JPS62848B2 - - Google Patents
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- JPS62848B2 JPS62848B2 JP9781578A JP9781578A JPS62848B2 JP S62848 B2 JPS62848 B2 JP S62848B2 JP 9781578 A JP9781578 A JP 9781578A JP 9781578 A JP9781578 A JP 9781578A JP S62848 B2 JPS62848 B2 JP S62848B2
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- layer
- aerosol
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- metal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/0009—Materials therefor
- G02F1/0036—Magneto-optical materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気―光学多結晶コバルトフエライト
層の製造方法に関するものである。
層の製造方法に関するものである。
コバルトフエライト層を形成する方法は、AIP
コンフエレンス・プロシーデイングスNo.24，
1975，PP186〜187により知られている。
コンフエレンス・プロシーデイングスNo.24，
1975，PP186〜187により知られている。
この文献には、特定の多結晶コバルトフエライ
ト、即ち組成CoRhFeO4を有するフエライトが
1000℃の温度および約5000気圧の圧力で熱間圧縮
することにより製造されることが記載されてい
る。約0.7μｍの波長で、この材料は0.6度の二重
磁気光学カー（Kerr）回転を有する（室温にお
ける測定）。一般に多結晶コバルトフエライトは
その性質により変調器、絶縁体および光学記録装
置に用いるのに適する。
ト、即ち組成CoRhFeO4を有するフエライトが
1000℃の温度および約5000気圧の圧力で熱間圧縮
することにより製造されることが記載されてい
る。約0.7μｍの波長で、この材料は0.6度の二重
磁気光学カー（Kerr）回転を有する（室温にお
ける測定）。一般に多結晶コバルトフエライトは
その性質により変調器、絶縁体および光学記録装
置に用いるのに適する。
この既知方法の欠点は、高い温度と圧力を組合
せることが必要で経済的に魅力がなく、一方形成
される物質は上記用途に対して比較的低い磁気―
光学回転を有することである。
せることが必要で経済的に魅力がなく、一方形成
される物質は上記用途に対して比較的低い磁気―
光学回転を有することである。
本発明の目的は経済的に魅力があり、高い磁気
―光学回転を有する層を提供する、磁気―光学コ
バルトフエライト層の製造方法を得んとするにあ
る。
―光学回転を有する層を提供する、磁気―光学コ
バルトフエライト層の製造方法を得んとするにあ
る。
この目的は、
Ａ 金属の酸化物が所望のコバルトフエライトを
形成する該金属の塩の溶媒溶液を調製し、該金
属塩はクエン酸塩、酢酸塩またはアセチルアセ
トネートの形態の金属有機化合物或いはニトレ
ネートであり、使用する溶媒は水または有機溶
媒で、 Ｂ 上記溶液を噴霧してエーロゾルを形成し、 Ｃ エーロゾルを噴霧剤ガスにより、加熱した基
体表面上に噴霧し、溶液中の金属の塩の濃度と
基体の温度を、エーロゾルが加熱された基体上
に噴霧される場合、塩が分解し基体上でコバル
トフエライト層に直接転化するように選定し、
エーロゾルを所望厚さの均質層が形成されるま
で噴霧する 工程より成る本発明の方法により達成される。
形成する該金属の塩の溶媒溶液を調製し、該金
属塩はクエン酸塩、酢酸塩またはアセチルアセ
トネートの形態の金属有機化合物或いはニトレ
ネートであり、使用する溶媒は水または有機溶
媒で、 Ｂ 上記溶液を噴霧してエーロゾルを形成し、 Ｃ エーロゾルを噴霧剤ガスにより、加熱した基
体表面上に噴霧し、溶液中の金属の塩の濃度と
基体の温度を、エーロゾルが加熱された基体上
に噴霧される場合、塩が分解し基体上でコバル
トフエライト層に直接転化するように選定し、
エーロゾルを所望厚さの均質層が形成されるま
で噴霧する 工程より成る本発明の方法により達成される。
本発明方法の利点は、実施するのが極めて簡単
なことおよび0.72μｍの波長において上記既知方
法により得られる生成物の２〜４倍の二重カー回
転を有する層が形成されることである。
なことおよび0.72μｍの波長において上記既知方
法により得られる生成物の２〜４倍の二重カー回
転を有する層が形成されることである。
この高回転はおそらく、使用する方法が低温度
で実施される結果として、かなり多くのCoイオ
ンが、1000℃の高温度を含む上記既知方法を使用
して製造された物質の場合より四面体格子位置に
存在し、比較的大量のCoイオンが八面体格子位
置に存在する結晶格子を有する物質が得られると
いう事実に基づく。事実四面体格子位置における
コバルトの分量は磁気光学回転を決定する。この
ことはコバルトのハロゲン化物（例えばコバルト
の塩化物）は本発明の方法に使用することができ
ないことを意味する。この理由はかかるハロゲ化
物の（水）溶液は高分解温度に関連して高い調製
温度を必要とするからである。更にオキシハライ
ドが形成され、これはしばしば分解が困難であ
る。
で実施される結果として、かなり多くのCoイオ
ンが、1000℃の高温度を含む上記既知方法を使用
して製造された物質の場合より四面体格子位置に
存在し、比較的大量のCoイオンが八面体格子位
置に存在する結晶格子を有する物質が得られると
いう事実に基づく。事実四面体格子位置における
コバルトの分量は磁気光学回転を決定する。この
ことはコバルトのハロゲン化物（例えばコバルト
の塩化物）は本発明の方法に使用することができ
ないことを意味する。この理由はかかるハロゲ化
物の（水）溶液は高分解温度に関連して高い調製
温度を必要とするからである。更にオキシハライ
ドが形成され、これはしばしば分解が困難であ
る。
本発明方法の好ましい例においては、噴霧中基
体を450〜650℃の温度で加熱する。この方法で良
い結果が得られる。
体を450〜650℃の温度で加熱する。この方法で良
い結果が得られる。
この方法で多結晶層が基体に直接生長する。
約450℃以下では、完全には結晶質でない層が
形成される場合がある。約650℃以上で、生長温
度は経済的に興味の少ない値に低下する。
形成される場合がある。約650℃以上で、生長温
度は経済的に興味の少ない値に低下する。
金属塩として、例えば酢酸ブチルに溶解するク
エン酸塩、酢酸塩またはアセチルアセネートの形
態の金属―有機化合物を使用することができる。
金属塩としてニトレートまたは水和したニトレー
トを、特に溶媒としてグリコール―モノエチルエ
ーテル（「セロソルブ」商品名）と組合せて使用
する場合に極めて良好な結果が得られる。これ
は、溶液の濃度を変えることにより属中の金属酸
化物の比を所望値に極めて正確に調整することが
できる利点を有するためである。
エン酸塩、酢酸塩またはアセチルアセネートの形
態の金属―有機化合物を使用することができる。
金属塩としてニトレートまたは水和したニトレー
トを、特に溶媒としてグリコール―モノエチルエ
ーテル（「セロソルブ」商品名）と組合せて使用
する場合に極めて良好な結果が得られる。これ
は、溶液の濃度を変えることにより属中の金属酸
化物の比を所望値に極めて正確に調整することが
できる利点を有するためである。
更に特に溶液を空気噴霧する場合には噴霧剤ガ
ス（例えば空気）を使用する溶媒で飽和して溶液
の濃度を噴霧中できるだけ一定に維持することが
重要である。
ス（例えば空気）を使用する溶媒で飽和して溶液
の濃度を噴霧中できるだけ一定に維持することが
重要である。
本発明の方法は次の組成
CoxFe3-xO4
（但し0.3＜x1.5）を有するコバルトフエライ
ト層の製造に好適である。ｘ＜0.3の場合には、
形成された層の抗磁力は小さくなり過ぎて例えば
磁気光学記憶に使用するのに適さない。ｘ＞1.5
の場合には、１相フエライト系の代りに２相フエ
ライト系が得られる。
ト層の製造に好適である。ｘ＜0.3の場合には、
形成された層の抗磁力は小さくなり過ぎて例えば
磁気光学記憶に使用するのに適さない。ｘ＞1.5
の場合には、１相フエライト系の代りに２相フエ
ライト系が得られる。
本発明の方法は情報の熱磁気記録および磁気光
学読取り装置における活性層として使用するため
のフエライト層を製造するのに使用することがで
きる。
学読取り装置における活性層として使用するため
のフエライト層を製造するのに使用することがで
きる。
本発明を次の実施例および参考例につき説明す
る。
る。
実施例１および参考例においてコバルトおよび
鉄の水和ニトレートをグリコール―モノエチル―
エーテル（「セロソルブ」商品名）に溶解して成
る溶液を製造した。この溶液は既知の空気または
超音波噴霧器により噴霧することができる。
鉄の水和ニトレートをグリコール―モノエチル―
エーテル（「セロソルブ」商品名）に溶解して成
る溶液を製造した。この溶液は既知の空気または
超音波噴霧器により噴霧することができる。
ガス流により生ずる圧力差の結果として、溶液
が毛細管から取出される。管を離れる液流はガス
流により変動し、液線状体が形成される。この線
状体は崩解し、滴を形成する。一層大きい滴は捕
えられ、一層小さい滴が噴霧剤と一緒にエーロゾ
ルを形成し、次いでこれがノズルを介して炉内に
おかれた基体上に噴霧される。ノズルによりジグ
ザグ運動を行うことにより均一厚さの薄層を基体
上に得ることができる。本発明の範囲内で空気は
噴霧剤ガスとして適することが証明された。アル
ゴンおよび窒素もまた有用である。噴霧剤ガス
は、溶液の濃度を噴霧中できるだけ一定に維持す
るために溶媒で飽和するのが好ましい。
が毛細管から取出される。管を離れる液流はガス
流により変動し、液線状体が形成される。この線
状体は崩解し、滴を形成する。一層大きい滴は捕
えられ、一層小さい滴が噴霧剤と一緒にエーロゾ
ルを形成し、次いでこれがノズルを介して炉内に
おかれた基体上に噴霧される。ノズルによりジグ
ザグ運動を行うことにより均一厚さの薄層を基体
上に得ることができる。本発明の範囲内で空気は
噴霧剤ガスとして適することが証明された。アル
ゴンおよび窒素もまた有用である。噴霧剤ガス
は、溶液の濃度を噴霧中できるだけ一定に維持す
るために溶媒で飽和するのが好ましい。
実施例 １
セロソルブに水和ニトレートを溶解した溶液
を、Fe0.74モル／およびCo1.04モル／含有
するように調製した（溶液１）。上記溶液を空気
噴霧器により噴霧した。
を、Fe0.74モル／およびCo1.04モル／含有
するように調製した（溶液１）。上記溶液を空気
噴霧器により噴霧した。
噴霧剤ガス（空気）の流速は約10／分あつ
た。噴霧剤ガスはセロソルブで飽和された。約20
ml／ｈの溶液１を使用した。
た。噴霧剤ガスはセロソルブで飽和された。約20
ml／ｈの溶液１を使用した。
液体毛細管の内径は１mmで、ガスが流れる毛細
管の内径は２mmであつた。
管の内径は２mmであつた。
基体（ガラス板）を置いた炉の温度を500℃に
維持した。
維持した。
エーロゾルをガラス板上に数時間噴霧した。
ガラス板上に形成されたコバルトフエライト
（CoFeO4）の多結晶層は約1.5μｍの厚さを有した
（500℃の加熱温度でスピネル構造を有する層が直
接形成された）。この層は7200Åの波長で2.4度の
二重カ―回転を示し、3000エルステツドの抗磁力
を有した。
（CoFeO4）の多結晶層は約1.5μｍの厚さを有した
（500℃の加熱温度でスピネル構造を有する層が直
接形成された）。この層は7200Åの波長で2.4度の
二重カ―回転を示し、3000エルステツドの抗磁力
を有した。
超音波噴霧器の場合には、噴霧剤ガスの機能お
よびエーロゾル発生の関数は別である。この場合
における滴の大きさの差は空気噴霧器を使用する
場合より小であつた。この場合噴霧剤ガスを溶媒
で飽和することは必要性が少かつた。
よびエーロゾル発生の関数は別である。この場合
における滴の大きさの差は空気噴霧器を使用する
場合より小であつた。この場合噴霧剤ガスを溶媒
で飽和することは必要性が少かつた。
参考例
水和ニトレートの水溶液を、Fe0.3モル／お
よびCo0.15モル／含有するように製造した。
この溶液を超音波噴霧器により噴霧した。噴霧剤
ガス（空気）の流速は約12.5／分であつた。
よびCo0.15モル／含有するように製造した。
この溶液を超音波噴霧器により噴霧した。噴霧剤
ガス（空気）の流速は約12.5／分であつた。
エーロゾルをガラス板上に30分間噴霧し、この
板を260℃の温度に維持した炉内においた。ガラ
ス板上に形成された無定形層は約1.5μｍの厚さ
を有した。上記無定形層を、約600℃の温度で後
加熱することによりスピネル構造を有する
CoFe2O4の多結晶層に転換した。上記層は実施例
１の層の抗磁力より小である抗磁力を有し、実施
例１の層より小であるが、既知方法により得られ
た層より大である二重カ―回転を示した。
板を260℃の温度に維持した炉内においた。ガラ
ス板上に形成された無定形層は約1.5μｍの厚さ
を有した。上記無定形層を、約600℃の温度で後
加熱することによりスピネル構造を有する
CoFe2O4の多結晶層に転換した。上記層は実施例
１の層の抗磁力より小である抗磁力を有し、実施
例１の層より小であるが、既知方法により得られ
た層より大である二重カ―回転を示した。
900℃の温度で後加熱すると、同じ方法で得ら
れた層は一定範囲の組織を示した。1150℃の温度
で後加熱した層はほぼ完全な（111）組織を示し
た。
れた層は一定範囲の組織を示した。1150℃の温度
で後加熱した層はほぼ完全な（111）組織を示し
た。
次の実施例２〜５において、金属塩としてアセ
チルアセトネートを使用した。また溶媒はプロパ
ノール―１を用いた。各溶液を実施例１に記載し
た空気噴霧器により噴霧し、噴霧した溶液を510
℃に加熱した基体上に噴霧した。堆積した層は約
0.20μｍの厚さを有した。
チルアセトネートを使用した。また溶媒はプロパ
ノール―１を用いた。各溶液を実施例１に記載し
た空気噴霧器により噴霧し、噴霧した溶液を510
℃に加熱した基体上に噴霧した。堆積した層は約
0.20μｍの厚さを有した。
実施例 ２
噴霧溶液はコバルトと鉄を1.11：1.89の比で含
有した。これをガラス基板上に噴霧した。
有した。これをガラス基板上に噴霧した。
生成したコバルトフエライト層は（100）の組
織を有するスピネル構造を有した。この層の保磁
力は1500エルステツドであつた。カ―回転は6200
Åで0.30゜で、7400Åで0.82゜であつた。
織を有するスピネル構造を有した。この層の保磁
力は1500エルステツドであつた。カ―回転は6200
Åで0.30゜で、7400Åで0.82゜であつた。
実施例 ３
噴霧溶液はコバルトと鉄を0.82：2.18の比で含
有した。これをパイレツクス基体上に噴霧した。
有した。これをパイレツクス基体上に噴霧した。
生成したコバルトフエライト層は（100）の組
織を有するスピネル構造を有した。この層の保磁
力は4500エルステツドであつた。カ―回転は5700
Åで0.30゜で、7100Åで0.98゜であつた。
織を有するスピネル構造を有した。この層の保磁
力は4500エルステツドであつた。カ―回転は5700
Åで0.30゜で、7100Åで0.98゜であつた。
実施例 ４
噴霧溶液はコバルトと鉄を0.85：2.15の比で含
有した。これをパイレツクス基体上に噴霧した。
有した。これをパイレツクス基体上に噴霧した。
生成したコバルトフエライト層は（100）の組
織を有するスピネル構造を有した。この層の保磁
力は9100エルステツドであつた。カ―回転は6500
Åで0.45゜で、7600Åで0.58゜であつた。
織を有するスピネル構造を有した。この層の保磁
力は9100エルステツドであつた。カ―回転は6500
Åで0.45゜で、7600Åで0.58゜であつた。
実施例 ５
噴霧溶液はコバルトと鉄を1.00：2.00の比で含
有した。これをパイレツクス基体上に噴霧した。
有した。これをパイレツクス基体上に噴霧した。
生成したコバルトフエライト層は（100）の組
織を有するスピネル構造を有した。層の保磁力は
1730エルステツドであつた。カ―回転は6400Åで
0.21゜で7500Åで1.40゜であつた。
織を有するスピネル構造を有した。層の保磁力は
1730エルステツドであつた。カ―回転は6400Åで
0.21゜で7500Åで1.40゜であつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ａ 金属の酸化物が所望のコバルトフエライ
トを形成する該金属の塩の溶媒溶液を調製し、
該金属塩はクエン酸塩、酢酸塩またはアセチル
アセトネートの形態の金属有機化合物或いはニ
トレートであり、使用する溶媒は水または有機
溶媒で、 Ｂ 上記溶液を噴霧してエーロゾルを形成し、 Ｃ エーロゾルを噴霧剤ガスにより、加熱した基
体表面上に噴霧し、溶液中の金属の塩の濃度と
基体の温度を、エーロゾルが加熱された基体上
に噴霧される場合、塩が分解し基体上でコバル
トフエライト層に直接転化するように選定し、
エーロゾルを所望厚さの均質層が形成されるま
で噴霧する ことを特徴とする磁気光学多結晶コバルトフエラ
イト層の製造方法。 ２ 基体を噴霧中450〜650℃の温度で加熱する特
許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 金属塩が水和したニトレートである特許請求
の範囲第２項記載の方法。 ４ 溶媒がグリコール―モノエチルエーテルであ
る特許請求の範囲第３項記載の方法。 ５ コバルトフエライトが次式： CoxFe3-xO4 （但し0.3＜ｘ＜1.5）で規定される組成を有す
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６ 基体がガラス、石英、酸化アルミニウムまた
は酸化マグネシウムである特許請求の範囲第５項
記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7708959A NL7708959A (nl) | 1977-08-15 | 1977-08-15 | Werkwijze voor het vormen van een magneto-op- tische polykristallijne cobalt ferriet laag en cobalt ferriet laag vervaardigd volgens de werkwijze. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5435900A JPS5435900A (en) | 1979-03-16 |
| JPS62848B2 true JPS62848B2 (ja) | 1987-01-09 |
Family
ID=19829014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9781578A Granted JPS5435900A (en) | 1977-08-15 | 1978-08-12 | Method of forming magnetooptical polycrystalline cobalt ferrite layer on substrate |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5435900A (ja) |
| AU (1) | AU521775B2 (ja) |
| CA (1) | CA1143258A (ja) |
| DE (1) | DE2835203A1 (ja) |
| FR (1) | FR2400493A1 (ja) |
| GB (1) | GB2002338B (ja) |
| NL (1) | NL7708959A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8203725A (nl) * | 1982-09-27 | 1984-04-16 | Philips Nv | Thermo-magneto-optische geheugeninrichting en registratiemedium daarvoor. |
| NL8204291A (nl) * | 1982-11-05 | 1984-06-01 | Philips Nv | Optisch registratie-element. |
| NL8301916A (nl) * | 1983-05-31 | 1984-12-17 | Philips Nv | Thermo-magneto-optische registratie-inrichting en registratie-element daarvoor. |
| US4670323A (en) * | 1983-11-26 | 1987-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Magneto-optic recording medium having a metal oxide recording layer |
| US4670322A (en) * | 1983-12-05 | 1987-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Metal oxide magnetic substance and a magnetic film consisting thereof and their uses |
| DE3503996A1 (de) * | 1984-02-06 | 1985-08-08 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Magnetische metalloxidsubstanz und eine daraus bestehende magnetschicht sowie deren verwendungen |
| JPS63290465A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 画像読取装置 |
| JPH0246705A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | コバルトフェライト磁性薄膜 |
| CA2048740A1 (en) * | 1990-12-24 | 1992-06-25 | John A. Deluca | Method of preparing metal oxide films |
| JP4560619B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2010-10-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 永久磁石膜 |
| JP2010083700A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Dainippon Printing Co Ltd | コバルト酸化物膜を有する積層体 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1010205B (de) * | 1952-09-22 | 1957-06-13 | Siemens Ag | Herstellung von ferromagnetischen Sinterferritkoerpern |
| DE1017298B (de) * | 1953-03-06 | 1957-10-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer ferromagnetischen, elektrisch nichtleitenden Schicht auf Traegerunterlagen |
| DE1091025B (de) * | 1959-08-29 | 1960-10-13 | Werk Fuer Bauelemente Der Nach | Verfahren zur Herstellung von Ferritbauelementen |
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