JPS6289669A - ピラジン誘導体および該誘導体を含有するカイラルスメクチツク液晶性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規なピラジン誘導体、およびこのピラジン
誘導体を含むカイラルスメクチック液晶性Ｍｌ成物に関
する。さらに詳しくは本発明は、光学活性炭素を有する
置換基が結合したピラジン誘導体、およびこのピラジン
誘導体を含有するカイラルスメクチック液晶性組成物に
関する。

［発明の背景］ 近年、表示方法として液晶表示が盛んに用いられている
が、現在における液晶表示方式としてはＴＮ型表示方式
が一般的である。このＴＮ型表示方式にはネマチック液
晶性の化合物が一般的に用いられている。

しかしながら、ネマチック液晶性の化合物を用いるＴＮ
型表示方式は、応答速度が遅いこと、および高マルチプ
レツクス駆動には無理があるとの基本的な問題点を有し
ており、昨今においては、このような問題点の少ないス
メクチック液晶性の化合物を利用する表示方法の研究が
盛んに行なわれている。

特に、光学活性炭素（不斉炭素）を分子内に有するスメ
クチック液晶性化合物が示すカイラルスメクチフクＣ相
（以下、単にｒＳｍＣ木相Ｃ上相載することもある）は
強誘電性を示すので、高速応答性を有することが知られ
ている。また１例えばこのような化合物を厚さＩｇｍ程
度の薄いセルに注入した場合においてメモリー性を有す
るようになるとの報告があり、この性質を利用した新た
な表示素子の開発も進められている［エヌ・エイ・クラ
ーク（Ｎ、Ａ、ＣＩａｒｋ）らニアブライドｅフィジク
ス串レター　（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓ、１ｅｔｔ、
　）　　、　３６，８９９（１９８０）参照］。

ＳｍＣｍＣ金相する液晶性化合物として最初に報告され
たものは、１９７５年マイヤー（にｅｙｅｒ）らにより
開発されたＤＯＢＡＭＢＣ［（Ｓ）２−メチルブチル＝
ｐ−（ｐ−ｎ−デシルオキシベンジリデンアミノ）シン
ナメート］であるが、その後の開発により、現在ではＤ
ＯＢＡＭＢＣに類似する構造を有する液晶性化合物以外
にもシック塩基系、エステル系およびビフェニル系など
の新たな種類の液晶性化合物が開発されている。

たとえば、特開昭６０−９２２７６号公報には、ピラジ
ンに光学活性炭素を有する置換基を導入したピラジン誘
導体の発明が開示され、この誘導体がカイラルスメクチ
ックＣ相を呈することが示されている。この発明で開示
されているピラジン誘導体は、液晶性化合物として上述
した優れた特性を有するが、化合物の構造上、例えば高
温下に長時間保存させた場合などの過酷な条件下におけ
る安定性が充分でないとの問題がある。

［発明の目的］ 本発明は、新規なピラジン誘導体を提供することを目的
とする。

さらに、本発明は、このピラジン誘導体を用いたＳｍＣ
ｍＣ本星する液晶性組成物を提供することを目的とする
。

［発明の要旨］ 本発明が新たに提供するピラジン誘導体、下記式［Ｉ］
で表わされる。

・・・　［Ｉ］ ［ただし、 Ｒ１およびＲ２は、互いに独立で、炭素数ｌ〜１８のア
ルキル基を表わし、 Ａ、Ｄ、ＥおよびＧは、互いに独立で、フッ素原子、塩
素原子、メチル基およびシアン基からなる群より選ばれ
る置換基を二個以上有することもある１、４−フェニレ
ン基を表わし。

Ｘはフッ素原子、塩素原子、メチル基およびシアン基か
らなる群より選ばれる置換基を表わすが、ＸはＲ２と同
一となることはない。

ｊ、に、見およびｍは、ｊ＋に＋文＋ｍ≧１を満足する
条件のもとで、′Ｔｉいに独立にＯもしくはｌであり、 そして。

ｎは０〜５の整数である］。

ざらに１本発明は、少なくとも一種類の上記式［Ｉ］で
表わされるピラジン誘導体を含有するカイラルスメクチ
ック液晶性組成物をも提供する。

［発明の詳細な記述］ 本発明のピラジン誘導体は、下記式［Ｉ］で表わされる
化合物である。

・・・　［Ｉ］ Ｒ１およびＲ２は、Ｗいに独立であって、炭素ａｔ〜１
８のアルキル基を表わし、その例としては、メチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソ
ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシ
ル、ｎ−ヘプチル　ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デ
シル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−）リゾシル
、ｎ−テトラテシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデ
シル、ｎ−ヘプタデシルおよびｎ−オクタデシルを挙げ
ることができる。ただし、Ｒ１は炭素数４以上であるこ
とが好ましく、モしてＲ２は炭素数２〜ｌＯであること
が好ましい。

Ａ、Ｄ、ＥおよびＧは、互いに独立であって。

フッ素原子、塩素原子、メチル基およびシアノ基からな
る群より選ばれる置換基を二個具Ｆ有することもある１
、４−７エニレン基を表わす。

Ｘはフッ素原子、塩素原子、メチル基およびシアン基か
らなる群より選ばれる置換基を表わすが、ＸはＲ２と同
一となることはない。又はメチル基であることが好まし
い。

ｊ、に、交およびｍは、ｊ＋に十文十ｍ≧１を満足する
条件のもとで、互いに独立にＯもしくは１である。ｊ十
に−１−ｊ２＋ｍ≧２であることが々了ましく、特にｊ
、！：ｌとがいずれも１であることが好ましい。

ｎは０〜５の整数であるが、特に０，１．２゜３のいず
れかであることが好ましい。

本発明のピラジン誘導体としては、特に下記の式［１１
］で表わされる化合物が、室温付近で好ましいＳｍＣ本
相全車することから好ましい。

・・・　［ＩＩ］ ［ただし、 Ｒ３は炭素数４〜１８のアルキル基を表わし、Ｒ４は炭
素数１〜６のアルキル基を表わし、そして Ａ、Ｅ、Ｘおよびｎは前記と同一の意味を表わす、ただ
しＸはＲ４と同一となることはない］。

また、ｎは０〜３のいずれかの整数であることが好まし
い。

本発明に従うピラジン誘導体の化合物を以下に例示する
。

（１）　　［ｊ＝１．に＝ｏ、交＝０、ｍ＝０］（２）
　　［ｊ＝１．に＝ｏ、文＝１、ｍ＝０］（３）　　［
ｊ＝１．に＝１、見＝０、ｍ　＝　Ｏ］（４）　　［ｊ
＝　ｌ、に＝ｔ、交；１、ｍ＝０］（５）　　［ｊ＝Ｏ
１ｋ＝ｏ、文＝１．ｍ＝０］（６）　　［ｊ＝Ｏ１３＝
１１１＝０、ｍ＝０］（７）　　［ｊ＝Ｏ１ｋ＝ｌ、ｉ
＝１、ｍ＝　Ｏ］本発明のピラジン誘導体は新規な化合
物であるが、公知の合成方法を組み合わせることにより
製造することができる。

たとえば、前記の化合物（１）［ｊ＝１、ｋ＝０、ｍ＝
ｏ、ｍ＝０］は、次のようにして製造することができる
。

５−（４−アルコキシフェニル）−２−ビラシノールを
、ジメチルアニリン中でＰ　ＯＣ１３などを用いて塩素
化し１次いでシアノ化した後、アルカリ加水分解して得
られる５−（４−アルコキシフェニル）ピラジン−２−
カルボン酸を対応するアルコールでエステル化して上記
化合物（１）を得ることができる。

前記化合物（２）！＝１．に＝ｏ、文＝ｌ、ｍ＝０］は
、前記化合物（１）を製造する際に用いる対応するアル
コールの種類を変えることにより製造することができる
。

前記化合物（５）［ｊ＝０．に＝ｏ、立＝ｌ、ｍ＝０］
は、次のようにして製造することができる。

まず、テトラヒドロフラン中でトリクロロメチルピラジ
ンにナトリウムアルコキシドを作用させて５−アルコキ
シビラジン−２−アルデヒドアセタールを調製する０次
いで、５−アルコキシピラジン−２−アルデヒドアセタ
ールを加水分解したのち、過マンガン酸カリなどを用い
て酸化し、５−アルコキシピラジン−２−カルボン酸を
得、これを対応するアルコールでエステル化して前記化
合物（５）を得ることができる。

なお、上記製造法の中間体である５−アルコキシピラジ
ン−２−アルデヒドアセタールの合成に関しては、ニド
ワード、ジ、　−（Ｅｄｗａｒｄｌ）、ジェ−、グラポ
ウスキー（Ｊ、Ｇｒａｂｏｗｓｋｉ）外、テトラヘドロ
ン・レターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ）　　、　５９３１（１９１３８）に詳細に記載され
ている。

なお、上記にて製造方法を例示したピラジン誘導体以外
のものも、上記の製造方法に準じて、さらにはこれらと
公知技術とを組み合わせて容易に製造することができる
。

一般に各種の表示用として用いられる液晶は、液晶性を
示す化合物を少なくとも数種類含む組成物である。

従って、本発明のピラジン誘導体は、一般には公知のカ
イラルスメクチックＣ相を呈する液晶性化合物と同様に
、他の液晶性化合物と組合わせて用いられ、カイラルス
メクチック液晶性組成物を構成する。ただし、本発明の
ピラジン誘導体の優れた特性を有効に利用するためには
１組成物中の上記ピラジン誘導体の含有率が１重量％以
上であることが好ましい。

本発明のピラジン誘導体と混合して使用することができ
る他の液晶性化合物の例としては次の化合物を挙げるこ
とができる。

２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−デシルオキシベンジリデ
ンアミノ）シンナマート ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−デシルオキシベンジリデ
ンアミノ）ベンゾアート ４−　（２−メチルブトキシ）レゾルシリデン＝４”−
オクチルアニリン ｐ、ｐ’−ジ（５−メチルへブチルオキシ）アゾキシベ
ンゼン ２−メチルブチル＝４°−オクチルオキシ−４−ビフェ
ニルカルボキシラード ｐ　−（２−メチルブトキシ）フェニル＝４°−オクチ
ルオキシ−４−ビフェニルカルボキシラード ２−メチルブチル＝４°−デシルオキシ−４−ビフェニ
ルカルボキシラード ｐ−（２−メチルブトキシ）フェニル＝４′−デシルオ
キシ−４−ビフェニルカルボキシラード ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−オクチルオキシベンゾイ
ルオキシ）ベンゾアート ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−ノニルオキシベンゾイル
オキシ）ベンゾアート ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−ドデシルオキシベンゾイ
ルオキシ）ベンゾアート、 ｐ−デシルオキシフェニル＝ｐ−（４−メチルへキシル
オキシ）ベンゾアート ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−ドデシルオキシ）ベンゾ
イルオキシ−２−シンナマートｐ−へキシルオキシフェ
ニル＝ｐ−［ｐ−（２−メチルブトキシ）ベンゾイルオ
キシ］ベンゾアート Ｐ−へキシルオキシフェニル＝ｐ−［ｐ−（４＝メチル
へキシルオキシ）ベンゾイルオキシ］ベンゾアート ｐ−（２−メチルブトキシ）フェニル＝ｐ−（ｐ−７’
シルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾアート ｐ−（２〜メチルブチル）フェニル＝４’−オクチルー
４−ビフェニルカルボキシラードｐ−へブチルフェニル
＝４’−（４−メチルヘキシル）−４−ビフェニルカル
ボキシラード’；　［ｐ−（２−メチルブトキシ）フェ
ニル］：テレフタラート 液晶性組成物の調製は従来利用されている技術に従って
実施することができる。

本発明のピラジン誘導体は、他の化合物（ＳｍＣ本相全
車ｍＦ本相全車いはコレステ１ｙツク相を有する液晶性
化合物、あるいは公知の液晶組成物に導入されている化
合物）との相溶性に優れている。

また、本発明のピラジン誘導体はカイラルな化合物であ
るため、これを液晶性組成物の添加剤として使用した場
合にも、他の液晶性化合物の自発分極を低丁させること
が少ない。

従って、本発明のピラジン誘導体を液晶組成物の成分と
して使用することにより、良好なメモリー性を有する素
子を製造することができ、また高速応答性を有する素子
を製造することができるなどの利点がある。

次に本発明の実施例を示す。

［実施例１］ （Ｓ）４−　（２−メチルブトキシ）フェニル＝５−オ
クチルオキシピラジン−２−カルホキシラ−ト　　［ｊ
＝０．に＝０．Ｊｌ＝１．ｍ＝ｏ、ｎ＝１］の製造 粗アセタールの調製 １−オクタノール３００ｍＭに金属ナトリウム１３．８
３ｇ（６０２ミリモル）を加え、加熱してアルコラード
を調製した。このアルコラードをトリクロロメチルピラ
ジン３６、Ｏｇ　（１８２ミリモル）のテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）４００ｍ文溶液に滴下し、３時間加熱還
流を行な′った。

放冷後、還流物を水に投入し有機層を分離し、水層をク
ロロホルムで二回抽出し、有機層成分と抽出液とを合せ
て、これを無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、抽出溶
媒およびｌ−オクタノールを留去し油状の粗アセタール
８８．１ｇを得た。

５−オクチルオキシピラジン−２−アルデヒドの調製 得られた粗アセタール８８．１　ｇ　（１８４ミリモル
）に水６００ｍ文および濃塩酸１００ｍ文を加え、６０
〜８０°Ｃで４時間加熱して加水分解を行なった。放冷
後、水酸化ナトリウム水溶液を加工中和し、ヘキサン７
５０ｍＭを用いて反応生成物（加水分解物）を抽出した
。

ヘキサン抽出液を全て集め、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、ヘキサンを留去し、残留物を減圧蒸留して、
５−才クチルオキシピラジン−２−アルデヒド１３．３
７ｇ　（ｂｐ：　１３０〜ｂ ５−才クチルオキシピラジン−２−カルボン酸の調製 得られた５−オクチルオキシピラジン−２−アルデヒド
８．００ｇ　（３３，９０ミリモル）に。

過マンガン酸カリ３．５７ｇ（２２，５ミリモル）およ
び水１００ｍＭを加え、６５℃で６時間加熱攪拌して５
−才クチルオキシピラジン−２−アルデヒドを酸化した
。

反応後、熱時に吸引濾過し未反応物を濾別し、濾紙上の
固体を一回に１００ｍＭの熱水を用いて四回洗浄した。

この洗浄液と濾液とを合わせ、二規定の塩酸を用いてｐ
Ｈ値を２に調節した後、水層と有機層（５−才クチルオ
キシピラジン−２−カルボン酸と副反応物を含む）とを
分液し、水層に残留する反応生成物をエーテル２００ｍ
Ａを用いて抽出した。

分液した有機層とエーテル抽出液とを合わせ濃縮し、析
出した析出物をエーテルより再結晶し、５−才クチルオ
キシピラジン−２−カルボン酸５．７２ｇ（ｍｐ：９９
〜１０１℃）を得た。

−トの調製 ５−オクチルオキシピラジン−２−カルボン酸１．３９
ｇ（５，５２ミリモル）を塩化チオニル１０ｍ文中で２
時間加熱還流した後、余剰の塩化チオニルを減圧下に除
去し、乾固して、５−才クチルオキシピラジン−２−カ
ルボン酸と塩化チオニルとの反応生成物を得た。

この反応生成物にＰ−（２−メチルブトキシ）フェノー
ル０．９９ｇ（５，５２ミルモル）とベンゼン６ｍ文溶
液を加え、さらにピリジン６ｍＪ１を滴下し室温で１時
間攪拌した。

さらに、ベンゼン２０ｍＭを加え、３０％塩酸水溶液、
水、３０％水酸化ナトリウム水溶液および水をこの順序
で用いて洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
溶媒（ベンゼンおよびピリジン）を除去し、得られた固
体をｎ−へキサンで再結晶して目的物である（Ｓ）４−
　（２−メチルブトキシ）フェニル＝５−オクチルオキ
シピラジン−２−カルホキシラー）６００ｍｇを得た。

この化合物（Ｃ２４Ｈ３３Ｎ　２０４として）の元素分
析値は計算値とよく一致した。

実測値　　　　計算値 ＣＦ３８．８４％　　　　　８９．７１＄Ｎ　　　８．
００＄　　　　　８．０４＄Ｎ　　　８．８２％　　　
　　６．７７％得られた化合物の融点は８６．０°Ｃで
、液晶性を示した。

［実施例２］ （Ｓ）４−　（２−メチルブトキシ）フェニル＝５−テ
トラデシルオキシビラジン−２−カルボキシラード　［
ｊ＝Ｏ，に＝０．ｎ＝１．ｍ＝ｏ、ｎ＝１］の製造 実施例１において粗アセタールを調製する際に使用した
１−オクタノールに代えてｌ−テトラデカノールを使用
した以外は同様にして製造を行なった。

得られた化合物の融点は７０．１℃で、液晶性を示した
。

［実施例３］ （Ｓ）２−メチルブチル＝５−（４−ドデシルオキシフ
ェニル）ピラジン−２−カルボキシラード　　［ｊ＝１
．に＝ｏ、ｕ＝ｏ、ｍ＝０．ｎ＝１］の製造 ５−（４−ドテシルオキシフェニル）−２−ピラシノー
ル２９．７ｇ（８３，４ミリモル）、Ｎ、Ｎ−ジメチル
アニリンｉｏ、１ｇ（８３，４ミリモル）およびオキシ
塩化リン１０２ｇ（６６７ミリモル）を混合し、１４０
℃で１１時間加熱した後、減圧下に未反応のオキシ塩化
リンを留去した。

残留物をヘキサンを溶媒として５．５時間ソックスレー
抽出した後、シリカゲル１００ｇを詰めたカラム（溶媒
：ベンゼン）を用いて精製し、エタノール１００ｍ文で
再結晶して、５−（４−ドデシルオキシフェニル）−２
−クロロピラジン１２．０ｇを得た。

上記のクロロピラジン１２．０ｇ（３２ミｌＪモル）、
シアン化カリ３．１２ｇ（４８，１ミリモル）、テトラ
キス−（トリフェニルホスフィン）−パラジウム１．８
５ｇ（１，６ミリモル）をジメチルホルムアミド１００
ｍＪＬ中に加え、１５０℃で６時間加８還流を行なった
。放冷後、１００ｍＭの水を加え、５００ｍＭのエーテ
ルを用いて抽出操作を行なった。

抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、シリカゲル
１００ｇを詰めたカラムを用いて（溶媒：ベンゼン）精
製して５−（４−ドデシルオキシフェニル）−２−シア
ノピラジン７．７３ｇを得た。

上記の５−（４−ドデシルオキシフェニル）−２−シア
ノピラジン７．７３ｇ（２１，２ミリモル）をエチルグ
リソルプ１７５ｍＭに溶解し、これに水酸化カリウム４
．３３ｇの７０ｍＭ水溶液を加え、５蒔間半加熱還流し
た。

還流後、塩醜１３ｍ文を加え、水冷し、析出物を濾別し
、水で洗浄し、次いでエタノールで洗浄後、乾燥して５
−（４−ドデシルオキシフェニル）ピラジン−２−カル
ボン酸７．９８ｇを得た。

オキシフェニル）ピラジン−２−カルボキシラードの調
製 実施例１の方法に準じ、５−（４−ドデシルオ　　゛キ
シフェニル）ピラジン−２−カルボン酸３．０ｇ（７，
８ミリモル）と（Ｓ）２−メチルブタノール０．６９ｇ
（７，８ミリモル）とを反応させて（Ｓ）２−メチルブ
チル＝５−（４−ドデシルオキシフェニル）ピラジン−
２−カルボキシラード１４００ｍｇを得た。

この化合物（Ｃ２８Ｈ４２Ｎ２０．として）元素分析値
は計算値とよく一致した。

実測値　　　計算値 Ｃ７４，３８％　　　　７３．９７ｇ Ｈ９，４７＄　　　　９．３１！ Ｎ　　　　ｆｌ、　１７２　　　８．１６％得られた（
Ｓ）２−メチルブチル＝５−（４−ドデシルオキシフェ
ニル）ピラジン−２−カルボキシラードの相転移温度を
第１表に示す。

［実施例４］ （Ｓ）２−メチルブチル＝５−（４−オクチルオキシフ
ェニル）ピラジン−２−カルボキシラード　　［ｊ＝１
　　　、　　　ｋ＝ｏ、ｎ＝０．ｍ＝ｏ、　　　ｎ＝１
］−の製造 実施例３において、５＝（４−ドデシルオキシフェニル
）−２−ビラシノール２９．７ｇ（８３，４ミリモル）
に代えて、５−（４−オクチルオキシフェニル）−２−
ビラシノール４０．０ｇ（１３３，３ミリモル）を使用
した以外は同様の操作を行なって、５−（４−オクチル
オキシフェニル）ピラジン−２−カルボン酸１２．５ｇ
（３８，１ミリモル）を得た０次に５−（４−オクチル
オキシフェニル）ピラジン−２−カルボン酸１．１１ｇ
（３，４ミリモル）と（Ｓ）２−メチルブタノール０．
３０ｇ（３，４ミリモル）を反応させて、（Ｓ）２−メ
チルブチル＝５−（４−オクチルオキシフェニル）ピラ
ジン−２−カルボキシラード５５０ｍｇを得た。

得られた化合物の融点は７９．５℃で、液晶性を示した
。

［実施例５］ （Ｓ）２−メチルブトキシフェニル＝５−（４−オクチ
ルオキシフェニル）ピラジン−２−カルボキシラード　
［ｊ＝１．に＝０．文＝１．ｍ−〇　、ｎ＝　１１の製
造 ５−（４−オクチルオキシフェニル）ピラジン−２−カ
ルボン酸１．０ｇ（３，０ミリモル）を使用し、（Ｓ）
２−メチルブタノールに代えてｐ−（２−メチルブトキ
シ）フェノール０．５５ｇ（３，０６ミリモル）を使用
した以外は実施例４と同様にして（Ｓ）２−メチルブト
キシフェニル＝５−（４−オクチルオキシフェニル）ピ
ラジン−２−カルボキシラード５２０ｍｇを得た。

得られた化合物の相転移温度を第１表に示す。

［実施例６］ （Ｓ）２−メチルブトキシフェニル＝５−（４−ドブキ
ルオキシフェニル）ピラジン−２−カルボキシラード［
ｊ＝１．に＝０．文＝１．ｍ＝０　、ｎ＝　１］の製造 実施例３において、（Ｓ）２−メチルブタノール０．６
９ｇ（７，８ミリモル）に代えてＰ−（２−メチルブト
キシ）フェノール１．４１ｇ（７、８ミリモル）を使用
した以外は同様にして（Ｓ）２−メチルブトキシフェニ
ル＝５−（４−ドブキルオキシフェニル）ピラジン−２
−カルボキシラード１３２０ｍｇを得た。

得られた化合物の相転移温度を第１表に示す。

［実施例７］ （Ｓ）２−メチルブチル＝４−（５−ドデシルオキシピ
ラジン−２−イル）ベンゾアート［ｊ＝０、に＝１．Ｊ
ｌ＝０．ｍ＝ｏ、ｎ＝１］の製造ラウリルアルコール１
２ｇ（６４ミリモル）に金属ナトリウム０゜４３ｇ　（
１８，６ミリモル）を加え加熱してアルコラードを調製
した。このアルコラードに２−クロロ−５−（４−シア
ノフェニル）ピラジン２．０ｇ（９，２８ミリモル）の
ＴＨＦ５０ｍＪ１溶液を加え５０℃で１時間加熱した。

これに水６　ｍ　ｌを加え、過剰のラウリルアルコール
を減圧ドに留去した。

残留物にエタノール２０ｍｆＬ、水酸化カリウム６ｇ、
水４０ｍ文を加えて１時間加熱還流し、生成した固体を
濾取し、水およびアセトンを用いて洗浄した。

この固体に塩酸２５ｍＪ１．水１５ｍ見、酢酸１５ｍＭ
を加え、１１時間加熱１５を流した。固体を濾取し、水
とエタノールとで洗浄後、乾燥して、４−（５−ドデシ
ルオキシピラジン−２−イル）安息香酸２．３３ｇを得
た。

実施例６において、５−（４−ドデシルオキシフェニル
）ピラジン−２−カルボン酸３．０ｇ（７，８ミリモル
）に代えて、４−（５−ドデシルオキシピラジン−２−
イル）安息香ｍ２．３３ｇ（６，０７ミリモル）を用い
、同様に操作して（Ｓ）２−メチルブチル＝４−　（５
〜ドデシルオキシピラジン−２−イル）ベンゾアート１
２８０ｍｇを得た。

この化合物（Ｃ２８Ｈ４２Ｎ　２０３として）の元素分
析値は計算値とよく一致した。

実測値　　　計算値 Ｃ７４，２２％　　　　７３．８７％ Ｈ９，４３＄　　　　９．３１％ Ｎ　　　　Ｇ、１７％　　　　８．１８％得られた（Ｓ
）２−メチルブチル＝４−　（５−ドデシルオキシピラ
ジン−２−イル）ベンゾアートの相転移温度を第１表に
示す。

［実施例８］ （Ｓ）２−メチルブチル＝４−　（５−デシルオキシピ
ラジン−２−イル）ベンゾアートＮ＝０、に＝１．Ｍ＝
Ｏ，ｍ＝ｏ、ｎ＝１］の製造実施例７において、ラウリ
ルアルコール１２ｇ（６４ミリモル）に代えて、１−デ
カノール１２．８ｇ（８０ミリモル）を用いた以外は同
様な操作により上記化合物を製造した。

得られた化合物の融点は６１．９℃で、液晶性を示した
。

［実施例９］ （Ｓ）４−　（２−メチルブトキシ）フェニル＝４−（
５−ドデシルオキシピラジン−２−イル）ベンシアー）
　ｎ＝０、ｋ＝１、文＝１、ｍ＝０　、ｎ＝　１］の製
造 実施例１において、５−オクチルオキシピラジン−２−
カルボン酸１．３９ｇ（５，５２ミリモル）に代えて４
−（５−ドデシルオキシピラジン−２−イル）安息香酸
２．６９ｇ（７，０ミリモル）を使用し、これとｐ−（
２−メチルブトキシ）フェノール１．２６ｇ（７，０モ
ル）とを反応させ（Ｓ）４−　（２−メチルブトキシ）
フェニル＝４−（５−ドデシルオキシピラジン−２−イ
ル）ベンゾアート８５０ｍｇを得た。

得られた化合物の相転移温度を第１表に示す。

以下金白 第１表 実施例３　　　５０．２７０．０（４４，７）　−（５
７，５）　　呈実施例５　　　１１２．８　−　　　１
８３．８１７０．０　　呈実施例６　　　１３０．７　
−　　　１８１．１１７３．１　　呈実施例７　　　５
７．８　−　　　　（４０，８）　（４８，１）　　呈
実施例９　　　１２９．５　−　　　１３３．４１４８
．７　　呈註）第１表において、「ＣＪは結晶相を、１
’ｓｍＦ本」はカイラルスメクチックＦ相を、ｆｆｓｍ
ｃ＊ＪはカイラルスメクチックＣ相を、Ｆ　Ｓ　ｍ　Ａ
　ＪはカイラルスメクチックＡ相を、１ｒＩｓｏＪは等
方性液体相をそれぞれ示す、また、「−１はその化合物
が単独ではその相を呈しないことを、ｒ呈Ｊは、単独で
その相を呈することを示す。さらに、記載されている数
字は、その数字の記載された欄の相からその欄に右に記
載された欄のうち存在する相への転移温度を示し、カッ
コ内の数字はモノトロピック転移温度を示す。

［実施例１０１ 実施例７で得た（Ｓ）２−メチルブチル＝４−（５−ド
デシルオキシピラジン−２−イル）ベンゾアート２０重
量部と実施例８で得た（Ｓ）２−メチルブチル＝４−（
５−デシルオキシピラジン−２−イル）ベンゾアート１
３重量部とを通常の方法に従って混合して得られた液晶
性組成物を。

表面にラビング処理を施した透明電極を有する二枚の基
板に加熱封入し、セル厚が１．４μｍとなるように組立
てた電気光学素子を、互いに直交する二枚の偏光板の間
に挟持させた。

電極に±３Ｖ、０．５Ｈｚの交流電界を印加すると、電
界の位相の反転に対応して液晶の表示状態が変化するこ
とが確認された。

なお、３８℃にて±１３Ｖの交流電界を印加したときの
応答時間は、約２００ｇ５であり、マルチプレックス駆
動におけるＯＮ状態とＯＦＦ状態とのコントラスト比は
１：１０であった。

なお、と記混合物の相転移温度は以下の通りであった。

ｍｐ　（Ｃ−Ｉ）：　４８．６℃ Ｉ−３ｍＡ二４６．３℃ ＳｍＡ−＋ＳｍＣ本：３９．８℃ ｆＰ（→Ｃ）：３４．０℃ ［実施例１１１ 以下に記載する化合物（ａ）および（ｂ）を混合溶解し
て液晶組成物を得た。配合重量比は（ａ）：（ｂ）＝２
５ニア５である。

この液晶組成物は３６℃以下の温度でＳｍＣ本相全車し
た。

この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電極
を有する二枚の基板に加熱封入してセル厚が２．０ＪＬ
ｍとなるように組立てた電気光学素子を、互いに直交す
る二枚の偏光板の間に挟持させた。

電極に±１３Ｖ、０．５Ｈｚの交流電界を印加すると、
電界の位相の反転に対応して液晶の表示状態が変化する
ことが確認された。

しかしながら、３０℃におけるパルス幅１ｍｓの交流マ
ルチプレックス駆動においては、しきい値特性およびメ
モリー性が不良であり、ＯＮの状態とＯＦＦの状態との
コントラストの比は１：１．５に過ぎなかった。

そこで、上記の液晶組成物９０重量部に対して実施例６
で得られたピラジン誘導体１０重量部を混合溶解して液
晶組成物を調製した。この液晶組成物は４７℃以下の温
度でＳｍＣ本相全車した。

この液晶組成物を上記と同様に表面にラビング処理を施
した透明電極を有する二枚の基板に加熱封入してセル厚
が１．ｏＪＬｍとなるように組立てた電気光学素子を、
互いに直交する二枚の偏光板の間に挟持させた。

電極に±１３Ｖ、０．５Ｈｚの交流電界を印加すると、
電界の位相の反転に対応して液晶の表示状態が変化する
ことが確認された。そして、電界を切っても表示状態は
変化せず、電界を切る直前の表示状態が保持された。

また、３０℃において±１３Ｖの交流電界を印加したと
きの応答時間は８００ｇ５であり、交流マルチプレック
ス駆動においては、しきい値特性およびメモリー性が大
幅に改善された。さらに、ＯＮ状態とＯＦＦ状態とのコ
ントラストの比は１：１０となり、これも大幅に改善さ
れた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記式で表わされるピラジン誘導体： ▲数式、化学式、表等があります▼ ［ただし、 Ｒ＾１およびＲ＾２は、互いに独立で、炭素数１〜１８
   のアルキル基を表わし、 Ａ、Ｄ、ＥおよびＧは、互いに独立で、フッ素原子、塩
   素原子、メチル基およびシアノ基からなる群より選ばれ
   る置換基を二個以下有することもある１，４−フェニレ
   ン基を表わし、 Ｘはフッ素原子、塩素原子、メチル基およびシアノ基か
   らなる群より選ばれる置換基を表わすが、ＸはＲ＾２と
   同一となることはない、 ｊ、ｋ、ｌおよびｍは、ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ≧１を満足する
   条件のもとで、互いに独立に０もしくは１であり、 そして、 ｎは０〜５の整数である］。 ２、下記式で表わされる特許請求の範囲第１項記載のピ
   ラジン誘導体： ▲数式、化学式、表等があります▼ ［ただし、 Ｒ＾３は炭素数４〜１８のアルキル基を表わし、Ｒ＾４
   は炭素数１〜６のアルキル基を表わし、そして Ａ、Ｅ、Ｘおよびｎは前記と同一の意味を表わす、ただ
   しＸはＲ＾４と同一となることはない］。 ３、上記のｎが０〜３のいずれかの整数であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載のピ
   ラジン誘導体。 ４、下記式で表わされるピラジン誘導体を少なくとも一
   種類含有するカイラルスメクチック液晶性組成物： ▲数式、化学式、表等があります▼ ［ただし、 Ｒ＾１およびＲ＾２は、互いに独立で、炭素数１〜１８
   のアルキル基を表わし、 Ａ、Ｄ、ＥおよびＧは、互いに独立で、フッ素原子、塩
   素原子、メチル基およびシアノ基からなる群より選ばれ
   る置換基を二個以下有することもある１，４−フェニレ
   ン基を表わし、 Ｘはフッ素原子、塩素原子、メチル基およびシアノ基か
   らなる群より選ばれる置換基を表わすが、ＸはＲ＾２と
   同一となることはない、 ｊ、ｋ、ｌおよびｍは、ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ≧１を満足する
   条件のもとで、互いに独立に０もしくは１であり、 そして、 ｎは０〜５の整数である］。 ５、上記ピラジン誘導体が下記式で表わされる化合物で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の液晶
   性組成物： ▲数式、化学式、表等があります▼ ［ただし、 Ｒ＾３は炭素数４〜１８のアルキル基を表わしＲ＾４は
   炭素数１〜６のアルキル基を表わし、そして Ａ、Ｅ、Ｘおよびｎは前記と同一の意味を表わす、ただ
   しＸはＲ＾４と同一となることはない］。 ６、上記ピラジン誘導体の式におけるｎが０〜３のいず
   れかの整数であることを特徴とする特許請求の範囲第４
   項もしくは第５項記載の液晶性組成物。 ７、上記式で表わされるピラジン誘導体の含有率が１重
   量％以上であることを特徴とする特許請求の範囲第４項
   もしくは第５項記載の液晶性組成物。