JPS6288371A - 光起電力装置及びその製造方法 - Google Patents
光起電力装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6288371A JPS6288371A JP60230552A JP23055285A JPS6288371A JP S6288371 A JPS6288371 A JP S6288371A JP 60230552 A JP60230552 A JP 60230552A JP 23055285 A JP23055285 A JP 23055285A JP S6288371 A JPS6288371 A JP S6288371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- insulator
- photovoltaic
- semiconductor layer
- amorphous semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は複数の光起電力素子を直列接続してなる光起電
力装置及びその製造方法に関するものである。
力装置及びその製造方法に関するものである。
通常この種の光起電力装置は第３図（イ）、（ロ）に示
す如く構成されている。第３図（イ）従来の光起電力装
置の断面構造図、第３図（ロ）は同じく平面図であり、
透光性絶縁基板２１上に透明電極２２＋ ｐ−１−ｎ接
合型或いはｎ−１−ｐ接合型の非晶質半導体層２５．裏
面電極２６をこの順序に１１１層形成して構成される光
起電力素子Ａ、Ｂ・・・のうち相隣する一方の光起電力
素子への裏面電極２６を他方の光起電力素子Ｂ７の透明
電極２２上に形成した条状ρ導電体２３と接続し、また
この導電体２３自体はこれと平行に形成した同じく条状
の絶縁体２４にて当該他方の光起電力素子Ｂの透明電極
２２、非晶質半導体層、２５と遮断状態に維持して光起
電力素子Ａ、Ｂ、・・・を相互に直列接続する構成が採
られている。ところでこのような光起電力装置の製造は
従来第４図（イ）、（ロ）に示す如くに行われしいる。
す如く構成されている。第３図（イ）従来の光起電力装
置の断面構造図、第３図（ロ）は同じく平面図であり、
透光性絶縁基板２１上に透明電極２２＋ ｐ−１−ｎ接
合型或いはｎ−１−ｐ接合型の非晶質半導体層２５．裏
面電極２６をこの順序に１１１層形成して構成される光
起電力素子Ａ、Ｂ・・・のうち相隣する一方の光起電力
素子への裏面電極２６を他方の光起電力素子Ｂ７の透明
電極２２上に形成した条状ρ導電体２３と接続し、また
この導電体２３自体はこれと平行に形成した同じく条状
の絶縁体２４にて当該他方の光起電力素子Ｂの透明電極
２２、非晶質半導体層、２５と遮断状態に維持して光起
電力素子Ａ、Ｂ、・・・を相互に直列接続する構成が採
られている。ところでこのような光起電力装置の製造は
従来第４図（イ）、（ロ）に示す如くに行われしいる。
第４図（イ）、（ロ）は従来方法の製造過程を示す模式
図であり、先ず第４図（伺に示ず恕＜透 、光性絶縁基
板２１上に透明電極２２を積層形成した後、この透明電
極２２を各光起電力素子Ａ、Ｂを構成ず □る領域毎に
切断し、また切断にて区分した各透明電極の一側縁近傍
には切断溝に沿って切断溝側に位置して条状の導電体２
３を、またこれと所要の間隔を隔てて透明電極の中心側
寄りに位置して同しく条状の絶縁体２４を夫々並列形成
する。
図であり、先ず第４図（伺に示ず恕＜透 、光性絶縁基
板２１上に透明電極２２を積層形成した後、この透明電
極２２を各光起電力素子Ａ、Ｂを構成ず □る領域毎に
切断し、また切断にて区分した各透明電極の一側縁近傍
には切断溝に沿って切断溝側に位置して条状の導電体２
３を、またこれと所要の間隔を隔てて透明電極の中心側
寄りに位置して同しく条状の絶縁体２４を夫々並列形成
する。
次いで第２図（ロ）に示す如く透明電極２２、切断溝及
び導電体２３、絶縁体２４上にわたって非晶質単導体［
２５、裏面電極２６をこの順序で積層形成し、導電体２
３上に対しては断続的に、また絶縁体２４−トに対して
は連続的に夫々破線で示す如くに所要線・ 幅のレーザ
ビームを投射する。これによって導電体２３上にあって
はレーザビームが、投射された部分では夫々スポット状
に非晶質半導体層２５．裏面電極２６ともに穿孔され、
非晶質半導体層２５は叢散せしめられ、また裏面電極２
６は孔の周縁部が蒸散せしめられた非晶質半導体層２５
の跡に垂れ下って導電体２３と電気的に接触状態で固化
する。
び導電体２３、絶縁体２４上にわたって非晶質単導体［
２５、裏面電極２６をこの順序で積層形成し、導電体２
３上に対しては断続的に、また絶縁体２４−トに対して
は連続的に夫々破線で示す如くに所要線・ 幅のレーザ
ビームを投射する。これによって導電体２３上にあって
はレーザビームが、投射された部分では夫々スポット状
に非晶質半導体層２５．裏面電極２６ともに穿孔され、
非晶質半導体層２５は叢散せしめられ、また裏面電極２
６は孔の周縁部が蒸散せしめられた非晶質半導体層２５
の跡に垂れ下って導電体２３と電気的に接触状態で固化
する。
一方、絶縁体２４上にあってはレーザビームが連続的に
投射され、非晶質半導体層２５．裏面電極２６が共に破
断され、非晶質半導体層２５．裏面電極２６共に蒸散せ
しめられるが、裏面電極２６はその破断縁部が蒸散せし
められた非晶質半導体層２５の跡に垂れ下って絶縁体２
４上に接触状態で固化する。
投射され、非晶質半導体層２５．裏面電極２６が共に破
断され、非晶質半導体層２５．裏面電極２６共に蒸散せ
しめられるが、裏面電極２６はその破断縁部が蒸散せし
められた非晶質半導体層２５の跡に垂れ下って絶縁体２
４上に接触状態で固化する。
これによって第３図（イ）、（ロ）に示す如く非晶質半
導体層２５．裏面電極２６は夫々各光起電力素子毎に絶
縁体２４上で切断され、且つ相隣する一方の光起電力素
子における裏面電極２６ば導電体２３を通じて他方の光
起電力素子における透明電極２２と接続されて相隣する
光起電力素子は相互に直列接続された状態となる。
導体層２５．裏面電極２６は夫々各光起電力素子毎に絶
縁体２４上で切断され、且つ相隣する一方の光起電力素
子における裏面電極２６ば導電体２３を通じて他方の光
起電力素子における透明電極２２と接続されて相隣する
光起電力素子は相互に直列接続された状態となる。
ところで上述した如き従来の製造方法にあっては導電体
２３上に対しては断続的に、また絶縁体２４上に対して
は連続的に夫々レーザビームを投射する必要があって、
加工作業が煩わしいこと、また光起電力装置として、例
えば透明電極２２．’２２間導電体２３．絶縁体２４下
及びこれらに挟まれた部分は実際上太陽電池等として機
能しない無効部分となるが、この導電体２３．絶縁体２
４の幅寸法は裏面電極２６と導電体２３とを確実に接触
維持するため導電体２３上に対するレーザビームスポッ
ト径は３０〜１００μｍ、また絶縁体２４上にて相隣す
る光起電力素子の非晶質半導体層２５．裏面電極２６を
確実に絶縁維持するため絶縁体２４上に対するレーザビ
ームの線幅は１５０μｍ程度に設定され、更に導電体２
３と絶縁体２４は相互の間に１００〜２００μｍ程度の
幅寸法を隔てて形成するため全体の無効部分は５００〜
７００μｍ程度となり、無効部分の幅が大きいという問
題もあった。
２３上に対しては断続的に、また絶縁体２４上に対して
は連続的に夫々レーザビームを投射する必要があって、
加工作業が煩わしいこと、また光起電力装置として、例
えば透明電極２２．’２２間導電体２３．絶縁体２４下
及びこれらに挟まれた部分は実際上太陽電池等として機
能しない無効部分となるが、この導電体２３．絶縁体２
４の幅寸法は裏面電極２６と導電体２３とを確実に接触
維持するため導電体２３上に対するレーザビームスポッ
ト径は３０〜１００μｍ、また絶縁体２４上にて相隣す
る光起電力素子の非晶質半導体層２５．裏面電極２６を
確実に絶縁維持するため絶縁体２４上に対するレーザビ
ームの線幅は１５０μｍ程度に設定され、更に導電体２
３と絶縁体２４は相互の間に１００〜２００μｍ程度の
幅寸法を隔てて形成するため全体の無効部分は５００〜
７００μｍ程度となり、無効部分の幅が大きいという問
題もあった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは、導電体と絶縁体との間に間隔を隔
てず相接した状態とすることによって、レーザスクライ
ブ加工等の作業が容易となることは勿論、無効部分の幅
寸法の狭小化も図れるようにした光起電力装置及びその
製造方法を提供するにある。
目的とするところは、導電体と絶縁体との間に間隔を隔
てず相接した状態とすることによって、レーザスクライ
ブ加工等の作業が容易となることは勿論、無効部分の幅
寸法の狭小化も図れるようにした光起電力装置及びその
製造方法を提供するにある。
本発明に係る光起電力装置は透光性絶縁基板上に透明電
極、非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に積層形成し
てなる光起電力素子を直列接続して構成される光起電力
装置において、直列接続すべき相隣する光起電力素子の
うち、一方の光起電力素子の透明電極と、他方の光起電
力素子の裏面電極とを接続すべく前記一方の光起電力素
子の透明電極上に条状に形成された導電体と、該導電体
と前記一方の光起電力素子の非晶質半導体層、裏面電極
とを絶縁状態に隔てるべく前記導電体に対して、前記他
方の光起電力素子と反対側に接して条状に形成された絶
縁体とを具備することを特徴とする。
極、非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に積層形成し
てなる光起電力素子を直列接続して構成される光起電力
装置において、直列接続すべき相隣する光起電力素子の
うち、一方の光起電力素子の透明電極と、他方の光起電
力素子の裏面電極とを接続すべく前記一方の光起電力素
子の透明電極上に条状に形成された導電体と、該導電体
と前記一方の光起電力素子の非晶質半導体層、裏面電極
とを絶縁状態に隔てるべく前記導電体に対して、前記他
方の光起電力素子と反対側に接して条状に形成された絶
縁体とを具備することを特徴とする。
以下本発明をその実施状態を示す図面に基づき具体的に
説明する。第１図（イ）、（ロ）は本発明に係る光起電
力装置の要部を示す模式図であり、図中１はガラス等を
用いた透光性絶縁基板、２はＳｎ Ｏ２、ＩＴＯ／Ｓｎ
０２等を用いた透明電極、３はＡ７！、Ａ、、等を用
いた導電体、４はガラス等を用いた絶縁体、５はアモル
ファスシリコン等を用いたｐ−トｎ接合型、又はｎ−１
−ｐ接合型の非晶質半導体層、６ばＡ７！等の裏面電極
を示している。共通の透光性絶縁基板１上に各光起電力
素子Ａ、Ｂ・・・が形成されており、各光起電力素子Ａ
、Ｂ、・・・は前記した共通の透光性絶縁基板１上に夫
々透明電極２を形成し、その上に部分的に導電体３．絶
縁体４を相接した状態に隣接形成した後、これらの表面
に非晶質半導体層５．裏面電極６をこの順序に積層形成
し、レーザビームの投射によって非晶質半導体層５．裏
面電極６を夫々各光起電力素子Ａ、Ｂ・・・毎に分断し
て絶縁体４にて相互に電気的に遮断すると共に、相隣す
る光起電力素子Ａ、 Ｂ・：・のうち一方の光起電力
素子への裏面電極６は他の光起電力素子Ｂ上の導電体３
を介してその透明電極２と接続せしめて、光起電力素子
Ａ、Ｂ、・・・を相互に直列接続せしめである。
説明する。第１図（イ）、（ロ）は本発明に係る光起電
力装置の要部を示す模式図であり、図中１はガラス等を
用いた透光性絶縁基板、２はＳｎ Ｏ２、ＩＴＯ／Ｓｎ
０２等を用いた透明電極、３はＡ７！、Ａ、、等を用
いた導電体、４はガラス等を用いた絶縁体、５はアモル
ファスシリコン等を用いたｐ−トｎ接合型、又はｎ−１
−ｐ接合型の非晶質半導体層、６ばＡ７！等の裏面電極
を示している。共通の透光性絶縁基板１上に各光起電力
素子Ａ、Ｂ・・・が形成されており、各光起電力素子Ａ
、Ｂ、・・・は前記した共通の透光性絶縁基板１上に夫
々透明電極２を形成し、その上に部分的に導電体３．絶
縁体４を相接した状態に隣接形成した後、これらの表面
に非晶質半導体層５．裏面電極６をこの順序に積層形成
し、レーザビームの投射によって非晶質半導体層５．裏
面電極６を夫々各光起電力素子Ａ、Ｂ・・・毎に分断し
て絶縁体４にて相互に電気的に遮断すると共に、相隣す
る光起電力素子Ａ、 Ｂ・：・のうち一方の光起電力
素子への裏面電極６は他の光起電力素子Ｂ上の導電体３
を介してその透明電極２と接続せしめて、光起電力素子
Ａ、Ｂ、・・・を相互に直列接続せしめである。
次にこのような光起電力装置の製造方法を第２図（イ）
、（ロ）に基づき説明する。
、（ロ）に基づき説明する。
先ず第２図（イ）に示す如く、ガラス等を用いて形成し
た共通の透光性絶縁基板１」二に５ｎ０２゜或いはｒＴ
ｏ／５ｎ０２等を材料とする透明電極２を前面に積層形
成した後、レーザスクライブによって透明電極２を各光
起電力素子Ａ、Ｂ・・・を形成する領域毎に切断分離す
ると共に、分離した各透明電極２．２上には切断溝に沿
わせて一側縁の全長にわたるよう導電体３及び絶縁体４
を相接した状態で並列形成せしめる。
た共通の透光性絶縁基板１」二に５ｎ０２゜或いはｒＴ
ｏ／５ｎ０２等を材料とする透明電極２を前面に積層形
成した後、レーザスクライブによって透明電極２を各光
起電力素子Ａ、Ｂ・・・を形成する領域毎に切断分離す
ると共に、分離した各透明電極２．２上には切断溝に沿
わせて一側縁の全長にわたるよう導電体３及び絶縁体４
を相接した状態で並列形成せしめる。
この導電体３．絶縁体４の形成は、例えば八ｇを主体と
する導電体ペースト、ガラスを主体とする絶縁体ペース
トを従来知られたペン描画法等にて透明電極２上に条状
に付着させた後、これを焼成することによって形成され
る。
する導電体ペースト、ガラスを主体とする絶縁体ペース
トを従来知られたペン描画法等にて透明電極２上に条状
に付着させた後、これを焼成することによって形成され
る。
次いで透明電極２上、透明電極２．２間の切断部に露出
する透光性絶縁基板１及び導電体３．絶縁体４上にわた
ってｐ−４−ｎ接合型、或いはｎ−１−ｐ接合型の非晶
質半導体Ｎ５及びＡｌｌ、 Ｔｉ 、 Ａｇ製の裏面電
極６がこの順序で所要厚さに積層形成する。
する透光性絶縁基板１及び導電体３．絶縁体４上にわた
ってｐ−４−ｎ接合型、或いはｎ−１−ｐ接合型の非晶
質半導体Ｎ５及びＡｌｌ、 Ｔｉ 、 Ａｇ製の裏面電
極６がこの順序で所要厚さに積層形成する。
そして最後に第２図（ロ）に破線で示す如く、導電体３
．絶縁体４の両者にわたるように線幅１００〜１５０μ
ｍのレーザビームを投射し、これらの上の非晶質半導体
層５．裏面電極６を蒸散せしめて分断すると共に、この
分断された裏面電極６の縁部を溶融状態で垂れ下らせて
夫々導電体３．絶縁体４表面に接触状態で固化せしめる
。
．絶縁体４の両者にわたるように線幅１００〜１５０μ
ｍのレーザビームを投射し、これらの上の非晶質半導体
層５．裏面電極６を蒸散せしめて分断すると共に、この
分断された裏面電極６の縁部を溶融状態で垂れ下らせて
夫々導電体３．絶縁体４表面に接触状態で固化せしめる
。
これによって相隣する光起電力素子における非晶質半導
体層５．裏面電極６は夫々導電体３．絶縁体４上にて相
互に分断され、且つ一方の光起電力素子の裏面電極６は
他方の光起電力素子における導電体３を介して透明電極
２と電気的に接続せしめられて、各光起電力素子が直列
接続された光起電力装置が構成されることとなる。
体層５．裏面電極６は夫々導電体３．絶縁体４上にて相
互に分断され、且つ一方の光起電力素子の裏面電極６は
他方の光起電力素子における導電体３を介して透明電極
２と電気的に接続せしめられて、各光起電力素子が直列
接続された光起電力装置が構成されることとなる。
上述した如く本発明方法にあっては導電体と絶縁体とを
相隣せしめて形成し、この上に非晶質半導体層、裏面電
極を積層形成してこれを導電体、絶縁体上にて同時的に
切断せしめると共に導電体上の裏面電極の縁部を導電体
と電気的に接触せしめた状態とすることが出来、レーザ
による加工が一回で済むこととなり、加工が簡略化され
、また導電体と絶縁体とを相互に接触せしめて形成する
から相互の間の無効領域を除去することが出来て無効面
積の狭小化も図れるなど本発明は優れた効果を奏するも
のである。
相隣せしめて形成し、この上に非晶質半導体層、裏面電
極を積層形成してこれを導電体、絶縁体上にて同時的に
切断せしめると共に導電体上の裏面電極の縁部を導電体
と電気的に接触せしめた状態とすることが出来、レーザ
による加工が一回で済むこととなり、加工が簡略化され
、また導電体と絶縁体とを相互に接触せしめて形成する
から相互の間の無効領域を除去することが出来て無効面
積の狭小化も図れるなど本発明は優れた効果を奏するも
のである。
第１図（イ）は本発明装置の断面構造図、第１図（ロ）
は同じくその平面図、第２図（イ）、（ロ）は本発明装
置の製造過程を示す模式的緬断面図、第３図（イ）は従
来装置の断面構造図、第３図（ロ）は同じくその平面図
、第４図（イ）、（ロ）は従来方法の製造過程を示す模
式的縦断面図である。 Ｉ・・・透光性絶縁基板 ２・・・透明電極 ３・
・・導電体 ４・・・絶縁体 ５・・・非晶質半導
体層６・・・裏面電極 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 算 Ｉ 図 算 ２ 目 ２ｊ ネ ３ 図 ↓４図
は同じくその平面図、第２図（イ）、（ロ）は本発明装
置の製造過程を示す模式的緬断面図、第３図（イ）は従
来装置の断面構造図、第３図（ロ）は同じくその平面図
、第４図（イ）、（ロ）は従来方法の製造過程を示す模
式的縦断面図である。 Ｉ・・・透光性絶縁基板 ２・・・透明電極 ３・
・・導電体 ４・・・絶縁体 ５・・・非晶質半導
体層６・・・裏面電極 特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 算 Ｉ 図 算 ２ 目 ２ｊ ネ ３ 図 ↓４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性絶縁基板上に透明電極、非晶質半導体層、裏
面電極をこの順序に積層形成してなる光起電力素子を直
列接続して構成される光起電力装置において、直列接続
すべき相隣する光起電力素子のうち、一方の光起電力素
子の透明電極と、他方の光起電力素子の裏面電極とを接
続すべく前記一方の光起電力素子の透明電極上に条状に
形成された導電体と、該導電体と前記一方の光起電力素
子の非晶質半導体層、裏面電極とを絶縁状態に隔てるべ
く前記導電体に対して、前記他方の光起電力素子と反対
側に接して条状に形成された絶縁体とを具備することを
特徴とする光起電力装置。 ２、透光性絶縁基板上に透明電極を形成してこれを各光
起電力素子を形成する領域毎に切断し、各切断した透明
電極上に切断部近傍に沿って相接した状態で条状に導電
体及び絶縁体を形成した後、導電体、絶縁体及び各切断
した透明電極上にわたって非晶質半導体層、裏面電極を
この順序に積層形成し、前記導電体、絶縁体上において
、前記非晶質半導体層、裏面電極を溶融切断し、導電体
に相隣する他の光起電力素子の裏面電極を電気的に接触
せしめることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230552A JPH067599B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 光起電力装置及びその製造方法 |
| US06/891,733 US4726849A (en) | 1985-08-07 | 1986-07-29 | Photovoltaic device and a method of manufacturing thereof |
| CN86105984A CN1007103B (zh) | 1985-08-07 | 1986-08-07 | 光电型器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230552A JPH067599B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288371A true JPS6288371A (ja) | 1987-04-22 |
| JPH067599B2 JPH067599B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=16909546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60230552A Expired - Lifetime JPH067599B2 (ja) | 1985-08-07 | 1985-10-15 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067599B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3599648A1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-29 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60230552A patent/JPH067599B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3599648A1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-29 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
| WO2020022885A1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
| JP2021531658A (ja) * | 2018-07-25 | 2021-11-18 | ネーデルランドセ オルガニサティエ フォール トエゲパスト−ナトールヴェテンシャッペリク オンデルゾエク ティエヌオー | 光起電デバイス及びその製造方法 |
| US11508531B2 (en) | 2018-07-25 | 2022-11-22 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067599B2 (ja) | 1994-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0134669B1 (en) | Photoelectric conversion device and its manufacturing method | |
| JPS603164A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| GB1206034A (en) | Integrated solar cell array | |
| JPH0983001A (ja) | 集積化薄膜太陽電池 | |
| EP0161690A3 (en) | Ion selective electrode pair and method of manufacturing the same | |
| JPS6288371A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPH0582993B2 (ja) | ||
| JPS5797644A (en) | Wiring connection method of semiconductor device | |
| US5041391A (en) | Method of manufacturing a photovoltaic device | |
| JPS62232176A (ja) | 光起電力装置 | |
| US5032527A (en) | Method of forming lead-out electrode portion of photovoltaic device | |
| JP2000164903A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2738569B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6018973A (ja) | 光電変換半導体装置 | |
| JP2883371B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPS62205668A (ja) | 集積型太陽電池の製造方法 | |
| JPH0831611B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0582816A (ja) | 光起電力装置とその製造方法 | |
| JPS63102274A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2771650B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH06101574B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH02100375A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS63233573A (ja) | 非晶質光発電素子の製造方法 | |
| JPH0817245B2 (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH0719913B2 (ja) | 薄膜太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |