JPS61232425A - 光走査読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は光走査読取装置、特に詳細には電気光学材料等
の外場印加あるいはエネルギー付加く以下これらをまと
めてエネルギー付加という）により光屈折率を変える材
料を用いて光走査を行なうようにした光走査読取装置に
関するものである。

（従来の技術） 周知の通り従来より、原稿を光で走査し、該原稿からの
透過光、反射光あるいは発光光を光電的に検出して、該
原稿に記録されている画像を読み取るようにした、光走
査読取装置が種々提供されている。このような読取装置
において読取光を１次元的に走査する光走査装置として
従来より、■例えばガルバノメータミラーやポリゴンミ
ラー（回転多面１ｔ）等の機械式光偏向器により光ビー
ムを偏向走査させるもの、 ■ＥＯＤ　（電気光学光偏向器）やＡＯＤ　（音響光学
光偏向器）など固体光偏向素子を用いた光偏向器により
光ビームを偏向走査させるもの、■液晶素子アレイやＰ
ＬＺＴアレイ等のシャッタアレイと線光源とを組合せ、
シャッタアレイの各シャッタ素子に個別的に駆動回路を
接続し、画像信号に応じて、０Ｎ１０ＦＦを選択して同
時に開くことにより線順次走査をさせるもの、さらには
■ＬＥＤ等の発光素子を多数−列に並設し、各発光素子
に個別的に駆動回路を接続し、画像信号に応じて０Ｎ１
０ＦＦを選択して同時に発光させることにより線順次走
査させるもの等が知られている。

ところが上記■の機械式光偏向器は振動に対して弱く、
また機械的耐久性も低く、その上調整が面倒であるとい
う欠点を有している。さらに光ビームを振って偏向させ
るために光学系が大きくなり、読取装置の大型化を招く
という問題もある。

また■のＥＯＤやＡＯＤを用いる光走査読取装置にあっ
ても、上記と同様に光ビームを振って偏向させるために
、装置が大型になりやすいという問題がある。特に上記
ＥＯＤやＡＯＤは光偏向角が大きくとれないので、■の
機械式光偏向器を用いる場合よりもさらに光学系が大き
くなりがちである。

一万〇のシャッタアレイを用いる光走査読取装置にあっ
ては、偏光板を２枚使用する必要があることから、光源
の光利用効率が非常に低いという問題がある。

また■の発光素子を多数並設して用いる光走査読取装置
にあっては、各発光素子の発光強度にバラツキが生じる
ため、精密走査には不向きであるという問題がある。

（発明の目的） 本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、耐久性、耐振動性に優れ、調整が容易で、光利用効率
が高く、精密走査が可能で、しかも小型に形成されうる
光走査読取装置を提供することを目的とするものである
。

（発明の構成） 本発明の光走査読取装置は、少なくとも一方がエネルギ
ー付加により光屈折率を変える材料からなり、互いに密
着された光導波層と通常は該光導波層よりも小さい光屈
折率を示ず隣接層との積層体と、 前記光導波層および／または隣接層に、前記光導波層内
を進む導波光の光路に沿って設けられた複数のエネルギ
ー付加手段と、 前記隣接層の上部の、少なくとも前記エネルギー付加手
段によるエネルギー付加箇所に対応する部分にそれぞれ
設けられた回折格子と、前記光導波層内に、前記配列さ
れたエネルギー付加箇所に沿って進むように光を入射さ
せる光源と、 前記複数のエネルギー付加手段を順次択一的に所定のエ
ネルギー付加状態に設定し、そのエネルギー付加箇所に
おいて前記導波光が前記回折格子との相互作用により前
記積層体の外に出射するように前記光導波層および／ま
たは隣接層の光屈折率を変化させる駆動回路と、 前記積層体から出射した光が照射される位置に配された
読取原稿と前記積層体とを、前記エネルギー付加箇所の
配列方向と略直角な方向に相対移送させる副走査手段と
、 前記光の照射によって得られる、前記原稿からの透過光
、反射光あるいは発光光を光電的に検出する光検出器と
からなるものである。

上記においてエネルギー付加により光屈折率を変える材
料としては、前記電気光学材料の他、熱により光屈折率
を変える熱光学材料、超音波により光屈折率を変える音
響光学材料、磁界により光屈折率を変える磁気光学材料
等を用いることができる。

（作　　用） 本発明の光走査読取装置は、光導波層の光屈折率（ｎｌ
）および／または隣接層の光屈折率（ｎｌｓ通常状態す
なわちエネルギーが付加されていない状態ではｎｌ　＞
ｎｌの関係を持つ）を、その差（ｎｌ　−ｎｓ　）が小
さくなるように、あるを変化させ、回折格子との相互作
用によって導波光を光導波層と隣接層との積層体から外
部へ取り出し、これを読取走査光として利用するように
したものである。

より詳細に説明するならば、例えば第１図に示すように
、本発明で用いる光走査装置が、基板１０上に光導波層
１１、回折格子Ｇをもつ隣接１１１２（−例として電気
光学材料から形成されているものとする）を有し、基板
１０の光屈折率ｎ３、光導波層の光屈折率ｎ２、電界を
印加していないときの隣接層の光屈折率ｎ１の間にｎｌ
　＞ｎ、　＞＋１３の関係が成り立っているものとする
。

第１図で示した構成の場合、その電界非印加時の分散曲
線は第２（ａ）図のように表わされる。

第２（ａ）図において縦軸は光の実効屈折率を、また横
軸は光導波層１１の厚みを表わし、光導波層１１の厚み
を王とすると、光導波層の実効屈折率はｎ　ｅｆｆであ
る。この時導波光の界分布（電界分布）は、例えばＴＥ
ｏモードを仮定すると、第３（ａ）図のように表わされ
る。第３（ａ）図は導波光が隣接［１２や基板１０にわ
ずかに浸み出しているものの、回折格子Ｇと相互作用を
するにはいたらず、導波光がほとんど外部へ漏れずに光
導波ＦＪ１１中を進行している状態を示している。

次に、隣接層１２に直接あるいは中間層を介して設けた
電極対（この第１図においては図示せず）（７１１１極
間に電界を印加して、電極間間隙Ｐの部分にお【）る隣
接層１２の光屈折率をｎｌからｎ１＋△ｎへ増加させる
。この時、分散曲線は第２（ｂ）図の１点鎖線で表わせ
られ、光導波層１１の実効屈折率ｎ　ｅｆｔはｎ’ｅＨ
に減少する。この時の導波光の電界分布は第３（ｂ）図
のように変化し、隣接層１２への導波光の浸み出し光が
、回折格子Ｇと十分相互作用するように増加する。その
結果、図の斜線部の浸み出し光が図の上方（回折格子Ｇ
の種類によっては下方又は上下双方）へ放射されながら
進行し、遂には、はとんどの導波光が外部へ取り出され
る。

また、第１図で示した構成において、隣接層１２の光屈
折率を０１からｎ１＋Δｎ′に変化させたとき、このｎ
１＋Δｎ　＋１の値が、隣接層１２の光屈折率の変化に
伴って変化する光導波層１１の実効屈折率ｎ”ｅｆｆと
等しくなるほどに大きくなると、その分散曲線は第２（
Ｃ）図に１点鎖線のようになり、導波光は導波モードか
ら放射モードへ変換し、光は隣接層１２へ移行する。こ
のときの導波光の電界分布は第３（Ｃ）図のように変化
し、導波光は隣接層１２へ多山に漏れ出し、回折格子Ｇ
と相互作用して図の上方（および／または下方）へ放射
されながら進行し、速やかに外部に取り出される。なお
先導波１ｉ１１の厚みが十分に厚い場合（例えば１００
μｍ以上）には、隣接層１２の光屈折率ｎ１を光導波層
１１の光屈折率ｎ２と略等しいか又はｎｌよりも大ぎく
なるように変化させることによって、光導波層１１内の
導波光の全反射条件を変化させて導波光を隣接層中に移
動させ、更に回折格子Ｇとの相互作用により、外部へ取
り出すことができる。このようにして、電界を印加した
場所で導波光を外部に取り出すことができるから、上述
の電極対を複数、上記間隙Ｐが隣接層１２に沿って１列
に延びるように設けておき、各電極対に順次択一的に電
界を印加すれば、隣接層１２からは出射位置を変えなが
ら光が出射するようになり、光走査がなされる。

なお前述のように隣接層１２を電気光学材料から形成し
てその光屈折率を変化させる他、反対に光導波層１１を
電気光学材料から形成してそこに電極対を設け、該光導
波層１１の光屈折率を変化させる（低下させる）ように
してもよいし、さらには光導波層１１と隣接層１２の双
方を電気光学材料から形成して双方に電極対を設け、双
方の光屈折率を変化させるようにしてもよい。

また、この時、回折格子Ｇの構造を集光性回折格子にし
ておくと取り出された光は一点へ集光し、散逸を防ぐこ
とができる。

（実施態様） 以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明する。

第４図および第５図は本発明の一実施態様による光走査
読取装置を示すものである。第４図に示されるようにこ
の光走査読取装置は、光走査部２０と、副走査手段とし
てのエンドレスベルト装置４０と、光検出器としてのフ
ォトマル５０と、このフォトマル５０に接続された集光
体６０とを備えている。

第５図は上記フォトマル５０と集光体６０を省略して光
走査部２０を詳しく示すものである。まず、第５図を参
照して光走査部２０を詳しく説明する。基板１０の上に
は、光導波層１１と該光導波層１１に密着した隣接層１
２とからなる積層体１３が設けられている。

なお隣接層１２は一例として、前述した電気光学材料か
ら形成されている。そして前述のように光導波層１１内
を光が進行しうるように光導波層１１、隣接層１２、基
板１０はそれぞれ、前記関係ｎ、、　　＞ｎｌ　　＞　
　ｎ３ を満たす材料から形成されている。なお前述の通り、ｎ
ｌ　、ｎ３はそれぞれ光導波層１１、基板１０の光屈折
率、ｎｌは隣接層１２の電界非印加時の光屈折率である
。このような光導波層１１、隣接層１２、基板１０の材
料の組合せとしては例えば、（Ｎ　ｂ　２０ｓ　　：Ｋ
ｓ　Ｌｉｚ　Ｎ１）ｓ　ＯｔＳニアｊ７ス）、（Ｎｂ２
０、：ＬｉＮｂｏ３　ニガラス〕等が挙げられる。

尚、先導波路については、例えばＴ、Ｔａｍｌｒ編Ｎｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ　　０ｐｔｉｃｓＪ　（ＴＯｐｉｃｓ
　　　ｉｎ　　　ＡＩ）ｐｌ　ｉｅｄ　　　ＰｉｌｙＳ
ｉＣＳ　　第７巻＞Ｓｐｒ　ｉ　ｎｏｅｒ−Ｖｅｒ　ｌ
　ａｃＪ刊（１９７５）：６原、春名、栖原共著「光集
積回路」オーム社刊（１９８５）等の成著に詳細な記述
があり、本発明では光導波層、隣接層、基板の組合せと
してこれら公知の光導波路のいずれをも使用できる。ま
た−例として光導波Ｗ４１１は厚さ０．５〜１０μｍ１
隣接層１２はそれぞれ厚さ１〜５０μｍ１基板１０は１
μｍ以上に形成されるがこれに限るものではない。

隣接層１２内には電極対Ａ１、Ａ２、Ａ３〜Ａｎが多数
対並設されている。上記電極対Ａ１、Ａ２、Ａ３〜Ａｎ
は、それぞれ共通電極Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３〜Ｃｎと個別電
極Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３〜Ｄｎとからなり、各電極間の間隙
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３〜ｐｎが隣接層１２に沿って１列に延
びるように並べられている。なお共通電極Ｃ１〜Ｃｎと
個別電極Ｄ１〜Ｄｎはそれぞれ、例えば幅１００〜２０
０μｍ、電極間間隔が１ｏＯ〜２００μｍ程度、換言す
れば上記間隙Ｐ１〜ｐｎのサイズが各々１００×１００
μｍ〜２００Ｘ２００μｍ程度となるように形成されて
おり、各電極対Ａ１〜Ａｎは互いの間隔を１００〜２０
０μｍ程度に設定して配列されている。これらの共通電
極Ｃ１〜Ｏｎと個別電極Ｄ１〜□ｎは、基板１０上に形
成されたドライバ１５に接続されている。（なおドライ
バ１５は基板１０とは独立して設けられてもよい。）ま
た隣接層１２の表面には、上記電極間の間隙Ｐｉ、Ｐ２
、Ｐ３〜ｐｎにそれぞれ対向する位置において回折格子
Ｇ１、Ｇ２．０３〜（３ｎが形成されている。

−力光導波層１１には、電極間間隙Ｐ１〜ｐｎの並び方
向の延長上において、導波路レンズ１６が形成されてお
り、また基板１０には光導波層１１内の上記導波路レン
ズ１６に向けてレーザビーム１４′を射出する半導体レ
ーザ１７が取り付けられている。そして隣接層１２から
図中上方に離れた位置には、エンドレスベルト装置４０
が配設され、該エンドレスベルト装置４０により読取原
稿１８が、矢印Ｙ方向（間隙Ｐ１〜ｐｎの並び方向と直
角な方向）に移送されるようになっている。

第６図は上記光走査部２０の駆動回路２１を示すもので
ある。以下この第６図を参照して、光走査部２０の作動
について説明する。まず前述の半導体レーザ１１が駆動
され、レーザビーム１４′が光導波層１１内に射出され
る。このレーザビーム１４′は導波路レンズ１６によっ
て平行光１４とされ、この光１４は光導波層１１内の電
極間間隙Ｐ１〜ｐｎの並び方向に進行する（第５図参照
）。そして共通電極０１〜Ｃｎと個別電極Ｄ１〜［）ｎ
との間には、電圧発生回路２２から発生された電圧■が
、前記ドライバ１５を介して印加される。ここで上記ド
ライバ１５は、クロック信号ＣＬＫに同期して作動する
シフトレジスタ２３の出力を受けて作動し、共通電極０
１〜Ｃｎとの間に電圧を印加する個別電極を１つづつ順
次選択して、上記電圧印加を行なう。つまり最初はｎ個
の個別電極Ｄ１〜Ｑｎのうち１番目の個別電極Ｄ１と共
通電極Ｃ１との間のみに、次は２番目の個別電極Ｄ２と
共通電極Ｃ２との間のみに、・・・・・・と電圧Ｖが印
加される。こうして電極対Ａ１〜Ａｎの各電極間に順次
電圧が印加され、電極間間隙Ｐ１〜ｐｎに順次電界が加
えられると、その電界が加えられた部分の隣接層１２の
光屈折率が高りナル。すると前述したように前記光１４
はその間隙Ｐ１〜ｐｎに対向する部分において光導波層
１１から隣接層１２側に出射し、回折格子０１〜Ｑｎの
回折作用により隣接層１２外に出射する。つまり最初は
回折格子Ｇ１から、次は回折格子Ｇ２から、回折格子Ｇ
ｎの次は元に戻って回折格子Ｇ１から、と光１４の出射
位置が順次変化するので、原稿１８はこの出射した光１
４により、第４図の矢印Ｘ方向に走査されるようになる
（なお光出射位置が、回折格子Ｇ　１−）Ｇ　２−＋・
−・−Ｇ　ｎ−＋Ｇ　（ｎ　−１）　→Ｇ（ｎ−２＞・
・・・・・と変化するように、電極対Ａ１〜Ａｎへの電
圧印加を制御してもよい）。そしてこのようにして主走
査を行なうとともに、クロック信号ＣＬＫによって該主
走査と同期をとってエンドレスベルト装置４０を駆動し
、原稿１８を第４図の矢印Ｙ方向に移動させて副走査を
行なえば、この原稿１８は光１４によって２次元的に走
査されるようになる。

上記原稿１８は一例として、特開昭５５−１２４２９号
、同５６−１０４６４５号公報等に示される蓄積性螢光
体シートであり、この蓄積性螢光体シート１８は被写体
を透過した放射線が照射されることにより、該被写体の
放射線画像情報を蓄積記録している。この蓄積性螢光体
シート１８が上述のようにして光１４によって走査され
ると、該シート１８の光１４が照射された箇所からは、
蓄積記録された放射線画像情報を担持する輝尽発光光４
１が発せられる（第４図参照）。この輝尽発光光４１は
集光体６０によって集光され、フォトマル（光電子増倍
管）５０により光電的に検出される。このフォトマル５
０の出力信号は適当な画像処理を施されてから図示しな
い画像再生装置に送られ、上記放射線画像情報の再生に
供せられる。

なお本実施態様において隣接層１２の表面に設けられる
回折格子０１〜Ｇｎは、集光回折格子として形成されて
おり、該回折格子Ｇ１〜Ｇｎから出射した光１４は、原
８１１８上の一点に集束されるようになっている。この
集光回折格子は、光導波層１１内の光１４の進行方向に
同心円状の格子パターン（グリッドパターン）を並設し
、そして各パターンの曲率とパターン間ピッチを変化さ
せてなるものであり、それにより上述のような集束作用
を有するものとなっている。なおこのような集光回折格
子については、例えば電子通信学会技術研究報告０ＱＣ
８３−８４の４７〜５４ページ等に詳しく記載されてい
る。

また半導体レーザ１７を光導波層１１に直接結合せずに
、レンズやカプラープリズム、グレーティングカプラ等
を介して光導波層１１に光を入射させるようにしてもよ
い。また半導体レーザ１１は光導波Ｍ１１の形成時に、
これと一体になるよう形成してもよい。そして走査光を
発生する光源も上述の半導体レーザ１１に限らず、その
他例えばガスレーザや固体レーザ等が用いられてもよい
。

また隣接１ｉ１２から出射した光１４を１点に集束させ
るには、上記のように回折格子０１〜Ｇｎを集光回折格
子とする他、第７図に示すように、光走査部２０と原稿
１８との間に例えばセルフォックレンズアレイ等からな
るレンズアレイ３０を設けるようにしてもよい。また第
８図に示すように隣接層１２の上に、各電極間間隙Ｐ１
、Ｐ２、Ｐ３〜ｐｎに対向する位置にレンズＬ１、Ｌ２
、Ｌ３〜Ｉｎが設けられたレンズアレイ層３１を設ける
ようにしてもよい。この場合上記レンズＬ１〜ｉｎは、
第８図に示されるように通常の凸レンズ状としてもよい
し、またアレイ層材料の屈折率に分布を与えてなる屈折
率分布型レンズとしてもよい。さらには上記のようなレ
ンズアレイ３０やレンズアレイ層３１と、前記集光回折
格子の双方によって光１４を集束させるようにしてもよ
い。しかし上記集光回折格子のみを用いれば、レンズア
レイ３０やレンズアレイ層３１が不要となり、光走査部
の構造が簡単になって好ましい。また隣接層１２から出
射する光１４を以上説明のようにして集束させることは
必ずしも必要ではなく、場合によっては平行光、あるい
は拡散光によって原稿１８を走査するようにしても構わ
ない。

以上、蓄積性螢光体シートからの揮尽発光光を読み取る
装置として形成された実施態様について説明したが、本
発明の光走査読取装置は、原稿を光で走査し、その原稿
からの反射光あるいは透過光を光電的に検出して原稿画
像を読み取るように形成することも勿論可能である。

また以上説明した実施態様においては、光導波層１１と
隣接層１２どの積層体１３は基板１０上に設けられてい
るが、特にこのような基板１０を用いず、光導波層１１
が直接空気に接するようにしても構わないし、さらには
光導波層１１の両表面に隣接層１２を積層して、先導波
１１ｉ１１の上下両側に走査光を出射させ、２つの読取
原稿を同時に走査することも可能である。

また副走査手段としては前記エンドレスベルト装置４０
に限らず、例えば回転ドラム等、その他の公知のものが
用いられてもよい。勿論、この副走査手段は読取原稿を
移動させるものの他、静置された原稿の表面に沿って光
走査部を移動させるものであってもよい。特に本発明装
置においては、機械的作動部分を持たない簡単な積層体
１３によって光走査部が構成されているので、容易に光
走査部を移動させることができる。また光検出器も前記
フォトマル５０に限られるものではなく、例えばフォト
ダイオードアレイ等、その他の公知のものが用いられて
もよい。

さらに、本発明の光走査読取装置は、前記電極間間隙Ｐ
１〜ｐｎ等のエネルギー付加箇所が複数列並ぶように形
成することもできる。そのようにすれば、例えばエネル
ギー付加箇所の各列に対してそれぞれＲ，Ｇ、Ｂ等の色
フィルタや、発光色が相異なる光源を組み合わせるなど
して、カラー原稿を色分解して読み取るために用いるこ
とも可能になる。

（発明の効果〉 以上詳細に説明した通り本発明の光走査読取装置は、単
一の光源を使用して光走査を行なうものであるから、前
記ＬＥＤアレイ等にみられる光源の発光強度バラツキの
問題が無く、精密走査が可能となり、光源の光利用効率
も高められる。また本発明の光走査読取装置は、機械的
作動部分を備えない簡単な光走査部によって光走査を行
なうものであるから、耐久性、耐振動性に優れて調整も
容易であり、さらに光ビームを大きく振らずに走査可能
であるから、光走査系の大型化を回避し小型に形成する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の光走査の仕組みを説明する説明図
、 第２（ａ）〜（Ｃ）図は第１図の装置の分散曲線を示す
グラフ、 第３（ａ）〜（Ｃ）図は第１図の装置における導波光の
電界分布を示す概念図、 第４図は本発明の第１実施態様による光走査読取装置を
示す斜視図、 第５図は上記第１実施態様装置の一部を拡大して示す斜
視図、 第６図は上記光走査記録装置の電気回路を示すブロック
図、 第７図、第８図はそれぞれ、本発明の第２実施態様、第
３実施態様による光走査読取装置の一部を示す側断面図
である。 １０・・・基板　　　　　　　１１・・・光導波層１２
・・・隣接層　　　　　　１３・・・積層体１４・・・
光　　　　　　　　１５・・・ドライバ１６・・・導波
路レンズ　　　１１・・・半導体レーザ１８・・・原稿
　　　　　　　２０・・・光走査部２１・・・駆動回路
　　　　　２２・・・電圧発生回路２３・・・シフトレ
ジスタ ４０・・・エンドレスベルト装置 ５０・・・フォトマル　　　　Ａ１〜Ａｎ・・・電極対
Ｇ１〜Ｇｎ・・・回折格子　Ｐ１〜ｐｎ・・・電極間間
隙第６図 第８　図。 （自発）手続？ｍｍ描 書許庁長官　殿　　　　　　　　　　　　昭和６０年７
月５日特願昭６０−７４０６２号 ２、発明の名称 光走査読取装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 任　所　　　神奈川県南足柄市中沼２１０番地名　称　
　　　富士写真フィルム株式会社４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 はうらいやビル　７階 （７３１８）弁理士　柳　１）征　史　（ほか１名）５
、補正命令の日付　　　な　　し ６、補正により増加する発明の数　　　な　　し７、補
正の対象　　　明細書の「発明の詳細な説明」の欄８、
補正の内容 １）明細書第８頁第１８行 「光のモードの」を削除する。 ２）同第９頁第９行 ｒＮｚ　＞Ｎｌ　＞Ｎ３　Ｊをｒｌ’ｈ　＞Ｎｓ　、　
Ｎ３　Ｊと訂正する。 ３）同第１１頁第９〜１０行 「なお・・・・・・には、」を「また、」と訂正する。 ４）同第１３頁第１２行 ｒＮｚ＞Ｎｌ〉Ｎ３」をｒＮｚ　＞Ｎｔ　、Ｎ３　Ｊと
訂正する。 ５）同頁第２０行〜第１４頁第３行 「Ｔ、７ａｍｉｒ・ＶｅｒｌａｇＪを「ティー　タミー
ル（Ｔ、Ｔａｍ　ｉ　ｒ）編「インチグレイテッド　オ
ブティクス（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　０ｐｔｉｃｓ）
Ｊ　　（トビツクスイン　アプライド　フィジックス＜
Ｔｏρｉｃｓ　　１ｎＡｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ）第７巻）スブリンガーフエアラーグ（Ｓｐｒ　ｒ　
ｎｇｅｒ−Ｖｅｒ　ｌ　ａｉ　Ｊと訂正する。 ６）同第１４頁第１９行 「１００〜２００μｍ」を［１０μｍ〜２００μｍ」と
訂正する。 （自帽手続補正書 特許庁長官　殿　　　　　　　　　　　　昭和６１年２
月６日特願昭６０−７４０６２号 ２、発明の名称 光走査読取装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 任　所　　　神奈川県南足柄市中沼２１０番地名　称　
　　　富士写真フィルム株式会社４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 はうらいやピル　７階 （７３１８）弁理士　柳　１）征　史　（ほか１名）５
、補正命令の日付　　　な　　し ６、補正により増加する発明の数　　　な　　しく１）
　明細書第５頁第３〜４行 「画像信号に応じて、」を削除する。 （２）　同頁第７〜８行 「画像信号に応じて」を削除する。 （３）　同第９頁第７行および第１５行「光導波１」の
次に「１１」をカロ入する。 （４）　同頁第９行 「接饗」の次に「１？」を加入する。 （５）　同頁第１６行 「導波光」の次に「１４」を加入する。 （６）　同第１０頁第９行 「減少」を「増大」と訂正する。 （７）　同第１１頁第２行 「図に」を「図の」と訂正する。 （８）　同第１６頁第８行 「１１内の」を「１１内を」と訂正する。 （９）　同第１９頁第２行 「同心円」を「２次曲線」と訂正する。 （１０）　　昭和６０年７月５日付手続補正書の補正の
内容の２）および４）項の補正事項全文を、以下の通り
訂正する。 ｒ　ｒｎｚ　＞ｎ！’＞ｎ３　Ｊをｒｎｚ　＞ｎｌ、ｎ
３Ｊと訂正するｄ（１１）　　第２図を添付のものと差
し代える。 第２図 光導液層４　　　　　　　　　七４５座１厚（Ｃ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一方がエネルギー付加により光屈折率
   を変える材料からなり、互いに密着された光導波層と通
   常は該光導波層よりも小さい光屈折率を示す隣接層との
   積層体と、 前記光導波層および／または隣接層に、前記光導波層内
   を進む導波光の光路に沿つて設けられた複数のエネルギ
   ー付加手段と、 前記隣接層の上部の、少なくとも前記エネルギー付加手
   段によるエネルギー付加箇所に対応する部分にそれぞれ
   設けられた回折格子と、 前記光導波層内に、前記配列されたエネルギー付加箇所
   に沿つて進むように光を入射させる光源と、 前記複数のエネルギー付加手段を順次択一的に所定のエ
   ネルギー付加状態に設定し、そのエネルギー付加箇所に
   おいて前記導波光が前記回折格子との相互作用により前
   記積層体の外に出射するように前記光導波層および／ま
   たは隣接層の光屈折率を変化させる駆動回路と、 前記積層体から出射した光が照射される位置に配された
   読取原稿と前記積層体とを、前記エネルギー付加箇所の
   配列方向と略直角な方向に相対移送させる副走査手段と
   、 前記光の照射によつて得られる、前記原稿からの透過光
   、反射光あるいは発光光を光電的に検出する光検出器と
   からなる光走査読取装置。
2. （２）前記材料が電界印加により光屈折率を変える電気
   光学材料であり、前記エネルギー付加手段が電極対であ
   り、前記エネルギー付加箇所がこの電極対の電極間間隙
   であり、前記駆動回路が前記電極対の電極間に電界を印
   加するように形成されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の光走査読取装置。
3. （３）前記回折格子が、前記光導波層から前記隣接層内
   に入射した光を、集束するように出射させる集光回折格
   子であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
   第２項記載の光走査読取装置。
4. （４）前記積層体層の外側に、前記積層体から出射した
   光を集束させる集束光学系が設けられていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項から第３項いずれか１項記
   載の光走査読取装置。