JPS6288239A - 電子管用陰極 - Google Patents
電子管用陰極Info
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- JPS6288239A JPS6288239A JP60229304A JP22930485A JPS6288239A JP S6288239 A JPS6288239 A JP S6288239A JP 60229304 A JP60229304 A JP 60229304A JP 22930485 A JP22930485 A JP 22930485A JP S6288239 A JPS6288239 A JP S6288239A
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- Japan
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- layer
- earth metal
- electron emitting
- metal oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はTV用ズブラウン管どに用いられる電子管用
陰極に関し、特に電子放射性物質層の改良に関するもの
である。
陰極に関し、特に電子放射性物質層の改良に関するもの
である。
第2図は従来のTV用ズブラウン管撮像管に用いられて
いる陰極を示すものであり、図において(1)はシリコ
ン(Si) 、マグネシウム(Mg)などの還元性元素
を微量含む主成分がニッケルからなる有底筒状の基体、
(2)はこの基体の底部上面に被着され、少なくともバ
リウム(Ba )を含み、他にストロンチウム(Sr)
あるいは/及びカルシウム(Ca )を含むアルカリ土
類金属酸化物からなる電子放射物質層、(3)は上記基
体(1)内に配設されたヒータ(3)で、加熱により上
記電子放射物質層(2)から熱電子を放出させるための
ものである。
いる陰極を示すものであり、図において(1)はシリコ
ン(Si) 、マグネシウム(Mg)などの還元性元素
を微量含む主成分がニッケルからなる有底筒状の基体、
(2)はこの基体の底部上面に被着され、少なくともバ
リウム(Ba )を含み、他にストロンチウム(Sr)
あるいは/及びカルシウム(Ca )を含むアルカリ土
類金属酸化物からなる電子放射物質層、(3)は上記基
体(1)内に配設されたヒータ(3)で、加熱により上
記電子放射物質層(2)から熱電子を放出させるための
ものである。
この様に構成された電子管用陰極において、基体(1)
への電子放射物質層(2)の被着は次の様にして行なわ
れるものである。まずアルカリ土類金属(Ba・sr・
Ca )の炭酸塩からなる懸濁液を基体(1)に塗布し
、真空排気工程中にヒータ(3)によって加熱する。こ
の時、アルカリ土類金属の炭酸塩はアルカリ土類金属の
酸化物に変わる。その後、アルカリ土類金属の酸化物の
一部を還元して半導体的性質を有するように活性化を行
なうことにより、基体(1)上にアルカリ土類金属の酸
化物からなる電子放射物質層(2)を被着せしめている
ものである。
への電子放射物質層(2)の被着は次の様にして行なわ
れるものである。まずアルカリ土類金属(Ba・sr・
Ca )の炭酸塩からなる懸濁液を基体(1)に塗布し
、真空排気工程中にヒータ(3)によって加熱する。こ
の時、アルカリ土類金属の炭酸塩はアルカリ土類金属の
酸化物に変わる。その後、アルカリ土類金属の酸化物の
一部を還元して半導体的性質を有するように活性化を行
なうことにより、基体(1)上にアルカリ土類金属の酸
化物からなる電子放射物質層(2)を被着せしめている
ものである。
この活性化工程において、アルカリ土類金属の酸化物の
一部は次の様に反応しているものである。
一部は次の様に反応しているものである。
つまり基体(1)中に含有されたシリコン、マグネシラ
ム等の還元性元素は拡散によりアルカリ土類金属の酸化
物と基体(1)の界面に移動し、アルカリ土類金属酸化
物と反応する。例えばアルカリ土類酸化物として酸化バ
リウム(Bad)であれば次式(1) (2)の様に反
応するものである。
ム等の還元性元素は拡散によりアルカリ土類金属の酸化
物と基体(1)の界面に移動し、アルカリ土類金属酸化
物と反応する。例えばアルカリ土類酸化物として酸化バ
リウム(Bad)であれば次式(1) (2)の様に反
応するものである。
BaO+1/28i = Ba+1/2SiO,+++
++++++ (1)BaO,+ Mg = Ba+
MgO++++・1+llH(2)この反応の結果、基
体(1)上に被着形成されたアルカリ土類金属酸化物の
一部が還元され、酸素欠乏型の半導体となり、陰極温度
700〜soo”aの動作温度で0.5〜o、gA/c
t、1の′1セ子放射が得られることになる。しかるに
、この様にして形成された電子管用陰極にあっては電子
放射が0.5〜o、s A /crd以上の″lEl密
流は取り出せないものである。その理由としては次の様
なものである。つまり、アルカリ土類金属酸化物の一部
を還元反応させた場合、上記(1) (21式からも明
らかな如く基体(1)とアルカリ土類金属酸化物層との
界面に840. 、MgOあるいはBaO,8i0□な
る複合酸化物層(中間層)が形成され、この中間層が高
抵抗層となって電流の流れを妨げること、また上記中間
層が基体(1)中の還元元素が電子放射物質層(2)の
表面側へ拡散するのを妨げ十分なバリウム(Ba )が
生成されないことが考えられている。
++++++ (1)BaO,+ Mg = Ba+
MgO++++・1+llH(2)この反応の結果、基
体(1)上に被着形成されたアルカリ土類金属酸化物の
一部が還元され、酸素欠乏型の半導体となり、陰極温度
700〜soo”aの動作温度で0.5〜o、gA/c
t、1の′1セ子放射が得られることになる。しかるに
、この様にして形成された電子管用陰極にあっては電子
放射が0.5〜o、s A /crd以上の″lEl密
流は取り出せないものである。その理由としては次の様
なものである。つまり、アルカリ土類金属酸化物の一部
を還元反応させた場合、上記(1) (21式からも明
らかな如く基体(1)とアルカリ土類金属酸化物層との
界面に840. 、MgOあるいはBaO,8i0□な
る複合酸化物層(中間層)が形成され、この中間層が高
抵抗層となって電流の流れを妨げること、また上記中間
層が基体(1)中の還元元素が電子放射物質層(2)の
表面側へ拡散するのを妨げ十分なバリウム(Ba )が
生成されないことが考えられている。
また、従来の電子管用陰極としては特開昭59−209
41号公報に、上記した第2図のものと同様の構成をし
ており、陰極の速動性を得るために基体(1)の板厚を
薄くシ、寿命中の還元剤の個濁を防止しかつ基本(1)
の強度低下を防止する目的で、基体(1)にランタンが
LaNi、及びLa20.の形で分散含有させたものが
示されている。
41号公報に、上記した第2図のものと同様の構成をし
ており、陰極の速動性を得るために基体(1)の板厚を
薄くシ、寿命中の還元剤の個濁を防止しかつ基本(1)
の強度低下を防止する目的で、基体(1)にランタンが
LaNi、及びLa20.の形で分散含有させたものが
示されている。
この様に構成された電子管用陰極においては、動作中に
基体(1)と電子放射物質層(2)の界面近傍、特に基
体(1)表面近傍のニッケル結晶粒界と上記界面より1
0μm程度電子放射物質層(2)内側の位置に前述の中
間層が偏析するため、電流の流れ及び電子放射物質層(
2)表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、高電流密
度下の十分な電子放出特性が得られないという問題があ
った。
基体(1)と電子放射物質層(2)の界面近傍、特に基
体(1)表面近傍のニッケル結晶粒界と上記界面より1
0μm程度電子放射物質層(2)内側の位置に前述の中
間層が偏析するため、電流の流れ及び電子放射物質層(
2)表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、高電流密
度下の十分な電子放出特性が得られないという問題があ
った。
また、後者に示したものにおいては、ニッケルを主成分
とする基体(1)の製作時にL2Ni、及びLa、0゜
を含有させるため、基体(1)内のLaN i 、及び
La20゜の含有状態のばらつきなどが生じ易かった。
とする基体(1)の製作時にL2Ni、及びLa、0゜
を含有させるため、基体(1)内のLaN i 、及び
La20゜の含有状態のばらつきなどが生じ易かった。
この発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、高
電流密度下において基体と電子放射物質層との界面近傍
に複合酸化物からなる中間層が集中して形成されること
を防止し、長時間にわたって安定したエミッション特性
を有し、かつ生産性・信頼性の高い電子管用陰極を潜る
ことを目的とする。
電流密度下において基体と電子放射物質層との界面近傍
に複合酸化物からなる中間層が集中して形成されること
を防止し、長時間にわたって安定したエミッション特性
を有し、かつ生産性・信頼性の高い電子管用陰極を潜る
ことを目的とする。
この発明に係る電子管用陰極は、少なくともバリウムを
含むアルカリ土類金属酸化物とを主成分とする電子放射
物質層をその上部に予め希土類金属酸化物層を形成した
ニッケルを主成分とする基体上に被着形成させたもので
ある。
含むアルカリ土類金属酸化物とを主成分とする電子放射
物質層をその上部に予め希土類金属酸化物層を形成した
ニッケルを主成分とする基体上に被着形成させたもので
ある。
この発明においては、基体上に形成された10μ以下の
希土類金属酸化・フ層が、電子放射物質層を基体に被着
形成する際の活性化時に、アルカリ土類金属の炭酸塩が
分解する際、あるいは陰極としての動作中に酸化バリウ
ムが解離反応を起こす際に基体が酸化する反応を防止す
るとともに、電子放射物質層中への基体に含有された還
元性元素の拡散を“適度に制御し、還元性元素による複
合酸化物からなる中間層が基体と電子放射物質層との界
面近傍に集中的に形成されることが防止し、中間層を電
子放射物質層内に分散させるものである。
希土類金属酸化・フ層が、電子放射物質層を基体に被着
形成する際の活性化時に、アルカリ土類金属の炭酸塩が
分解する際、あるいは陰極としての動作中に酸化バリウ
ムが解離反応を起こす際に基体が酸化する反応を防止す
るとともに、電子放射物質層中への基体に含有された還
元性元素の拡散を“適度に制御し、還元性元素による複
合酸化物からなる中間層が基体と電子放射物質層との界
面近傍に集中的に形成されることが防止し、中間層を電
子放射物質層内に分散させるものである。
以下にこの発明の一実施例を第1図に基づいて説明する
。図において、(転)は基体(1)の底部上面に形成さ
れた希土類金属酸化物層、(2)は該希土類金属酸化物
層上に被着され、少なくともバリウムを含み、他にヌト
ロンチウムあるいは/及びカルシウムを含むアルカリ土
類金属酸化物aυを主成分とした電子放射物質層である
。
。図において、(転)は基体(1)の底部上面に形成さ
れた希土類金属酸化物層、(2)は該希土類金属酸化物
層上に被着され、少なくともバリウムを含み、他にヌト
ロンチウムあるいは/及びカルシウムを含むアルカリ土
類金属酸化物aυを主成分とした電子放射物質層である
。
次に、この様に構成された電子管用陰極において、基体
(1)への希土類金属酸化物層(2)及び電子放射物質
層(2)の被着方法について説明すると、まず、バリウ
ム、ヌトロンチウム、カルシウムの三元炭酸塩を所望の
重ft%とバインダー及び溶剤を添加混合し、懸濁液を
作成する。この懸濁液を予め電子ビーム蒸着装置あるい
はスパッタリング装置などを用いて、その上面に10μ
m以下の希土類金属酸化物層(2)を形成したニッケル
を主成分とする基体(1)上にスプレィにより約80ミ
クロンの厚みで塗布し1その後、従来のものと同様に、
炭酸塩から酸化物への分解過程及び酸化物の一部を還元
する活性化過程を経て、電子放射物質層(2)を基体(
1)に被着せしめるものである。
(1)への希土類金属酸化物層(2)及び電子放射物質
層(2)の被着方法について説明すると、まず、バリウ
ム、ヌトロンチウム、カルシウムの三元炭酸塩を所望の
重ft%とバインダー及び溶剤を添加混合し、懸濁液を
作成する。この懸濁液を予め電子ビーム蒸着装置あるい
はスパッタリング装置などを用いて、その上面に10μ
m以下の希土類金属酸化物層(2)を形成したニッケル
を主成分とする基体(1)上にスプレィにより約80ミ
クロンの厚みで塗布し1その後、従来のものと同様に、
炭酸塩から酸化物への分解過程及び酸化物の一部を還元
する活性化過程を経て、電子放射物質層(2)を基体(
1)に被着せしめるものである。
この様な方法で形成される希土類金属酸化物(Scρ$
1 Y2O3などの厚みを種々変えた電子管用陰極を
種々作成し、この電子管用陰極を用いて2極真空管を作
成し、種々の電流密度で寿命試験を行ない、エミッショ
ン電流の変化を調べた結果、第8図の結果を得た。第3
図は従来のテレビ用陰極としての電流密度o、e 6
A/7の3.1倍(2,05A/c!d)で動作させた
時の基体(1)上に種々の厚みで5C208層が形成さ
れた電子管用陰極、及び種々の厚みで基体(1)上にY
、O,が形成された電子管用陰極の寿命特性と希土類金
属酸化物層が全く形成されていない従来例の寿命特性と
の関係を示したものである。この第8図から明らかなよ
うに基体(1)上に希土類金属層が形成された本実施例
のものは従来例のものに対して高電流密度動作でのエミ
ッション劣化が少ないものである。
1 Y2O3などの厚みを種々変えた電子管用陰極を
種々作成し、この電子管用陰極を用いて2極真空管を作
成し、種々の電流密度で寿命試験を行ない、エミッショ
ン電流の変化を調べた結果、第8図の結果を得た。第3
図は従来のテレビ用陰極としての電流密度o、e 6
A/7の3.1倍(2,05A/c!d)で動作させた
時の基体(1)上に種々の厚みで5C208層が形成さ
れた電子管用陰極、及び種々の厚みで基体(1)上にY
、O,が形成された電子管用陰極の寿命特性と希土類金
属酸化物層が全く形成されていない従来例の寿命特性と
の関係を示したものである。この第8図から明らかなよ
うに基体(1)上に希土類金属層が形成された本実施例
のものは従来例のものに対して高電流密度動作でのエミ
ッション劣化が少ないものである。
このように基体(1)上に希土類金属酸化物層を形成し
た効果を詳細に調査するために、第3図の実験結果にお
いて6000時間でのエミッション電流測定後、従来品
及び4μmの厚みのSc、O,層を形成した電子放射物
質層(2)を有した電子管用陰極の断面を電子ビームX
線マイクロアナライザー(EPMA)によって分析を行
った。その結果高電流密度動作下の従来品においては、
基体(1)と電子放射物質層(2)との界面近傍で、基
体(1)内の結晶粒界ではSin、。
た効果を詳細に調査するために、第3図の実験結果にお
いて6000時間でのエミッション電流測定後、従来品
及び4μmの厚みのSc、O,層を形成した電子放射物
質層(2)を有した電子管用陰極の断面を電子ビームX
線マイクロアナライザー(EPMA)によって分析を行
った。その結果高電流密度動作下の従来品においては、
基体(1)と電子放射物質層(2)との界面近傍で、基
体(1)内の結晶粒界ではSin、。
MgO及びこれらの複合酸化物層が形成され、さらに上
記界面から電子放射物質層(2)測的lθμの位置には
BaO・8i0.の複合酸化物層が形成されていること
がわかるものである。上記し九810t−MgO層及び
BaO−Sin2層は基体(1)内から電子放射物質層
(2)内への還元剤である8 i 、Mgの拡散速度を
抑制するとともに高絶縁であるために電流の流れを阻害
し、ついには電子放射物質内での絶縁破壊による損耗を
もたらすことになるものである。
記界面から電子放射物質層(2)測的lθμの位置には
BaO・8i0.の複合酸化物層が形成されていること
がわかるものである。上記し九810t−MgO層及び
BaO−Sin2層は基体(1)内から電子放射物質層
(2)内への還元剤である8 i 、Mgの拡散速度を
抑制するとともに高絶縁であるために電流の流れを阻害
し、ついには電子放射物質内での絶縁破壊による損耗を
もたらすことになるものである。
これに対して、本実施例である希土類金属酸化物である
5C20,を基体(1)に形成した電子放射物質層(2
)を有する電子管用陰極においては、基体(1)内に含
有された還元剤であるS i 、Mgは平均的に分散さ
れており、上記第5図に示した従来例のもののように基
体(1)と電子放射物質層(2)との界面近傍に、これ
ら還元剤のピークが全く存在していないものである。こ
のことは次の理由によるものと判断される。つまり活性
化時にアルカリ土類金属の炭酸塩が酸化物へと分解する
場合、あるいは電子管用陰極の動作時にBaOなどが解
離反応を起こす場合において、希土類金属酸化物が基体
(1)の酸化を防ぐことに起因しているものと考えられ
る。
5C20,を基体(1)に形成した電子放射物質層(2
)を有する電子管用陰極においては、基体(1)内に含
有された還元剤であるS i 、Mgは平均的に分散さ
れており、上記第5図に示した従来例のもののように基
体(1)と電子放射物質層(2)との界面近傍に、これ
ら還元剤のピークが全く存在していないものである。こ
のことは次の理由によるものと判断される。つまり活性
化時にアルカリ土類金属の炭酸塩が酸化物へと分解する
場合、あるいは電子管用陰極の動作時にBaOなどが解
離反応を起こす場合において、希土類金属酸化物が基体
(1)の酸化を防ぐことに起因しているものと考えられ
る。
例えば、希土類金属酸化物が酸化スカンジウム(Sc、
0.)である場合の反応は次式(4) (6)の様にな
るものである。
0.)である場合の反応は次式(4) (6)の様にな
るものである。
(希土類金属酸化物表面)・・・(4)(希土類金属酸
化物表面)・・・(6)従って、上式(3) (5)か
ら明らかなように、希土類金属酸化物層を形成していな
い電子放射物質層(2)を有した電子管用陰極において
は・寿命初期において既に基体(1)と電子放射物質層
(2)との界面に形成されたニッケルの酸化物と基体(
1)中の還元剤であるSi、Mgとが反応し、840.
、MgO層が界面の最表層及びその近傍の粒界中に形
成されることになる。
化物表面)・・・(6)従って、上式(3) (5)か
ら明らかなように、希土類金属酸化物層を形成していな
い電子放射物質層(2)を有した電子管用陰極において
は・寿命初期において既に基体(1)と電子放射物質層
(2)との界面に形成されたニッケルの酸化物と基体(
1)中の還元剤であるSi、Mgとが反応し、840.
、MgO層が界面の最表層及びその近傍の粒界中に形
成されることになる。
そのため、還元剤であるSi、Mgの電子放射物質層(
2)中への拡散は上記5int、 MgOの酸化物層に
律速され、反応(1) (2)のサイト(場所)は該酸
化物層の近傍に形成される。
2)中への拡散は上記5int、 MgOの酸化物層に
律速され、反応(1) (2)のサイト(場所)は該酸
化物層の近傍に形成される。
そのため、特に高電流密度で動作する湯合、(1)(2
)の反応が活発に行われ、還元剤による酸化物Sin、
、 MgOが上記酸化物層の近傍に集中して生成され
、(1)(2)の反応が進むとともに還元元素である8
i、Mgの電子放射物質中への拡散がますます抑制され
、エミッション低下が著シくする。
)の反応が活発に行われ、還元剤による酸化物Sin、
、 MgOが上記酸化物層の近傍に集中して生成され
、(1)(2)の反応が進むとともに還元元素である8
i、Mgの電子放射物質中への拡散がますます抑制され
、エミッション低下が著シくする。
一方、本発明の実施例である希土類金属酸化物層を基体
(1)上に形成した電子放射物質層(2)を有した電子
管用陰極においては、基体(1)上に形成された希土類
金属酸化物層が基体(1)のニッケルの酸化反応を防止
するので、還元元素であるSi、Mgは基本(1)内の
結晶粒界またはその近傍で酸化物層を形成せず、電子放
射物質中へと容易に拡散していき、(1) (2)の反
応サイトは電子放射物質層(2)内の粒界に形成され、
従来例よりも分散された場所に反応サイトがある。さら
に、基体(1)上の希土類金属酸化物が上記還元元素の
電子放射物質中への拡散を適度に律速するので、長時間
高電流密度下の動作後においでも安定で良好なエミッシ
ョン特性を維持できる。さらに希土類金属酸化物の一部
は解離して希土類金属がNi基体(1)中へ固溶するの
で、たとえBaOの解離などで生じた酸素がNi基体(
1)中へ拡散してきても、NI基体粒界で固溶8Cが酸
素と反応して5c20.を形成するので、Ni基体粒界
部でのSi。
(1)上に形成した電子放射物質層(2)を有した電子
管用陰極においては、基体(1)上に形成された希土類
金属酸化物層が基体(1)のニッケルの酸化反応を防止
するので、還元元素であるSi、Mgは基本(1)内の
結晶粒界またはその近傍で酸化物層を形成せず、電子放
射物質中へと容易に拡散していき、(1) (2)の反
応サイトは電子放射物質層(2)内の粒界に形成され、
従来例よりも分散された場所に反応サイトがある。さら
に、基体(1)上の希土類金属酸化物が上記還元元素の
電子放射物質中への拡散を適度に律速するので、長時間
高電流密度下の動作後においでも安定で良好なエミッシ
ョン特性を維持できる。さらに希土類金属酸化物の一部
は解離して希土類金属がNi基体(1)中へ固溶するの
で、たとえBaOの解離などで生じた酸素がNi基体(
1)中へ拡散してきても、NI基体粒界で固溶8Cが酸
素と反応して5c20.を形成するので、Ni基体粒界
部でのSi。
Mgの偏析は抑制される。このような希土類金属酸化物
層の効果は10μm以下で顕著である。厚みが10μm
を越えると、Ni基体(1)からのsi、Mgの電子放
射物質層内への拡散が不十分になり、しかも萱’ti流
密度動作下での動作によるエミッタは基体(1)と上記
希土類金属酸化物層との剥離現象が生じる。
層の効果は10μm以下で顕著である。厚みが10μm
を越えると、Ni基体(1)からのsi、Mgの電子放
射物質層内への拡散が不十分になり、しかも萱’ti流
密度動作下での動作によるエミッタは基体(1)と上記
希土類金属酸化物層との剥離現象が生じる。
また、上記希土類金属酸化物層の厚みが10μm以下の
範囲であれば、剥離現象が皆無であった。
範囲であれば、剥離現象が皆無であった。
因みに、従来の希土類酸化物層が形成されていない電子
放射物質層(2)を有した電子管用陰極でのはくり現象
の発生ひん度は80%であった。
放射物質層(2)を有した電子管用陰極でのはくり現象
の発生ひん度は80%であった。
なお、上記実施例においては、希土類金属酸化物として
SC!Os及びy、osを用いたものを説明したが他の
希土類金属酸化物でも同様の効果は得られタモノ(7)
、特ニ5ctOs 、 Y2O3、CezOs K オ
イ”Cソノ効果が顕著であった。
SC!Os及びy、osを用いたものを説明したが他の
希土類金属酸化物でも同様の効果は得られタモノ(7)
、特ニ5ctOs 、 Y2O3、CezOs K オ
イ”Cソノ効果が顕著であった。
この発明は以上のように述べたように基体上に予め10
μm以下の厚みの希土類金属酸化物層を形成し、その上
に少なくともバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物を
主成分とする電子放射物質層を被着させたものとしたの
で、希土類金属酸化物層を形成していない従来のものに
対して2〜4倍の高電流密度動作下での長寿命を実現し
、安価で製造の制約の少ない信頼性の高い電子管用陰極
が得られるという効果を有するものである。
μm以下の厚みの希土類金属酸化物層を形成し、その上
に少なくともバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物を
主成分とする電子放射物質層を被着させたものとしたの
で、希土類金属酸化物層を形成していない従来のものに
対して2〜4倍の高電流密度動作下での長寿命を実現し
、安価で製造の制約の少ない信頼性の高い電子管用陰極
が得られるという効果を有するものである。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図は従
来の電子管用陰極を示す断面図、第8図は、希土類金属
酸化物層厚みとエミッション電流特性との関係を示す図
である。 図において、(1)は基体、(2)は電子放射物質層で
ある。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
来の電子管用陰極を示す断面図、第8図は、希土類金属
酸化物層厚みとエミッション電流特性との関係を示す図
である。 図において、(1)は基体、(2)は電子放射物質層で
ある。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 主成分がニッケルからなる基体上に、厚さ10μ以下の
希土類金属酸化物層を形成し、該希土類酸化物層上に、
バリウムを含むアルカリ土類金属酸化物を主成分とする
電子放射物質層を被着形成したことを特徴とする電子管
用陰極。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60229304A JPS6288239A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 電子管用陰極 |
KR1019860005652A KR900003175B1 (ko) | 1985-07-19 | 1986-07-12 | 전자관용음극 |
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JPH0546653B2 JPH0546653B2 (ja) | 1993-07-14 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS63285838A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電子管陰極 |
US4980603A (en) * | 1987-06-12 | 1990-12-25 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Cathode for an electron tube |
JPH03295128A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電子管用陰極 |
US5122707A (en) * | 1988-02-02 | 1992-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode in a cathode ray tube |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5840731A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Toshiba Corp | 酸化物陰極構体 |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60229304A patent/JPS6288239A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5840731A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Toshiba Corp | 酸化物陰極構体 |
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JPH03295128A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電子管用陰極 |
Also Published As
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JPH0546653B2 (ja) | 1993-07-14 |
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