JPH0263330A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置

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Publication number
JPH0263330A
JPH0263330A JP63215704A JP21570488A JPH0263330A JP H0263330 A JPH0263330 A JP H0263330A JP 63215704 A JP63215704 A JP 63215704A JP 21570488 A JP21570488 A JP 21570488A JP H0263330 A JPH0263330 A JP H0263330A
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JP
Japan
Prior art keywords
switch
light
capacitor
output
photoelectric conversion
Prior art date
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Pending
Application number
JP63215704A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaharu Ozaki
尾崎 正晴
Fumihiko Kitahara
北原 文彦
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INTERNATL MICRO TECHNOL KK
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
INTERNATL MICRO TECHNOL KK
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光電変換装置に関し、特に光が消えると速や
かに出力電圧も消滅するようにして、ソリッドステート
リレー等を高速にオン・オフできるようにした光電変換
装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のソリッドステートリレーの光電変換装置は、第8
図の破線内に示すように、フォトダイオードアレー1と
抵抗R1とジャンクションFET(以下、JFET)と
から構成されている。なお、第8図におけるコンデンサ
C1,C2は、それぞれフォトダイオードアレー1の浮
遊容量および光電変換装置の負荷(この場合には、MO
SFETの入力容量)である。ソリシトステートリレー
は、高信頼性が要求され、例えば回線側と端末側とが完
全に遮断されることから、通信用リレーに使用される。
第8図においては、入力端子INI、IN2に電圧を印
加することにより発光ダイオード(以下、LED)が起
動すると、LEDから発光した光が光電変換装置(破線
内の部分)のフォトダイオードアレー1を照射すること
により、フォトダイオードアレー1で光電変換されて電
圧を発生する。フォトダイオードアレー1から発生した
出力電流はコンデンサC1に充電されるとともに、抵抗
R1を経由してコンデンサC2にも充電される。コンデ
ンサC2への充電電圧が一定値になると、出力端子A、
B間に接続されたNMO3I、2のトランジスタがオン
することにより、負荷に電流が流れる。この時点までの
間は、抵抗R1に発生する電圧により、J FETはピ
ンチオフ状態になって、非導通になっている。コンデン
サC2がある一定電圧まで充電されると、抵抗R1を流
れる電流が減少して端子電圧が低くなるため、JFET
はピンチオフ状態からオン状態となって、J FETを
通して電流が流れるようになる。この場合、抵抗R1を
流れる電流による抵抗R1の両端電圧がJFETのゲー
ト電圧になっており、従ってJFETを流れる電流はゲ
ート電圧の関数になっている。この結果、抵抗R1を流
れる電流とJ FETを流れる電流とは、ある電流値に
おいて平衡状態に達するため、抵抗R1を流れる電流は
一定値を維持する。ただし、J FETの特性にばらつ
きがあると、平衡点に達する電圧もばらついてしまう。
その結果、ソリッドステートリレーの出力端子A。
8間の電圧(つまり、光電変換装置の出力電圧)もばら
つくことになる。また、コンデンサC2への充電は、抵
抗R1を経由して行われるので、充電時間が長くかかり
、電流の平衡状態に達するまでの時間が相当かかってし
まうという問題もある。
なお、ソリッドステートリレーについては、例えば、 
 li’fi子通信ハンドブック」昭和54年3月30
日(株)オーム社発行、415頁に記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
このように、従来のソリッドステートリレーの光電変換
装置では、JFETが使用されているが、この、7 F
 E Tは製造工程でのばらつきに起因するピンチオフ
電圧のばらつきが大きい。その結果。
J FETを使用する光電変換装置の出力電圧に大きな
ばらつきが生じたり、光に対する応答特性がばらつくと
いう問題があった。また、光電変換装置の製品の歩留り
を低下させる原因にもなっている。さらに、第8図では
、フォトダイオードアレー1と光電変換装置の出力端子
A、Bの間に直列抵抗R1が存在するため、コンデンサ
C2の充電時間がかかり、その結果、光応答速度が遅く
なるという問題もあった。
本発明の目的は、このような従来の課題を解決し、光に
対して高速に応答するとともに、高歩留りで安定して製
造することができる光電変換装置を提供することにある
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明の光電変換装置は、光
を受けて出力を発生するフォトダイオードアレーと、該
フォトダイオードアレーの両端に並列に接続された第1
のコンデンサと、装置の出力に接続された第2のコンデ
ンサとを備え、」二記光が照射されている間、出力電圧
を供給する光電変換装置において、上記光の有無を検出
する光検出回路と、該光検出回路の出力によりオンオフ
が制御され、かつ一方は上記フォトダイオードアレーと
第2のコンデンサの間に直列接続され、他方は上記第2
のコンデンサに並列に接続された第1および第2のスイ
ッチとを具備し、上記光検出回路は光が照射されている
期間には、上記第1のスイッチをオン、上記第2のスイ
ッチをオフして、出力電圧を供給し、光が照射されない
期間には、上記第1のスイッチをオフ、上記第2のスイ
ッチをオンにして、出力電圧を高速に消滅させることに
特徴がある。
〔作  用〕 本発明においては、JFETを使用せずに、バイポーラ
トランジスタおよびMOSトランジスタ等の安定した特
性が得られる素子を使用して、歩留りの向上を図り、か
つオンオフ速度を向上させる。そのために、本発明では
、LEDの発光の有無を検出する光検出回路を新たに設
けるとともに、フォトダイオードアレーとコンデンサC
2との間に挿入された抵抗R1の代りにバイポーラトラ
ンジスタまたはMOSトランジスタによるスイッチ2を
、またJFETの代りにバイポーラトランジスタまたは
MOSトランジスタによるスイッチ1を、それぞれ接続
する。これらのスイッチ1,2は上記光検出回路の出力
によりオンオフするようにして、光があるときにはスイ
ッチ1をオフ、スイッチ2をオンに、光がないときには
スイッチ1をオン、スイッチ2をオフに、それぞれ制御
する。
すなわち、フォトダイオードアレー1に照射されるLE
Dの光が検出されると、コンデンサC2を高速に充電す
るために、充電通路の途中にあるスイッチ2をオンにし
、バイパス通路のスイッチ1をオフにする一方、LED
の光がなくなったときには、コンデンサC2の電荷を高
速に放電させるために、放電通路のスイッチ1をオンに
し、充電通路にあるスイッチ2をオフにするのである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を1図面により詳細に説明する。
第1図は1本発明の第1の実施例を示す光電変換装置の
構成図であり、第4図、第5図および第6図は、それぞ
れ第1図の光検出回路、スイッチ1およびスイッチ2を
構成する具体的回路である。
第1図の光電変換装置は、LEDからの光を受けると電
圧を発生するフォトダイオードアレー3と、LEDから
の光の有無を検出する光検出回路4と、この光検出回路
4によりオンオフ制御されるスイッチ1およびスイッチ
2とから構成される。
なお、その他に、従来の光電変換装置と同じように、フ
ォトダイオードアレー3の浮遊容量であるコンデンサC
1と、出力端子A、B間に接続された負荷容量のコンデ
ンサC2とが設けられている。
ここで、光検出回路4は、第4図(1)に示すような逆
バイアスのフォトダイオードと直列抵抗か、第4図(2
)に示すようなフォトダイオードとNPNトランジスタ
と抵抗からなる回路で構成される。
すなわち、第4図(1)では、LEDから逆バイアスさ
れたフォトダイオードに光が照射されると、フォトダイ
オードで光電変換が行われ、逆方向電流が発生して、抵
抗に電流が流れるため、D端子にはローレベルの電位、
C端子にはそれより高い電位を与える。また、光が検出
されないときには、逆方向電流が少ないため、D端子に
はハイレベルの電位を、C端子にも同レベルの電位を与
える。
第4図(2)では、LEDから光が照射されると、フォ
トダイオードの出力がNPN)−ランジスタをオンにし
、抵抗に電流が流れるため、D端子にはローレベルの電
位を、またC端子にはそれより高いレベルの電位を与え
る。また、光が検出されないときには、NPNトランジ
スタがオフになって、D端子にはハイレベルの電位が与
えられる。
次に、スイッチ1は、第5図(1)のNPNトランジス
タか、第5図(2)のダーリントン接続のNPNトラン
ジスタか、第5図(3)のNチャネルMoSトランジス
タを使用することができる。すなわち、第5図(1)で
は、第4図(1)または(2)の光検出回路で光が検出
され、D端子から抵抗による電位降下分だけC端子より
低い電位が加わるときには、トランジスタのゲートにス
レッショルド電圧より低い電位しか加わらないため、ト
ランジスタはオフする。第5図(2)(3)においても
、同じようにして、トランジスタはオフする。また、第
4図(1)(2)の光検出回路が光を検出しないときに
は、端子C,Dともに同一電位となるので、第5図(1
)(2)(3)の各トランジスタはオンする。
次に、スイッチ2は、第6図(1)のPNPI−ランジ
スタか、第6図(2)のPチャネルMoSトランジスタ
を使用することができる。すなわち、第6図(1)では
、第4図(1)または(2)の光検出回路が光を検出し
たときには、抵抗の電圧降下分だけC端子より低い電位
がD端子に与えられるので、第6図(1)(2)の各ト
ランジスタはベースまたはゲートにローレベル電位が印
加され、両方ともオンする。
第1図の光電変換装置では、先ず、LEDその他の素子
により発した光がフォトダイオードアレー3に照射され
ると、フォトダイオードアレー3に出力が発生して、コ
ンデンサC1が充電される。
また、このとき光は同時に光検出回路4にも照射される
ので、光検出回路4はスイッチ2がオン。
スイッチ]−がオフとなるような出力を端子C,Dに発
生する。これにより、フォトダイオードアレー3の出力
は、スイッチ2を経由してコンデンサC2を充電する。
この場合に、スイッチ2は能動素子であるため、そのオ
ン抵抗はかなり低い値であって、従来の光電変換装置の
ように応答速度を大きく低下させることはない。また、
スイッチ1は同じく能動素子であるため、大きなオフ抵
抗となり、光電変換装置の出力電圧(A、8間電圧)を
低下させることもない。従って、ばらつきの少ない安定
した製品を製造することが可能である。
次に、光が切れた瞬間には、フォトダイオードアレー3
からの出力はなくなるが、コンデンサC1およびコンデ
ンサC2には電荷が残っているので、光電変換装置の出
力(A、8間電圧)には光が照射されていた時とほぼ同
一の電圧が出力される。
しかし、光がなくなると光検出回路4はスイッチ1をオ
ン、スイッチ2をオフするような出力を端子C,Dに発
生するので、コンデンサC2に蓄積されている電荷はス
イッチ】、を通して放電される。
また、この時、スイッチ2がオフすることにより、コン
デンサC1の電荷はある時間保持されるため、光検出回
路4が動作を続けるための電流を供給することになる。
第2図は1本発明の第2の実施例を示す光電変換装置の
構成図であり、第7図は第2図の光スィッチの詳細構成
図である。
第2図において、第1図の装置と異なる点は、スイッチ
2の代りに光スィッチ5を接続したことである。すなわ
ち、第2の実施例の光電変換装置は、フォ1へダイオー
ドアレー3と、光検出回路4と、光検出回路4によりオ
ンオフ制御されるスイッチ1と、LEDからの光が直接
照射される光スィッチ5とから構成される。光検出回路
4は、第4図(1)に示すような逆バイアスのフォI・
ダイオードと直列抵抗からなる回路か、あるいは第4図
(2)に示すようなフォトダイオードとNPNトランジ
スタと抵抗からなる回路で構成される。スイッチ1は重
連と同じように、第5図(1)に示すようなNPNトラ
ンジスタか、あるいは第5図(2)に示すようなダーリ
ントン接続されたNPN トランジスタか、あるいは第
5図(3)に示すようなNチャネルMO5I−ランジス
タを使用することができる。
光スィッチ5は、第7図(1)に示すような光通方向電
流を使用したフォトダイオードからなる回路か、あるい
は第7図(2)に示すようなフォトダイオードとN P
 N トランジスタからなる回路を使用することができ
る。これらの光スィッチにおいては、第7図(1)のフ
ォトダイオードに光が照射されると、逆方向電流が発生
してJ端子にローレベルの電位、■端子にそれによりハ
イレベルの電位を与えるので、第5図(1)(2)(3
)に示すスイッチ1はG端子がローレベルになって、オ
フする。
光がなくなると、光スィッチ5は電流が流れないため、
J端子にはハイレベルの電位を、■端子にも同レベルの
電位を与えるため、スイッチ1はオンする。また、第7
図(2)のフォトダイオードに光が照射されると、順方
向の電流を発生してN I−”Nトランジスタをオンす
るため1.■端子にローレベルの電位を、■端子にそれ
よりハイレベルの電位を与える。これにより、スイッチ
1のG端子にローレベルの電位が加わるため、スイッチ
1はオフする。逆に光がなくなると、電流が発生しない
ので、トランジスタがオフ状態となり、J端子にハイレ
ベルの電位を、■端子にも同レベルの電位を与える。こ
れにより、スイッチ1はオンする。
第2図においては、LED等の光源から発生した光がフ
ォトダイオードアレー3に照射されると、フォトダイオ
ードアレー3に出力が発生し、コンデンサC1が充電さ
れる。また、同時に、光は光検出回路4と光スィッチ5
にも照射されるので、光検出回路4はスイッチ1がオフ
になるような出力を発生する。一方、光スィッチ5は、
光を受けるとオン状態となる。これにより、フォトダイ
オードアレー3の出力が光スィッチ5を経由して伝達さ
れ、コンデンサC2を充電する。この場合。
光スィッチ5のオン抵抗は素子サイズを適当に選択する
ことにより低くすることができるので、従来の光電変換
装置のように応答速度が低下することはない。また、ス
イッチ1は能動素子であるため、大きなオフ抵抗となり
、光電変換装置の出力電圧(A、、13間の電圧)を低
下させることはない。
その結果、ばらつきの少ない安定した製品を製造するこ
とが可能となる。
次に、光が切れた瞬間には、フォトダイオードアレー3
からの出力はなくなるが、コンデンサC1およびコンデ
ンサC2には電荷が残っており、光電変換装置の出力に
は光が照射されていた時とほぼ同一の電圧が出力される
。しかし、光がなくなると、光スィッチ5がオフすると
ともに、光検出回路4はスイッチ1をオンさせる出力を
発生するので、スイッチ1はオンし、コンデンサC2に
蓄積されていた電荷はスイッチ1を通して放電する。ま
た、この時、光スィッチ5がオフすることにより、コン
デンサC1に蓄積されていた電荷はある時間だけ保持さ
れるので、光検出回路4が動作を続けるための電流を供
給することになる。
第3図は、本発明の第3の実施例を示す光電変換装置の
構成図である。
第3図の光電変換装置では、出力端子に電流を供給する
ためのフォトダイオードアレー3の他に、もう1組のフ
ォトダイオードアレー6を設け、このアレー6が発生す
る出力により光検出回路4とコンデンサC1に電流を供
給する。すなわち、ソリッドステートリレーのコンデン
サC2を充電する電流を発生させるための第1のフォ(
・ダイオードアレー3と、コンデンサC1を充電する電
流を発生させるための第2のフォトダイオードアレ6と
を、別個に設ける。これにより、光スィッチ5またはス
イッチ2は不要となる。
第3図における光検出回路4は、第4図(])(2)に
示すような回路で構成され、スイッチ1は第5図(1,
)(2)(3)に示すような回路で構成される。
第3図においては、LED等の光源から発生した光がフ
ォトダイオードアレー3およびフォトダイオードアレー
6ならびに光検出回路4に照射されると、フォトダイオ
ードアレー3とフォトダイオードアレー6には起電力が
発生するとともに、光検出回路4はスイッチ1をオフに
するような出力を発生する。これにより、フォトダイオ
ードアレー6により発生された電流はコンデンサC1を
充電し、フォトダイオードアレー3により発生された電
流はコンデンサC2を充電する。このとき、光電変換装
置の出力に電圧が発生している状態になる。この充電過
程では、充電経路に従来の光電変換装置のような抵抗分
がないため、応答速度は高速となる。また、スイッチ1
はオフ抵抗の大きな能動素子であるため、光電変換装置
の出力電圧(A、8間電圧)を低下させることはない。
次に、光が切れた瞬間には、フォトダイオードアレー3
,6からの出力はなくなるが、コンデンサC2に蓄積さ
れている電荷によりほぼ同じ電圧が出力される。しかし
、光がなくなると、光検出回路4がスイッチ1をオンに
するので、コンデンサC2の電荷はスイッチ1を通して
放電する。また、コンデンサC1の電荷がある時間保持
されるため、光検出回路4に動作を続ける電流を供給す
る。
このように、本発明の各実施例では、従来の光電変換装
置のようにジャンクションFETを使用せず、バイポー
ラトランジスタやMo5t〜ランジスタを使用するので
、安定した特性を得ることができるとともに、高速応答
が可能であり、かつ製造過程での歩留り向−1−を図る
ことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、ソリッドステー
トリレー等に利用した場合にも、光に対して高速に応答
することができ、かつ光電変換装置を高歩留りで安定し
て製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示す光電変換装置の構
成図、第2図は本発明の第2の実施例を示す光電変換装
置の構成図、第3図は本発明の第3の実施例を示す光電
変換装置の構成図、第4図は第1図〜第3図に使用され
る光検出回路の詳細構成図、第5図は第1図〜第3図に
使用されるスイッチ1の詳細構成図、第6図は第1図に
使用されるスイッチ2の詳細構成図、第7図は第2図に
使用される光スィッチの詳細構成図、第8図は従来の光
電変換装置の構成図である。 1.2:スイッチ、3,6:フォトダイオードアレー、
4:光検出回路、5:光スィッチ、C1゜C2:コンデ
ンサ、A、B:光電変換装置の出力端子。 特許出願人 株式会社 リ  コ  −(ほか1名)V
′! 区 ト 派

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光を受けて出力を発生するフォトダイオードアレ
    ーと、該フォトダイオードアレーの両端に並列に接続さ
    れた第1のコンデンサと、装置の出力に接続された第2
    のコンデンサとを備え、上記光が照射されている間、出
    力電圧を供給する光電変換装置において、上記光の有無
    を検出する光検出回路と、該光検出回路の出力によりオ
    ンオフが制御され、かつ一方は上記フォトダイオードア
    レーと第2のコンデンサの間に直列接続され、他方は上
    記第2のコンデンサに並列に接続された第1および第2
    のスイッチとを具備し、上記光検出回路は光が照射され
    ている期間には、上記第1のスイッチをオン、上記第2
    のスイッチをオフして、出力電圧を供給し、光が照射さ
    れない期間には、上記第1のスイッチをオフ、上記第2
    のスイッチをオンにして、出力電圧を高速に消滅させる
    ことを特徴とする光電変換装置。
JP63215704A 1988-08-30 1988-08-30 光電変換装置 Pending JPH0263330A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1580864A1 (en) * 2004-03-24 2005-09-28 OmniVision Technologies, Inc. Mobile devices having an image sensor for charging a battery

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