JPS6286775A - 発光回路 - Google Patents
発光回路Info
- Publication number
- JPS6286775A JPS6286775A JP60224950A JP22495085A JPS6286775A JP S6286775 A JPS6286775 A JP S6286775A JP 60224950 A JP60224950 A JP 60224950A JP 22495085 A JP22495085 A JP 22495085A JP S6286775 A JPS6286775 A JP S6286775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting diode
- circuit
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光量を安定させる発光回路に関するものであ
る。
る。
本明細書及び図面は、発光回路において１発光ダイオー
ドと並列に、該発光ダイオードの光量を受ける光半導体
素子を接続することにより、安定した光量を得る技術を
開示するものである。
ドと並列に、該発光ダイオードの光量を受ける光半導体
素子を接続することにより、安定した光量を得る技術を
開示するものである。
従来、ホトカプラ、ホトインターラプタ、密着型イメー
ジセンサ−等の発光回路においては、第３図に示すよう
に１発光ダイオードＤと直列に抵抗Ｒを挿入して、該ダ
イオードＤの光量を制御している。
ジセンサ−等の発光回路においては、第３図に示すよう
に１発光ダイオードＤと直列に抵抗Ｒを挿入して、該ダ
イオードＤの光量を制御している。
しかしながら、このような従来の発光回路にあっては、
温度等の影響を受て発光ダイオードの光量が変化すると
いう欠点があった。
温度等の影響を受て発光ダイオードの光量が変化すると
いう欠点があった。
本発明は、叙上り事情に鑑みて、発光ダイオードと並列
に光半導体素子を接続し、該光半導体素子に発光ダイオ
ードの光量を受光するように構成した発光回路を提供す
ることにより、上記問題点を解決することを目的として
いる。
に光半導体素子を接続し、該光半導体素子に発光ダイオ
ードの光量を受光するように構成した発光回路を提供す
ることにより、上記問題点を解決することを目的として
いる。
従って１発光と受光のバランス点で光量を設定すると、
温度等により変化したときは、発光ダイオードの光量が
一定となるように、受光側の光半導体素子が作動して前
記光量を設定時の状態に復帰させる。
温度等により変化したときは、発光ダイオードの光量が
一定となるように、受光側の光半導体素子が作動して前
記光量を設定時の状態に復帰させる。
以下、本発明の第１実施例を第１図に基づいて説明する
。
。
同図（ａ）に示す発光回路１０は、抵抗１１と発光ダイ
オード１２とを直列に接続してアースした基本の回路に
、抵抗１１から分岐して光半導体素子のホトトランジス
タ１３を具備する並列回路１４を設けたもので、該ホト
トランジスタ１３には、前記発光ダイオード１２の光が
入射するようになっている。
オード１２とを直列に接続してアースした基本の回路に
、抵抗１１から分岐して光半導体素子のホトトランジス
タ１３を具備する並列回路１４を設けたもので、該ホト
トランジスタ１３には、前記発光ダイオード１２の光が
入射するようになっている。
従って、この発光回路ｌＯにおいては、抵抗１１により
発光ダイオード１２には一定の電流が流れている。この
状態ではホトトランジスタ１３は発光ダイオード１２か
ら受光しているので、該発光ダイオード１２の光量とバ
ランスのとれたレベルで固定されている。
発光ダイオード１２には一定の電流が流れている。この
状態ではホトトランジスタ１３は発光ダイオード１２か
ら受光しているので、該発光ダイオード１２の光量とバ
ランスのとれたレベルで固定されている。
しかしながら、温度が変化すると、抵抗１１も変化し、
この抵抗値が大きくなった場合には１発光ダイオード１
２に流れる電流が小さくなるため、ホトトランジスタ１
３に入射する光量も少くなるので、該ホトトランジスタ
１３のコレクタ電位が高くなる。従って、発光ダイオー
ド１２に流れる電流が増加し、これに伴って光量も増加
し元の状態と同じ光量に達したところでバランスがとれ
て安定する。
この抵抗値が大きくなった場合には１発光ダイオード１
２に流れる電流が小さくなるため、ホトトランジスタ１
３に入射する光量も少くなるので、該ホトトランジスタ
１３のコレクタ電位が高くなる。従って、発光ダイオー
ド１２に流れる電流が増加し、これに伴って光量も増加
し元の状態と同じ光量に達したところでバランスがとれ
て安定する。
一方、前記抵抗値が小さくなった場合は、上記と逆の動
作によってバランスのとれた状態に復帰する。
作によってバランスのとれた状態に復帰する。
すなわち、発光素子と受光素子とを並列にした発光回路
を構成することにより、発光−と受光のバランス点で光
量を固定すると、温度等により抵抗が変化しても発光ダ
イオードの光量が一定となるように受光側の光半導体素
子が作動して元の状ＩＥ１を維持するわけである。
を構成することにより、発光−と受光のバランス点で光
量を固定すると、温度等により抵抗が変化しても発光ダ
イオードの光量が一定となるように受光側の光半導体素
子が作動して元の状ＩＥ１を維持するわけである。
次に、同図（ｂ）に示す発光回路２０は、前記発光回路
ｌＯにおけるホトトランジスタ１３の代りに、光半導体
素子のホトダイオード２３を設けた並列回路２４を接続
して構成したもので、その作用は、発光回路１０と同様
である。
ｌＯにおけるホトトランジスタ１３の代りに、光半導体
素子のホトダイオード２３を設けた並列回路２４を接続
して構成したもので、その作用は、発光回路１０と同様
である。
次に、第２実施例を第２図に基づいて説明する。
同図（Ｃ）に示す発光回路３０は、前記並列回路１４に
可変抵抗器３５を増設した並列回路３４を有するもので
あり、また、同図（ｄ）に示す発光回路４０は、前記並
列回路２４に可変抵抗器４５を増設した並列回路４４を
有するものである。
可変抵抗器３５を増設した並列回路３４を有するもので
あり、また、同図（ｄ）に示す発光回路４０は、前記並
列回路２４に可変抵抗器４５を増設した並列回路４４を
有するものである。
上記いずれの発光回路３０．４０とも、その増設した可
変抵抗器３５．４５によりそれぞれの光半導体素子の感
度を調整する抵抗を可変して、複数個使用するときのそ
れぞれの光量調整を行うようにしたもので、その作用は
、第１実施例とほぼ同様である。
変抵抗器３５．４５によりそれぞれの光半導体素子の感
度を調整する抵抗を可変して、複数個使用するときのそ
れぞれの光量調整を行うようにしたもので、その作用は
、第１実施例とほぼ同様である。
なお、各実施例とも、発光ダイオードの発光側と、光半
導体素子の受光側とを一体のチップで製作してもよく、
また、発光側の光を受けるように発光側と受光側とを別
々にしたものを一体化して構成してもよい。
導体素子の受光側とを一体のチップで製作してもよく、
また、発光側の光を受けるように発光側と受光側とを別
々にしたものを一体化して構成してもよい。
また、本発明は、同様に半導体レーザーなどの電子発光
素子にも応用できることは、明白である。
素子にも応用できることは、明白である。
以上説明したように本発明は、温度の変化に影響される
ことなく常に安定した一定の発光を行うことができると
いう効果を有しており、また、密着型イメージセンサ−
の発光部に使用する場合の発光ダイオードを、任意の光
量で安定して使用するという利点も得られた。
ことなく常に安定した一定の発光を行うことができると
いう効果を有しており、また、密着型イメージセンサ−
の発光部に使用する場合の発光ダイオードを、任意の光
量で安定して使用するという利点も得られた。
第１図は、本発明の第１実施例の回路図で、同図（ａ）
は、光半導体素子にホトトランジスタを用いた場合の図
、同図（ｂ）は、同じくホトダイオードを用いた場合の
図、第２図は、第２実施例の回路図で、同図（Ｃ）は、
第１図（ａ）の相当図、同図（ｄ）は、第１図（ｂ）の
相当図、第３図は、従来の発光回路図である。
は、光半導体素子にホトトランジスタを用いた場合の図
、同図（ｂ）は、同じくホトダイオードを用いた場合の
図、第２図は、第２実施例の回路図で、同図（Ｃ）は、
第１図（ａ）の相当図、同図（ｄ）は、第１図（ｂ）の
相当図、第３図は、従来の発光回路図である。
Claims (1)
- 発光ダイオードの光量を受光する光半導体素子を前記発
光ダイオードと並列に接続してなることを特徴とする発
光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224950A JPS6286775A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 発光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224950A JPS6286775A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 発光回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286775A true JPS6286775A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16821730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60224950A Pending JPS6286775A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 発光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286775A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0583128A2 (en) * | 1992-08-03 | 1994-02-16 | Xerox Corporation | Semiconductor laser with integrated phototransistor for dynamic power stabilization |
| DE102012109216A1 (de) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Baugruppe |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60224950A patent/JPS6286775A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0583128A2 (en) * | 1992-08-03 | 1994-02-16 | Xerox Corporation | Semiconductor laser with integrated phototransistor for dynamic power stabilization |
| EP0583128A3 (ja) * | 1992-08-03 | 1994-03-02 | Xerox Corp | |
| DE102012109216A1 (de) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Baugruppe |
| US10115713B2 (en) | 2012-09-28 | 2018-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic assembly and method of operating an optoelectronic assembly |
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