JPS61232426A - 光走査記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は光走査記録装置、特に詳細には電気光学材料等
の外場印加あるいはエネルギー付加（以下これらをまと
めてエネルギー付加という）により光屈折率を変える材
料を用いて光走査を行なうようにした光走査記録装置に
関するものである。

（従来の技術） 周知の通り従来より、感光体を光で走査して、該感光体
に連続調画像や白黒の２値画像を記録するようにした光
走査記録装置が種々提供されている。このような記録装
置において記録光を１次元的に走査する光走査装置とし
て従来より、■例えばガルバノメータミラーやポリゴン
ミラー（回転多面鏡）等の機械式光偏向器により光ビー
ムを偏向走査させるもの、 ■ＥＯＤ　（電気光学光偏向器）やＡＯＤ　（音響光学
光偏向器）など固体光偏向素子を用いた光偏向器により
光ビームを偏向走査させ、るもの、■液晶素子アレイや
ＰＬＺＴアレイ等のシャッタアレイと線光源とを組み合
わせ、シャッタアレイの各シャッタ素子に個別的に駆動
回路を接続し、画像信号に応じて、０Ｎ１０ＦＦを選択
して同時に開くことにより線順次走査をさせるもの、さ
らには ■ＬＥＤ等の発光素子を多数−列に並設し、各発光素子
に個別的に駆動回路を接続し、画像信号に応じて０Ｎ１
０ＦＦｆ選択して同時に発光させることにより線順次走
査させるもの等が知られている。

ところが上記■の機械式光偏向器は撮動に対して弱く、
また機械的耐久性も低く、その上調整が面倒であるとい
う欠点を有している。さらに光ビームを振って偏向させ
るために光学系が大きくなり、記録装置の大型化を招く
という問題もある。

また■のＥＯＤやＡＯＤを用いる光走査記録装置にあっ
ても、上記と同様に光ビームを振って偏向させるために
、装置が大型になりやすいという問題がある。特に上記
ＥＯＤやＡＯＤは光偏向角が大きくとれないので、■の
機械式光偏向器を用いる場合よりもさらに光学系が大き
くなりがちである。

一万〇のシャッタアレイを用いる光走査記録装置にあっ
ては、偏光板を２枚使用する必要があることから、光源
の光利用効率が非常に低いという問題がある。

また■の発光素子を多数並設して用いる光走査記録装置
にあっては、各発光素子の発光強度にバラツキが生じる
ため、精密走査には不向きであるという問題がある。

（発明の目的） 本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、耐久性、耐振動性に優れ、調整が容易で、光利用効率
が高く、精密走査が可能で、しかも小型に形成されうる
光走査記録装置を提供することを目的とするものである
。

（発明の構成） 本発明の光走査記録装置は、少なくとも一方がエネルギ
ー付加により光屈折率を変える材料からなり、互いに密
着された光導波層と通常は該光導波層よりも小さい光屈
折率を示す隣接層との積層体と、 前記光導波層および／または隣接層に、前記光導波層内
を進む導波光の光路に沿って設けられた複数のエネルギ
ー付加手段と、 前記隣接層の上部の、少なくとも前記エネルギー付加手
段によるエネルギー付加箇所に対応する部分にそれぞれ
設けられた回折格子と、前記光導波層内に、上記配列さ
れたエネルギー付加箇所に沿って進むように光を入射さ
せる光源と、 前記複数のエネルギー付加手段を順次択一的に所定のエ
ネルギー付加状態に設定し、そのエネルギー付加箇所に
おいて前記導波光が前記回折格子との相互作用により前
記積層体の外に出射するように前記光導波層および／ま
たは隣接層の光屈折率を変化させる駆動回路と、 前記積層体から出射した光が照射される位置に配された
感光体と前記積層体とを、前記エネルギー付加箇所の配
列方向と略直角な方向に相対移動させる副走査手段と、 上記積層体から出射する光を画像信号に応じて変調する
変調手段とからなるものである。

上記においてエネルギー付加により光屈折率を変える材
料としては、前記電気光学材料の他、熱により光屈折率
を変える熱光学材料、超音波により光屈折率を変える音
響光学材料、磁界により光屈折率を変える磁気光学材料
等を用いることができる。

（作　　用） 本発明の光走査記録装置は、光導波層の光屈折率（ｎｚ
）および／または隣接層の光屈折率（ｎｌ、通常状態す
なわちエネルギーが付加されていない状態ではｎｚ　＞
ｎｌの関係を持つ）を、その差（ｎｚ　−ｎｌ　）が小
さくなるように、あるいはｎ２≦ｎ１どなるように変化
させて、光導波層中に閉じ込められた導波光の光のモー
ドの界分布を変化させ、回折格子との相互作用によって
導波光を光導波層と隣接層との積層体から外部へ取り出
し、これを記録走査光として利用するようにしたもので
ある。

より詳細に説明するならば、例えば第１図に示すように
、本発明で用いる光走査装置が、基板１０上に光導波層
１１、回折格子Ｇをもつ隣接層１２（−例として電気光
学材料から形成されているものとする）を有し、基板１
０の光屈折率ｎ３、光導波層の光屈折率ｎ２、電界を印
加していないときの隣接層の光屈折率ｎ１の間にｎｚ　
＞ｎｌ　＞ｎ３の関係が成り立っているものとする。

第１図で示した構成の場合、その電界非印加時の分散曲
線は第２（ａ）図のように表わされる。

第２（ａ）図において縦軸は光の実効屈折率を、また横
軸は光導波層１１の厚みを表わし、光導波層１１の厚み
を王とすると、光導波層の実効屈折率はｎ　ｅＨである
。この時導波光の界分布（電界分布）は、例えばＴＥｏ
モードを仮定すると、第３（ａ）図のように表わされる
。第３（ａ）図は導波光が隣接層１２や基板１０にわず
かに浸み出しているものの、回折格子Ｇと相互作用をす
るにはいたらず、導波光がほとんど外部へ漏れずに光導
波層１１中を進行している状態を示している。

次に、隣接層１２に直接あるいは中間層を介して設けた
電極対（この第１図においては図示せず）の電極間に電
界を印加して、電極間間隙Ｐの部分における隣接層１２
の光屈折率をｎｌからｎ１＋△ｎへ増加させる。この時
、分散曲線は第２（ｂ）図の１点鎖線で表せられ、光導
波層１１の実効屈折率ｎ　ｅｒｒはｎ’ｅｆｆに減少す
る。この時の導波光の電界分布は第３（ｂ）図のように
変化し、隣接層１２への導波光の浸み出し光が、回折格
子Ｇと十分相互作用するように増加する。その結果、図
の斜線部の浸み出し光が図の上方（回折格子Ｇの種類に
よっては下方又は上下双方）へ放射されながら進行し、
遂には、はとんどの導波光が外部へ取り出される。

また、第１図で示した構成において、隣接層１２の光屈
折率をｎｌからｎ１＋△ｎ１１に変化させたとき、この
ｎ１＋Δｎ　Ｉｔの値が、隣接層１２の光屈折率の変化
に伴って変化する光導波層１１の実効屈折率ｎ”ｅＨと
等しくなるほどに太き（なると、その分散曲線は第２（
Ｃ）図に１点鎖線のようになり、導波光は導波モードか
ら放射モードへ変換し、光は隣接層１２へ移行する。こ
のときの導波光の電界分布は第３（Ｃ）図のように変化
し、導波光は隣接層１２へ多量に漏れ出し、回折格子Ｇ
と相互作用して図の上方（および／または下方）へ放射
されながら進行し、速やかに外部に取り出される。なお
光導波層１１の厚みが十分に厚い場合（例えば１００μ
ｍ以上）には、隣接層１２の光屈折率ｎ、を光導波層１
１の光屈折率ｎ２と略等しいか又はｎ２よりも大きくな
るように変化させることによって、光導波層１１内の導
波光の全反射条件を変化させて導波光を隣接層中に移動
させ、更に回折格子Ｇとの相互作用により、外部へ取り
出すことができる。このようにして、電界を印加した場
所で導波光を外部に取り出すことができるから、上述の
電極対を複数、上記間隙Ｐが隣接ｆ１１２に沿って１列
に延びるように設けておき、各電極対に順次択一的に電
界を印加すれば、隣接層１２からは出射位置を変えなが
ら光が出射するようになり、光走査がなされる。

なお前述のように隣接層１２を電気光学材料から形成し
てその光屈折率を変化させる他、反対に光導波層１１を
電気光学材料から形成してそこに電極対を設け、該先導
波＠１１の光屈折率を変化させる（低下させる）ように
してもよいし、さらには光導波層１１と隣接層１２の双
方を電気光学材料から形成して双方に電極対を設け、双
方の光屈折率を変化させるように゛してもよい。

また、この時、回折格子Ｇの構造を集光性回折格子にし
ておくと取り出された光は一点へ集光し、散逸を防ぐこ
とができる。

（実施態様） 以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明する。

第４図は本発明の一実施態様による光走査記録装置２０
を示すものである。基板１０の上には、光導波１ｌｉ１
１と該光導波［１１に密着した隣接層１２とからなる積
層体１３が設けられている。なお隣接層１２は一例とし
て、前述した電気光学材料から形成されている。そして
前述のように光導波層１１内を光が進行しうるように光
導波層１１、隣接層１２、基板１０はそれぞれ、前記関
係 ｎｚ　＞ｎｌ　＞ｎｌ を満たす材料から形成されている。なお前述の通り、ｎ
２、ｎｌはそれぞれ光導波層１１、基板１０の光屈折率
、ｎｌは隣接層１２の電界非印加時の光屈折率である。

このような光導波層１１、隣接Ｊｉｉり１２、基板１０
の材料の組合せとしては例えば、［Ｎｂ２Ｏ５：に３　
Ｌ　１２Ｎｂｓ　Ｏｓｇニガラス］、［Ｎｂ２０６　　
：ＬｉＮ１ｂＯ３ニガラス１等が挙げられる。

尚、先導波路については、例えばＴ、Ｔａｍｌｒ編［１
ｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　ＱｐｔｉｃｓＪ（ＴＯｐｉＣ５
ｉｎ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ第７巻）Ｓ
ｐｒ　ｉ　ｎａｅｒ−Ｖｅｒ　ｌ　ａＱ刊（１９７５）
：６原、春名、栖原共著「光集積回路」オーム社刊（１
９８５）等の成著に詳細な記述があり、本発明では光導
波層、隣接層、基板の組合せとしてこれら公知の光導波
路のいずれをも使用できる。また、−例として光導波層
１１は厚さ０．５〜１０μｍ、隣接層１２はそれぞれ厚
さ１〜５０μｍ１基板１０は１μｍ以上に形成されるが
、これに限るものではない。

隣接層１２内ニハ電極対Ａ１、Ａ２、Ａ３〜Ａｎが多数
対並設されている。上記電極対Ａ１、Ａ２、Ａ３〜Ａｎ
は、それぞれ共通電極Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３〜Ｃｎと個別電
極Ｄ１、Ｃ２、Ｄ３〜Ｄｎとからなり、各電極間の間隙
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３〜ｐｎが隣接層１２に沿って１列に延
びるように並べられている。なお共通電極Ｃ１〜Ｃｎと
個別電極Ｄ１〜Ｑｎはそれぞれ、例えば幅１００〜２０
０μｍ１電極間間隔が１００〜２００μ「ｎ程度、換言
すれば上記間隙Ｐ１〜ｐｎのサイズが各々１００Ｘ　１
００μｍ〜２００Ｘ２００μｍ程度となるように形成さ
れてＪ５す、各電極対Ａ１〜Ａｎは互いの間隔を１００
〜２００μｍ程度に設定して配列されている。これらの
共通電極Ｃ１〜Ｑｎと個別電極Ｄ１〜［）ｎは、基板１
０上に形成されたドライバ１５に接続されている。（な
おドライバ１５は基板１０とは独立して設けられてもよ
い）また隣接層１２の表面には、上記電極間の間隙Ｐ１
、Ｐ２、Ｐ３〜Ｐｎにそれぞれ対向する位置において回
折格子Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３〜Ｇｎが形成されている。

−力光導波層１１には、電極間間隙Ｐ１〜Ｐｎの並び方
向の延長上において、導波路レンズ１６が形成されてお
り、また基板１０には光導波層１１内の上記導波路レン
ズ１６に向けてレーザビーム１４°を射出する半導体レ
ーザ１１が取り伺けられている。そして隣接層１２から
図中上方に離れた位置には、副走査手段としてのエンド
レスベルト装置１９が配設され、該エンドレスベルト装
置１９により感光体１８が、矢印Ｙ方向（間隙Ｐ１〜ｐ
ｎの並び方向と直角な方向）に移送されるようになって
いる。

第５図は上記光走査部２０の駆動回路２１を含む記録装
置の制御回路を示すものである。以下この第５図を参照
して、光走査部２０の作動について説明する。まず前述
の半導体レーザ１１が駆動され、レーザビーム１４′が
光導波１１１１内に射出される。このレーザビーム１４
′は導波路レンズ１６によって平行光１４とされ、この
光１４は光導波層１１内の電極間開ｌ１ｌＩＰ１〜Ｐｎ
の並び方向に進行する（第４図参照）。そして共通電極
Ｃ１〜Ｃｎと個別電極Ｄ１〜Ｑｎとの間には、電圧発生
回路２２から発生された電圧■が、前記ドライバ１５を
介して印加される。

ここで上記ドライバ１５は、クロック信号ＣＬＫに同期
して作動するシフトレジスタ２３の出力を受けて作動し
、共通電極０１〜Ｃｎとの間に電圧を印加する個別電極
を１つづつ順次選択して、上記電圧印加を行なう。つま
り最初はｎ個の個別電極Ｄ１〜Ｄｎのうち１番目の個別
電極Ｄ１と共通電極Ｃ１との間のみに、次は２番目の個
別電極Ｄ２と共通電極Ｃ２との間のみに、・・・・・・
と電圧Ｖが印加される。こうして電極対Ａ１〜Ａｎの各
電極間に順次電圧が印加され、電極間間隙Ｐ１〜Ｐｎに
順次電界が加えられると、その電界が加えられた部分の
隣接層１２の光屈折率が高くなる。すると前述したよう
に前記光１４はその間隙Ｐ１〜Ｐｎに対向する部分にお
いて光導波層１１から隣接層１２側に出射し、回折格子
０１〜Ｇｎの回折作用により隣接層１２外に出射する。

つまり最初は回折格子Ｇ１から、次は回折格子Ｇ２から
、回折格子Ｇｎの次は元に戻って回折格子Ｇ１から、と
光１４の出射位置が順次変化するので、感光体１８はこ
の出射した光１４により、第４図の矢印Ｘ方向に走査さ
れるようになる（なお光出射位置が、回折格子Ｇ１→Ｇ
２−＋・−−−−−Ｇｎ−＋Ｇ　（ｎ−１＞　−＋Ｇ　
（ｎ−２）　−・・・−ト変化するように、電極対Ａ１
〜Ａｎへの電圧印加を制御してもよい）。そして第５図
に示すように、半導体レー）ｆ１７のドライバ２４を変
調回路２５によって制御して、レーザビーム１４′を画
像信号Ｓに基づいて変調すれば、感光体１８にはこの画
像信号Ｓが担持する画像が１主走査ライン記録される。

なおこのとぎ、上記変調のタイミングを前記クロック信
号ＣＬＫによって制御して、光走査のタイミングと同期
させる。そして上記のようにして主走査を行なうととも
に、クロック信号ＣＬＫによって該主走査と同期をとっ
てエンドレスベルト装置１９を駆動し、感光体１８を第
４図の矢印Ｙ方向に移動させて副走査を行なえば、この
感光体１８には上記画像信号Ｓが担持する２次元像が記
録されるようになる。

なお本実施態様において隣接Ｗｉ１２の表面に設けられ
る回折格子０１〜Ｑｎは、集光回折格子として形成され
ており、該回折格子０１〜Ｇｎから出射した光１４は、
感光体１８上の一点に集束されるようになっている。こ
の集光回折格子は、光導波層１１内の光１４の進行方向
に同心円状の格子パターン（グリッドパターン）を並設
し、そして各パターンの曲率とパターン間ピッチを変化
させてなるものであり、それにより上述のような集束作
用を有するものとなっている。なおこのような集光回折
格子については、例えば電子通信学会技術研究報告０Ｑ
Ｃ８３−８４の４７〜５４ページ等に詳しく記載されて
いる。

また、半導体レーザ１７を光導波層１１に直接結合せず
に、レンズやカプラープリズム、グレーティングカブラ
等を介して光導波層１１に光を入射させるようにしても
よい。また半導体レーザ１１は光導波層１１の形成時に
これと一体に形成されてもよい。

そして走査光を発生する光源も上述の半導体装置ザ１７
に限らず、その他例えばガスレーザや固体レーザ等が用
いられてもよい。

また、連続調画像を記録する場合、上記レーザビーム１
４′の変調は、従来から公知の光強度変調により行なっ
てもよいし、あるいは該レーザビーム１４′をパルス状
に出射させ、パルス数変調、またはパルス幅変調を行な
うようにしてもよい。なお感光体１８を走査する光１４
を画像信号に応じて変調するには、上記のように半導体
レーザ１７を直接変調する他、この半導体レーザ１７と
光導波層１１との間に例えばＥＯＭ（電気光学光変調器
）、ＡＯＭ（音響光学光変調器）等の光変調器を設けて
、この光変調器によりレーザご一ム１４゛を変調するよ
うにしてもよい。

ざらに本発明の光走査記録装置においては、光導波Ｉ！
１１に入射させる光は一定強度に保ったまま、走査光を
変調することも可能である。第６図はそのように形成さ
れた本発明の別の実Ｍ態様装置の１ｆｌｔ１１回路を示
すものである。なおこの第６図において、前記第５図中
の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについて
の説明は省略する（以下、同様）。この第６図の装置に
おいては、電圧発生回路２２はパルス状の電圧Ｖを発生
し、選択された個別電極Ｄ１〜は［）ｎと共通電極Ｃ１
〜Ｏｎとの間には、このパルス状の電圧Ｖが印加される
ようになっている。したがって隣接層１２の各回折格子
０１〜Ｇｎからはパルス状に光１４が出射し、このパル
ス状の光１４によって感光体１８の各走査点が走査され
る。そして上記電圧発生回路２２は変調回路２５により
、各電極対Ａ１〜Ａｎにおいて、画像信号Ｓに応じて電
圧のパルス数またはパルス幅を変えるように制御される
。したがって感光体１８を走査する光１４のパルス数ま
たはパルス幅が、各走査点毎に（画素毎に）画像信号Ｓ
に応じて変えられ、感光体１８には連続調画像が記録さ
れるようになる。このような変調方式は、連続調画像記
録の場合のみならず、白黒の２値画像を記録する場合に
も適用されうる。すなわち、電圧発生回路２２からドラ
イバ１５に与えられる駆動電圧を画像信号Ｓに応じて０
Ｎ−ＯＦＦすれば、シフトレジスタ２３からの信号によ
り電圧印加する個別電極Ｄ１〜Ｏｎを順次選択しても、
所定の電極対Ａ１〜Ａｎにおいては電圧印加がなされな
いことになり、光導波層１１から隣接層１２への光出射
が制御されて感光体１８に２値画像が記録される。

また隣接層１２から出射した光１４を１点に集束させる
には、前記のように回折格子０１〜Ｑｎを集光回折格子
とする他、第７図に示すように、光走査装置２０と感光
体１８との間に例えばセルフォックレンズアレイ等から
なるレンズアレイ３０を設けるようにしてもよい。また
第８図に示すように隣接層１２の上に、各電極間間隙Ｐ
１、Ｐ２、Ｐ３〜Ｐｎに対向する位置にレンズＬ１、Ｌ
２、Ｌ３〜Ｌｎが設けられたレンズアレイ層３１を設け
るようにしてもよい。この場合上記レンズし１〜ｌ−ｎ
は、第８図に示されるように通常の凸レンズ状としても
よいし、またアレイ層材料の屈折率に分布を与えてなる
屈折率分布型レンズとしてもよい。さらには上記のよう
なレンズアレイ３０やレンズアレイ層３１と、前記集光
回折格子の双方によって光１４を集束させるようにして
もよい。しかし上記集光回折格子のみを用いれば、レン
ズアレイ３０やレンズアレイ１ＩＪ３１が不要となり、
光走査部の構造が簡単になって好ましい。また隣接層１
２から出射する光１４を以上説明のようにして集束させ
ることは必ずしも必要ではなく、場合によっては平行光
、あるいは拡散光によって感光体１８を走査するように
しても構わない。

以上説明した実ｍｒａ様においては、光導波層１１と隣
接層１２との積層体１３は基板１０上に設けられている
が、特にこのような基板１０を用いず、光導波層１１が
直接空気に接するようにしても構わないし、さらには光
導波層１１の両表面に隣接層１２を積層して、光導波層
１１の上下両側に走査光を出射させ、２つの感光体を同
時に走査することも可能である。

また副走査手段としては前記エンドレスベルト装置１９
に限らず、例えば回転ドラム等、その他の公知のものが
用いられてもよい。勿論、この副走査手段は感光体を移
動させるものの他、静置された原稿の表面に沿って光走
査部を移動させるものであってもよい。特に本発明装置
は、機械的作動部分を持たない簡単な積層体１３によっ
て光走査部が構成されているので、容易に光走査部を移
動させることができる。

さらに本発明の光走査記録装置は、前記電極間間隙Ｐ１
〜Ｐｎ等のエネルギー付加箇所が複数列並ぶように形成
することもできる。そのようにすれば、例えばエネルギ
ー付加箇所の各列に対してそれぞれＲｌＧ、Ｂ等の色フ
ィルタや、発光色が相異なる光源を組み合わせるなどし
て、カラー画像記録のために用いることも可能になる。

（発明の効果） 以上詳細に説明した通り本発明の光走査記録装置は、単
一の光源を使用して光走査を行なうものであるから、前
記ＬＥＤアレイ等にみられる光源の発光強度バラツキの
問題が無く、精密走査が可能となり、光源の光利用効率
も高められる。また本発明の光走査記録装置は、機械的
作動部分を備えない簡単な光走査部によって光走査を行
なうものであるから耐久性、耐振動性に優れて調整も容
易であり、さらに光ビームを大きく振らずに走査可能で
あるから、光走査系の大型化を回避し、小型に形成する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の光走査の仕組みを説明する説明図
、 第２（ａ）〜（Ｃ）図は第１図の装置の分散曲線を示す
グラフ、 第３（ａ）〜（Ｃ）図は第１図の装置における導波光の
電界分布を表わす概念図、 第４図は本発明の第１実施態様によ光走査記録装置を示
す斜視図、 第５図は上記光走査記録装置の電気回路を示すブロック
図、 第６図は本発明の第２実施態様による光走査記録装置の
電気回路を示すブロック図、 第７図、第８図はそれぞれ、本発明の第３実施態様、第
４実施態様による光走査記録装置の一部を示す側断面図
である。 １０・・・基板　　　　　　１１・・・光導波層１２・
・・隣接層　　　　　１３・・・積層体１４・・・光　
　　　　　　１５・・・ドライバ１６・・・導波路レン
ズ　　１７・・・半導体レーザ１８・・・感光体　　　
　　１９・・・エンドレスベルト１ａ２０・・・光走査
部　　　　２１・・・駆動回路２２・・・電圧発生回路
　　２３・・・シフトレジスタ２５・・・変調回路　　
　　　Ａ１〜Ａｎ・・・電極対Ｇ１〜Ｇｎ・・・回折格
子　Ｐ１〜ｐｎ・・・電極間間隙第６図 （自発）手続？市正書 特許庁長官　殿　　　　　　　　　　　　昭和６０年７
月５日１、事件の表示　　　　　　　　　　　　　　　
　　匹′は１特願昭６０−７４０６３号 ２６発明の名称 光走査記録装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 柱　所゛　　神奈川県南足柄市中沼２１０番地名　称　
　　　富士写真フィルム株式会社４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 はうらいやビル　７階 （７３１８）弁理士　柳　１）征　史　（ほか１名）５
、補正命令の日付　　　な　　し ６、補正により増加する発明の数　　　な　　し７、補
正の対象　　　明細層の「発明の詳細な説明」の欄８、
補正の内容 １）明細書第８頁第１７行 「光のモードの」を削除する・ ２）同第９頁第８行 ｒＮｚ　＞Ｎｓ　＞Ｎ３　ＪをｒＮｚ　＞Ｎ１．Ｎ３　
Ｊと訂正する。 ３）同第１１頁第８〜９行 「なお・・・・・・には、」を１また、」と訂正する。 ４）同第１３頁第４行 ｒＮｚ　＞Ｎ１＞Ｎ３　ＪをｒＮｚ　＞Ｎｔ　、Ｎ３　
Ｊと訂正する。 ５）同頁第１２〜１５行 ＦＴ、　Ｔａｍ　ｉ　ｒ−Ｖｅ　ｒ　Ｉ　ａｑＪ　’ｉ
　ｒティー９ミー）Ｌｔ（Ｔ、Ｔａｍ１　ｒ）編「イン
チグレイテッド　オブティクス（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
　　Ｑｐｔｉｃｓ）Ｊ　　（トビツクスイン　アプライ
ド　フィジックス（ＴＯρｉｃｓ　　１ｎＡｐｐｌｉｅ
ｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ）第７巻）スブリンガ−７エアラ
ーグ（Ｓｐｒ　ｉ　ｎｑｅｒ−Ｖｅｒ　ｌ　ａｑ）Ｊと
訂正する。 ６）同第１４頁第１１行 ｒｌｏｏ　〜２００ｕ、ｍＪを「１０μｍ〜２００μｍ
」と訂正する。 ７）同頁第１２行 「１００〜２００μｍ」を１１０μｍ〜５ｍｍＪと訂正
する。 ８）同頁第１３〜１４行 「１００×１００μｍ〜２００×２００μｍ」を［１０
×１０μｍ−０，２Ｘ５ｍｍＪと訂正ｔ　ル。 （自発）手続？ＰｒＪ正書 特許庁長官　殿　　　　　　　　　　　　昭和６１年２
月６日金 １、事件の表示 特願昭６０−７４０６３号 ２、発明の名称 光走査記録装置 ３、訂正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 柱　所　　　神奈川県南足柄市中沼２１０番地名　称　
　　　富士写真フィルム株式会社４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 はうらいやビル　７階 ＜７３１８）弁理士　柳　１）征　史　（ほか１名）５
、補正命令の日付　　　な　　し ６、補正により増加する発明の数　　　な　　し７、補
正の対象　　明細書の「発明の詳細な説明Ｊの欄、図面
（１）　明細書第９頁第６行および第１４行「光導波層
」の次に１１１１を加入する。 （２）　同頁第８行 「接層」の次に１−１２」を加入する。 （３）　同頁第１５行 「導波光」の次に１１４」を加入する。 （４）　同第１０頁第８行 １−減少」をｌ−増大」と訂正する。 （５）　同第１１頁第１行 「図に」を［図のコと訂正する。 （６）　同第１５頁最終行 １−１１内のコを「１１内を」と訂正する。 （７）　同第１８頁第７行 １−同心円」を「２次曲線コと訂正する。 （８）　昭和６０年７月５日付手続補正書の補正の内容
の２）および４）項の補正事項全文を、以下の通り訂正
する。 ｌ　１−ｎ２　＞　ｎｌ　＞　ｎ３４をｒｎｚ　＞ｎ、
、ｎ３」と訂正する。」（９）　第２図を添付のものと
差し代える。 第２Ｖ （Ｃ）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一方がエネルギー付加により光屈折率
   を変える材料からなり、互いに密着された光導波層と通
   常は該光導波層よりも小さい光屈折率を示す隣接層との
   積層体と、 前記光導波層および／または隣接層に、前記光導波層内
   を進む導波光の光路に沿つて設けられた複数のエネルギ
   ー付加手段と、 前記隣接層の上部の、少なくとも前記エネルギー付加手
   段によるエネルギー付加箇所に対応する部分にそれぞれ
   設けられた回折格子と、 前記光導波層内に、前記配列されたエネルギー付加箇所
   に沿つて進むように光を入射させる光源と、 前記複数のエネルギー付加手段を順次択一的に所定のエ
   ネルギー付加状態に設定し、そのエネルギー付加箇所に
   おいて前記導波光が前記回折格子との相互作用により前
   記積層体の外に出射するように前記光導波層および／ま
   たは隣接層の光屈折率を変化させる駆動回路と、 前記積層体から出射した前記光が照射される位置に配さ
   れた感光体と前記積層体とを、前記エネルギー付加箇所
   の配列方向と略直角な方向に相対移動させる副走査手段
   と、 前記積層体から出射する光を画像信号に応じて変調する
   変調手段とからなる光走査記録装置。
2. （２）前記材料が電界印加により光屈折率を変える電気
   光学材料であり、前記エネルギー付加手段が電極対であ
   り、前記エネルギー付加箇所がこの電極対の電極間間隙
   であり、前記駆動回路が前記電極対の電極間に電界を印
   加するように形成されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の光走査記録装置。
3. （３）前記変調手段が、前記光源から前記光導波層内に
   入射される光を変調する光変調器であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項または第２項記載の光走査記録
   装置。
4. （４）前記変調手段が、前記電界をパルス状に印加し、
   そして各電極対においてそれぞれ画像信号に応じて前記
   パルスの幅または数を変化させる変調回路であることを
   特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光走査記録装置
   。
5. （５）前記回折格子が、前記光導波層から前記隣接層内
   に入射した光を、集束するように出射させる集光回折格
   子であることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第
   ４項いずれか１項記載の光走査記録装置。
6. （６）前記積層体の外側に、前記積層体から出射した光
   を集束させる集束光学系が設けられていることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項から第５項いずれか１項記載
   の光走査記録装置。