JPS629321A - 液晶装置 - Google Patents
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- JPS629321A JPS629321A JP14887385A JP14887385A JPS629321A JP S629321 A JPS629321 A JP S629321A JP 14887385 A JP14887385 A JP 14887385A JP 14887385 A JP14887385 A JP 14887385A JP S629321 A JPS629321 A JP S629321A
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- liquid crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は、階調表示のための液晶装置に関する。
従来のアクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶テレ
ビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ(T P T)
を画素毎のマトリクス配置し、TPTにケートオンパル
スを印加してソースとドレイン間を導通状態とし、この
とき映像画像信号がソースから印加され、キャパシタに
蓄積され、この蓄積された画像信号に対応して液晶(例
えばツィステッド・ネマチック;TN−液晶)が駆動し
、同時に映像信号の電圧を変調することによって階調表
示が行なわれている。
ビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ(T P T)
を画素毎のマトリクス配置し、TPTにケートオンパル
スを印加してソースとドレイン間を導通状態とし、この
とき映像画像信号がソースから印加され、キャパシタに
蓄積され、この蓄積された画像信号に対応して液晶(例
えばツィステッド・ネマチック;TN−液晶)が駆動し
、同時に映像信号の電圧を変調することによって階調表
示が行なわれている。
しかし、この様なTN液晶を用いたアクティブマトリク
ス駆動方式のテレビジョンパネルでは、使用するTPT
が複雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高
い製造コストがネックとなっているうえに、TPTを構
成している薄膜半導体(例えば、ポリシリコン、アモル
ファスシリコン)を広い面積に亘って被膜形成すること
が難しいなどの問題点がある。
ス駆動方式のテレビジョンパネルでは、使用するTPT
が複雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高
い製造コストがネックとなっているうえに、TPTを構
成している薄膜半導体(例えば、ポリシリコン、アモル
ファスシリコン)を広い面積に亘って被膜形成すること
が難しいなどの問題点がある。
一方、低い製造コストで製造できるものとしてTN液晶
を用いたパッシブマトリク異駆動方式の表示パネルが知
られているが、この表示パネルでは走査線(N)が増大
するに従って、1画面(1フレーム)を走査する間に1
つの選択点に有効な電界が印加されている時間(デユー
ティ−比)がl/Nの割合で減少し、このためクロスト
ークが発生し、しかも高コントラストの画像とならない
などの欠点を有している上、デユーティ−比が低くなる
と各画素の階調を電圧変調により制御することが難しく
なるなど、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレビ
ジョンパネルには適していない。
を用いたパッシブマトリク異駆動方式の表示パネルが知
られているが、この表示パネルでは走査線(N)が増大
するに従って、1画面(1フレーム)を走査する間に1
つの選択点に有効な電界が印加されている時間(デユー
ティ−比)がl/Nの割合で減少し、このためクロスト
ークが発生し、しかも高コントラストの画像とならない
などの欠点を有している上、デユーティ−比が低くなる
と各画素の階調を電圧変調により制御することが難しく
なるなど、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレビ
ジョンパネルには適していない。
〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明の
目的は、前述の欠点を解消したもので、詳しくは広い面
積に亘って高密度画素をもつ表示パネル、特に液晶テレ
ビジョンパネルにおける階調表示のための液晶装置を提
供することにある。
目的は、前述の欠点を解消したもので、詳しくは広い面
積に亘って高密度画素をもつ表示パネル、特に液晶テレ
ビジョンパネルにおける階調表示のための液晶装置を提
供することにある。
本発明は、対向電極と該対向電極間に配置した双安定状
態下の強誘電性液晶を有する画素を複数の行及び列に沿
って配列した液晶素子と、行上の選択された第1の画素
群を強誘電性液晶の第1の配向状態に基づく表示状態に
する書込みを、行毎に順次行う第1の段階と行上の選択
された第2の画素群を強誘電性液晶の第2の配向状態に
基づ〈表示状態にする書込みを行う第2の段階とによっ
て画面書込みを行う書込み手段と、前記表示状態の維持
時間を画素毎に制御する手段を有する液晶装置を特徴と
してる。
態下の強誘電性液晶を有する画素を複数の行及び列に沿
って配列した液晶素子と、行上の選択された第1の画素
群を強誘電性液晶の第1の配向状態に基づく表示状態に
する書込みを、行毎に順次行う第1の段階と行上の選択
された第2の画素群を強誘電性液晶の第2の配向状態に
基づ〈表示状態にする書込みを行う第2の段階とによっ
て画面書込みを行う書込み手段と、前記表示状態の維持
時間を画素毎に制御する手段を有する液晶装置を特徴と
してる。
以下、本発明を図面に従って説明する。
本発明の駆動法で用いる光学変調物質としては、加えら
れる電界に応じて第1の光学的安定状態(例えば明状態
を形成するものとする)と第2の光学的安定状態(例え
ば暗状態を形成するものとする)とのいずれかを取る、
すなわち電界に対する双安定状態を有する物質、特にこ
のような性質を有する液晶が用いられる。
れる電界に応じて第1の光学的安定状態(例えば明状態
を形成するものとする)と第2の光学的安定状態(例え
ば暗状態を形成するものとする)とのいずれかを取る、
すなわち電界に対する双安定状態を有する物質、特にこ
のような性質を有する液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックC
相(SmC末)、H相(SmH”)、I相(SmI ”
)、F相(SmF”)やG相(S mG ”)の液晶が
適している。この強誘電性液晶については、°6ル・ジ
ュルナール・ド・フイジイク・レットル°。
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックC
相(SmC末)、H相(SmH”)、I相(SmI ”
)、F相(SmF”)やG相(S mG ”)の液晶が
適している。この強誘電性液晶については、°6ル・ジ
ュルナール・ド・フイジイク・レットル°。
(LE JOURNAL DE PHYSIQUE L
ETTRE’”)36(P、69)1975年の「フェ
ロエレクトリッターリキッド・クリスタルスJ (r
FerroelectricLiquid Crys
talsJ ; ”アブライド−フイジイツクスー
レターズ” (”Applied Physics
Letters’936 (11)1980 rサブ
ミクロ・セカンド書バイスティプル・エレクトロオプテ
ィック・スイッチング・イン番リキッド・クリスタルス
J (rsubmicro 5econdBista
ble Electrooptic Switch
ingin Liquid CrystalsJ)
;”固体物理”1月(141)1981 r液晶」等
に記載されており、本発明法ではこれらに開示された強
誘電性液晶を用いることができる。
ETTRE’”)36(P、69)1975年の「フェ
ロエレクトリッターリキッド・クリスタルスJ (r
FerroelectricLiquid Crys
talsJ ; ”アブライド−フイジイツクスー
レターズ” (”Applied Physics
Letters’936 (11)1980 rサブ
ミクロ・セカンド書バイスティプル・エレクトロオプテ
ィック・スイッチング・イン番リキッド・クリスタルス
J (rsubmicro 5econdBista
ble Electrooptic Switch
ingin Liquid CrystalsJ)
;”固体物理”1月(141)1981 r液晶」等
に記載されており、本発明法ではこれらに開示された強
誘電性液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明に用いられる強誘電性液晶化合
物の例としては、 デシロキシベンジリデン−y−アミ
ノ−2−メチルブチルシンナメート(D OB AMB
C)、ヘキシルオキシベンジリデン−y−アミノ−2
−クロロプロピルシンナメート(HOBACPC)t−
3よび4− o −(2−メ+ル)−ブチルレゾルリリ
デン−4′−オクチルアニリン(MBRA8)等が挙げ
られる。
物の例としては、 デシロキシベンジリデン−y−アミ
ノ−2−メチルブチルシンナメート(D OB AMB
C)、ヘキシルオキシベンジリデン−y−アミノ−2
−クロロプロピルシンナメート(HOBACPC)t−
3よび4− o −(2−メ+ル)−ブチルレゾルリリ
デン−4′−オクチルアニリン(MBRA8)等が挙げ
られる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
が、SmC”、SmH末、SmI”、SmF”、SmG
”となるような温度状態に保持する為、必要に応じて素
子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等により支持す
ることができる。
が、SmC”、SmH末、SmI”、SmF”、SmG
”となるような温度状態に保持する為、必要に応じて素
子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等により支持す
ることができる。
第1図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもノ
テある。11と11’は、I n203 。
テある。11と11’は、I n203 。
5n02やインジウム−ティン−オキサイド(ITO)
等の透明電極がコートされた基板(ガラス板)であり、
その間に液晶分子層12がガラス面に垂直になるよう配
向したSmCX相の液晶が封入されている。太線で示し
た線13が液晶分子を表わしており、この液晶分子13
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント(P上
)14を有している。基板11と11’上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子13のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント(P工)14はすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子13の配向方向を変え
ることができる。液晶分子13は細長い形状を有してお
り、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下にqいにクロスニコルの位置
関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした
場合(例えばIg)には、第2図に示すように電界を印
加していない状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ(
非らせん構造)、その双極子モーメンhP又はP′は上
向き(24)又は下向き(24’)のどちらかの配向状
態をとる。このようなセルに第2図に示す如く一定の閾
値以上の極性の異る電界E又はE′を付与すると、双極
子モーメント電界E又はE′の電界ベクトルに対応して
L向き24又は下向き24′と向きを変え、それに応じ
て液晶分子は第1の安定状態23(明状態)か或いは第
2の安定状1923’(暗状態)の何れか一方に配向す
る。
等の透明電極がコートされた基板(ガラス板)であり、
その間に液晶分子層12がガラス面に垂直になるよう配
向したSmCX相の液晶が封入されている。太線で示し
た線13が液晶分子を表わしており、この液晶分子13
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント(P上
)14を有している。基板11と11’上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子13のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント(P工)14はすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子13の配向方向を変え
ることができる。液晶分子13は細長い形状を有してお
り、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下にqいにクロスニコルの位置
関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした
場合(例えばIg)には、第2図に示すように電界を印
加していない状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ(
非らせん構造)、その双極子モーメンhP又はP′は上
向き(24)又は下向き(24’)のどちらかの配向状
態をとる。このようなセルに第2図に示す如く一定の閾
値以上の極性の異る電界E又はE′を付与すると、双極
子モーメント電界E又はE′の電界ベクトルに対応して
L向き24又は下向き24′と向きを変え、それに応じ
て液晶分子は第1の安定状態23(明状態)か或いは第
2の安定状1923’(暗状態)の何れか一方に配向す
る。
この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いること
の利点は2つある。第1に応答速度が極めて速いこと、
第2に液晶分子の配向が双安定性を有することである。
の利点は2つある。第1に応答速度が極めて速いこと、
第2に液晶分子の配向が双安定性を有することである。
第2の点を例えば第2図によって説明すると、電界Eを
印加すると液晶分子は第1の安定状態23に配向するが
、この状態は電界を切ってもこの第1の安定状態23が
維持され、又、逆向きの電界E′を印加すると、液晶分
子は第2の安定状態23′に配向してその分子の向きを
変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、それ
ぞれの安定状態でメモリー機能を有している。又、与え
る電界Eが一定の閾値を越えない限りそれぞれの配向状
態にやはり維持されている。このような応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出
来るだけ薄い方が好ましく、一般的には0.5色〜20
ル、特にIJL〜5μが適している。この種の強誘電性
液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許
第4367924号明細書で提案されている。
印加すると液晶分子は第1の安定状態23に配向するが
、この状態は電界を切ってもこの第1の安定状態23が
維持され、又、逆向きの電界E′を印加すると、液晶分
子は第2の安定状態23′に配向してその分子の向きを
変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、それ
ぞれの安定状態でメモリー機能を有している。又、与え
る電界Eが一定の閾値を越えない限りそれぞれの配向状
態にやはり維持されている。このような応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出
来るだけ薄い方が好ましく、一般的には0.5色〜20
ル、特にIJL〜5μが適している。この種の強誘電性
液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許
第4367924号明細書で提案されている。
第3図は、本実施例の液晶ディスプレイ駆動制御回路図
である。
である。
図においてDSPは液晶ディスプレイユニットA 11
、 A12 、−−−−−−、 A44は夫々の画素
を示す。Ml 、M2 、M3はフレームメモリでそれ
ぞれ4X4= 16ビツトのメモリ容量を有する。メモ
リMl 、M2 、M3はデータバスDBからデータが
送られ、コントロールバスCBにより書込/読出及びア
ドレスが制御される。
、 A12 、−−−−−−、 A44は夫々の画素
を示す。Ml 、M2 、M3はフレームメモリでそれ
ぞれ4X4= 16ビツトのメモリ容量を有する。メモ
リMl 、M2 、M3はデータバスDBからデータが
送られ、コントロールバスCBにより書込/読出及びア
ドレスが制御される。
FCはフィールド切換信号、DCはそのデコーダ、MP
Xはメ%l、IMI 、M2 、M3の出力のうち1つ
を選択するマルチプレクサ、MMは単安定マルチバイブ
レータ、GTはゲート信号、FGはクロック発振器、C
Kはクロック信号、ANDはアンドゲート、Fは行走査
クロック信号、CNTはカウンタ、SRは直列入力並列
入力シフトレジスタ、DRI〜DR4は列駆動回路、D
R5〜DR8は行駆動回路である。
Xはメ%l、IMI 、M2 、M3の出力のうち1つ
を選択するマルチプレクサ、MMは単安定マルチバイブ
レータ、GTはゲート信号、FGはクロック発振器、C
Kはクロック信号、ANDはアンドゲート、Fは行走査
クロック信号、CNTはカウンタ、SRは直列入力並列
入力シフトレジスタ、DRI〜DR4は列駆動回路、D
R5〜DR8は行駆動回路である。
以下、第3図の回路の動作を第4図〜第6図を参照して
説明する。
説明する。
第4図は1フレーム(映像画像の1画面を形成する期間
)における各画素の階調データであり、各階調データの
最上位ピッ)MSBはメモリM3に、中位ビットはメモ
リM2に、最下位ピッ)LSBはメモリM1に夫々デー
タバスを介して入力される。
)における各画素の階調データであり、各階調データの
最上位ピッ)MSBはメモリM3に、中位ビットはメモ
リM2に、最下位ピッ)LSBはメモリM1に夫々デー
タバスを介して入力される。
そして時刻t1でフィールド切換信号FCが発生すると
デコーダDCはマルチプレクサMPXをメモリM1から
のデータを選択するようセットする。同時にFCは単安
定マルチバイブレータMMに入力されゲート信号GTを
発生し、アンドゲートANDを開きクロック信号CKの
4つのクロックを行走査信号FとしてカウンタCNTに
出力する。カウンタCNTは第1のクロックでドライバ
DR5をオン状態にする。この時シフトレジスタSRに
はメモリM1の第1行のデータが入力されており、ドラ
イバDR3のみがオン状態となっている。従って、液晶
画素A13のみが暗レベルに設定され。
デコーダDCはマルチプレクサMPXをメモリM1から
のデータを選択するようセットする。同時にFCは単安
定マルチバイブレータMMに入力されゲート信号GTを
発生し、アンドゲートANDを開きクロック信号CKの
4つのクロックを行走査信号FとしてカウンタCNTに
出力する。カウンタCNTは第1のクロックでドライバ
DR5をオン状態にする。この時シフトレジスタSRに
はメモリM1の第1行のデータが入力されており、ドラ
イバDR3のみがオン状態となっている。従って、液晶
画素A13のみが暗レベルに設定され。
他の液晶画素A u 、 A12 、 A14は明レベ
ルに設定される。そして行走査信号Fはメモリ行切換信
号として不図示のコントローラに入力されメモリMlか
らは次の第2行のデータがシフトレジスタSRに入力さ
れ次の行走査信号FでドライバDR6がオンとなり、同
時にシフトレジスタSRからMlの第2桁のデータが夫
々ドライバDR1〜DR4に入力される。この時ドライ
バDR2、DR3、DR4がオンとなり、画素A、22
、 A23 、 A24は暗レベルに設定され、A2
1は明レベルに設定される。第3行、第4行についても
以上の動作を繰り返す。
ルに設定される。そして行走査信号Fはメモリ行切換信
号として不図示のコントローラに入力されメモリMlか
らは次の第2行のデータがシフトレジスタSRに入力さ
れ次の行走査信号FでドライバDR6がオンとなり、同
時にシフトレジスタSRからMlの第2桁のデータが夫
々ドライバDR1〜DR4に入力される。この時ドライ
バDR2、DR3、DR4がオンとなり、画素A、22
、 A23 、 A24は暗レベルに設定され、A2
1は明レベルに設定される。第3行、第4行についても
以上の動作を繰り返す。
第4行を選択する4番目の行走査信号FがカウンタCN
Tに入力されると、カウンタCNTはメモリ切換要求信
号MCを不図示のコントローラに出力し、メモリはM2
に切換えられ、第2フイールドに移る。この時、第1フ
イールドで明又は暗状態に設定された各液晶画素は、前
述の第1図及び第2図、特に第2図に示す非らせん構造
の強誘電性液晶がメモリ機能を有しているので、その状
態を維持している。
Tに入力されると、カウンタCNTはメモリ切換要求信
号MCを不図示のコントローラに出力し、メモリはM2
に切換えられ、第2フイールドに移る。この時、第1フ
イールドで明又は暗状態に設定された各液晶画素は、前
述の第1図及び第2図、特に第2図に示す非らせん構造
の強誘電性液晶がメモリ機能を有しているので、その状
態を維持している。
第2フイールドも同様にフィールド切換信号FCにより
マルチプレクサMPXがメモリM2からのデータを選択
し、ゲート信号GTにより行走査信号FがカウンタCN
T及びシフトレジスタSRに入力される。そして第1フ
イールドと同じ周期で行走査が行なわれ、各液晶画素を
暗状態若しくは明状態に設定される。第3フイールドに
ついても同様である。
マルチプレクサMPXがメモリM2からのデータを選択
し、ゲート信号GTにより行走査信号FがカウンタCN
T及びシフトレジスタSRに入力される。そして第1フ
イールドと同じ周期で行走査が行なわれ、各液晶画素を
暗状態若しくは明状態に設定される。第3フイールドに
ついても同様である。
本実施例においては第1.第2.第3フィールド期間の
比を各ビットの重みづけと同じく1:2:4に設定して
いる。従って例えば画素A 11の階調データは第5図
に示す如く2であるが、この場合は第2フィールド期間
のみ暗レベルとなり、lフレーム期間の2/7が暗状態
となる。又、画素A 24の階調データは5であるが、
この場合は第1及び第3フィールド期間が暗レベルとな
り、第2フィールド期間は明レベルに維持され、1フレ
ーム期間の5/7が飴状゛態となる。又、画素A42の
階調データは7であり、この持余てのフィールド期間暗
状態が維持される。つまり本実施例においては8階調の
中間調表現が可能である。
比を各ビットの重みづけと同じく1:2:4に設定して
いる。従って例えば画素A 11の階調データは第5図
に示す如く2であるが、この場合は第2フィールド期間
のみ暗レベルとなり、lフレーム期間の2/7が暗状態
となる。又、画素A 24の階調データは5であるが、
この場合は第1及び第3フィールド期間が暗レベルとな
り、第2フィールド期間は明レベルに維持され、1フレ
ーム期間の5/7が飴状゛態となる。又、画素A42の
階調データは7であり、この持余てのフィールド期間暗
状態が維持される。つまり本実施例においては8階調の
中間調表現が可能である。
この様にしてフレーム内の表示時間の割合。
即ち表示デユーティを制御することにより。
見かけ上の中間調を表現することが可能となる。第3フ
イールドが終了し、1フレームが終ると、メモリM1〜
M3のデータはコントロールバスCB及びデータバスD
Bにより書き換えられ、次のフレームのデータがメモリ
に記憶される。
イールドが終了し、1フレームが終ると、メモリM1〜
M3のデータはコントロールバスCB及びデータバスD
Bにより書き換えられ、次のフレームのデータがメモリ
に記憶される。
尚、本実施例においてはlフレームを3つのフィールド
に分けたが、2つ以上の複数フィールドに分ければ中間
調の表示は可能である。
に分けたが、2つ以上の複数フィールドに分ければ中間
調の表示は可能である。
又、データビットと同じ重み付けで各フィールド期間を
変倍量で決めたが、等分割によって等倍量とすることも
可能である。しかしながら、この場合には階調データを
デコードする必要がある。
変倍量で決めたが、等分割によって等倍量とすることも
可能である。しかしながら、この場合には階調データを
デコードする必要がある。
第7図は、中間に双安定下にある強誘電性液晶化合物が
挟まれたマトリクス電極構造を有するセルフ1の模式図
である。72は走査線であリ、73はデータ線である。
挟まれたマトリクス電極構造を有するセルフ1の模式図
である。72は走査線であリ、73はデータ線である。
今、簡単のために、白と黒の二値信号を表示する場合を
例にとって説明する。第7図において、斜線で示された
画素が「黒」に、その他の画素が「白」に対応するもの
とする。
例にとって説明する。第7図において、斜線で示された
画素が「黒」に、その他の画素が「白」に対応するもの
とする。
第8図は、全又は所定画面の画素を情報信号に応じて位
相t2で「黒」に書込みを行う第1の段階で用いる信号
波形を表わしている。又、第9図は、第1の段階での書
込みが終了した後の残りの他の画素を位相t2r白」に
書込みを行う第2の段階で用いる信号波形を表わしてい
る。
相t2で「黒」に書込みを行う第1の段階で用いる信号
波形を表わしている。又、第9図は、第1の段階での書
込みが終了した後の残りの他の画素を位相t2r白」に
書込みを行う第2の段階で用いる信号波形を表わしてい
る。
第8図(a)は、走査線に印加する黒書込み時の走査選
択信号で、第8図(b)は黒書込み時の走査非選択信号
でる。第8図(C)はデータ線に印加する黒書込み時の
黒信号の信号波形で、第8図(d)はそれ以外の画素に
印加するデータ線の信号波形である。
択信号で、第8図(b)は黒書込み時の走査非選択信号
でる。第8図(C)はデータ線に印加する黒書込み時の
黒信号の信号波形で、第8図(d)はそれ以外の画素に
印加するデータ線の信号波形である。
第9図は、第8図の第1書込み段階で第7図中の画素A
とBに印加される信号波形を時系列で表わしたものであ
る。第9図(a)は画素Aに、第9図(b)は画素Bに
それぞれ対応した時系列走査信号である。
とBに印加される信号波形を時系列で表わしたものであ
る。第9図(a)は画素Aに、第9図(b)は画素Bに
それぞれ対応した時系列走査信号である。
第10図(a)は、走査線に印加する白書込み時の走査
選択信号で、第10図(b)は白書込み時の走査非選択
信号でる。第10図(c)はデータ線に印加する白書込
み時の白信号の信号波形で、第10図(d)はそれ以外
の画素に印加するデータ線の信号波形である。
選択信号で、第10図(b)は白書込み時の走査非選択
信号でる。第10図(c)はデータ線に印加する白書込
み時の白信号の信号波形で、第10図(d)はそれ以外
の画素に印加するデータ線の信号波形である。
又、第11図は、本発明で用いる別の駆動例を表わして
いる。第11図(a)は、第8図の黒書込み時の走査信
号に交流111を付加した信号で、第11図(b)は第
10図の白書込み時の走査信号に交流112を付加した
信号波形である。第11図(C)は、第8図(c)と(
d)の黒書込み信号と第11図(a)の黒書込み昨の走
査信号を第7図中の画素Aに印加した時の時系列波形で
、第11図(C)は同様の信号波形を第7図中の画素B
に印加した時の時系列波形である。従って、本発明は、
第1書込み段階と第2書込み段階で画素には閾値以下の
交流が印加されることになり、第1段階及び第2段階で
書込まれた表示状態がより一層効果にメモリーされる。
いる。第11図(a)は、第8図の黒書込み時の走査信
号に交流111を付加した信号で、第11図(b)は第
10図の白書込み時の走査信号に交流112を付加した
信号波形である。第11図(C)は、第8図(c)と(
d)の黒書込み信号と第11図(a)の黒書込み昨の走
査信号を第7図中の画素Aに印加した時の時系列波形で
、第11図(C)は同様の信号波形を第7図中の画素B
に印加した時の時系列波形である。従って、本発明は、
第1書込み段階と第2書込み段階で画素には閾値以下の
交流が印加されることになり、第1段階及び第2段階で
書込まれた表示状態がより一層効果にメモリーされる。
又、本発明では前述のセル厚制御によって形成した双安
定性状態の他にらせん構造をもつ負の誘電異方性のカイ
ラルスメクテイツク液晶を交流下で形成した双安定性状
態も用いることができる。この際、本発明では必ずしも
前述の交流無印加時のらせん構造を採る必要はなく、セ
ル厚制御による非らせん構造の双安定性形成とともに、
前述の交流印加を併用することも可能である。
定性状態の他にらせん構造をもつ負の誘電異方性のカイ
ラルスメクテイツク液晶を交流下で形成した双安定性状
態も用いることができる。この際、本発明では必ずしも
前述の交流無印加時のらせん構造を採る必要はなく、セ
ル厚制御による非らせん構造の双安定性形成とともに、
前述の交流印加を併用することも可能である。
この第8図〜第11図に示す信号で第1段階の黒書込み
と$2段階の白書込みとによって1画面を形成する段階
を第6図に示す第1フイールドに適用することができる
。
と$2段階の白書込みとによって1画面を形成する段階
を第6図に示す第1フイールドに適用することができる
。
次に第2フイールド及び第3フイールドでは、前述の第
1フイールドで書込みを行なった時の信号と同様の信号
波形を、黒を白に反転するか、又は白を黒に反転する反
転信号として印加することによって階調を表現すること
ができる。又、第2フイールド及び第3フイールドで用
いる反転信号としては、第12図に示す信号波形を用い
ることも可能である。第12図(a)は、選択走査信号
を表わし、位相t1で黒の画素を白の画素に反転させる
第12図(C)の反転信号(−2Vo)が印加され、位
相t2で白の画素を黒に反転させる第12図(d)の反
転信号(2Vo)が印加される。第12図(b)は非選
択走査信号を表わしており、この信号が印加された走査
上の画素には閾値電圧以下のvo及び−voが印加され
るだけで、既に書込まれた画素の表示状態はそのまま保
持される。従って、階調データに応じて選択的に一2V
Qの反転信号又は2VQの反転信号を画素に印加するこ
とによって階調性を表現することができる。
1フイールドで書込みを行なった時の信号と同様の信号
波形を、黒を白に反転するか、又は白を黒に反転する反
転信号として印加することによって階調を表現すること
ができる。又、第2フイールド及び第3フイールドで用
いる反転信号としては、第12図に示す信号波形を用い
ることも可能である。第12図(a)は、選択走査信号
を表わし、位相t1で黒の画素を白の画素に反転させる
第12図(C)の反転信号(−2Vo)が印加され、位
相t2で白の画素を黒に反転させる第12図(d)の反
転信号(2Vo)が印加される。第12図(b)は非選
択走査信号を表わしており、この信号が印加された走査
上の画素には閾値電圧以下のvo及び−voが印加され
るだけで、既に書込まれた画素の表示状態はそのまま保
持される。従って、階調データに応じて選択的に一2V
Qの反転信号又は2VQの反転信号を画素に印加するこ
とによって階調性を表現することができる。
この際、第2フイールドと第3フイールドでの書込み時
間は、第1フイールドでの書込み時間(例えば1/21
0sec)と同一の時間に設定することができる。すな
わち、第2フイールド又は第3フイールドの書込み時間
が第1フイールドの書込み時間と同一の時間であっても
、第2フイールド又は第3フイールドでの画素の表示状
態がそのフィールド内で維持されているので、第2フイ
ールドを第1フイールドの2倍、第3フイールドを第1
フイールドの4倍の時間に設定することができる。
間は、第1フイールドでの書込み時間(例えば1/21
0sec)と同一の時間に設定することができる。すな
わち、第2フイールド又は第3フイールドの書込み時間
が第1フイールドの書込み時間と同一の時間であっても
、第2フイールド又は第3フイールドでの画素の表示状
態がそのフィールド内で維持されているので、第2フイ
ールドを第1フイールドの2倍、第3フイールドを第1
フイールドの4倍の時間に設定することができる。
以上の第7図〜第12図に示す駆動例を第6図に示すタ
イムチャートに採用することによって、階調性を有する
映像画像を形成又は表示することができる。又、本発明
では各画素にカラーフィルターを例えばストライブ形状
あるいはモザイク形状に配置して、双安定性を有する液
晶素子を作成し、この素子に前述の駆動法によって駆動
すると、階調性のカラー映像を表示することができる。
イムチャートに採用することによって、階調性を有する
映像画像を形成又は表示することができる。又、本発明
では各画素にカラーフィルターを例えばストライブ形状
あるいはモザイク形状に配置して、双安定性を有する液
晶素子を作成し、この素子に前述の駆動法によって駆動
すると、階調性のカラー映像を表示することができる。
従って、本発明の方法は階調性を有するモノクロ又はカ
ラー映像を表示する液晶テレビジョン、特に従来のCR
Tカラーテレビジョンに比べはるかに小型軽量の液晶ポ
ケットカラーテレビジョンに適用することができる。
ラー映像を表示する液晶テレビジョン、特に従来のCR
Tカラーテレビジョンに比べはるかに小型軽量の液晶ポ
ケットカラーテレビジョンに適用することができる。
又、本発明の方法では例えば1フレーム期間をl/30
秒(see)と設定した上で、第6図に示す第1フイー
ルドをl/210秒(sec)として、8階調の表示を
行なう表示パネルの場合、前述した様に強誘電性液晶の
応答速度を0. l ILs e c程度とすることが
できるので、表示パネルにおける走査線数を1×107
/210本(約4750本)まで配線することが可能で
あるので、高密度画素をもつ多階調表示が可能となり、
又、走査線の配線数を通常のテレビジョンの走査線数並
の数lOO本程度とすれば、前述の8階調よりさらに多
階調の表示が可能となる。
秒(see)と設定した上で、第6図に示す第1フイー
ルドをl/210秒(sec)として、8階調の表示を
行なう表示パネルの場合、前述した様に強誘電性液晶の
応答速度を0. l ILs e c程度とすることが
できるので、表示パネルにおける走査線数を1×107
/210本(約4750本)まで配線することが可能で
あるので、高密度画素をもつ多階調表示が可能となり、
又、走査線の配線数を通常のテレビジョンの走査線数並
の数lOO本程度とすれば、前述の8階調よりさらに多
階調の表示が可能となる。
第1図及び第2図は、本発明の駆動法で用いる液晶素子
を模式的に示す斜視図である。第3図は、本発明の駆動
制御回路を表わす説明図である。第4図及び第5図(a
)〜(d)は、画素の階調データの1実施例を表わす説
明図である。第6図は、本発明の駆動法で用いた時のタ
イムチャートを表わす説明図である。第7図は、本発明
の装置に用いるマトリクス電極構造の平面図である。第
8図(a)〜(d)は、駆動時の信号波形を表わす説明
図である。第9図(a)及び(b)は画素に印加される
時系列波形を表わす説明図である。第10図(a)〜(
d)は、第2フイールド又は第3フイールドで印加する
反転信号波形の説明図である。第11図(a)と(b)
は、駆動時の走査信号波形を表わす説明図で、第11図
(C)と(d)は画素に印加される時系列波形を表わす
説明図である。第12図(a)〜(d)は、第2フイー
ルド又は第3フイールドで印加する反転信号波形の説明
図である。 特許出願人 キャノン株式会社 Dt 02 03 Du D5−−−−−(b) CQ) (b) (d) コミニー。 第12図 (b)
を模式的に示す斜視図である。第3図は、本発明の駆動
制御回路を表わす説明図である。第4図及び第5図(a
)〜(d)は、画素の階調データの1実施例を表わす説
明図である。第6図は、本発明の駆動法で用いた時のタ
イムチャートを表わす説明図である。第7図は、本発明
の装置に用いるマトリクス電極構造の平面図である。第
8図(a)〜(d)は、駆動時の信号波形を表わす説明
図である。第9図(a)及び(b)は画素に印加される
時系列波形を表わす説明図である。第10図(a)〜(
d)は、第2フイールド又は第3フイールドで印加する
反転信号波形の説明図である。第11図(a)と(b)
は、駆動時の走査信号波形を表わす説明図で、第11図
(C)と(d)は画素に印加される時系列波形を表わす
説明図である。第12図(a)〜(d)は、第2フイー
ルド又は第3フイールドで印加する反転信号波形の説明
図である。 特許出願人 キャノン株式会社 Dt 02 03 Du D5−−−−−(b) CQ) (b) (d) コミニー。 第12図 (b)
Claims (5)
- (1)双安定状態下の強誘電性液晶を有する画素を複数
の行及び列に沿って配列した液晶素子と、行上の選択さ
れた第1の画素群を強誘電性液晶の第1の配向状態に基
づく表示状態にする書込みを、行毎に順次行う第1の段
階と行上の選択された第2の画素群を強誘電性液晶の第
2の配向状態に基づく表示状態にする書込みを行う第2
の段階とによって画面書込みを行う書込み手段と、前記
表示状態の維持時間を画素毎に制御する手段を有するこ
とを特徴とする液晶装置。 - (2)前記表示状態の維持時間を1フレーム期間内の複
数に分割されたフィールド毎に制御する手段を有してい
る特許請求の範囲第1項記載の液晶装置。 - (3)前記フィールドが変倍量で分割されている特許請
求の範囲第2項記載の液晶装置。 - (4)前記変倍量が1:2:4:−−−−2^n(n;
正の整数)である特許請求の範囲第3項記載の液晶装置
。 - (5)前記フィールドが等倍量で分割されている特許請
求の範囲第2項記載の液晶装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14887385A JPS629321A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 液晶装置 |
US06/763,432 US4709995A (en) | 1984-08-18 | 1985-08-07 | Ferroelectric display panel and driving method therefor to achieve gray scale |
FR858512463A FR2569294B1 (fr) | 1984-08-18 | 1985-08-16 | Panneau d'affichage et son procede de commande |
DE19853529376 DE3529376A1 (de) | 1984-08-18 | 1985-08-16 | Bildschirmplatte und verfahren zu deren ansteuerung |
GB8520746A GB2164776B (en) | 1984-08-18 | 1985-08-19 | Liquid crystal apparatus and driving method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14887385A JPS629321A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 液晶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS629321A true JPS629321A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15462628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14887385A Pending JPS629321A (ja) | 1984-08-18 | 1985-07-05 | 液晶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS629321A (ja) |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14887385A patent/JPS629321A/ja active Pending
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