JPH0625167B2 - ピラジン誘導体および該誘導体を含有するカイラルスメクチツク液晶性組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規なピラジン誘導体、およびこのピラジン
誘導体を含むカイラルスメクチック液晶性組成物に関す
る。さらに詳しくは本発明は、光学活性炭素を有する置
換基が結合したピラジン誘導体、およびこのピラジン誘
導体を含有するカイラルスメクチック液晶性組成物に関
する。

［発明の背景］ 近年、表示方法として液晶表示が盛んに用いられている
が、現在における液晶表示方式としてはＴＮ型表示方式
が一般的である。このＴＮ型表示方式にはネマチック液
晶性の化合物が一般的に用いられている。

しかしながら、ネマチック液晶性の化合物を用いるＴＮ
型表示方式は、応答速度が遅いこと、および高マルチプ
レックス駆動には無理があるとの基本的な問題点を有し
ており、昨今においては、このような問題点の少ないス
メクチック液晶性の化合物を利用する表示方法の研究が
盛んに行なわれている。

特に、光学活性炭素（不斉炭素）を分子内に有するスメ
クチック液晶性化合物が示すカイラルスメクチックＣ相
（以下、単に「ＳｍＣ＊相」と記載することもある）は
強誘電性を示すので、高速応答性を有することが知られ
ている。また、例えばこのような化合物を厚さ１μｍ程
度の薄いセルに注入した場合においてメモリー性を有す
るようになるとの報告があり、この性質を利用した新た
な表示素子の開発も進められている［エム・エイ・クラ
ーク（N.A.Clark）ら：アプライド・フィジクス・レタ
ー（Applied Phys.lett.），36，899(1980)参照］。

ＳｍＣ＊相を呈する液晶性化合物として最初に報告され
たものは、１９７５年マイヤー（Meyer）らにより開発
されたＤＯＢＡＭＢＣ［（Ｓ）２−メチルブチル＝ｐ−
（ｐ−ｎ−デシルオキシベンジリデンアミノ）シンナメ
ート］であるが、その後の開発により、現在ではＤＯＢ
ＡＭＢＣに類似する構造を有する液晶性化合物以外にも
シッフ塩基系、エステル系およびビフェニル系などの新
たな種類の液晶性化合物が開発されている。

たとえば、特開昭６０−９２２７６号公報には、ピラジ
ンに光学活性炭素を有する置換基を導入したピラジン誘
導体の発明が開示され、この誘導体がカイラルスメクチ
ックＣ相を呈することが示されている。この発明で開示
されているピラジン誘導体は、液晶性化合物として上述
した優れた特性を有するが、化合物の構造上、例えば高
温下に長時間保存させた場合などの過酷な条件下におけ
る安定性が充分でないとの問題がある。

［発明の目的］ 本発明は、新規なピラジン誘導体を提供することを目的
とする。

さらに、本発明は、このピラジン誘導体を用いたＳｍＣ
＊相を呈する液晶性組成物を提供することを目的とす
る。

［発明の要旨］ 本発明が新たに提供するピラジン誘導体、下記式［Ｉ］
で表わされる。

［ただし、 Ｒ^１およびＲ^２は、互いに独立で、炭素数１〜１８のア
ルキル基を表わし、 Ａ、Ｄ、ＥおよびＧは、互いに独立で、フッ素原子、塩
素原子、メチル基およびシアノ基からなる群より選ばれ
る置換基を二個以下有することもある１，４−フェニレ
ン基を表わし、 Ｘはフッ素原子、塩素原子、メチル基およびシアノ基か
らなる群より選ばれる置換基を表わすが、ＸはＲ^２と同
一となることはない、 ｊ、ｋ、ｌおよびｍは、ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ≧１を満足する
条件のもとで、互いに独立に０もしくは１であり、 そして、 ｎは０〜５の整数である］。

さらに、本発明は、少なくとも一種類の上記式［Ｉ］で
表わされるピラジン誘導体を含有するカイラルスメクチ
ック液晶性組成物をも提供する。

［発明の詳細な記述］ 本発明のピラジン誘導体は、下記式［Ｉ］で表わされる
化合物である。

Ｒ^１およびＲ^２は、互いに独立であって、炭素数１〜１
８のアルキル基を表わし、その例としては、メチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソ
ブチル、tert−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、
ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシ
ル、ｎ−ウンデシル、ｎ−トデシル、ｎ−トリデシル、
ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシ
ル、ｎ−ペプタデシルおよびｎ−オクタデシルを挙げる
ことができる。ただし、Ｒ^１は炭素数４以上であること
が好ましく、そしてＲ^２は炭素数２〜１０であることが
好ましい。

Ａ、Ｄ、ＥおよびＧは、互いに独立であって、フッ素原
子、塩素原子、メチル基およびシアノ基からなる群より
選ばれる置換基を二個以下有することもある１，４−フ
ェニレン基を表わす。

Ｘはフッ素原子、塩素原子、メチル基およびシアノ基か
らなる群より選ばれる置換基を表わすが、ＸはＲ^２と同
一となることはない。Ｘはメチル基であることが好まし
い。

ｊ、ｋ、ｌおよびｍは、ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ≧１を満足する
条件のもとで、互いに独立に０もしくは１である。ｊ＋
ｋ＋ｌ＋ｍ≧２であることが好ましく、特にｊとｌとが
いずれも１であることが好ましい。

ｎは０〜５の整数であるが、特に０、１、２、３のいず
れかであることが好ましい。

本発明のピラジン誘導体としては、特に下記の式［II］
で表わされる化合物が、室温付近で好ましいＳｍＣ＊相
を呈することから好ましい。

［ただし、 Ｒ^３は炭素数４〜１８のアルキル基を表わし、 Ｒ^４は炭素数１〜６のアルキル基を表わし、 そして Ａ、Ｅ、Ｘおよびｎは前記と同一の意味を表わす、ただ
しＸはＲ^４と同一となることはない］。

また、ｎは０〜３のいずれかの整数であることが好まし
い。

本発明に従うピラジン誘導体の化合物を以下に例示す
る。

（１）［ｊ＝１、ｋ＝０、ｌ＝０、ｍ＝０］ （２）［ｊ＝１、ｋ＝０、ｌ＝１、ｍ＝０］ （３）［ｊ＝１、ｋ＝１、ｌ＝０、ｍ＝０］ （４）［ｊ＝１、ｋ＝１、ｌ＝１、ｍ＝０］ （５）［ｊ＝０、ｋ＝０、ｌ＝１、ｍ＝０］ （６）［ｊ＝０、ｋ＝１、ｌ＝０、ｍ＝０］ （７）［ｊ＝０、ｋ＝１、ｌ＝１、ｍ＝０］ （上記各式において、ＲはＲ′と同様であり、炭素数１
〜１８のアルキル基を表わす） 本発明のピラジン誘導体は新規な化合物であるが、公知
の合成方法を組み合わせることにより製造することがで
きる。

たとえば、前記の化合物（１）［ｊ＝１、ｋ＝０、ｌ＝
０、ｍ＝０］は、次のようにして製造することができ
る。

５−（４−アルコキシフェニル）−２−ピラジノール
を、ジメチルアニリン中でＰＯＣｌ_３などを用いて塩素
化し、次いでシアノ化した後、アルカリ加水分解して得
られる５−（４−アルコキシフェニル）ピラジン−２−
カルボン酸を対応するアルコールでエステル化して上記
化合物（１）を得ることができる。

前記化合物（２）［ｊ＝１、ｋ＝０、ｌ＝１、ｍ＝０］
は、前記化合物（１）を製造する際に用いる対応するア
ルコールの種類を変えることにより製造することができ
る。

前記化合物（５）［ｊ＝０、ｋ＝０、ｌ＝１、ｍ＝０］
は、次のようにして製造することができる。

まず、テトラヒドロフラン中でトリクロロメチルピラジ
ンにナトリウムアルコキシドを作用させて５−アルコキ
シピラジン−２−アルデヒドアセタールを調製する。次
いで、５−アルコキシピラジン−２−アルデヒドアセタ
ールを加水分解したのち、過マンガン酸カリなどを用い
て酸化し、５−アルコキシピラジン−２−カルボン酸を
得、これを対応するアルコールでエステル化して前記化
合物（５）を得ることができる。

なお、上記製造法の中間体である５−アルコキシピラジ
ン−２−アルデヒドアセタールの合成に関しては、エド
ワード．ジェー(Edward.J)、ジェー、グラボウスキー
(L.Grabowski)外、テトラヘドロン・レターズ(Tetrahed
ron Letters)，5931(1968)に詳細に記載されている。

なお、上記にて製造方法を例示したピラジン誘導体以外
のものも、上記の製造方法に準じて、さらにはこれらと
公知技術とを組み合わせて容易に製造することができ
る。

一般に各種の表示用として用いられる液晶は、液晶性を
示す化合物を少なくとも数種類含む組成物である。

従って、本発明のピラジン誘導体は、一般には公知のカ
イラルスメクチックＣ相を呈する液晶性化合物と同様
に、他の液晶性化合物と組合わせて用いられ、カイラル
スメクチック液晶性組成物を構成する。ただし、本発明
のピラジン誘導体の優れた特性を有効に利用するために
は、組成物中の上記ピラジン誘導体の含有率が１重量％
以上であることが好ましい。

本発明のピラジン誘導体と混合して使用することができ
る他の液晶性化合物の例としては次の化合物を挙げるこ
とができる。

２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−デシルオキシベンジリデ
ンアミノ）シンナマート ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−デシルオキシベンジリデ
ンアミノ）ベンゾアート ４−（２−メチルブトキシ）レゾルシリデン−４′−オ
クチルアニリン ｐ，ｐ′−ジ（５−メチルヘプチルオキシ）アゾキシベ
ンゼン ２−メチルブチル＝４′−オクチルオキシ−４−ビフェ
ニルカルボキシラート ｐ−（２−メチルブトキシ）フェニル＝４′−オクチル
オキシ−４−ビフェニルカルボキシラート ２−メチルブチル＝４′−デシルオキシ−４−ビフェニ
ルカルボキシラート ｐ−（２−メチルブトキシ）フェニル＝４′−デシルオ
キシ−４−ビフェニルカルボキシラート ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−オクチルオキシベンゾイ
ルオキシ）ベンゾアート ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−ノニルオキシベンゾイル
オキシ）ベンゾアート ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−ドデシルオキシベンゾイ
ルオキシ）ベンゾアート、 ｐ−デシルオキシフェニル＝ｐ−（４−メチルヘキシル
オキシ）ベンゾアート ２−メチルブチル＝ｐ−（ｐ−ドデシルオキシ）ベンゾ
イルオキシ−２−シンナマート ｐ−ヘキシルオキシフェニル＝ｐ−［ｐ−（２−メチル
ブトキシ）ベンゾイルオキシ］ベンゾアーチ ｐ−ヘキシルオキシフェニル＝ｐ−［ｐ−（４−メチル
ヘキシルオキシ）ベンゾイルオキシ］ベンゾアート ｐ−（２−メチルブトキシ）フェニル＝ｐ−（ｐ−デシ
ルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾアート ｐ−（２−メチルブチル）フェニル＝４′−オクチル−
４−ビフェニルカルボキシラート ｐ−ヘプトチフェニル＝４′−（４−メチルヘキシル）
−４−ビフェニルカルボキシラート ジ［ｐ−（２−メチルブトキシ）フェニル］＝テレフタ
ラート 液晶性組成物の調製は従来利用されている技術に従って
実施することができる。

本発明のピラジン誘導体は、他の化合物（ＳｍＣ＊相、
ＳｍＦ＊相あるいはコレステリック相を有する液晶性化
合物、あるいは公知の液晶組成物に導入されている化合
物）との相溶性に優れている。

また、本発明のピラジン誘導体はカイラルな化合物であ
るため、これを液晶性組成物の添加剤として使用した場
合にも、他の液晶性化合物の自発分極を低下させること
が少ない。

従って、本発明のピラジン誘導体を液晶組成物の成分と
して使用することにより、良好なメモリー性を有する素
子を製造することができ、また高速応答性を有する素子
を製造することができるなどの利点がある。

次に本発明の実施例を示す。

［実施例１］ （Ｓ）４−（２−メチルブトキシ）フェニル＝５−オク
チルオキシピラジン−２−カルボキシラート［ｊ＝０，
ｋ＝０，ｌ＝１，ｍ＝０，ｎ＝１］の製造 粗アセタールの調製 １−オクタノール３００m1に金属ナトリウム１３．８３
ｇ（６０２ミリモル）を加え、加熱してアルコラートを
調製した。このアルコラートをトリクロロメチルピラジ
ン３６、０ｇ（１８２ミリモル）のテトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）４００m1溶液に滴下し、３時間加熱還流を行
なった。放冷後、還流物を水に投入し有機層を分離し、
水層をクロロホルムで二回抽出し、有機層成分と抽出液
とを合せて、これを無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、抽出溶媒および１−オクタノールを留去し油状の粗
アセタール８８．１ｇを得た。

５−オクチルオキシピラジン−２−アルデヒドの調製 得られた粗アセタール８８．１ｇ（１８４ミリモル）に
水６００m1および濃塩酸１００m1を加え、６０〜８０℃
で４時間加熱して加水分解を行なった。放冷後、水酸化
ナトリウム水溶液を加え中和し、ヘキサン７５０m1を用
いて反応生成物（加水分解物）を抽出した。

ヘキサン抽出液を全て集め、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、ヘキサンを留去し、残留物を減圧蒸留して、
５−オクチルオキシピラジン−２−アルデヒド１３．３
７ｇ（ｂｐ：１３０〜１４０℃／３mmＨｇ）を得た。

５−オクチルオキシピラジン−２−カルボン酸の調製 得られた５−オクチルオキシピラジン−２−アルデヒド
８．００ｇ（３３．９０ミリモル）に、過マンガン酸カ
リ３．５７ｇ（２２．５ミリモル）および水１００m1を
加え、６５℃で６時間加熱攪拌して５−オクチルオキシ
ピラジン−２−アルデヒドを酸化した。

反応後、熱時に吸引濾過し未反応物を濾別し、濾紙上の
固体を一回に１００m1の熱水を用いて四回洗浄した。

この洗浄液と濾液とを合わせ、二規定の塩酸を用いてpH
値を２に調製した後、水層と有機層（５−オクチルオキ
シピラジン−２−カルボン酸と副反応物を含む）とを分
液し、水層に残留する反応生成物をエーテル２００m1を
用いて抽出した。

分液した有機層とエーテル抽出液とを合わせ濃縮し、析
出した析出物をエーテルより再結晶し、５−オクチルオ
キシピラジン−２−カルボン酸５．７２ｇ（ｍｐ：９９
〜１０１℃）を得た。

（Ｓ）４−（２−メチルブトキシ）フェニル＝５−オク
チルオキシピラジン−２−カルボキシラートの調製 ５−オクチルオキシピラジン−２−カルボン酸１．３９
ｇ（５．５２ミリモル）を塩化チオニル１０m1中で２時
間加熱還流した後、余剰の塩化チオニルを減圧下に除去
し、乾固して、５−オクチルオキシピラジン−２−カル
ボン酸と塩化チオニルとの反応生成物を得た。

この反応生成物にｐ−（２−メチルブトキシ）フェノー
ル０．９９ｇ（５．５２ミリモル）とベンゼン６m1溶液
を加え、さらにピリジン６m1を滴下し室温で１時間攪拌
した。

さら、ベンゼン２０m1を加え、３０％塩酸水溶液、水、
３０％水酸化ナトリウム水溶液および水をこの順序で用
いて洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒
（ベンゼンおよびピリジン）を除去し、得られた固体を
ｎ−ヘキサンで再結晶して目的物である（Ｓ）４−（２
−メチルブトキシ）フェニル＝５−オクチルオキシピラ
ジン−２−カルボキシラート６００mgを得た。

この化合物（Ｃ_２４Ｈ_３３Ｎ_２Ｏ_４として）の元素分析
値は計算値とよく一致した。

得られた化合物の融点は８６．０℃で、液晶性を示し
た。

［実施例２］ （Ｓ）４−（２−メチルブトキシ）フェニル＝５−テト
ラデシルオキシピラジン−２−カルボキシラート［ｊ＝
０，ｋ＝０，ｌ＝０，ｍ＝０，ｎ＝１］の製造 実施例１において粗アセタールを調製する際に使用した
１−オクタノールに代えて１−テトラデカノールを使用
した以外は同様にして製造を行なった。

得られた化合物の融点は７０．１℃で、液晶性を示し
た。

［実施例３］ （Ｓ）２−メチルブチル＝５−（４−ドデシルオキシフ
ェニル）ピラジン−２−カルボキシラート［ｊ＝１，ｋ
＝０，ｌ＝０，ｍ＝０，ｎ＝１］の製造 ５−（４−ドデシルオキシフェニル）−２−クロロピラ
ジンの調製 ５−（４−ドデシルオキシフェニル）−２−ピラジノー
ル２９．７ｇ（８３．４ミリモル）、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アニリン１０．１ｇ（８３．４ミリモル）およびオキシ
塩化リン１０２ｇ（６６７ミリモル）を混合し、１４０
℃で１１時間加熱した後、減圧下に未反応のオキシ塩化
リンを留去した。

残留物をヘキサンを溶媒として５．５時間ソックスレー
抽出した後、シリカゲル１００ｇを詰めたカラム（溶
媒：ベンゼン）を用いて精製し、エタノール１００m1で
再結晶して、５−（４−ドデシルオキシフェニル）−２
−クロロピラジン１２．０ｇを得た。

５−（４−ドデシルオキシフェニル）−２−シアノピラ
ジンの調製 上記のクロロピラジン１２．０ｇ（３２ミリモル）、シ
アン化カリ３．１２ｇ（４８．１ミリモル）、テトラキ
ス−（トリフェニルホスフィン）−パラジウム１．８５
ｇ（１．６ミリモル）をジメチルホルムアミド１００m1
中に加え、１５０℃で６時間加熱還流を行なった。放冷
後、１００m1の水を加え、５００m1のエーテルを用いて
抽出操作を行なった。

抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、シリカゲル
１００ｇを詰めたカラムを用いて（溶媒：ベンゼン）精
製して５−（４−ドデシルオキシフェニル）−２−シア
ノピラジン７．７３ｇを得た。

５−（４−ドデシルオキシフェニル）ピラジン−２−カ
ルボン酸の調製 上記の５−（４−ドデシルオキシフェニル）−２−シア
ノピラジン７．７３ｇ（２１．２ミリモル）をエチルグ
リソルブ１７５m1に溶解し、これに水酸化カリウム４．
３３ｇの７０m1水溶液を加え、５時間半加熱還流した。

還流後、塩酸１３m1を加え、氷冷し、析出物を濾別し、
水で洗浄し、次いでエタノールで洗浄後、乾燥して５−
（４−ドデシルオキシフェニル）ピラジン−２−カルボ
ン酸７．９８ｇを得た。

（Ｓ）２−メチルブチル＝５−（４−ドデシルオキシフ
ェニル）ピラジン−２−カルボキシラートの調製 実施例１の方法に準じ、５−（４−ドデシルオキシフェ
ニル）ピラジン−２−カルボン酸３．０ｇ（７．８ミリ
モル）と（Ｓ）２−メチルブタノール０．６９ｇ（７．
８ミリモル）とを反応させて（Ｓ）２−メチルブチル＝
５−（４−ドデシルオキシフェニル）ピラジン−２−カ
ルボキシラート１４００mgを得た。

この化合物（Ｃ_２８Ｈ_４２Ｎ_２Ｏ_３として）元素分析値
は計算値とよく一致した。

得られた（Ｓ）２−メチルブチル＝５−（４−ドデシル
オキシフェニル）ピラジン−２−カルボキシラートの相
転移温度を第１表に示す。

［実施例４］ （Ｓ）２−メチルブチル＝５−（４−オクチルオキシフ
ェニル）ピラジン−２−カルボキシラート［ｊ＝１，ｋ
＝０，ｌ＝０，ｍ＝０，ｎ＝１］の製造 実施例３において、５＝（４−ドデシルオキシフェニ
ル）−２−ピラジノール２９．７ｇ（８３．４ミリモ
ル）に代えて、５−（４−オクチルオキシフェニル）−
２−ピラジノール４０．０ｇ（１３３．３ミリモル）を
使用した以外は同様の操作を行なって、５−（４−オク
チルオキシフェニル）ピラジン−２−カルボン酸１２．
５ｇ（３８．１ミリモル）を得た。次に５−（４−オク
チルオキシフェニル）ピラジン−２−カルボン酸１．１
１ｇ（３．４ミリモル）と（Ｓ）２−メチルブタノール
０．３０ｇ（３．４ミリモル）を反応させて、（Ｓ）２
−メチルブチル＝５−（４−オクチルオキシフェニル）
ピラジン−２−カルボキシラート５５０mgを得た。

得られた化合物の融点は７９．５℃で、液晶性を示し
た。

［実施例５］ （Ｓ）２−メチルブトキシフェニル＝５−（４−オクチ
ルオキシフェニル）ピラジン−２−カルボキシラート
［ｊ＝１，ｋ＝０，ｌ＝１，ｍ＝０，ｎ＝１］の製造 ５−（４−オクチルオキシフェニル）ピラジン−２−カ
ルボン酸１．０ｇ（３．０ミリモル）を使用し、（Ｓ）
２−メチルブタノールに代えてｐ−（２−メチルブトキ
シ）フェノール０．５５ｇ（３．０６ミリモル）を使用
した以外は実施例４と同様にして（Ｓ）２−メチルブト
キシフェニル＝５−（４−オクチルオキシフェニル）ピ
ラジン−２−カルボキシラート５２０mgを得た。

得られた化合物の相転移温度を第１表に示す。

［実施例６］ （Ｓ）２−メチルブトキシフェニル＝５−（４−ドデキ
ルオキシフェニル）ピラジン−２−カルボキシラート
［ｊ＝１，ｋ＝０，ｌ＝１，ｍ＝０，ｎ＝１］の製造 実施例３において、（Ｓ）２−メチルブタノール０．６
９ｇ（７．８ミリモル）に代えてｐ−（２−メチルブト
キシ）フェノール１．４１ｇ（７．８ミリモル）を使用
した以外は同様にして（Ｓ）２−メチルブトキシフェニ
ル＝５−（４−ドデキルオキシフェニル）ピラジン−２
−カルボキシラート１３２０mgを得た。

［実施例７］ （Ｓ）２−メチルブチル＝４−（５−ドデシルオキシピ
ラジン−２−イル）ベンゾアート［ｊ＝０，ｋ＝１，ｌ
＝０，ｍ＝０，ｎ＝１］の製造 ４−（５−ドデシルオキシプラジン−２−イル）安息香
酸の調製 ラウリルアルコール１２ｇ（６４ミリモル）に金属ナト
リウム０．４３ｇ（１８．６ミリモル）を加え加熱して
アルコラートを調製した。このアルコラートに２−クロ
ロ−５−（４−シアノフェニル）ピラジン２．０ｇ
（９．２８ミリモル）のＴＨＦ５０m1溶液を加え５０℃
で１時間加熱した。

これに水６m1を加え、過剰のラウリルアルコールを減圧
下に留去した。

残留物にエタノール２０m1、水酸化カリウム６ｇ、水４
０m1を加えて１時間加熱還流し、生成した固体を濾取
し、水およびアセトンを用いて洗浄した。

この固体に塩酸２５m1、水１５m1、酢酸１５m1を加え、
１１時間加熱還流した。固体を濾取し、水とエタノール
とで洗浄後、乾燥して、４−（５−ドデシルオキシピラ
ジン−２−イル）安息香酸２．３３ｇを得た。

（Ｓ）２−メチルブチル＝４−（５−ドデシルオキシピ
ラジン−２−イル）ベンゾアートの調製 実施例６において、５−（４−ドデシルオキシフェニ
ル）ピラジン−２−カルボン酸３．０ｇ（７．８ミリモ
ル）に代えて、４−（５−ドデシルオキシピラジン−２
−イル）安息香酸２．３３ｇ（６．０７ミリモル）を用
い、同様に操作して（Ｓ）２−メチルブチル＝４−（５
−ドデシルオキシピラジン−２−イル）ベンゾアート１
２８０mgを得た。

この化合物（Ｃ_２８Ｈ_４２Ｎ_２Ｏ_３として）の元素分析
値は計算値とよく一致した。

得られた（Ｓ）２−メチルブチル＝４−（５−ドデシル
オキシピラジン−２−イル）ベンゾアートの相転移温度
を第１表に示す。

［実施例８］ （Ｓ）２−メチルブチル＝４−（５−ドデシルオキシピ
ラジン−２−イル）ベンゾアート［ｊ＝０，ｋ＝１，ｌ
＝０，ｍ＝０，ｎ＝１］の製造 実施例７において、ラウリルアルコール１２ｇ（６４ミ
リモル）に代えて、１−デカノール１２．８ｇ（８０ミ
リモル）を用いた以外は同様な操作により上記化合物を
製造した。

得られた化合物の融点は６１．９℃で、液晶性を示し
た。

［実施例９］ （Ｓ）４−（２−メチルブトキシ）フェニル＝４−（５
−ドデシルオキシピラジン−２−イル）ベンゾアート
［ｊ＝０，ｋ＝１，ｌ＝１，ｍ＝０，ｎ＝１］の製造 実施例１において、５−オクチルオキシピラジン−２−
カルボン酸１．３９ｇ（５．５２ミリモル）に代えて４
−（５−ドデシルオキシピラジン−２−イル）安息香酸
２．６９ｇ（７．０ミリモル）を使用し、これとｐ−
（２−メチルブトキシ）フェノール１．２６ｇ（７．０
モル）とを反応させ（Ｓ）４−（２−メチルブトキシ）
フェニル＝４−（５−ドデシルオキシピラジン−２−イ
ル）ベンゾアート８５０mgを得た。

得られた化合物の相転移温度を第１表に示す。

［実施例１０］ 実施例７で得た（Ｓ）２−メチルブチル＝４−（５−ド
デシルオキシピラジン−２−イル）ベンゾアート２０重
量部と実施例８で得た（Ｓ）２−メチルブチル＝４−
（５−デシルオキシピラジン−２−イル）ベンゾアート
１３重量部とを通常の方法に従って混合して得られた液
晶性組成物を、表面にラビング処理を施した透明電極を
有する二枚の基板に加熱封入し、セル厚が１．４μｍと
なるように組立てた電気光学素子を、互いに直交する二
枚の偏光板の間に挟持させた。

電極に±３Ｖ、０．５Hzの交流電界を印加すると、電界
の位相の反転に対応して液晶の表示状態が変化すること
が確認された。

なお、３８℃にて±１３Ｖの交流電界を印加したときの
応答時間は、約２００μｓであり、マルチプレックス駆
動におけるＯＮ状態とＯＦＦ状態とのコントラスト比は
１：１０であった。

なお、上記混合物の相転移温度は以下の通りであった。

ｍｐ（Ｃ→Ｉ）：４８．６℃ Ｉ→ＳｍＡ：４６．３℃ ＳｍＡ→ＳｍＣ＊：３９．８℃ ｆ_ｐ（→Ｃ）：３４．０℃ ［実施例１１］ 以下に記載する化合物(a)および(b)を混合溶解して液晶
組成物を得た。配合重量比は(a)：(b)＝２５：７５であ
る。

この液晶組成物は３６℃以下の温度でＳｍＣ＊相を示し
た。

この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電極
を有する二枚の基板に加熱封入してセル厚が２．０μｍ
となるように組立てた電気光学素子を、互いに直交する
二枚の偏光板の間に挟持させた。

電極に±１３Ｖ、０．５Hzの交流電界を印加すると、電
界の位相の反転に対応して液晶の表示状態が変化するこ
とが確認された。

しかしながら、３０℃におけるパルス幅１ｍｓの交流マ
ルチプレックス駆動においては、しきい値特性およびメ
モリー性が不良であり、ＯＮの状態とＯＦＦの状態との
コントラストの比は１：１．５に過ぎなかった。

そこで、上記の液晶組成物９０重量部に対して実施例６
で得られたピラジン誘導体１０重量部を混合溶解して液
晶組成物を調製した。この液晶組成物は４７℃以下の温
度でＳｍＣ＊相を示した。

この液晶組成物を上記と同様に表面にラビング処理を施
した透明電極を有する二枚の基板に加熱封入してセル厚
が１．０μｍとなるように組立てた電気光学素子を、互
いに直交する二枚の偏光板の間に挟持させた。

電極に±１３Ｖ、０．５Hzの交流電界を印加すると、電
界の位相の反転に対応して液晶の表示状態が変化するこ
とが確認された。そして、電界を切っても表示状態は変
化せず、電界を切る直前の表示状態が保持された。

また、３０℃において±１３Ｖの交流電界を印加したと
きの応答時間は８００μｓであり、交流マルチプレック
ス駆動においては、しきい値特性およびメモリー性が大
幅に改善された。さらに、ＯＮ状態とＯＦＦ状態とのコ
ントラストの比は１：１０となり、これも大幅に改善さ
れた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 吉本 旗秋 千葉県市原市五井南海岸８番の１ 宇部興 産株式会社千葉研究所内 (72)発明者 青木 和雄 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 株式会 社諏訪精工舎内 (72)発明者 笠原 房子 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 株式会 社諏訪精工舎内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記式で表わされるピラジン誘導体： ［ただし、 Ｒ^１およびＲ^２は、互いに独立で、炭素数１〜１８のア
   ルキル基を表わし、 Ａ、Ｄ、ＥおよびＧは、互いに独立で、フッ素原子、塩
   素原子、メチル基およびシアノ基からなる群より選ばれ
   る置換基を二個以下有することもある１，４−フェニレ
   ン基を表わし、 Ｘはフッ素原子、塩素原子、メチル基およびシアノ基か
   らなる群より選ばれる置換基を表わすが、ＸはＲ^２と同
   一となることはない、 ｊ、ｋ、ｌおよびｍは、ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ≧１を満足する
   条件のもとで、互いに独立に０もしくは１であり、 そして、 ｎは０〜５の整数である］。
2. 【請求項２】下記式で表わされる特許請求の範囲第１項
   記載のピラジン誘導体： ［ただし、 Ｒ^３は炭素数４〜１８のアルキル基を表わし、 Ｒ^４は炭素数１〜６のアルキル基を表わし、 そして Ａ、Ｅ、Ｘおよびｎは前記と同一の意味を表わす、ただ
   しＸはＲ^４と同一となることはない］。
3. 【請求項３】上記のｎが０〜３のいずれかの整数である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第２項
   記載のピラジン誘導体。
4. 【請求項４】下記式で表わされるピラジン誘導体を少な
   くとも一種類含有するカイラルスメクチック液晶性組成
   物： ［ただし、 Ｒ^１およびＲ^２は、互いに独立で、炭素数１〜１８のア
   ルキル基を表わし、 Ａ、Ｄ、ＥおよびＧは、互いに独立で、フッ素原子、塩
   素原子、メチル基およびシアノ基からなる群より選ばれ
   る置換基を二個以下有することもある１，４−フェニレ
   ン基を表わし、 Ｘはフッ素原子、塩素原子、メチル基およびシアノ基か
   らなる群より選ばれる置換基を表わすが、ＸはＲ^２と同
   一となることはない、 ｊ、ｋ、ｌおよびｍは、ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ≧１を満足する
   条件のもとで、互いに独立に０もしくは１であり、 そして、 ｎは０〜５の整数である］。
5. 【請求項５】上記ピラジン誘導体が下記式で表わされる
   化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第４項記
   載の液晶性組成物： ［ただし、 Ｒ^３は炭素数４〜１８のアルキル基を表わし、 Ｒ^４は炭素数１〜６のアルキル基を表わし、 そして Ａ、Ｅ、Ｘおよびｎは前記と同一の意味を表わす、ただ
   しＸはＲ^４と同一となることはない］。
6. 【請求項６】上記ピラジン誘導体の式におけるｎが０〜
   ３のいずれかの整数であることを特徴とする特許請求の
   範囲第４項もしくは第５項記載の液晶性組成物。
7. 【請求項７】上記式で表わされるピラジン誘導体の含有
   率が１重量％以上であることを特徴とする特許請求の範
   囲第４項もしくは第５項記載の液晶性組成物。