JPS629320A - 表示装置 - Google Patents
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- JPS629320A JPS629320A JP14887285A JP14887285A JPS629320A JP S629320 A JPS629320 A JP S629320A JP 14887285 A JP14887285 A JP 14887285A JP 14887285 A JP14887285 A JP 14887285A JP S629320 A JPS629320 A JP S629320A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、階調表示のための液晶装置に関する。
従来のアクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶テレ
ビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ(T P T)
を画素毎のマトリクス配置し、TPTにゲートオンパル
スを印加してソースとドレイン間を導通状態とし、この
とき映像画像信号がソースから印加され、キャパシタに
蓄積され、この蓄積された画像信号に対応して液晶(例
えばツィステッド・ネマチック、TN−液晶)が駆動し
、同時に映像信号の電圧を変調することによって階調表
示が行なわれている。
ビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ(T P T)
を画素毎のマトリクス配置し、TPTにゲートオンパル
スを印加してソースとドレイン間を導通状態とし、この
とき映像画像信号がソースから印加され、キャパシタに
蓄積され、この蓄積された画像信号に対応して液晶(例
えばツィステッド・ネマチック、TN−液晶)が駆動し
、同時に映像信号の電圧を変調することによって階調表
示が行なわれている。
しかし、この様なTN液晶を用いたアクティブマトリク
ス駆動方式のテレビジョンパネルでは、使用するTPT
が複雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高
い製造コストがネックとなっているうえに、TPTを構
成している薄膜半導体(例えば、ポリシリコン、アモル
ファスシリコン)を広い面積に亘って被膜形成すること
が難しいなどの問題点がある。
ス駆動方式のテレビジョンパネルでは、使用するTPT
が複雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高
い製造コストがネックとなっているうえに、TPTを構
成している薄膜半導体(例えば、ポリシリコン、アモル
ファスシリコン)を広い面積に亘って被膜形成すること
が難しいなどの問題点がある。
一方、低い製造コストで製造できるものとしてTN液晶
を用いたパッシブマトリクス駆動方式の表示パネルが知
られているが、この表示パネルでは走査線(N)が増大
するに従って、1画面(lフレーム)を走査する間に1
つの選択点に有効な電界が印加されている時間(デユー
ティ−比)が1/Nの割合で減少し、このためクロスト
ークが発生し、しかも高コントラストの画像とならない
などの欠点を有している上、デユーティ−比が低くなる
と各画素の階調を電圧変調により制御することが難しく
なるなど、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレビ
ジョンパネルには適していない。
を用いたパッシブマトリクス駆動方式の表示パネルが知
られているが、この表示パネルでは走査線(N)が増大
するに従って、1画面(lフレーム)を走査する間に1
つの選択点に有効な電界が印加されている時間(デユー
ティ−比)が1/Nの割合で減少し、このためクロスト
ークが発生し、しかも高コントラストの画像とならない
などの欠点を有している上、デユーティ−比が低くなる
と各画素の階調を電圧変調により制御することが難しく
なるなど、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレビ
ジョンパネルには適していない。
〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明の
目的は、前述の欠点を解消したもので、詳しくは広い面
積に亘って高密度画素をもつ表示パネル、特に液晶テレ
ビジョンパネルにおける階調表示のための液晶装置を提
供することにある。
目的は、前述の欠点を解消したもので、詳しくは広い面
積に亘って高密度画素をもつ表示パネル、特に液晶テレ
ビジョンパネルにおける階調表示のための液晶装置を提
供することにある。
本発明は、対向電極と該対向電極間に配置した双安定状
態下の強誘電性液晶とを有する画素を複数の行及び列に
沿って配置した液晶素子と、全又は所定画面の画素に対
応した強誘電性液晶を第1の配向状態に配向させる第1
の信号と前記画面内の第1の配向状態に配向した画素の
うちの選択された画素に強誘電性液晶の第2の配向状態
に配向させる第2の信号とを有し、かかる第2の信号を
行毎に順次印加する手段と、画素に対応した強誘電性液
晶の第1の配向状態又は第2の配向状態の維持時間を画
素毎に制御する手段とを有している液晶装置を特徴とし
ている。
態下の強誘電性液晶とを有する画素を複数の行及び列に
沿って配置した液晶素子と、全又は所定画面の画素に対
応した強誘電性液晶を第1の配向状態に配向させる第1
の信号と前記画面内の第1の配向状態に配向した画素の
うちの選択された画素に強誘電性液晶の第2の配向状態
に配向させる第2の信号とを有し、かかる第2の信号を
行毎に順次印加する手段と、画素に対応した強誘電性液
晶の第1の配向状態又は第2の配向状態の維持時間を画
素毎に制御する手段とを有している液晶装置を特徴とし
ている。
〔実施例〕 ′
以下、本発明を図面に従って説明する。
本発明の駆動法で用いる光学変調物質としては、加えら
れる電界に応じて第1の光学的安定状態(例えば明状態
を形成するものとする)と第2の光学的安定状態(例え
ば暗状態を形成するものとする)とのいずれかを取る、
すなわち電界に対する双安定状態を有する物質、特にこ
のような性質を有する液晶が用いられる。
れる電界に応じて第1の光学的安定状態(例えば明状態
を形成するものとする)と第2の光学的安定状態(例え
ば暗状態を形成するものとする)とのいずれかを取る、
すなわち電界に対する双安定状態を有する物質、特にこ
のような性質を有する液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックC
相(S mC”)、H相(SmH末)、I相(SmI末
)、F相(S mF ”)やG相(S mG ”)の液
晶が適している°。この強誘電性液晶については、“ル
・ジュルナール・ド・フイジイク・レットル′。
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックC
相(S mC”)、H相(SmH末)、I相(SmI末
)、F相(S mF ”)やG相(S mG ”)の液
晶が適している°。この強誘電性液晶については、“ル
・ジュルナール・ド・フイジイク・レットル′。
(”LE JOURNAL DE P)IYSIQUE
LETTRE”)36(P、69)1975年の「フ
ェロエレクトリック・リキッド・クリスタルスJ (
rFerroelectricLiquid Cry
stalsJ ; ”アプライド・フイジイツクス
瞼しターズ” (”Applied Physics
Letters”)36 (11)1980 rサ
ブミクロ・セカンド−バイスティプル争エレクトロオプ
ティック拳スイッチング・イン・リキッド・クリスタル
スJ (rsubmicro 5econdBist
able Electrooptic Switc
hingin Liquid Crystals」
);”固体物理′旦(141)1981 r液晶」等
に記載されており。
LETTRE”)36(P、69)1975年の「フ
ェロエレクトリック・リキッド・クリスタルスJ (
rFerroelectricLiquid Cry
stalsJ ; ”アプライド・フイジイツクス
瞼しターズ” (”Applied Physics
Letters”)36 (11)1980 rサ
ブミクロ・セカンド−バイスティプル争エレクトロオプ
ティック拳スイッチング・イン・リキッド・クリスタル
スJ (rsubmicro 5econdBist
able Electrooptic Switc
hingin Liquid Crystals」
);”固体物理′旦(141)1981 r液晶」等
に記載されており。
本発明法ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いる
ことができる。
ことができる。
より具体的には、本発明に用いられる強誘電性液晶化合
物の例としては、 デシロキシベンジリデン=y−アミ
ノ−2−メチルブチルシンナメート(DOBAMBC)
、ヘキシルオキシベンジリデン−y−アミノー2−クロ
ロプロピルシンナメート(HOBACPC) および4
−o−(2−メチル)−ブチルレゾルシリテン−4′−
オクチルアニリン(MBRA8)等が挙げられる。
物の例としては、 デシロキシベンジリデン=y−アミ
ノ−2−メチルブチルシンナメート(DOBAMBC)
、ヘキシルオキシベンジリデン−y−アミノー2−クロ
ロプロピルシンナメート(HOBACPC) および4
−o−(2−メチル)−ブチルレゾルシリテン−4′−
オクチルアニリン(MBRA8)等が挙げられる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
が、SmC”、SmH”、SmI”、SmF”、SmG
”となるような温度状態に保持する為、必要に応じて素
子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等により支持す
ることかできる。
が、SmC”、SmH”、SmI”、SmF”、SmG
”となるような温度状態に保持する為、必要に応じて素
子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等により支持す
ることかできる。
第1図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。11と11′は、I n203 。
である。11と11′は、I n203 。
5n02やインジウムーテインーオギサイド(ITO)
等の透明電極がコートされた基板(ガラス板)であり、
その間に液晶分子層12がガラス面に垂直になるよう配
向したSmC”相の液晶が封入されている。太線で示し
た線13が液晶分子を表わしており、この液晶分子13
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント(P上
)14を有している。基板11と11’上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子13のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメン) (P上)14はす
べて電界方向に向くよう、液晶分子13の配向方向を変
えることができる。液晶分子13は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に牙いにクロスニコルの位
置関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によっ
て光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容
易に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くし
た場合(例えば1ル)には、第2図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ
(非らせん構造)、その双極子モーメンhP又はP′は
上向き(24)又は下向き(24’)のどちらかの配向
状態をとる。このようなセルに第2図に示す如く一定の
閾値以上の極性の異る電界E又はE′を付与すると、双
極子モーメント電界E又はE′の電界ベクトルに対応し
て上向き24又は下向き24′と向きを変え、それに応
じて液晶分子は第1の安定状態23(明状態)か或いは
第2の安定状態23′(暗状態)の何れか一方に配向す
る。
等の透明電極がコートされた基板(ガラス板)であり、
その間に液晶分子層12がガラス面に垂直になるよう配
向したSmC”相の液晶が封入されている。太線で示し
た線13が液晶分子を表わしており、この液晶分子13
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント(P上
)14を有している。基板11と11’上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子13のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメン) (P上)14はす
べて電界方向に向くよう、液晶分子13の配向方向を変
えることができる。液晶分子13は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に牙いにクロスニコルの位
置関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によっ
て光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容
易に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くし
た場合(例えば1ル)には、第2図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ
(非らせん構造)、その双極子モーメンhP又はP′は
上向き(24)又は下向き(24’)のどちらかの配向
状態をとる。このようなセルに第2図に示す如く一定の
閾値以上の極性の異る電界E又はE′を付与すると、双
極子モーメント電界E又はE′の電界ベクトルに対応し
て上向き24又は下向き24′と向きを変え、それに応
じて液晶分子は第1の安定状態23(明状態)か或いは
第2の安定状態23′(暗状態)の何れか一方に配向す
る。
この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いること
の利点は2つある。第1に応答速度が極めて速いこと、
第2に液晶分子の配向が双安定性を有することである。
の利点は2つある。第1に応答速度が極めて速いこと、
第2に液晶分子の配向が双安定性を有することである。
第2の点を例えば第2図によって説明すると、電界Eを
印加すると液晶分子は第1の安定状態23に配向するが
、この状態は電界を切ってもこの第1の安定状態23が
維持され、又、逆向きの電界E′を印加すると、液晶分
子は第2の安定状態23′に配向してその分子の向きを
変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、それ
ぞれの安定状態でメモリー機能を有している。又、与え
る電界Eが一定の閾値を越えない限りそれぞれの配向状
態にやはり維持されている。このような応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出
来るだけ薄い方が好ましく、一般的には0.5ルー20
g、特に1μ〜5μが適している。この種の強誘電性液
晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光学
装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許第
4367924号明細書で提案されている。
印加すると液晶分子は第1の安定状態23に配向するが
、この状態は電界を切ってもこの第1の安定状態23が
維持され、又、逆向きの電界E′を印加すると、液晶分
子は第2の安定状態23′に配向してその分子の向きを
変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、それ
ぞれの安定状態でメモリー機能を有している。又、与え
る電界Eが一定の閾値を越えない限りそれぞれの配向状
態にやはり維持されている。このような応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出
来るだけ薄い方が好ましく、一般的には0.5ルー20
g、特に1μ〜5μが適している。この種の強誘電性液
晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光学
装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許第
4367924号明細書で提案されている。
第3図は、本実施例の液晶ディスプレイ駆動制御回路図
である。
である。
図においてDSPは液晶ディスプレイユニットA 11
、 A12 、−−−−−−、 A44は夫々の画素
を示す。Ml 、M2 、M3はフレームメモリでそれ
ぞれ4X4=16ビツトのメモリ容量を有する。メモリ
Ml、M2.M3はデータバスDBからデータが送られ
、コントロールバスCBにより書込/読出及びアドレス
が制御される。
、 A12 、−−−−−−、 A44は夫々の画素
を示す。Ml 、M2 、M3はフレームメモリでそれ
ぞれ4X4=16ビツトのメモリ容量を有する。メモリ
Ml、M2.M3はデータバスDBからデータが送られ
、コントロールバスCBにより書込/読出及びアドレス
が制御される。
FCはフィールド切換信号、DCはそのデコーダ、MP
XはメモlJM1 、M2 、M3(7)出力のうち1
つを選択するマルチプレクサ、MMは単安定マルチバイ
ブレータ、GTはゲート信号、FGはクロック発振器、
CKはクロック信号、ANDはアンドゲート、Fは行走
査クロッり信号、CNTはカウンタ、SRは直列入力並
列入力シフトレジスタ、DRI−DR4は列駆動回路、
DH5〜DR8は行駆動回路である。
XはメモlJM1 、M2 、M3(7)出力のうち1
つを選択するマルチプレクサ、MMは単安定マルチバイ
ブレータ、GTはゲート信号、FGはクロック発振器、
CKはクロック信号、ANDはアンドゲート、Fは行走
査クロッり信号、CNTはカウンタ、SRは直列入力並
列入力シフトレジスタ、DRI−DR4は列駆動回路、
DH5〜DR8は行駆動回路である。
以下、第3図の回路の動作を第4図〜第6図を参照して
説明する。
説明する。
第4図はlフレーム(映像画像の1画面を形成する期間
)における各画素の階調データであり、各階調データの
最上位ピッ)MSBはメモリM3に、中位ビットはメモ
リM2に、最下位ビットLSBはメモリM1に夫々デー
タバスを介して入力される。
)における各画素の階調データであり、各階調データの
最上位ピッ)MSBはメモリM3に、中位ビットはメモ
リM2に、最下位ビットLSBはメモリM1に夫々デー
タバスを介して入力される。
そして時刻t1でフィールド切換信号FCが発生すると
デコーダDCはマルチプレクサMPXをメモリM1から
のデータを選択するようセットする。同時にFCは単安
定マルチバイブレータMMに入力されゲート信号GTを
発生し、アンドゲートANDを開きクロック信号CKの
4つのクロックを行走査信号FとしてカウンタCNTに
出力する。カウンタCNTは第1のクロックでドライバ
DR5をオン状態にする。この時シフトレジスタSRに
はメモリM1の第1行のデータが入力されており、ドラ
イバDR3のみがオン状態となっている。従って、液晶
画素A13のみが暗レベルに設定され、他の液晶画素A
ll 、 A12 、 A14は明レベルに設定される
。そして行走査信号Fはメモリ行切換信号として不図示
のコントローラに入力されメモリM1からは次の第2行
のデータがシフトレジスタSRに入力され次の行走査信
号FでドライバDR6がオンとなり、同時にシフトレジ
スタSRからMlの第2桁のデータが夫々ドライバDR
I−DR4に入力される。この時ドライバDR2,DR
3,DR4がオンとなり、画素A22 、 A23 、
A24は暗レベルに設定され、A2!は明レベルに設
定される。第3行、第4行についても以上の動作を繰り
返す。
デコーダDCはマルチプレクサMPXをメモリM1から
のデータを選択するようセットする。同時にFCは単安
定マルチバイブレータMMに入力されゲート信号GTを
発生し、アンドゲートANDを開きクロック信号CKの
4つのクロックを行走査信号FとしてカウンタCNTに
出力する。カウンタCNTは第1のクロックでドライバ
DR5をオン状態にする。この時シフトレジスタSRに
はメモリM1の第1行のデータが入力されており、ドラ
イバDR3のみがオン状態となっている。従って、液晶
画素A13のみが暗レベルに設定され、他の液晶画素A
ll 、 A12 、 A14は明レベルに設定される
。そして行走査信号Fはメモリ行切換信号として不図示
のコントローラに入力されメモリM1からは次の第2行
のデータがシフトレジスタSRに入力され次の行走査信
号FでドライバDR6がオンとなり、同時にシフトレジ
スタSRからMlの第2桁のデータが夫々ドライバDR
I−DR4に入力される。この時ドライバDR2,DR
3,DR4がオンとなり、画素A22 、 A23 、
A24は暗レベルに設定され、A2!は明レベルに設
定される。第3行、第4行についても以上の動作を繰り
返す。
第4行を選択する4番目の行走査信号FがカウンタCN
Tに入力されると、カウンタCNTはメモリ切換要求信
号MCを不図示のコントローラに出力し、メモリはM2
に切換えられ、第2フイールドに移る。この時、第1フ
イールドで明又は暗状態に設定された各液晶画素は、前
述の第1図及び第2図、特に第2図に示す非らせん構造
の強誘電性液晶がメモリ機能を有しているので、その状
態を維持している。
Tに入力されると、カウンタCNTはメモリ切換要求信
号MCを不図示のコントローラに出力し、メモリはM2
に切換えられ、第2フイールドに移る。この時、第1フ
イールドで明又は暗状態に設定された各液晶画素は、前
述の第1図及び第2図、特に第2図に示す非らせん構造
の強誘電性液晶がメモリ機能を有しているので、その状
態を維持している。
第2フイールドも同様にフィールド切換信号FCにより
マルチプレクサMPXがメモリM2からのデータを選択
し、ゲート信号GTにより行走査信号FがカウンタCN
T及びシフトレジスタSRに入力される。そして第1フ
イールドと同じ周期で行走査が行なわれ、各液晶画素を
暗状態若しくは明状態に設定される。第3フイールドに
ついても同様である。
マルチプレクサMPXがメモリM2からのデータを選択
し、ゲート信号GTにより行走査信号FがカウンタCN
T及びシフトレジスタSRに入力される。そして第1フ
イールドと同じ周期で行走査が行なわれ、各液晶画素を
暗状態若しくは明状態に設定される。第3フイールドに
ついても同様である。
本実施例においては第1.第2.第3フィールド期間の
比を各ビットの重みづけと同じく1 : 2 : 4
:−−−−: 2n (n:正の整数)に設定している
。従って例えば画素A 11の階調データは第5図に示
す如く2であるが、この場合は第2フィールド期間のみ
暗レベルとなり、1フレーム期間の277が暗状態とな
る。又、画素A 24の階調データは5であるが、この
場合は第1及び第3フィールド期間が暗レベルとなり、
第2フィールド期間は明レベルに維持され、1フレーム
期間の5/7が暗状態となる。又、画素A42の階調デ
ータは7であり、この時全てのフィールド期間暗状態が
維持される。つまり本実施例においては8階調の中間調
表現が可能である。
比を各ビットの重みづけと同じく1 : 2 : 4
:−−−−: 2n (n:正の整数)に設定している
。従って例えば画素A 11の階調データは第5図に示
す如く2であるが、この場合は第2フィールド期間のみ
暗レベルとなり、1フレーム期間の277が暗状態とな
る。又、画素A 24の階調データは5であるが、この
場合は第1及び第3フィールド期間が暗レベルとなり、
第2フィールド期間は明レベルに維持され、1フレーム
期間の5/7が暗状態となる。又、画素A42の階調デ
ータは7であり、この時全てのフィールド期間暗状態が
維持される。つまり本実施例においては8階調の中間調
表現が可能である。
この様にしてフレーム内の表示時間の割合。
即ち表示デユーティを制御することにより、見かけ上の
中間調を表現することが可能となる。第3フイールドが
終了し、1フレームが終ると、メモリMl−M3のデー
タはコントロールバスCB及びデータバスDBにより書
き換えられ、次のフレームのデータがメモリに記憶され
る。
中間調を表現することが可能となる。第3フイールドが
終了し、1フレームが終ると、メモリMl−M3のデー
タはコントロールバスCB及びデータバスDBにより書
き換えられ、次のフレームのデータがメモリに記憶され
る。
尚、本実施例においてはlフレームを3つのフィールド
に分けたが、2つ以上の複数フィールドに分ければ中間
調の表示は可能である。
に分けたが、2つ以上の複数フィールドに分ければ中間
調の表示は可能である。
又、データビットと同じ重み付けで各フィールド期間を
変倍量で決めたが、等分割によって等倍量とすることも
可能である。しかしながら、この場合には階調データを
デコードする必要がある。
変倍量で決めたが、等分割によって等倍量とすることも
可能である。しかしながら、この場合には階調データを
デコードする必要がある。
第7図は、本発明で用いるマトリクス電極構成の平面図
を表わしている。第1O図に於いて黒塗部で示される画
素が「黒」に、その他の画素が「白」に対応するものと
する。最初に、画面を「白」に揃えるために双安定性強
誘電性液晶を第1の配向状態に揃える。このためには、
全走査線に所定の電圧パルス(例えば閾値以上の電圧2
Vo、時間幅Δt)の信号を印加すればよい。或いは全
データ線に同様の電気信号を印加することも可能である
し、又必要に応じて所要ブロック(所定画面)の走査線
又はデータ線に所要ブロックの双安定性強誘電性液晶が
第1の配向状態に揃うような電気信号を印加してもよい
。具体的な方法として、前述のクリヤー信号を順次走査
を行って、全又は所定画面の画素を単一の表示状態(黒
又は白)とすることができる。又、前述のクリヤー信号
を1時に全又は所定画面に印加してもよい。
を表わしている。第1O図に於いて黒塗部で示される画
素が「黒」に、その他の画素が「白」に対応するものと
する。最初に、画面を「白」に揃えるために双安定性強
誘電性液晶を第1の配向状態に揃える。このためには、
全走査線に所定の電圧パルス(例えば閾値以上の電圧2
Vo、時間幅Δt)の信号を印加すればよい。或いは全
データ線に同様の電気信号を印加することも可能である
し、又必要に応じて所要ブロック(所定画面)の走査線
又はデータ線に所要ブロックの双安定性強誘電性液晶が
第1の配向状態に揃うような電気信号を印加してもよい
。具体的な方法として、前述のクリヤー信号を順次走査
を行って、全又は所定画面の画素を単一の表示状態(黒
又は白)とすることができる。又、前述のクリヤー信号
を1時に全又は所定画面に印加してもよい。
具体的には第8図(a)と(b)は、それぞれ選択時の
走査信号とそれ以外の非選択時の走査信号を示している
・ 第8図(C)と(d)は、それぞれ強誘電性液晶の双安
定性のうち第1の安定状態に配向させる電気信号(白信
号という)と双安定性のうち第2の安定状態に配向させ
る電気信号(黒信号という)を示している。
走査信号とそれ以外の非選択時の走査信号を示している
・ 第8図(C)と(d)は、それぞれ強誘電性液晶の双安
定性のうち第1の安定状態に配向させる電気信号(白信
号という)と双安定性のうち第2の安定状態に配向させ
る電気信号(黒信号という)を示している。
まず、本発明の駆動法は、第9図に示す様にクリヤー期
間Q1で走査線72の全部又は一部に走査信号を印加し
、これと同期させてデータ線73の全又は一部は白信号
を印加する。
間Q1で走査線72の全部又は一部に走査信号を印加し
、これと同期させてデータ線73の全又は一部は白信号
を印加する。
次の書込み期間Q2(前述の第1フイールドに対応させ
てもよい)で例えば第7図に示す如く所定の個所(図中
の黒部で示す画素)に黒信号を印加する。この時の走査
線72及びデータ線73に印加する電気信号と第7図中
の画素AとBに印加される電圧波形を第9図で明らかに
している。
てもよい)で例えば第7図に示す如く所定の個所(図中
の黒部で示す画素)に黒信号を印加する。この時の走査
線72及びデータ線73に印加する電気信号と第7図中
の画素AとBに印加される電圧波形を第9図で明らかに
している。
以上に於て、電圧値VoはVo<Vthl<2Voと−
Vo>−Vt h2>−2Voを満足する所望の値に設
定されている。従って、第9図から明らかな様に選択時
の走査信号が印加された走査線に対応する全画素(又は
部分書き換えの時は書き換え対象の画素)には位相t1
で一2Voの電圧が印加されることになり、強誘電性液
晶は第1の安定状態に配向し、位相t2では画素に印加
される電圧がvOとなるがBo<Vthlとなっている
ため位相t1で配向した第1の安定状態(「白」)が維
持されることになる。この様にクリヤー期間Q1で一担
全画素を白信号によって「白」に消去される。
Vo>−Vt h2>−2Voを満足する所望の値に設
定されている。従って、第9図から明らかな様に選択時
の走査信号が印加された走査線に対応する全画素(又は
部分書き換えの時は書き換え対象の画素)には位相t1
で一2Voの電圧が印加されることになり、強誘電性液
晶は第1の安定状態に配向し、位相t2では画素に印加
される電圧がvOとなるがBo<Vthlとなっている
ため位相t1で配向した第1の安定状態(「白」)が維
持されることになる。この様にクリヤー期間Q1で一担
全画素を白信号によって「白」に消去される。
そして、書込み期間Q2で所定の画素のみに走査信号と
同期させてデータ線に黒信号印加することによって、黒
白の一画面が形成される。
同期させてデータ線に黒信号印加することによって、黒
白の一画面が形成される。
゛ この際黒信号が印加された画素では位相t1で■
一2vOが印加された後位相t2で2Voが印加され、
2Vo>Vt hlとなっているため、位相t1では第
1の安定状態に配向していた強誘電性液晶が位相t1で
第2の安定状態に配向されて「黒」になる。
2Vo>Vt hlとなっているため、位相t1では第
1の安定状態に配向していた強誘電性液晶が位相t1で
第2の安定状態に配向されて「黒」になる。
この際、電圧値Vの値及び位相(t1+t2)二Tの値
としては、用いられる液晶材料やセルの厚さにも依存す
るが、通常3ポルト〜70ポルトで、0.i p−s
e c 〜2ms e cの範囲で用いられる。
としては、用いられる液晶材料やセルの厚さにも依存す
るが、通常3ポルト〜70ポルトで、0.i p−s
e c 〜2ms e cの範囲で用いられる。
第10図は、別の変形実施例である。第10図に示す具
体例では、第7図に示す走査線72に走査信号を順次印
加し、この選択時の走査信号に同期させてデータ線73
に白信号を印加し、クリヤー期間Q1で全画面を一担白
画面に揃える。この時の画素に印加される電圧波形は、
位相tlで一2Voが印加されて強誘電性液晶は第1の
安定状態に配向し、次の位相t2ではVthlより小さ
い値Voが印加されるので、位相t1+t2では強誘電
性液晶は第1の安定状態をとる。次の書込み期間Q2で
は所定の画素のみに黒信号を与える。黒信号が与えられ
l た画素(第7図中の黒部画素)は、位相t1で一2vO
が印加されるが、位相t1で2Voが印加されることに
なり、この画素における強誘電性液晶が第2の安定状態
に配向されて黒になる。さらに、画素Bではその後−v
OとvOが印加されているが、前述した様に電圧値vO
がVo<Vt hl<2Voと−Vo>Vt h2>−
2Voを満足しているので「白」に反転することはない
。
体例では、第7図に示す走査線72に走査信号を順次印
加し、この選択時の走査信号に同期させてデータ線73
に白信号を印加し、クリヤー期間Q1で全画面を一担白
画面に揃える。この時の画素に印加される電圧波形は、
位相tlで一2Voが印加されて強誘電性液晶は第1の
安定状態に配向し、次の位相t2ではVthlより小さ
い値Voが印加されるので、位相t1+t2では強誘電
性液晶は第1の安定状態をとる。次の書込み期間Q2で
は所定の画素のみに黒信号を与える。黒信号が与えられ
l た画素(第7図中の黒部画素)は、位相t1で一2vO
が印加されるが、位相t1で2Voが印加されることに
なり、この画素における強誘電性液晶が第2の安定状態
に配向されて黒になる。さらに、画素Bではその後−v
OとvOが印加されているが、前述した様に電圧値vO
がVo<Vt hl<2Voと−Vo>Vt h2>−
2Voを満足しているので「白」に反転することはない
。
この様にして書込み期間Q2を第1フイールドとして書
込みが終了する。
込みが終了する。
次に第2フイールド及び第3フイールドでは、前記第1
フイールド(書込み期間Q2)の場合と同様で第7図(
a)と(b)に示す走査信号を印加し1階調データに応
じて、その走査信号と同期して第7図(c)と(d)に
示す波形と同様の波形信号を、黒を白に反転するか、又
は白を黒に反転する反転信号として印加することができ
る。従って、階調データに応じて選択的に黒→白反転信
号又は白→黒反転信号を印加することによって階調性を
表現することができる。
フイールド(書込み期間Q2)の場合と同様で第7図(
a)と(b)に示す走査信号を印加し1階調データに応
じて、その走査信号と同期して第7図(c)と(d)に
示す波形と同様の波形信号を、黒を白に反転するか、又
は白を黒に反転する反転信号として印加することができ
る。従って、階調データに応じて選択的に黒→白反転信
号又は白→黒反転信号を印加することによって階調性を
表現することができる。
この際、第2フイールドと第3フイールドでの書込み時
間は、第1フイールドでの書込み時間(例えばl/21
0sec)と同一の時間に設定することができる。すな
わち、第2フイールド又は第3フイールドの書込み時間
が第1フイールドの書込み時間と同一の時間であっても
、第2フイールド又は第3フイールドでの画素の表示状
態がそのフィールド内で維持されているので、第2フイ
ールドを第1フイールドの2倍、第3フイールドを第1
フイールドの4倍の時間に設定することができる。
間は、第1フイールドでの書込み時間(例えばl/21
0sec)と同一の時間に設定することができる。すな
わち、第2フイールド又は第3フイールドの書込み時間
が第1フイールドの書込み時間と同一の時間であっても
、第2フイールド又は第3フイールドでの画素の表示状
態がそのフィールド内で維持されているので、第2フイ
ールドを第1フイールドの2倍、第3フイールドを第1
フイールドの4倍の時間に設定することができる。
以上の第7図〜第10図に示す駆動例を第6図に示すタ
イムチャートに採用することによって、階調性を有する
映像画像を形成又は表示することができる。又、本発明
では各画素にカラーフィルターを例えばストライプ形状
あるいはモザイク形状に配置して、双安定性を有する液
晶素子を作成し、この素子に前述の駆動法によって駆動
すると1階調性のカラー映像を表示 ・することができ
る。
イムチャートに採用することによって、階調性を有する
映像画像を形成又は表示することができる。又、本発明
では各画素にカラーフィルターを例えばストライプ形状
あるいはモザイク形状に配置して、双安定性を有する液
晶素子を作成し、この素子に前述の駆動法によって駆動
すると1階調性のカラー映像を表示 ・することができ
る。
従って、本発明の方法は階調性を有するモノクロ又はカ
ラー映像を表示する液晶テレビジョン、特に従来のCR
Tカラーテレビジョンに比べはるかに小型軽量の液晶ポ
ケットカラーテレビジョンに適用することができる。
ラー映像を表示する液晶テレビジョン、特に従来のCR
Tカラーテレビジョンに比べはるかに小型軽量の液晶ポ
ケットカラーテレビジョンに適用することができる。
又、本発明の方法では例えば1フレーム期間をl/30
秒Cs e c)と設定した上で、第6図に示す第1フ
イールドを1/210秒(see)として、8階調の表
示を行なう表示パネルの場合、前述した様に強誘電性液
晶の応答速度を0.1 g s e c程度とすること
ができるので、表示パネルにおける走査線数を1×10
7/210本(約4750本)まで配線することが可能
であるので、高密度画素をもつ多階調表示が可能となり
、又、走査線の配線数を通常のテレビジョンの走査線数
並の数10゜本程度とすれば、前述の8階調よりさらに
多階調の表示が可能となる。
秒Cs e c)と設定した上で、第6図に示す第1フ
イールドを1/210秒(see)として、8階調の表
示を行なう表示パネルの場合、前述した様に強誘電性液
晶の応答速度を0.1 g s e c程度とすること
ができるので、表示パネルにおける走査線数を1×10
7/210本(約4750本)まで配線することが可能
であるので、高密度画素をもつ多階調表示が可能となり
、又、走査線の配線数を通常のテレビジョンの走査線数
並の数10゜本程度とすれば、前述の8階調よりさらに
多階調の表示が可能となる。
第1図及び82図は、本発明の駆動法で用いる液晶素子
を模式的に示す斜視図である・第3図は、本発明の駆動
制御回路を表わす説明図である。第4図及び第5図(a
)〜(d)は1画素の階調データの1実施例を表わす説
明図である。第6図は、本発明の駆動法で用いた時のタ
イムチャートを表わす説明図である。第7図は、本発明
の装置に用いるマトリクス電極構造の平面図である。第
8図(a)〜(d)は、駆動時の信号波形を表わす説明
図である。第9図及び第10図は、信号波形を時系列で
表わした説明図である。 %411D %5図 更10■
を模式的に示す斜視図である・第3図は、本発明の駆動
制御回路を表わす説明図である。第4図及び第5図(a
)〜(d)は1画素の階調データの1実施例を表わす説
明図である。第6図は、本発明の駆動法で用いた時のタ
イムチャートを表わす説明図である。第7図は、本発明
の装置に用いるマトリクス電極構造の平面図である。第
8図(a)〜(d)は、駆動時の信号波形を表わす説明
図である。第9図及び第10図は、信号波形を時系列で
表わした説明図である。 %411D %5図 更10■
Claims (6)
- (1)双安定状態下の強誘電性液晶を有する画素を複数
の行及び列に沿って配置した液晶素子と、全又は所定画
面の画素に対応した強誘電性液晶を第1の配向状態に配
向させる第1の信号と前記画面内の第1の配向状態に配
向した画素のうちの選択された画素に強誘電性液晶の第
2の配向状態に配向させる第2の信号とを有し、かかる
第2の信号を行毎に順次印加する手段と、画素に対応し
た強誘電性液晶の第1の配向状態又は第2の配向状態の
維持時間を画素毎に制御する手段とを有していることを
特徴とする液晶装置。 - (2)前記第1の信号を全又は所定画面の画素にに行毎
に順次印加する手段を有している特許請求の範囲第1項
記載の液晶装置。 - (3)前記第1の配向状態又は第2の配向状態の維持時
間を1フレーム期間内の複数に分割されたフィールド毎
に制御する手段を有している特許請求の範囲第1項記載
の液晶装置。 - (4)前記フィールドが変倍量で分割されている特許請
求の範囲第3項記載の液晶装置。 - (5)前記変倍量が1:2:4:−−−−2^n(n;
正の整数)である特許請求の範囲第4項記載の液晶装置
。 - (6)前記フィールドが等倍量で分割されている特許請
求の範囲第3項記載の液晶装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14887285A JPS629320A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 表示装置 |
US06/763,432 US4709995A (en) | 1984-08-18 | 1985-08-07 | Ferroelectric display panel and driving method therefor to achieve gray scale |
FR858512463A FR2569294B1 (fr) | 1984-08-18 | 1985-08-16 | Panneau d'affichage et son procede de commande |
DE19853529376 DE3529376A1 (de) | 1984-08-18 | 1985-08-16 | Bildschirmplatte und verfahren zu deren ansteuerung |
GB8520746A GB2164776B (en) | 1984-08-18 | 1985-08-19 | Liquid crystal apparatus and driving method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14887285A JPS629320A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS629320A true JPS629320A (ja) | 1987-01-17 |
JPH0434131B2 JPH0434131B2 (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=15462607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14887285A Granted JPS629320A (ja) | 1984-08-18 | 1985-07-05 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS629320A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994011775A1 (en) * | 1992-11-13 | 1994-05-26 | Nippon Hoso Kyokai | Liquid crystal element and its driving method, liquid crystal apparatus and illuminating apparatus |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14887285A patent/JPS629320A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994011775A1 (en) * | 1992-11-13 | 1994-05-26 | Nippon Hoso Kyokai | Liquid crystal element and its driving method, liquid crystal apparatus and illuminating apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0434131B2 (ja) | 1992-06-05 |
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