(M
−i)、it、開始剤として(I−2)/、19% C
I−/)jf、(I−μ)0.1?、禁止剤として(Z
−2) 0.OJ、jf を用い、これらを371fの
シクロペンタノンに溶解した。この組成物を!jμのポ
リエチレンテレフタレート(PET)7 /イル
ム上に、東洋精機製作所のオートマチックアプリケータ
ーを用いてギヤ回転数toor−で塗工した。これを7
0℃の循環オープンで20分間乾燥した後、pgTフィ
ルムをカバーフィルムとしてラミネートした。積層され
たフィルムの厚みは27μであった。
−i)、it、開始剤として(I−2)/、19% C
I−/)jf、(I−μ)0.1?、禁止剤として(Z
−2) 0.OJ、jf を用い、これらを371fの
シクロペンタノンに溶解した。この組成物を!jμのポ
リエチレンテレフタレート(PET)7 /イル
ム上に、東洋精機製作所のオートマチックアプリケータ
ーを用いてギヤ回転数toor−で塗工した。これを7
0℃の循環オープンで20分間乾燥した後、pgTフィ
ルムをカバーフィルムとしてラミネートした。積層され
たフィルムの厚みは27μであった。
次に、このフィルム積層体を、10!f℃に加熱したホ
ットクールラミネーターを用いて、コ秘−の圧力をかけ
てカバーフィルムを剥離しなカラ、4インチ−シリコン
ウェハーにラミネートした。放冷した後、支持体PET
フィルム上からマスクフィルムを通してr mW/21
の超高圧水銀灯を用いて、窒素雰囲気下7分間露光した
。支持体PETフィルムを剥離した後、スプレー現儂機
を用いてγ−ブチロラクト/、キシレンのl対l現像液
で/r秒間現偉L、さらにキシレンのみで10秒間リン
スした。弘Oμのライン/スペースがシャープな輪郭を
もって解偉された。次に1このウェハーを、7≠0”C
2時間、≠OO℃/時間窒素雰囲気下で加熱した。十分
な形状の断面を有するポリイミド膜が形成された。この
熱処理後の膜厚を測定し、熱処理前の膜厚で除した値(
“TT”と定義する)を求めたところ、o、atであっ
た。
ットクールラミネーターを用いて、コ秘−の圧力をかけ
てカバーフィルムを剥離しなカラ、4インチ−シリコン
ウェハーにラミネートした。放冷した後、支持体PET
フィルム上からマスクフィルムを通してr mW/21
の超高圧水銀灯を用いて、窒素雰囲気下7分間露光した
。支持体PETフィルムを剥離した後、スプレー現儂機
を用いてγ−ブチロラクト/、キシレンのl対l現像液
で/r秒間現偉L、さらにキシレンのみで10秒間リン
スした。弘Oμのライン/スペースがシャープな輪郭を
もって解偉された。次に1このウェハーを、7≠0”C
2時間、≠OO℃/時間窒素雰囲気下で加熱した。十分
な形状の断面を有するポリイミド膜が形成された。この
熱処理後の膜厚を測定し、熱処理前の膜厚で除した値(
“TT”と定義する)を求めたところ、o、atであっ
た。
実施例コ
ポリi−として(p −1) 、lt f、モノマーと
して(M−3)/、コjf、開始剤として(I−1)/
、!?、 CI−/ ) / f、 (I−弘) o、
s t 、禁止剤として(Z −1) 0.02!f
を用い、これらを37!fのシクロペンタノンに溶解し
た。この組成物を実施例1と同様に処理して、コ!μの
膜厚のフィルム積層物を得た。同一の現像液で/A秒間
現像し、キシレンで70秒間リンスすることKより11
0μのライン/スペースがシャープな輪郭をもって慣偉
された。次に1同様な加熱処理を行ない、TT=0.t
!が得られた。
して(M−3)/、コjf、開始剤として(I−1)/
、!?、 CI−/ ) / f、 (I−弘) o、
s t 、禁止剤として(Z −1) 0.02!f
を用い、これらを37!fのシクロペンタノンに溶解し
た。この組成物を実施例1と同様に処理して、コ!μの
膜厚のフィルム積層物を得た。同一の現像液で/A秒間
現像し、キシレンで70秒間リンスすることKより11
0μのライン/スペースがシャープな輪郭をもって慣偉
された。次に1同様な加熱処理を行ない、TT=0.t
!が得られた。
実施例3
ポリマーとして(p−s)2zt、モノマーとして(M
−j)J、コjf1開始剤として(I−2)/、jf、
(I−/ ) / f、 (I−弘) o、 t r
、および禁止剤として(2−2) 0.oartを用い
、これらを77.j fのシクロペンタノンに溶解した
。この組成物を実施例/と同様に処理して、35μの膜
厚のフィルム積層物を得た。
−j)J、コjf1開始剤として(I−2)/、jf、
(I−/ ) / f、 (I−弘) o、 t r
、および禁止剤として(2−2) 0.oartを用い
、これらを77.j fのシクロペンタノンに溶解した
。この組成物を実施例/と同様に処理して、35μの膜
厚のフィルム積層物を得た。
次に、窒素雰囲気下司高圧水銀灯(J’ mW/cj
)を用い、支持体PETフィルム上から27段ステップ
タブレット(コダノク)を通して70分間露光した。次
に、支持体PET フィルムを剥離し、浸漬法により0
05%水酸化ナトリウムの水インプロピルアルコール等
量溶液でよ分間現像を行なった後、3Ll)希硫酸を用
いてリンスを行ない水洗後、乾燥して各ステップの溶解
状態をみた。72段まで溶解していることを確認し念。
)を用い、支持体PETフィルム上から27段ステップ
タブレット(コダノク)を通して70分間露光した。次
に、支持体PET フィルムを剥離し、浸漬法により0
05%水酸化ナトリウムの水インプロピルアルコール等
量溶液でよ分間現像を行なった後、3Ll)希硫酸を用
いてリンスを行ない水洗後、乾燥して各ステップの溶解
状態をみた。72段まで溶解していることを確認し念。
実施例/と同様にして加熱処理を行ない、TT=o、を
乙が得られた。
乙が得られた。
実施例V〜10
ポリマーλj?を用いて、表2に示した組成、条件以外
は、すべて実施例/と同様の操作により表コに示した結
果が得られた。
は、すべて実施例/と同様の操作により表コに示した結
果が得られた。
実施例/l
ボリマーコj2を用いて、表−に示した組成、条件以外
は、すべて実施例3と同様の操作により表2に示した結
果が得られた。
は、すべて実施例3と同様の操作により表2に示した結
果が得られた。
手続補正書(自発)
昭和60年3月25日
昭和60年特 許 願第9918号
2、発明の名称 耐熱性フォトレジストフィルム3、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 住 所 東京都新宿区四谷3丁目7番地かつ新ビル5B
8、補正の内容 (別紙のとおシ) 補正の内容 明細書の第42頁の表2以降に次の記載を追加する。
補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 住 所 東京都新宿区四谷3丁目7番地かつ新ビル5B
8、補正の内容 (別紙のとおシ) 補正の内容 明細書の第42頁の表2以降に次の記載を追加する。
「参考例1
3.3′、4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物29.4gの100m1 N−メチルピロリドン溶
液に、氷冷下18gの3−ヒドロキシトリメチレンスル
フィドを滴下し、25℃で4日間攪拌した。次に一5℃
で24gの塩化チオニルを加え2時間攪拌し、19.8
gのジアミノジフェニルエーテルの100m1 ジメチ
ルアセトアミド溶液を加え、更に2時間攪拌した。
水物29.4gの100m1 N−メチルピロリドン溶
液に、氷冷下18gの3−ヒドロキシトリメチレンスル
フィドを滴下し、25℃で4日間攪拌した。次に一5℃
で24gの塩化チオニルを加え2時間攪拌し、19.8
gのジアミノジフェニルエーテルの100m1 ジメチ
ルアセトアミド溶液を加え、更に2時間攪拌した。
反応液を21の水に滴下してポリマーを析出し、水−エ
タノールで洗浄した。このポリマーをP−10と称する
。
タノールで洗浄した。このポリマーをP−10と称する
。
参考例2
3.3’、4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物5.56gをN−メチルピロリドン41.5mlに
溶解し、4−アクリルアミド−3,4゛−ジアミノジフ
ェニルエーテル5.09gを加え、30℃で20時間攪
拌した0次にNMP 156m1を加え、更に無水酢酸
38.6. 、ピリジ −ン14.7g
、ベンゼン30.2g及びNMP26.Ogを加え、
50℃で1時間反応させた。反応液をメタノールに滴下
してポリマーを析出させた。このポリマーをP−11と
称する。
水物5.56gをN−メチルピロリドン41.5mlに
溶解し、4−アクリルアミド−3,4゛−ジアミノジフ
ェニルエーテル5.09gを加え、30℃で20時間攪
拌した0次にNMP 156m1を加え、更に無水酢酸
38.6. 、ピリジ −ン14.7g
、ベンゼン30.2g及びNMP26.Ogを加え、
50℃で1時間反応させた。反応液をメタノールに滴下
してポリマーを析出させた。このポリマーをP−11と
称する。
参考例3
2.3,3°、4゛−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物7.1gをN−メチル−2−ピロリドン(NMP
) 52+wlに熔解し、3゛、4−ジアミノシンナム
アニリド6.1gヲ加え、30℃で5時間攪拌した。こ
れにNMP 194m1を加え、更に無水酢酸50g、
ピリジン19g1ベンゼン38n l及びNMP32m
lを加え、50℃で2時間攪拌した。反応液をメタノー
ルに滴下してポリマーを析出させた。このポリマーをP
−12と称する。
水物7.1gをN−メチル−2−ピロリドン(NMP
) 52+wlに熔解し、3゛、4−ジアミノシンナム
アニリド6.1gヲ加え、30℃で5時間攪拌した。こ
れにNMP 194m1を加え、更に無水酢酸50g、
ピリジン19g1ベンゼン38n l及びNMP32m
lを加え、50℃で2時間攪拌した。反応液をメタノー
ルに滴下してポリマーを析出させた。このポリマーをP
−12と称する。
参考例4
NMP 278gに、ジアミノジフェニルエーテル11
0gを溶解し、60℃で無水ピロメリト酸120gのジ
メチルアセトアミド308gとNMP184gの混合溶
液を滴下し、3時間反応した。この反応液を溶液Aとす
る。
0gを溶解し、60℃で無水ピロメリト酸120gのジ
メチルアセトアミド308gとNMP184gの混合溶
液を滴下し、3時間反応した。この反応液を溶液Aとす
る。
参考例5
NMP 1791gに414゛−ジアミノジフェニルエ
ーテル100 gを熔解し、15℃でピロメリト酸二無
水物109gを加え、3時間攪拌した。この反応液を溶
液Bとする。
ーテル100 gを熔解し、15℃でピロメリト酸二無
水物109gを加え、3時間攪拌した。この反応液を溶
液Bとする。
実施例12
ポリマーとしてP−10を3g、開始剤としてI−1を
0.05g用い、これらを15m1のNMPに溶解した
。この溶液を25μ厚さのポリエチレンテレフタレート
・フィルム上に塗工し、1 mmHg減圧下に55℃で
5時間乾燥し、1μの膜厚を得た。このフィルムをシリ
コンウェハーにラミネートし、支持体ポリエチレンテレ
フタレート・フィルムを剥離した後、8IllW/cI
Aの超高圧水銀灯を用いてフォトマスクを通して90秒
間露光した。これをNMP :メタノールー2=1の
混合溶液を用いて現像し、シャープなパターンを得た。
0.05g用い、これらを15m1のNMPに溶解した
。この溶液を25μ厚さのポリエチレンテレフタレート
・フィルム上に塗工し、1 mmHg減圧下に55℃で
5時間乾燥し、1μの膜厚を得た。このフィルムをシリ
コンウェハーにラミネートし、支持体ポリエチレンテレ
フタレート・フィルムを剥離した後、8IllW/cI
Aの超高圧水銀灯を用いてフォトマスクを通して90秒
間露光した。これをNMP :メタノールー2=1の
混合溶液を用いて現像し、シャープなパターンを得た。
次にこのウェハーを窒素気流下135℃、200℃、3
00℃、400℃の各ステップで30分間宛加熱し、ネ
ガ型ポリイミドの良好なパターンを得た。
00℃、400℃の各ステップで30分間宛加熱し、ネ
ガ型ポリイミドの良好なパターンを得た。
実施例13
ポリマーとしてP−11を10g、開始剤とじて1−1
を0.6g用い、これらを100m1のNMPに溶解し
た。この溶液を25μ厚さのポリエチレンテレフタレー
ト・フィルム上に塗工し、1 mmHg減圧下に50℃
で5時間乾燥し、1μの膜厚を得た。このフィルムをシ
リコンウェハーにラミネートし、支持体ポリエチレンテ
レフタレート・フィルムを剥離した後、8mW/cIl
lの超高圧水銀灯を用いてフォトマスクを通して4分間
露光した。これをNMP :メタノール−2:lの混合
液を用いて現像し、シャープなパターンを得た。
を0.6g用い、これらを100m1のNMPに溶解し
た。この溶液を25μ厚さのポリエチレンテレフタレー
ト・フィルム上に塗工し、1 mmHg減圧下に50℃
で5時間乾燥し、1μの膜厚を得た。このフィルムをシ
リコンウェハーにラミネートし、支持体ポリエチレンテ
レフタレート・フィルムを剥離した後、8mW/cIl
lの超高圧水銀灯を用いてフォトマスクを通して4分間
露光した。これをNMP :メタノール−2:lの混合
液を用いて現像し、シャープなパターンを得た。
実施例14
ポリマーP−12の10%NMP溶液を、25μ厚さの
ポリエチレンテレフタレート・フィルム上に塗工し、’
l mmHg減圧下に50℃で5時間乾燥し、3μの膜
厚を得た。このフィルムをシリコンウェハーにラミネー
トし、支持体ポリエチレンテレフタレート・フィルムを
剥離して、8+++W/calの超高圧水銀灯を用いて
フォトマスクを通して10分間露光した。これをNMP
:メタノール−2=1の混合液を用いて現像し、シ
ャープなパターンを得た。
ポリエチレンテレフタレート・フィルム上に塗工し、’
l mmHg減圧下に50℃で5時間乾燥し、3μの膜
厚を得た。このフィルムをシリコンウェハーにラミネー
トし、支持体ポリエチレンテレフタレート・フィルムを
剥離して、8+++W/calの超高圧水銀灯を用いて
フォトマスクを通して10分間露光した。これをNMP
:メタノール−2=1の混合液を用いて現像し、シ
ャープなパターンを得た。
実施例15
溶液Aを50g、I−1を1.15g及びジエチルアミ
ノエチルメタクリレート10.2gをジメチルアセトア
ミド40gに熔解し、この溶液を、25μ厚さのポリエ
チレンテレフタレート・フィルム上に塗工し、100℃
で5分間乾燥し、3μの膜厚を得た。
ノエチルメタクリレート10.2gをジメチルアセトア
ミド40gに熔解し、この溶液を、25μ厚さのポリエ
チレンテレフタレート・フィルム上に塗工し、100℃
で5分間乾燥し、3μの膜厚を得た。
このフィルムをシリコンウェハーにラミネートし、支持
体ポリエチレンテレフタレート・フィルムを剥離して、
23cmの距離から出力50曲の超高圧水銀灯を用いて
フォトマスクを通して10分間露光した。
体ポリエチレンテレフタレート・フィルムを剥離して、
23cmの距離から出力50曲の超高圧水銀灯を用いて
フォトマスクを通して10分間露光した。
このウェーハーをDMF :メタノール−5:2の混
合液を用いて現像し、窒素気流下350℃で5分間加熱
処理した。ネガ型ポリイミドの良好なパターンが得られ
た。
合液を用いて現像し、窒素気流下350℃で5分間加熱
処理した。ネガ型ポリイミドの良好なパターンが得られ
た。
実施例16
溶液Bの20gに2− (N、N−ジメチルアミノ)エ
チルメタクリレート15.7g 、 2.6−ジ(4’
−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサン0.3
7gを溶解した。この溶液を25μ厚さのポリエチレン
テレフ lタレート・フィルム上に塗工
し、70℃で30分間乾燥し、1μの膜厚を得た。この
フィルムをシリコンウェハーにラミネートし、支持体ポ
リエチレンテレフタレート・フィルムを剥離して、25
mW/cjのXe−0μ灯を用いてフォトマスクを通し
て5秒間露光した。このウェハーをNMP :エタノ
ールー5=1の混合液で現像し、窒素気流下400℃で
1時間加熱処理した。ネガ型ポリイミドの良好なパター
ンが得られた。」
チルメタクリレート15.7g 、 2.6−ジ(4’
−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサン0.3
7gを溶解した。この溶液を25μ厚さのポリエチレン
テレフ lタレート・フィルム上に塗工
し、70℃で30分間乾燥し、1μの膜厚を得た。この
フィルムをシリコンウェハーにラミネートし、支持体ポ
リエチレンテレフタレート・フィルムを剥離して、25
mW/cjのXe−0μ灯を用いてフォトマスクを通し
て5秒間露光した。このウェハーをNMP :エタノ
ールー5=1の混合液で現像し、窒素気流下400℃で
1時間加熱処理した。ネガ型ポリイミドの良好なパター
ンが得られた。」
Claims (1)
- (1)、(イ)感光性化合物を混合するか、あるいは化
学結合を介して感光性基を導入した熱重量減少開始温度
が350℃以上の可溶性の耐熱性芳香族重合体または加
熱処理により熱重量減少開始温度が350℃以上の耐熱
性芳香族重合体に変換しうる可溶性前駆体と、(ロ)光
重合開始剤とを必須成分として含有して成るフォトレジ
ストフィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP991885A JPS61170731A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 耐熱性フオトレジストフイルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP991885A JPS61170731A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 耐熱性フオトレジストフイルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61170731A true JPS61170731A (ja) | 1986-08-01 |
Family
ID=11733473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP991885A Pending JPS61170731A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 耐熱性フオトレジストフイルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61170731A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7030170B2 (en) | 2001-11-22 | 2006-04-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | Photosensitive resin composition, dry film, and workpiece using the same |
JP2008531782A (ja) * | 2005-12-01 | 2008-08-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規なポリイミドおよびその製造方法 |
JP2009517716A (ja) * | 2005-12-01 | 2009-04-30 | エルジー・ケム・リミテッド | 液晶配向膜の製造方法、これによって製造された液晶配向膜、およびこれを含む液晶ディスプレイ |
-
1985
- 1985-01-24 JP JP991885A patent/JPS61170731A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7030170B2 (en) | 2001-11-22 | 2006-04-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | Photosensitive resin composition, dry film, and workpiece using the same |
JP2008531782A (ja) * | 2005-12-01 | 2008-08-14 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規なポリイミドおよびその製造方法 |
JP2009517716A (ja) * | 2005-12-01 | 2009-04-30 | エルジー・ケム・リミテッド | 液晶配向膜の製造方法、これによって製造された液晶配向膜、およびこれを含む液晶ディスプレイ |
JP4932850B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2012-05-16 | エルジー・ケム・リミテッド | 液晶配向膜の製造方法、これによって製造された液晶配向膜、およびこれを含む液晶ディスプレイ |
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