JPS6285222A - 液晶表示用電極基板の製造法 - Google Patents
液晶表示用電極基板の製造法Info
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- JPS6285222A JPS6285222A JP12529386A JP12529386A JPS6285222A JP S6285222 A JPS6285222 A JP S6285222A JP 12529386 A JP12529386 A JP 12529386A JP 12529386 A JP12529386 A JP 12529386A JP S6285222 A JPS6285222 A JP S6285222A
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- substrate
- polyamic acid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置の製造法に関する。
最近、液晶の光学的異方性を利用した表示装置への応用
が各方面で進められている。この表示方法として、王に
用いられているものは負の誘電異方性を持ったネマチッ
ク液晶化合物が電場の印加により光を散乱するダイナミ
ックスキャッタリング現象を表示に利用したもの（以後
、ＤＳ型表示デバイスと呼ぶ）と、正の誘１１１異方性
を持ったネマチック液晶化合物を配向させることによっ
て旋光性を付与し、これを適当な電場の作用により旋光
性を変化させて表示に利用したもの（以後、ＦＥ型光表
示デバイス呼ぶ）である。
が各方面で進められている。この表示方法として、王に
用いられているものは負の誘電異方性を持ったネマチッ
ク液晶化合物が電場の印加により光を散乱するダイナミ
ックスキャッタリング現象を表示に利用したもの（以後
、ＤＳ型表示デバイスと呼ぶ）と、正の誘１１１異方性
を持ったネマチック液晶化合物を配向させることによっ
て旋光性を付与し、これを適当な電場の作用により旋光
性を変化させて表示に利用したもの（以後、ＦＥ型光表
示デバイス呼ぶ）である。
ＤＳ型表示デバイスでは、液晶の初期配向の均一性が動
作原理上必ずしも必要ではないが、ＦＥ型光表示デバイ
スは動作原理が９を場により液晶の初期配向を制御もし
くは再配列させ、その際の光学的性質の変化を利用する
ことがあるため、液晶の初期配向の均一性が特に重要で
ある。而して、従来液晶の初期配向の均一性を得るだめ
の手段として、電極基板を布等で一方向に摩擦す仝方法
が知られている。
作原理上必ずしも必要ではないが、ＦＥ型光表示デバイ
スは動作原理が９を場により液晶の初期配向を制御もし
くは再配列させ、その際の光学的性質の変化を利用する
ことがあるため、液晶の初期配向の均一性が特に重要で
ある。而して、従来液晶の初期配向の均一性を得るだめ
の手段として、電極基板を布等で一方向に摩擦す仝方法
が知られている。
またこの方法の改良法として、ある棟の界面活性剤を併
用して電極基板を一方向に摩擦する方法が用いられてい
る。
用して電極基板を一方向に摩擦する方法が用いられてい
る。
しかじなかｍ極基板を布等で一方向に摩擦する方法では
ｆＪｊ分的に７１に高分子の配向が異なり。
ｆＪｊ分的に７１に高分子の配向が異なり。
配向の均一性は十分でなく、また配向が短時間のうちに
失われてし遣う欠点がある。
失われてし遣う欠点がある。
また、ある柚の界面活性剤を併用して６（極）に板を一
方向にＭ擦する方法では配向の均一性はある機度改害さ
れるが、界面活性剤の耐熱性がなく、また界面活性剤が
液晶の劣化を招くという欠点があり、さらに１１ｆ、界
を印加し続けると界面活性剤が電界により分解、変質を
起こし配向が破壊してしまうという欠点がある。さらに
１九、電極基板を配向処理後、電気光学セルを作製する
際、一対の電極基板を接着するシール材として無機物質
、たとえばガラスフリットあるいは硬化ｔｉ度の高い有
機物質を使用すると、シール時の加熱温度により、配向
破壊が起こる欠点もある１、 そこで本発明が解決しよ
うとする１！１題点は初期の配向の均一性にすぐれ、し
かもシール時の加熱温度により、配向破壊が起こること
がなく、また液晶との相性が良く、液晶物質の分子の配
向に悪影響を与えることがなく、セル中の液晶物質の分
子が長期間安定して存在することがｉｉＪ能な液晶表示
用’＋４１’、 ｊメｊ（ＩＩ板を提供することにある
。
方向にＭ擦する方法では配向の均一性はある機度改害さ
れるが、界面活性剤の耐熱性がなく、また界面活性剤が
液晶の劣化を招くという欠点があり、さらに１１ｆ、界
を印加し続けると界面活性剤が電界により分解、変質を
起こし配向が破壊してしまうという欠点がある。さらに
１九、電極基板を配向処理後、電気光学セルを作製する
際、一対の電極基板を接着するシール材として無機物質
、たとえばガラスフリットあるいは硬化ｔｉ度の高い有
機物質を使用すると、シール時の加熱温度により、配向
破壊が起こる欠点もある１、 そこで本発明が解決しよ
うとする１！１題点は初期の配向の均一性にすぐれ、し
かもシール時の加熱温度により、配向破壊が起こること
がなく、また液晶との相性が良く、液晶物質の分子の配
向に悪影響を与えることがなく、セル中の液晶物質の分
子が長期間安定して存在することがｉｉＪ能な液晶表示
用’＋４１’、 ｊメｊ（ＩＩ板を提供することにある
。
本発明者は上記の問題点をｈ（決すべく研究の結果、芳
香族ポリアミック酸の０．０１チ〜１０％未（＋′！４
も１液を透明を孫波νを有する基板の該ｉｆ穆被ｎ３を
含む一部または全面上に（４布した後、１００〜・３５
０″Ｃで加熱処理してポリイミド系高分子被膜全形成し
、しかるのち該被膜面を布などで一方向にこすっで配向
処理することにより、初期の配向の均一性にすぐれ、し
かもシール時の加熱温度により、配向破壊が起こること
がなく、壕だ、液晶との相性が良く、にｋＭ、物質の分
子の配向に悪影響を与えることがなく、セル中のＩ：ヒ
晶物質の分子が一１φ期間女定して存在することが可能
な故話表示用′４極７．を板を形成することがでさるこ
とをＭいだし、かかる知見にもとづいて本発明を完成１
〜だものである。
香族ポリアミック酸の０．０１チ〜１０％未（＋′！４
も１液を透明を孫波νを有する基板の該ｉｆ穆被ｎ３を
含む一部または全面上に（４布した後、１００〜・３５
０″Ｃで加熱処理してポリイミド系高分子被膜全形成し
、しかるのち該被膜面を布などで一方向にこすっで配向
処理することにより、初期の配向の均一性にすぐれ、し
かもシール時の加熱温度により、配向破壊が起こること
がなく、壕だ、液晶との相性が良く、にｋＭ、物質の分
子の配向に悪影響を与えることがなく、セル中のＩ：ヒ
晶物質の分子が一１φ期間女定して存在することが可能
な故話表示用′４極７．を板を形成することがでさるこ
とをＭいだし、かかる知見にもとづいて本発明を完成１
〜だものである。
即ち、本発明は［芳香族系ポリアミック酸の０．０１チ
〜１０チ未Ａ溶液を、追明′Ｎ極をイｊ“する基板の該
電極被膜を含む一部または全面」二に塗布した後、１０
０〜３５０℃で加熱処理を行なってポリイミド系高分子
被膜を形成し、次いで該被膜を配向処理することを特徴
とする液晶表示用電極基板の製造法。」を要旨とするも
のである。
〜１０チ未Ａ溶液を、追明′Ｎ極をイｊ“する基板の該
電極被膜を含む一部または全面」二に塗布した後、１０
０〜３５０℃で加熱処理を行なってポリイミド系高分子
被膜を形成し、次いで該被膜を配向処理することを特徴
とする液晶表示用電極基板の製造法。」を要旨とするも
のである。
而して本発明において％電極基板としては蒸着などの手
段により一方の面の一部または全面に設けた酸化スズも
しくは酸化インジウムなどの薄膜を透明電極として有す
るガラス板あるいはプラスチック板などが用いられる。
段により一方の面の一部または全面に設けた酸化スズも
しくは酸化インジウムなどの薄膜を透明電極として有す
るガラス板あるいはプラスチック板などが用いられる。
次に本発明においては、ｍＳ記の透明電極被膜を有する
基板の該電極被膜を含む一部または全面にポリイミド系
高分子被膜を設ける。
基板の該電極被膜を含む一部または全面にポリイミド系
高分子被膜を設ける。
ポリイミド系高分子としては、イミド結合によ）構成さ
れるポリイミド、又アミド結合とイミド結合によシ構成
されるポリアミドイミド、およびエステル結合とイミド
結合により構成されるポリエステルイミドなどが用いら
れる。
れるポリイミド、又アミド結合とイミド結合によシ構成
されるポリアミドイミド、およびエステル結合とイミド
結合により構成されるポリエステルイミドなどが用いら
れる。
上記ポリイミド系高分子社イミド結合を有し、一般に溶
剤に不溶であるため１本発明においては基板上にポリイ
ミド系高分子被膜を設けるために、芳香族系ポリアミッ
ク酸を後述する浴剤にｉｐ、’Ａｔ。
剤に不溶であるため１本発明においては基板上にポリイ
ミド系高分子被膜を設けるために、芳香族系ポリアミッ
ク酸を後述する浴剤にｉｐ、’Ａｔ。
Ｍｉ版板上塗布した仮、加熱処理に：り脱水閉環してイ
ミド結合を子、νたゼる方法金柑いる。
ミド結合を子、νたゼる方法金柑いる。
上記ポリアミドイミドの前駆体の芳香族系ポリアミック
酸は過剰のジアミンから得られるオリゴジアミンとジカ
ルボン飲無水物との縮合により合成される。
酸は過剰のジアミンから得られるオリゴジアミンとジカ
ルボン飲無水物との縮合により合成される。
上記ポリエステルミドのＦ＋−ｕ躯体の芳香族系ポリア
ミック酸はニスデル基を有するジカルボン酸無水物とジ
アミンとの縮合により合成される。上記エステル基を有
するジカルボン酸無水物はたとえばトリメリット酸と徨
々のジオールとから得られる。
ミック酸はニスデル基を有するジカルボン酸無水物とジ
アミンとの縮合により合成される。上記エステル基を有
するジカルボン酸無水物はたとえばトリメリット酸と徨
々のジオールとから得られる。
また、上記ポリイミドの削が体の芳香２１（系ポリアミ
ックＶ、はジカルボン酸とジアミンとの縮合によシ合成
される。これらの媚合反応は通常の条件で、すなわち、
無水千件下、５０″Ｃまたはそれ以下の温度で行われる
。
ックＶ、はジカルボン酸とジアミンとの縮合によシ合成
される。これらの媚合反応は通常の条件で、すなわち、
無水千件下、５０″Ｃまたはそれ以下の温度で行われる
。
上す己でジアミンとしてはたとえば、ｍ−）二二しンシ
アミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミ
ン、ｐ−キシレンジアミン、４．４／−ジアミノジフェ
ニルエーテル、４．４′−ジアミノジフェニルメタン、
３．３’−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、３．３１１５．５／−テトラメチル−４，４
′−ジアミノジフェニルメタン、２．２−ビス（４−ア
ミノフェニル）プロパン−４，４′−メチレンジアニリ
ン、ベンジジン、４．４’−ジアミノジフェニルスルフ
ィド、４．４１−ジアミノジフェニルスルホン、１．５
−ジアミノナフタレン、３．３’−ジメチルベンジジン
、３．３′−ジメトキシベンジジン％ ２．４−ビス（
β−アミノ−ｔｅｒｔ−７’チン）トルエン、ビス（４
−β−アミノ−ｔｅｒｔ −７’チルフエニル）エー
テル、１．４−ビス（２−メチル−４−アミノペンチル
）ベンゼンなどが用いられる。
アミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミ
ン、ｐ−キシレンジアミン、４．４／−ジアミノジフェ
ニルエーテル、４．４′−ジアミノジフェニルメタン、
３．３’−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、３．３１１５．５／−テトラメチル−４，４
′−ジアミノジフェニルメタン、２．２−ビス（４−ア
ミノフェニル）プロパン−４，４′−メチレンジアニリ
ン、ベンジジン、４．４’−ジアミノジフェニルスルフ
ィド、４．４１−ジアミノジフェニルスルホン、１．５
−ジアミノナフタレン、３．３’−ジメチルベンジジン
、３．３′−ジメトキシベンジジン％ ２．４−ビス（
β−アミノ−ｔｅｒｔ−７’チン）トルエン、ビス（４
−β−アミノ−ｔｅｒｔ −７’チルフエニル）エー
テル、１．４−ビス（２−メチル−４−アミノペンチル
）ベンゼンなどが用いられる。
上記でｍ＋ジオールとしてはヒドロキノン、ビスフェノ
ールＡ１ジクロルビスフェノールＡ１テトラクロルビス
フエノール人、テトラブロムビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦ、ビスフェノールＡＣＰ、ビスフェノールＬ
、ビスフェノールｖ１ ビスフェノールＳｓ ４％
４’−’）ヒドロ７二二ルエーテルなどが用いられる
。
ールＡ１ジクロルビスフェノールＡ１テトラクロルビス
フエノール人、テトラブロムビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦ、ビスフェノールＡＣＰ、ビスフェノールＬ
、ビスフェノールｖ１ ビスフェノールＳｓ ４％
４’−’）ヒドロ７二二ルエーテルなどが用いられる
。
また、上記で＋虻←条ジカルボン酸無水物としてはピロ
メリット酸無水物、２．３．６．７−ナフタレンテトラ
カルボン酸無水物、３．３’、４ｔ４１−ジフェニルテ
トラカルボ／酸無水物、１．２．５．６−す７タレンテ
トラカルボン酸無水物、２．２’、３．３’−ジフェニ
ルテトラカルボン酸無水物、チオフェン−２，３，４，
５−テトラカルボン酸無水物、２．２−ビス（３，４−
ビスカルボキシフェニル）プロパン無水物、３．４−ジ
カルボキシフェニルスルホン無水物、ベリレ／−３，４
，９，１０−テトラカルボン酸無水物、ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）エーテル無水物、３．３’、４
．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などが
用いられる。
メリット酸無水物、２．３．６．７−ナフタレンテトラ
カルボン酸無水物、３．３’、４ｔ４１−ジフェニルテ
トラカルボ／酸無水物、１．２．５．６−す７タレンテ
トラカルボン酸無水物、２．２’、３．３’−ジフェニ
ルテトラカルボン酸無水物、チオフェン−２，３，４，
５−テトラカルボン酸無水物、２．２−ビス（３，４−
ビスカルボキシフェニル）プロパン無水物、３．４−ジ
カルボキシフェニルスルホン無水物、ベリレ／−３，４
，９，１０−テトラカルボン酸無水物、ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）エーテル無水物、３．３’、４
．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などが
用いられる。
上記のジアミン、ジオールおよびジカルボン酸無水物は
耐熱性の点からいずれも芳香族系の化合物が好ましい。
耐熱性の点からいずれも芳香族系の化合物が好ましい。
ポリアミック酸を基材上に塗布するには、ポリアミック
酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロリドンなどの
溶剤に溶解してα０１チ〜１０チ未涌溶液、好ましくは
α０１〜２チの稀薄溶液とし、該溶液を刷毛車９法、浸
漬法、回転塗布法、スプレー法などにより塗布すること
ができる。塗布後、Ｚｏｏ℃〜３５０℃、好オしくけ２
００“０〜３００℃で加熱処理を行ない乾燥させ、基材
上にポリイミド系高分子被膜を設ける。しかる後、該高
分子被腔面を布などで一定方向にこすって配向処理する
ことにより液晶表示用電極基板が得られる。
酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロリドンなどの
溶剤に溶解してα０１チ〜１０チ未涌溶液、好ましくは
α０１〜２チの稀薄溶液とし、該溶液を刷毛車９法、浸
漬法、回転塗布法、スプレー法などにより塗布すること
ができる。塗布後、Ｚｏｏ℃〜３５０℃、好オしくけ２
００“０〜３００℃で加熱処理を行ない乾燥させ、基材
上にポリイミド系高分子被膜を設ける。しかる後、該高
分子被腔面を布などで一定方向にこすって配向処理する
ことにより液晶表示用電極基板が得られる。
本発明において、芳香族系ポリアミック酸の００１チ〜
１０％禾満溶液、好ましくは０．０１〜２チグ液の稀薄
溶液を基板に塗布する方法を取ることによりｘ板に対す
るぬれの良好な状態で塗布し厚みが均一であって且つ薄
いポリイミド系高分子被膜を得ることができる。
１０％禾満溶液、好ましくは０．０１〜２チグ液の稀薄
溶液を基板に塗布する方法を取ることによりｘ板に対す
るぬれの良好な状態で塗布し厚みが均一であって且つ薄
いポリイミド系高分子被膜を得ることができる。
芳香族系ポリアミック酸の０．０１〜１０チ未満溶液を
、透ＬＩ１１ｘ極被膜を有する基板面上に塗布した後、
加熱処理を行なってポリイミド系高分子被膜を形成し、
しかるのち該被膜向を布などで一定方向にこすって配向
処理してなる配向層はすぐれた配向効果を示す。
、透ＬＩ１１ｘ極被膜を有する基板面上に塗布した後、
加熱処理を行なってポリイミド系高分子被膜を形成し、
しかるのち該被膜向を布などで一定方向にこすって配向
処理してなる配向層はすぐれた配向効果を示す。
更に又、配向層を薄く形成することにより表示ｖｉｃ置
の駆動に委する電圧を低く保持させることができる。ポ
リイミド系高分子被膜は液晶との相性が艮＜、Ｋ（品物
質の分子の配向に悪影響を与えることがないセルを形成
することができる。
の駆動に委する電圧を低く保持させることができる。ポ
リイミド系高分子被膜は液晶との相性が艮＜、Ｋ（品物
質の分子の配向に悪影響を与えることがないセルを形成
することができる。
実施例 １
トリメリット酸とヒドロキノンとから得られる芳香族ジ
カルボン酸無水物と、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテルとを縮合して得るポリエステルイミドの前駆体で
あるポリアミック酸の２チジメチルアセトアミド溶液に
、酸化インジウムの導電性被膜を有するネサガラスをパ
ターン状にエツチングした後通常の方法で洗浄した電極
基板を浸漬後、２００℃で１時間加熱処理を行ない脱水
閉環させ、？Ｑ：極基極上板上リエステルイミド高分子
破りを設けた。
カルボン酸無水物と、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテルとを縮合して得るポリエステルイミドの前駆体で
あるポリアミック酸の２チジメチルアセトアミド溶液に
、酸化インジウムの導電性被膜を有するネサガラスをパ
ターン状にエツチングした後通常の方法で洗浄した電極
基板を浸漬後、２００℃で１時間加熱処理を行ない脱水
閉環させ、？Ｑ：極基極上板上リエステルイミド高分子
破りを設けた。
次に上記高分子被膜を設けた一対の電極基板を布で一方
向にこすって配向処理して液晶表示用電極上版を得た。
向にこすって配向処理して液晶表示用電極上版を得た。
この配向効果は３５０℃の加熱処理にも失われず、耐熱
性に優れていた。しかる後、一対の１！極基板のこすり
方向が互いに直交するようにしてセル組みし、正の誘電
異方性を有するネマチック液晶を封入してセルの外側の
両面に偏光膜を該偏光膜の偏光方位がそれぞれＩａｌ接
する基板のこすシ方向に平行になるように貼合して表示
デバイスを作製した。該表示デバイスは耐久性に優れ％
また８０″Ｃに４週間放置しても配向の破壊は見られず
、配向の均一性も良好であった。
性に優れていた。しかる後、一対の１！極基板のこすり
方向が互いに直交するようにしてセル組みし、正の誘電
異方性を有するネマチック液晶を封入してセルの外側の
両面に偏光膜を該偏光膜の偏光方位がそれぞれＩａｌ接
する基板のこすシ方向に平行になるように貼合して表示
デバイスを作製した。該表示デバイスは耐久性に優れ％
また８０″Ｃに４週間放置しても配向の破壊は見られず
、配向の均一性も良好であった。
実施例 ２
Ｎ、Ｎ’−ビス（３−アミノフェニル）イソ７タルアミ
ドとピロメリットｍ無水物とを縮合して得るポリアミド
イミドの前駆体であるポリアミック酸の１チジメルアセ
トアミド溶液を作成した。次に、酸化スズの導電性被膜
を有するネサガラスをパターン状にエツチングし、１常
の方法で洗浄した電極基板に上記溶液を回転Ｑ工面法に
より二面し、２５０ Ｔ！で２０分！１ｉ１力ＩＩ Ｆ
＞’、処理を行ない脱水閉環させ、電体基板上にポリア
ミドイミド高分子被膜を設けた。次に上記高分子被膜′
ｆｆ：設けた一対の′ｌ、ｌ”！一基板を布で一方向に
こすり液晶表示用蛋栓基板を得た。このＶ向効果は３０
０″Ｃの加熱処理でも失われず、耐熱性に優れていた。
ドとピロメリットｍ無水物とを縮合して得るポリアミド
イミドの前駆体であるポリアミック酸の１チジメルアセ
トアミド溶液を作成した。次に、酸化スズの導電性被膜
を有するネサガラスをパターン状にエツチングし、１常
の方法で洗浄した電極基板に上記溶液を回転Ｑ工面法に
より二面し、２５０ Ｔ！で２０分！１ｉ１力ＩＩ Ｆ
＞’、処理を行ない脱水閉環させ、電体基板上にポリア
ミドイミド高分子被膜を設けた。次に上記高分子被膜′
ｆｆ：設けた一対の′ｌ、ｌ”！一基板を布で一方向に
こすり液晶表示用蛋栓基板を得た。このＶ向効果は３０
０″Ｃの加熱処理でも失われず、耐熱性に優れていた。
次いで実施例１と同様にして表示デバイスを作ｚＪシた
。
。
該表示デバイスは耐久性に潰れ、′！：九８０ ”ｃに
４週間放にしても配向の破吠は見られず、配向の均一性
も良好であった。
４週間放にしても配向の破吠は見られず、配向の均一性
も良好であった。
実施例 ３
ピロメリット酸無水物と４．４′−ジアミノジフェニル
エーテルと？縮合して得るポリイミドの［）１１駆体で
あるポリアミック酸の１％Ｎ−メチルピロリドン溶液に
、酸化インジウムの纒［性被膜を有するネサガラスをパ
ターン状にエツチングした後通常の方法で洗浄した電極
基板を浸漬した。浸漬後、３５０℃で５分間加熱処理を
行ない脱水閉環させ１ｈｉ極基板上にポリイミド高分子
破膜を設けた。
エーテルと？縮合して得るポリイミドの［）１１駆体で
あるポリアミック酸の１％Ｎ−メチルピロリドン溶液に
、酸化インジウムの纒［性被膜を有するネサガラスをパ
ターン状にエツチングした後通常の方法で洗浄した電極
基板を浸漬した。浸漬後、３５０℃で５分間加熱処理を
行ない脱水閉環させ１ｈｉ極基板上にポリイミド高分子
破膜を設けた。
次に上記高分子被膜を設けた一対の電極基板を布で一方
向にこすり液晶表示用電極基板を得た。この配向効果は
４００℃の加熱処理でも失われず、耐熱性に優れていた
。次いで実施例１と同様にして表示デバイスを作製した
。該表示デバイスは耐久性に優れ、また８０℃に４週間
放置しても配向の破壊は見られず、配向の均一性も良好
であった。
向にこすり液晶表示用電極基板を得た。この配向効果は
４００℃の加熱処理でも失われず、耐熱性に優れていた
。次いで実施例１と同様にして表示デバイスを作製した
。該表示デバイスは耐久性に優れ、また８０℃に４週間
放置しても配向の破壊は見られず、配向の均一性も良好
であった。
実施例 ４
実施例１と同機に配向処理した一対のネサガラスをそれ
ぞれの配向方向が４５度をなすようにセル８↓し、次い
で実施例１と同様にして表示デバイスを作製した。この
表示デバイスは配向のむらがなく、また高温の耐久性に
優れていた。
ぞれの配向方向が４５度をなすようにセル８↓し、次い
で実施例１と同様にして表示デバイスを作製した。この
表示デバイスは配向のむらがなく、また高温の耐久性に
優れていた。
さらにこの表示デバイスは、電界印加による画像部の色
相が黒色でかつ非画像部は干渉稿がなく透□明であるの
で、表示体としての画像部のコントラストが極めて良く
、また、液晶分子の立上シ、立下シの応答速度が速く、
光の像のちらつきがないなど非常に優れていた。
相が黒色でかつ非画像部は干渉稿がなく透□明であるの
で、表示体としての画像部のコントラストが極めて良く
、また、液晶分子の立上シ、立下シの応答速度が速く、
光の像のちらつきがないなど非常に優れていた。
実施例 ５
実施例２と１０」様に配向処理した一対のネサガラスを
それぞれの配向方向が（ａｔ ３８ ｉ、（ｂｌ ５２
度をなすようにセル組し、次いで実施９１１２と同様に
して表示デバイスを作製した。これらの表示デバイスＦ
ｉ、（ａｌおよび（ｂｌともに実施ｆＩＪ ４と同様の
優れた性質を有していた。
それぞれの配向方向が（ａｔ ３８ ｉ、（ｂｌ ５２
度をなすようにセル組し、次いで実施９１１２と同様に
して表示デバイスを作製した。これらの表示デバイスＦ
ｉ、（ａｌおよび（ｂｌともに実施ｆＩＪ ４と同様の
優れた性質を有していた。
比較例 １
酸化インジウムを蒸着した１σ、極用ネサガラスを洗浄
後、配向処理剤としてポリオキシエチレンノニルフェニ
ルエーテルの０．５チ水溶敵をｉｉｔして塗布した後、
真空、加熱乾燥させた。
後、配向処理剤としてポリオキシエチレンノニルフェニ
ルエーテルの０．５チ水溶敵をｉｉｔして塗布した後、
真空、加熱乾燥させた。
次に上記止血＋１．ｉを布で一方向に摩擦して配向処理
したネサガラスを作製した。
したネサガラスを作製した。
こうして得られた一対のネサガラスを摩擦方向に直交す
るようにセル−粗し、市販のツイストタイプｌｅＬ晶（
ネマチック液晶）を封入してセルの外ｔ）すの両面に偏
光膜を貼合して表示デバイスを作製した。
るようにセル−粗し、市販のツイストタイプｌｅＬ晶（
ネマチック液晶）を封入してセルの外ｔ）すの両面に偏
光膜を貼合して表示デバイスを作製した。
この表示デバイスは電場印加時に表示部に明暗の配向ム
ラがあり、また、６０°Ｃで１００時間経過後、配向が
破壊し耐久性が良くなかった。
ラがあり、また、６０°Ｃで１００時間経過後、配向が
破壊し耐久性が良くなかった。
比較例 ２
比較例１で配向処理剤を使用せず、直接ネサガラス面を
布で一方向に摩擦して配向処理したネサガラスを作製し
た仮、比較例１と同様にして表示デバイスを作製した。
布で一方向に摩擦して配向処理したネサガラスを作製し
た仮、比較例１と同様にして表示デバイスを作製した。
この表示デバイスはｇ場印加時に表示部に明暗の配向ム
ラがあシ、また５０°Ｃで３時間経過後、配向が破壊し
はじめ２日後で完全に破壊してしまい、耐久性、耐熱性
が良くなかった。
ラがあシ、また５０°Ｃで３時間経過後、配向が破壊し
はじめ２日後で完全に破壊してしまい、耐久性、耐熱性
が良くなかった。
本発明の方法により得られる液晶表示用電極基１板は液
晶の初期配向の均一性に極めて優れており、かつ、ポリ
イミド系高分子＃膜に耐熱性に優れているので、硬化温
度の高す有機系シール材は勿論のこと、ガラスフリット
などによる無機シールも可能であり、また電極基板の温
度が上昇しても液晶物質の分子の配向には影響を与える
ことがなく、またポリイミド系高分子被膜は液晶との相
性が良く、セル中の液晶物質の分子が長期間安定して存
在するという利点がある。本発明の方法によれば、上記
の如く潰れた液晶表示用電極基板が極めて容易に得られ
る。
晶の初期配向の均一性に極めて優れており、かつ、ポリ
イミド系高分子＃膜に耐熱性に優れているので、硬化温
度の高す有機系シール材は勿論のこと、ガラスフリット
などによる無機シールも可能であり、また電極基板の温
度が上昇しても液晶物質の分子の配向には影響を与える
ことがなく、またポリイミド系高分子被膜は液晶との相
性が良く、セル中の液晶物質の分子が長期間安定して存
在するという利点がある。本発明の方法によれば、上記
の如く潰れた液晶表示用電極基板が極めて容易に得られ
る。
本発明の方法によシ得られる鍛晶表示用′ｃヒ極基板の
透明＠種被膜を設けた面、すなわちポリイミド系高分子
被膜面を布などで一定方向にこすって配向処理した一対
の電極基板の間に正の防電異方性を有する液晶物質、た
とえばネマチック液晶を公知の方法で封入シールするこ
とにより液晶表示デバイスを作製することができる。
透明＠種被膜を設けた面、すなわちポリイミド系高分子
被膜面を布などで一定方向にこすって配向処理した一対
の電極基板の間に正の防電異方性を有する液晶物質、た
とえばネマチック液晶を公知の方法で封入シールするこ
とにより液晶表示デバイスを作製することができる。
Claims (1)
- 芳香族系ポリアミック酸の０．０１％〜１０％未満溶液
を、透明電極被膜を有する基板の該電極被膜を含む一部
または全面上に塗布した後、１００〜３５０℃で加熱処
理を行なってポリイミド系高分子被膜を形成し、次いで
該被膜を配向処理することを特徴とする液晶表示用電極
基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12529386A JPS6285222A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 液晶表示用電極基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12529386A JPS6285222A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 液晶表示用電極基板の製造法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4543378A Division JPS53131059A (en) | 1978-04-19 | 1978-04-19 | Method of manufacturing flectrode plate for use in liquid crystal indication |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285222A true JPS6285222A (ja) | 1987-04-18 |
| JPS6238689B2 JPS6238689B2 (ja) | 1987-08-19 |
Family
ID=14906496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12529386A Granted JPS6285222A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 液晶表示用電極基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285222A (ja) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3179634A (en) * | 1962-01-26 | 1965-04-20 | Du Pont | Aromatic polyimides and the process for preparing them |
| US3448068A (en) * | 1966-05-05 | 1969-06-03 | Gen Electric | Polymer solutions and methods for preparing and using the same |
| JPS4892044A (ja) * | 1972-03-08 | 1973-11-29 | ||
| JPS4927451U (ja) * | 1972-06-09 | 1974-03-08 | ||
| US3836231A (en) * | 1971-09-30 | 1974-09-17 | Gen Electric | Uniform liquid crystal cells and method for making the same |
| JPS49107751A (ja) * | 1973-02-17 | 1974-10-14 | ||
| JPS49121549A (ja) * | 1973-03-22 | 1974-11-20 | ||
| JPS5091345A (ja) * | 1973-12-06 | 1975-07-22 | ||
| JPS5165960A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-08 | Dainippon Printing Co Ltd | |
| JPS53131059A (en) * | 1978-04-19 | 1978-11-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of manufacturing flectrode plate for use in liquid crystal indication |
| JPS6215848A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Hitachi Ltd | テ−プキヤリア素子 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12529386A patent/JPS6285222A/ja active Granted
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3179634A (en) * | 1962-01-26 | 1965-04-20 | Du Pont | Aromatic polyimides and the process for preparing them |
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| JPS4927451U (ja) * | 1972-06-09 | 1974-03-08 | ||
| JPS49107751A (ja) * | 1973-02-17 | 1974-10-14 | ||
| JPS49121549A (ja) * | 1973-03-22 | 1974-11-20 | ||
| JPS5091345A (ja) * | 1973-12-06 | 1975-07-22 | ||
| US3912366A (en) * | 1973-12-06 | 1975-10-14 | Ibm | Liquid crystal display assembly having polyimide layers |
| JPS5165960A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-08 | Dainippon Printing Co Ltd | |
| JPS53131059A (en) * | 1978-04-19 | 1978-11-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of manufacturing flectrode plate for use in liquid crystal indication |
| JPS6215848A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Hitachi Ltd | テ−プキヤリア素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6238689B2 (ja) | 1987-08-19 |
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