JPS6287943A

JPS6287943A - 光走査装置

Info

Publication number: JPS6287943A
Application number: JP22805885A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Sunakawa; 寛砂川; Chiaki Goto; 後藤　千秋
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1985-10-14
Filing date: 1985-10-14
Publication date: 1987-04-22
Anticipated expiration: 2009-03-02
Also published as: JPH0616143B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（発明の分野）本発明は光走査装置、特に詳細には電界印加により光屈
折率を変える電気光学材料を用いて光走査を行なう光走
査装置に関するもので必る。

（従来の技術）周知の通り従来より、光走査式の記録装置や、読取装置
が種々提供されている。このような装置において記録光
めるいは読取光を１次元的に走査する光走査装置として
従来より、 ■例えばガルバノメータミラーやポリゴンミラー（回転
多面鏡）等の機械式光偏向器により光ビームを偏向走査
させるもの、 ■ＥＯＤ　（電気光学光偏向器）やＡＯＤ　（音響光学
光偏向器）など固体光偏向素子を用いた光偏向器により
光ビームを偏向走査させるもの、■液晶素子アレイやＰ
ＬＺＴアレイ等のシャッタアレイと線光源とを組み合わ
せ、シャッタアレイの各シャッタ素子に個別的に駆動回
路を接続し、画像信号に応じて、０Ｎ１０ＦＦを選択し
て同時に開くことにより線順次走査をさせるもの、さら
には ■ＬＥＤ等の発光素子を多数−列に並設し、各発光素子
に個別的に駆動回路を接続し、画像信号に応じて０Ｎ１
０ＦＦを選択して同時に発光させることにより線順次走
査させるもの等が知られている。

ところが上記■の機械式光偏向器は振動に対して弱く、
また機械的耐久性も低く、その上調整が面倒であるとい
う欠点を有している。さらに光ビームを振って偏向させ
るために光学系が大きくなり、記録装置や読取装置の大
型化を招くという問題もめる。

また■のＥＯＤやＡＯＤを用いる光走査装置におっても
、上記と同様に光ビームを振って偏向させるために、装
置が大型になりやすいという問題がおる。特に上記ＥＯ
ＤやＡＯＤは光偏向角が大きくとれないので、■の機械
式光偏向器を用いる場合よりもさらに光学系が大きくな
りがちで必る。

一方■のシャッタアレイを用いる光走査装置に必っては
、陥光仮を２枚使用する必要があることから、光源の光
利用効率が非常に低いという問題がめる。

また■の発光素子を多数並設して用いる光走査装置にお
っては、各発光素子の発光強度にバラツキが生じるため
、精密走査には不向きであるという問題がめる。

上記のような事情に鑑み本出願人は、耐久性、耐（辰勤
性に潰れ、調整が容易で、光利用効率が高く、精密走査
が可能で、しかも小型に形成されうる光走査装置を提案
した（特願昭６０−７４０６１号）っこの光走査装置は
、少なくとも一方がエネルギー付加により光屈折率を変え
る材料からなり、互いに密着された光導波層と通常は該
光導波層よりも小さい光屈折率を示す隣接層との積層体
と、上記光導波層および／または隣接層に、光導波］畜肉を
進む導波光の光路に沿って設けられた複数のエネルギー
付加手段と、上記隣接層の上部の、少なくとも上記エネルギー付加手
段によるエネルギー付加箇所に対応する部分にそれぞれ
設けられた回折格子と、上記複数のエネルギー付加手段
を順次択一的に所定のエネルギー付加状態に設定し、そ
のエネルギー付加箇所において導波光が前記回折格子と
の相互作用により前記積層体の外に出射するように光導
波層および／または隣接層の光屈折率を変化させる駆動
回路とから構成され、光導波層の光屈折率（ｎｌ）および／または隣接層の光
屈折率（ｎｌ、通常状態すなわちエネルギーが付加され
ていない状態ではｎｚ　＞ｎｌの関係を持つ）を、その
差（ｎｚ　　ｒＬ＋）が小さくなるように、あるいはｎ
２≦ｎ１どなるように変化させて、光導波層中に閉じ込
められた導波光の界分布を変化させ、回折格子との相互
作用によって導波光を光導波層と隣接層との積層体から
外部へ取り出し、これを走査光として利用するようにし
たものでおる。

より詳細に説明するならば、例えば第１図に示すように
この光走査装置が、基板１０上に光導波層１１、回折格
子Ｇをもつ隣接層１２（−例として電気光学材料から形
成されているものとする）を有し、基板１０の光屈折率
ｎ３、光導波層１１の光屈折率ｎ２、電界を印加してい
ないときの隣接層１２の光屈折率ｎｌの間にｎｌ　＞ｎ
ｔ　、ｎ３の関係が成り立っているものとする。

第１図で示した構成の場合、その電界非印加時の分散曲
線は第２図（ａ）のように表わされる。

第２図（ａ）において縦軸は光の実効屈折率を、また横
軸は光導波層１１の厚みを表わし、光導波層１１の厚み
を王とすると、光導波層１１の実効屈折率はｎｅｆｆで
ある。この時導波光１４の界分布（電界弁イ■）は、例
えばＴＥｏモードを仮定すると、第３図（ａ）のように
表わされる。第３図（ａ）は導波光が隣接層１２や基板
１０にわずかに浸み出しているものの、回折格子Ｇと相
互作用をするにはいたらず、導波光がほとんど外部へ漏
れずに光導波層１１中を進行している状態を示している
。

次に、隣接層１２に直接あるいは中間層を介して設けた
電極対（この第１図においては図示せず）のＮ極間に電
界を印加して、電極間間隙Ｐの部分にあける隣接層１２
の光屈折率をｎｌからｎｌ＋△ｎへ増大ざぜる。この時
、分散曲線は第２図（ｂ）の１点鎖線で表わせられ、光
導波層１１の実効屈折率ｎ。ｆｆは”ｅｆｆに増大する
。この時の導波光の電界分布は第３図（ｂ）のように変
化し、隣接＠１２への導波光の浸み出し光が、回折格子
Ｇと十分相互作用するように増加する。その結果、図の
斜線部の浸み出し光が図の上方（回折格子Ｇの種類によ
っては下方又は上下双方）へ敢（ト）されながら進行し
、遂には、はとんどの導波光が外部へ取り出される。

また、第１図で示した構成において、隣接層１２の光屈
折率をｎｌからｎｌ＋△ｎ　ＩＩに変化させたとき、こ
のｎｌ＋△ｎ　１１の値が、隣接層１２の光屈折率の変
化に伴って変化する光導波層１１の実効屈折率”’ｅｆ
ｆと等しくなるほどに大きくなると、その分散曲線は第
２図（Ｃ）の１点鎖線のようになり、導波光は導波モー
ドから放射モードへ変換し、光は隣接層１２へ移行する
。このときの導波光のＮ界分布は第３図（Ｃ）のように
変化し、導波光は隣接層１２へ多量に漏れ出し、回折格
子Ｇと相互作用して図の上方（および／または下方）へ
放射されなから進行し、速やかに外部に取り出される。

また、隣接層１２の光屈折率ｎ１を光導波層１１の光屈
折率ｎ２と略等しいか又はｎｌよりも大きくなるように
変化させることによって、光導波層１１内の導波光の全
反射条件を変化させて導波光を隣接層中に移動させ、更
に回折格子Ｇとの相互作用により、外部へ取り出すこと
ができる。このようにして、電界を印加した場所で導波
光を外部に取り出すことができるから、上述の電極対を
複数、上記間隙Ｐが隣接層１２に沿って１列に延びるよ
うに設けておき、各電極対に順次択一的に電界を印加す
れば、隣接層１２からは出射位置を変えながら光が出射
するようになり、光走査がなされる。

なお前述のように隣接層１２を電気光学材料から形成し
てその光屈折率を変イヒさせる他、反対に光導波層１１
を電気光学材料から形成してそこに電極対を設け、該光
導波層１１の光屈折率を変化さぜる〈低下させる）よう
にしてもよいし、ざらに（は光導波層１１と隣接層１２
の双方を電気光学材料から形成して双方に電極対を設け
、双方の光屈折率を変化させるようにしてもよい。

またこの場合、回折格子Ｇの構造を集光性回折格子にし
ておくと、取り出された光は一点へ集光し、散逸を防ぐ
ことができる。

上記構成の光走査装置は、単一の光源を使用するもので
あるから、前記ＬＥＤアレイ等にみられる光源の発光強
度バラツキの問題が無く、精密走査が可能となり、光源
の光利用効率も高められる。

またこの光走査装置は、機械的作動部分を備えないから
耐久性、耐振動性に優れて調整も容易であり、さらに光
ビームを大きく振らずに走査可能であるから、この装置
によれば、光走査系の大型化を回避し、光走査記録装置
必るいは読取装置を小型に形成することができる。

上記の光走査装置においては前述したように、エネルギ
ー付加により光屈折率を変える材料として電気光学材料
か好適に用いられ、したがってこの場合エネルギー付加
手段としては電極対が、また駆動回路としては複数の電
極対間に順次択一的に電界を印加する回路が用いられる
が、このような構成をとる装置として前記特願昭６０−
７４０６１号に具体的に開示されている装置は、１つの
電極対を構成する各電極を、積層体を水平に配置したと
ぎに間隙を間において互いに水平方向に対向するように
（つまり前記第１図においては紙面の表裏方向に）配置
したものである。ところがこの開示例のような構成をと
る場合、所望の光屈折率変化を１ｑるために電極対に数
百Ｖ程度の高電圧を印ＩＪ口シなければならず、したが
って強力な駆動回路か必要になるという難点かあった。

つまり光を積図体外に取り出すのに十分な大きざに電イ
か間間隙を設定すると、電極間距離が大きくなり、その
ため上）本のように高電圧を印加する必要が生じるので
ある。

また積層体からの光取出し効率を高めるためには、光導
波層の導波路幅を電極間間隙部分に収まるように設定す
ることか望ましいが、上記のように印加電圧の問題が有
るから、前記開示例の装置においては電極間間隙を大き
く設定することができず、したがって導波路幅は必然的
に小さなものとなってしまう。このように導波路幅が小
さいと導波光のエネルギー密度が高くなり、光導波層が
光損傷を受ける恐れが有る。

（発明の目的）そこで本発明は、前述の特願昭６０−７４０６１号に示
されるように電気光学材料からなる光導波層および／ま
たは隣接層の光屈折率を変えることによって光走査を行
なう光走査装置において、比較的低電圧で駆動可能で、
しかも上記光損傷の問題を生じることのない光走査装置
を提供することを目的とするものである。

（発明の構成）本発明の光走査装置は、先に述べたように少なくとも一
方が電気光学材料からなる光導波層と隣接層との積層体
と、複数のエネルギー付加手段としてのＮ極対と、回折
格子と、各電極対間に順次択一的に電界を印加する駆動
回路とからなる光走査装置において、上記複数の電（か対をそれぞれ、隣接層の外表面に光導
波層内を進む導波光の光路に沿って設けられた透明電極
と、この透明電極に対向するように光導波層の外表面に
設けられた対向電極とから構成し、そして回折格子を上
記透明電極の表面に設（ブたことを特徴とするものであ
る。

（実施態様〉以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明する。

第４図は本発明の一実施態様による光走査装置２０を示
すものでおり、また第５図はその要部の断面形状を示し
ている。基板１０の上には、絶縁層１９を介して光導波
層１１と該光導波層１１に密着した隣接層１２とからな
る積層体１３が設けられている。なお隣接層１２は、前
述した電気光学材料から形成されている。そして前述の
ように光導波層１１内を光か進行しうるように光導波層
１１、隣接層１２、絶縁層１９はそれぞれ、前記関係ｎ２　＞ｎｌ　、ｎ３を満たす材料から形成されている。なお前述の通り、ｎ
　２　、ｎ　３はそれぞれ光導波、＠１１、絶縁層１９
の光屈折率、ｎｌは隣接層１２の電界非印加時の光屈折
率である。このような光導波層１１、隣接層１２、絶縁
層１９の材料の組合せとしては例えば、（Ｎｂｚ　０５
　　：に３　Ｌｉｚ　Ｎｂ＝　Ｏ＋５ニガラス）、〔Ｎ
１）ｚ　Ｏａ　　：Ｌ！Ｎ１）０３　ニガラス〕等が挙
げられる。また基板１０の材料としてはガラス等か用い
られる。なお光導波路については、例えばティータミー
ル（Ｔ、Ｔａｍ１　ｒ）編［インチグレイテッド　オプ
ティクス（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　０ｐｔｉｃｓ）ｊ
（ｔ”ピックス　イン　アプライドフィジックス（Ｔｏ
ｐｉｃｓ　　ｉｎ　　Ａｐ＋）＋ｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ＞第７巻）スプリンガーフエアラーグ（Ｓｐｒ　ｉ
　ｎｇｅｒ−Ｖｅｒ　ｌ　ａｇ）刊（１９７５）：西原
、春名、栖原共著「光集積回路」オーム社用（１９８５
）等の成著に詳細な記述があり、本発明では光導波層、
隣接層、絶縁層の絹合せとして、これら公知の光導波路
のいずれをも使用できる。また光導波層１１、隣接層１
２、絶縁層１９はそれぞれ一例として厚さ０．５〜１０
μｍ、１〜５０μｍ、１〜５Ｑμｒｒ＋ｔ、＝形成され
るが、これに限られるものではない。

隣接層１２の外表面（すなわち光導波層１１と反対側の
表面）には、絶縁層１８を介して、透明電極からなる複
数の個別電極Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３〜Ｄｎが１列に並設され
ている。これらの個別電極Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３〜Ｏｎの表
面にはそれぞれ、回折格子Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３〜Ｑｎが設
けられている。これらの回折格子Ｇ１〜Ｇｎは、個別電
極Ｄ１〜［）ｎそのものの表面に設（プる他、別の透明
部材から形成し、それを各個別電極Ｄ１〜［）ｎ上に固
定するようにしてもよい。−力光導波層１１の外表面（
Ｖなわら隣接層１２と反対側の表面）には、絶縁層１９
を介して共通電極Ｃが設けられている。この共通電極Ｃ
は、上述の各個別型１！Ｄ１〜Ｄｎに対向する位置に設
けられているａなお上記絶縁層１８．１９は、隣接層１
２、光導波層１１をそれぞれ絶縁性材料から形成すれば
省くことができるが、両者は設けられるのか好ましく、
特に絶縁層１９は光導波層１１の外表面に直接共通電４
ｉｉＣ＠　＊２けた場合に起こる光のパワーの減衰を防
止する目的で設けられるのが好ましい。絶縁層１９が省
かれる場合には、ｎｌ、ｎ３をそれぞれ光導波層１１、
基板１０の光屈折率、ｎｌを隣接層１２の電界非印加時
の光屈折率として、ｎｌ　＞ｒｌｌ　、ｎ３の関係が成
立するようにする。

以上述べたように個別電極Ｄ１〜Ｄｎおよび共通電極Ｃ
が配設されたことにより、第５図に示すように各個別電
極Ｄ１〜［）ｎ単位で電極対Ａ１、Ａ２、Ａ３〜Ａｎが
形成され、電気光学材料からなる隣接層１２内において
は、電極間間隙Ｐ１．Ｐ２、Ｐ３〜ｐｎが１列に並んで
いる。なお個別電極Ｄ１〜Ｄｎの大きざは例えば＜０．
０５〜０゜１）Ｘ（２〜５）ｓ程度、そして互いの間隔
は１００〜２００μｍ程度に設定される。そして各個別
電極Ｄ１〜［）ｎおよび共通電極Ｃは、基板１０上に形
成されたドライバ１５に接続されている。なおこのドラ
イバ１５は、基板１０とは独立して設けられてもよい。

一方光導波層１１には、Ｎ極間間隙Ｐ１〜ｐｎの並び方
向の延長上において、導波路レンズ１６が形成されてお
り、また基板１０には光導波層１１内の上記導波路レン
ズ１６に向けてレーザビーム１４′を射出する半導体レ
ーザ１７が取り付けられている。

第６図は上記光走査装置２０の駆動回路２１を示すもの
である。以下この第６図も参照して、光走査装置２０の
作動について説明する。まず前述の半導体レーザ１７が
駆動され、レーザビーム１４′が光導波層１１内に射出
される。このレーザビーム１４′は導波路レンズ１６に
よって平行光１４とされ、この光１４は光導波層１１内
を電極間間隙Ｐ１〜Ｐｎの並び方向に進行する（第４図
参照）。そして共通電極Ｃと個別電極Ｄ１〜Ｄｎとの間
には、電圧発生回路２２から発生された電圧Ｖが、前記
ドライバ１５を介して印加される。ここでこのトライバ
１５は、クロック信号ＣＬＫに同期して作動するシフト
レジスタ２３の出力を受けて作動し、共通型４１Ｃとの
間に電圧を印加する個別電極を１つずつ順次選択して、
上記電圧印加を行なう。つまり最初はｎ個の個別電極Ｄ
１〜Ｄｎのうち１番目の個別電極Ｄ１と共通電極Ｃとの
間のみに、次は２番目の個別電極Ｄ２と共通電極Ｃとの
間のみに、・・・・・・と電圧Ｖが印加される。こうし
て各電極対Ａ１〜Ａｎ間に順次電圧が印加され、電極間
間隙Ｐ１〜ｐｎに順次電界が加えられると、その電界が
加えられた部分の隣接層１２の光屈折率が高くなる。す
ると前述したように前記光（導波光）１４はその間隙Ｐ
１〜Ｐｎに対応する部分において、光導波層１１から隣
接層１２側に出射し、透明な個別１１１Ｄ１〜［）ｎを
透過して、回折格子０１〜Ｑｎの回折作用により隣接層
１２外に出射する。つまり最初は回折格子Ｇ１から、次
は回折格子Ｇ２から、・・・・・・・・・回折格子（３
ｎの次は元に戻って回折格子Ｇ１から、と光１４の出射
位置が順次変化するので、被走査体２５はこの出射した
光１４により、第４図の矢印Ｘ方向に走査されるように
なる（なお光出射位置が、回折格子Ｇ１−＋Ｇ２−＋−
・・−・Ｇｎ−＋Ｇ　（ｎ−１）→Ｇ　（ｎ−２）・・
・と変化するように、電極対へ１〜Ａｎへの電圧印加を
制御してもよい）。そして上記のようにして主走査を行
なうとともに、クロック信号ＣＬＫによって該主走査と
同期をとって被走査体２５を第４図の矢印Ｙ方向に移動
させて副走査を行なえば、この被走査体２５は２次元に
走査されることになる。

なお本実施！ｆ！、様において個別電極０１〜Ｄｎの表
面に設けられる回折格子Ｇ１〜Ｇｎは、集光回折格子と
ｉノで形成されており、該回折格子０１〜Ｇｎから出射
した光１４は、被走査体２５上の一点に集束されるよう
になっている。この集光回折格子は、光導波層１１内の
光１４の進行方向に２次曲線状の格子パターン（グリッ
ドパターン）を並設し、そして各パターンの曲率とパタ
ーン間ピッチを変化させてなるものであり、それにより
上述のような集束作用を有づるものとなっている。なお
このような集光回折格子については、例えば電子通信学
会技術研究報告０ＱＣ８３−８４の４７〜５４ページ等
に詳しく記載されている。

また、半導体レーザ１７を光導波層１１に直接結合せず
に、レンズやカプラープリズム、グレーティングカブラ
等を介して光導波層１１に光を入射させるようにしても
よい。また半導体レーザ１７は光導波層の形成時に、こ
れと一体に作られてもよい。

走査光を発生する光源は上述の半導体レーザ１７に限ら
ず、その他例えばガスレーザや固体レーザ等が用いられ
てもよい。

以上述べた光走査装置２０においては、光導波層１１と
隣接層１２を挾むように個別電極Ｄ１〜Ｄｎと共通電極
Ｃとを配置しているから、各個別電極Ｄ１〜Ｄｎと共通
電極Ｃとの距離は、上記光導波層１１、隣接＠１２の層
厚くそれに本実施態様に１ｌ１３いては絶縁層１８．１
９の―厚）を薄くすることにより、十分小ざくすること
ができる。このように各個別電極Ｄ１〜ｌ）ｎと共通Ｎ
極Ｃとの距離を小ざく設定すれば、隣接層１２の光屈折
率を所定値変化させるために（つまり電極間間隙Ｐ１〜
ｐｎに所定の電界を付与するために）各電極対Ａ１〜Ａ
ｎに印加する電圧が低くて済む。その一方、積層体１３
からの走査光取出し部分の大きさを規定する各個別電極
Ｄ１〜［）ｎは、上記電極間距離とは無関係に、必要に
応じて自由に大きく形成することができる。

−例として、個別型４ｉｉＤ１〜［）ｎの大きざを前述
のように０．１Ｘ５＃程度とし、−５各個別電極Ｄ１〜
Ｄｎと共通電極Ｃとの距離を数十μｍに設定した場合、
各電極対Ａ１〜Ａｎに１００Ｖ程度の電圧を印加ずれば
、積層体１３から走査光１４が取り出されうる。

また上述のように各個別Ｎ極Ｄ１〜［）ｎを大きく形成
し、積層体１３からの走査光取出し部分である電極間間
隙Ｐ１〜ｐｎ部分を広く形成することかできるから、導
波光１４のエネルギー密度を小さくするために導波光１
４の導波路幅を広く設定しても、走査光取出し効率を高
く保つことができる。

なお隣接層１２から出射した光１４を１点に集束させる
には、前記のように回折格子Ｇ１〜Ｑｎを集光回折格子
とする仙、第７図に示づ−ように、光走査装置？Ｏと被
走査体２５との間に例えばセルフォックレンズアレイ等
からなるレンズアレイ３０を設けるようにしてもよい。

また第８図に示すように隣接層１２の上に、各電極間間
隙Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３〜Ｐｎに対向する位置にレンズＬ１
、Ｌ２、Ｌ３〜１−ｎが設けられたレンズアレイ層３１
を設けるようにしてもよい。この場合上記レンズＬ１〜
ｌｎは、第８図に示されるように通常の凸レンズ状とし
てもよいし、またアレイ層材料の屈折率に分布を与えて
なる屈折率分布型レンズとしてもよい。ざらには上記の
ようなレンズアレイ３０やレンズアレイ層３１と、前記
集光回折格子の双方によって光１４を集束させるように
してもよい。しかし上記集光回折格子のみを用いれば、
レンズアレイ３０ヤレンズアレイ層３１が不要となり、
光走査装置の構造か簡単になって好ましい。また隣接層
１２から出射する光１４を以上説明のようにして集束さ
せることは必ずしも必要ではなく、場合によっては平行
光、おるいは拡散光によって被走査体２５を走査するよ
うにしても構わない。

以上説明した実施態様においてｔよ、光導波層１１と隣
接層１２との積層体１３は基板１０上に５９けられてい
るが、特にこのような基板１０を用いず、光導波層１１
必るいはその表面に設けられた絶縁層１９が直接空気に
接するようにしても構わないし、さらには光導波層１１
の両表面に隣接層１２を積層して、光導波層１１の上下
両側に走査光を出射させ、２つの被走査面を同時に走査
することも可能である。

また本発明の光走査装置は、前記電極間間隙Ｐ１〜ｐｎ
を複数列並べて、複数の走査光を同時に取出し可能に形
成することもできる。

（発明の効果）以上詳細に説明した通り本発明の光走査装置は、単一の
光源を使用するものであるから、前記ＬＥＤアレイ等に
みられる光源の発光強度バラツキの問題か無く、精密走
査が可能となり、光源の光利用効率も高められる。また
本発明の光走査装置は機械的作動部分を備えないから耐
久性、耐振動性に優れて調整も容易で必り、さらに光ビ
ームを大きく振らずに走査可能でおるから、本発明装置
によれば、光走査系の大型化を回避し、光走査記録装置
あるいは読取装置を小型に形成することができる。

しかも本発明の光走査装置は、電極対の電極間距離を小
さくすることができるから、低電圧で駆動可能であり、
したがって強力な駆動回路が不要で安価に形成され、し
かも消費電力も低減される。

その一方走査光取出し部分である電極間間隙部分は広く
形成することができるから、導波路幅を広くして導波光
のエネルギー密度を小さく設定し、光導波路の光損傷を
防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の光走査の仕組みを説明する説明図
、第２図は第１図の構成の分散曲線を示すグラフ、第３図
は第１図のｈ）成における導波光の電界分布を示す概念
図、第４図は本発明の一実施態様による光走査装置を示す斜
視図、第５図は上記実１ｆＡ態様装置の要部を示す側断面図、第６図は上記光走査装置の電気回路を示すブロック図、第７図、第８図はそれぞれ、本発明の第２実施態仔、第
３実施態様による光走査装置を示す側断面図である。１０・・・基板　　　　　　　１１・・・光導波層１２
・・・隣接層　　　　　　１３・・・積層体１４・・・
光　　　　　　　　１５・・・ドライバ１６・・・導波
路レンズ　　　１７・・・半導体レーザ２０・・・光走
査装置　　　　２１・・・駆動回路？？・・・電圧発生
回路　　　２３・・・シフトレジスタ△１〜Ａｎ・・・
電極対　　Ｃ・・・共通電極Ｄ１〜［）ｎ・・・個別電
極　Ｇ１−（３ｎ・・・回折格子Ｐ１〜Ｐｎ・・・電極
間間隙第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少なくとも一方が電界印加により光屈折率を変え
る電気光学材料からなり、互いに密着された光導波層と
電界非印加時は該光導波層よりも小さい光屈折率を示す
隣接層との積層体と、前記隣接層の外表面に、前記光導波層内を進む導波光の
光路に沿って設けられた透明電極と、この透明電極に対
向するように前記光導波層の外表面に設けられた対向電
極とからなる複数の電極対と、前記透明電極の表面に設けられた回折格子と、前記複数
の電極対間に順次択一的に電界を印加し、その電界の印
加箇所において前記導波光が前記回折格子との相互作用
により前記積層体の外に出射するように前記光導波層お
よび／または隣接層の光屈折率を変化させる駆動回路と
からなる光走査装置。
（２）前記回折格子が、前記光導波層から前記隣接層内
に入射した光を、集束するように出射させる集光回折格
子であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光走査装置。
（３）前記積層体の外側に、出射した光を集束させる集
束光学系が設けられていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項から第２項いずれか１項記載の光走査装置。
（４）前記対向電極と光導波層との間に絶縁層が設けら
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項
いずれか１項記載の光走査装置。
（５）前記透明電極と隣接層との間に絶縁層が設けられ
たことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光走査
装置。