JPS6277474A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6277474A JPS6277474A JP21875785A JP21875785A JPS6277474A JP S6277474 A JPS6277474 A JP S6277474A JP 21875785 A JP21875785 A JP 21875785A JP 21875785 A JP21875785 A JP 21875785A JP S6277474 A JPS6277474 A JP S6277474A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode plate
- substrate
- vacuum chamber
- cvd method
- discharge electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、材料ガスに励起のためのエネルギーを与え
ることにより材料ガスを分解し、その分解生成物や反応
生成物の基板表面への堆積を行なわせて、基板の表面に
薄膜を形成させるＣＶＤ装置に関するものであり、この
発明は、例えば半導体シリコン膜や絶縁膜や金属配線膜
を形成する場合などに利用される。
ることにより材料ガスを分解し、その分解生成物や反応
生成物の基板表面への堆積を行なわせて、基板の表面に
薄膜を形成させるＣＶＤ装置に関するものであり、この
発明は、例えば半導体シリコン膜や絶縁膜や金属配線膜
を形成する場合などに利用される。
気体材料から基板上に薄膜を形成させる方法を一般にＣ
ＶＤ （ケミカル ベーパ デポジション）法と呼んで
いるが、このＣＶＤ法としてはプラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法などがある。
ＶＤ （ケミカル ベーパ デポジション）法と呼んで
いるが、このＣＶＤ法としてはプラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法などがある。
このうちプラズマＣＶＤ法は、例えば太陽電池を祷成す
るシリコン半導体の製造において平滑に仕上げられた平
面基板の表面に３μｍ程度のアモルファスシリコンの薄
膜層を形成するのに利用されるなど、比較的以前より実
用化され、盛んに使用されている。このプラズマＣＶＤ
法は、真空チャンバの内方空間に、マツチング回路を介
して高周波電源に接続された放電電極板とアースに接続
されたアース電極板とを互いに対向して配設し、アース
電極板に基板を取り付けてそれを所定の温度に加熱する
ようにする。
るシリコン半導体の製造において平滑に仕上げられた平
面基板の表面に３μｍ程度のアモルファスシリコンの薄
膜層を形成するのに利用されるなど、比較的以前より実
用化され、盛んに使用されている。このプラズマＣＶＤ
法は、真空チャンバの内方空間に、マツチング回路を介
して高周波電源に接続された放電電極板とアースに接続
されたアース電極板とを互いに対向して配設し、アース
電極板に基板を取り付けてそれを所定の温度に加熱する
ようにする。
そして、前記真空チャンバ内を真空排気し、その真空チ
ャンバ内にシランガス等の材料ガスを導入して、前記両
電極板間に高周波電圧を印加することによってグロー放
電を生じさせ、この際に起こる励起反応を利用して材料
分子を分解。
ャンバ内にシランガス等の材料ガスを導入して、前記両
電極板間に高周波電圧を印加することによってグロー放
電を生じさせ、この際に起こる励起反応を利用して材料
分子を分解。
反応を起こさせ、基板上に固体生成物の膜を形成させる
ものである。
ものである。
ところで近年では、電子デバイスの高密度化に伴って荷
電粒子の衝撃による損傷（イオンダメージ）がないとい
った利点から、並びに反応過程の選択性や処理過程の低
温化などといった利点から、低圧水銀ランプやレーザな
どの光源によって気体材料を光照射し、材料分子を励起
して分解１反応を起こさせる光ＣＶＤ法が関心を集め、
急速な進展をみせている。この光ＣＶＤ法は１Ｍ面の一
部にガラス窓が形成された真空チャンバ内を真空排気し
、その真空゛チャンバ内に材料ガスを導入し、真空チャ
ンバの外部から水銀ランプ等によりガラス窓を通して材
料ガスを光照射する。そして、この際に起こる光励起反
応を利用して基板上に固体生成物の膜を形成させるもの
である。
電粒子の衝撃による損傷（イオンダメージ）がないとい
った利点から、並びに反応過程の選択性や処理過程の低
温化などといった利点から、低圧水銀ランプやレーザな
どの光源によって気体材料を光照射し、材料分子を励起
して分解１反応を起こさせる光ＣＶＤ法が関心を集め、
急速な進展をみせている。この光ＣＶＤ法は１Ｍ面の一
部にガラス窓が形成された真空チャンバ内を真空排気し
、その真空゛チャンバ内に材料ガスを導入し、真空チャ
ンバの外部から水銀ランプ等によりガラス窓を通して材
料ガスを光照射する。そして、この際に起こる光励起反
応を利用して基板上に固体生成物の膜を形成させるもの
である。
ところで、プラズマＣＶＤ法と光ＣＶＤ法とは、材料ガ
スに対するエネルギーの付与の仕方が異なるため、従来
はそれぞれ別々の専用の装置を使用して薄膜形成が行な
われていた。しかしながら、２種類の装置を独立に製作
し、設置することは、当然のことながら装置の全体とし
てのコストが高くなり、設置のためのスペースも多く必
要とするといった問題点を抱えている。
スに対するエネルギーの付与の仕方が異なるため、従来
はそれぞれ別々の専用の装置を使用して薄膜形成が行な
われていた。しかしながら、２種類の装置を独立に製作
し、設置することは、当然のことながら装置の全体とし
てのコストが高くなり、設置のためのスペースも多く必
要とするといった問題点を抱えている。
この発明は、以上のような問題点を解決するためになさ
れたものである。
れたものである。
この発明は、プラズマＣＶＤ装置及び光ＣＶＤ装置にお
いて、それぞれの構成部材のうちの共通のものは各ＣＶ
Ｄ法でそれらを共用することとし、そしてエネルギーの
付与手段を２つ併設し、かつそれらを択一的に使用でき
るようにして、全体を１つのＣＶＤ１ｉｌｌとして構成
することによって、上記問題点を解決し九。すなわちこ
の発明に係るＣＶＤ装置は、少なくとも壁面の一部が石
英ガラスで形成された真空チャンバと、その石英ガラス
壁の外面に対向して配設された光源と、前記真空チャン
バの内方空間に互いに対向して配設された放電電極板及
びアース電極板と、前記光源及び放電電極をそれぞれ作
動させる各作動手段と、前記真空チャンバに接続された
真空排気手段と、前記真空チャンバ内に材料ガスを供給
する材料ガス供給手段とを備えて構成されている。
いて、それぞれの構成部材のうちの共通のものは各ＣＶ
Ｄ法でそれらを共用することとし、そしてエネルギーの
付与手段を２つ併設し、かつそれらを択一的に使用でき
るようにして、全体を１つのＣＶＤ１ｉｌｌとして構成
することによって、上記問題点を解決し九。すなわちこ
の発明に係るＣＶＤ装置は、少なくとも壁面の一部が石
英ガラスで形成された真空チャンバと、その石英ガラス
壁の外面に対向して配設された光源と、前記真空チャン
バの内方空間に互いに対向して配設された放電電極板及
びアース電極板と、前記光源及び放電電極をそれぞれ作
動させる各作動手段と、前記真空チャンバに接続された
真空排気手段と、前記真空チャンバ内に材料ガスを供給
する材料ガス供給手段とを備えて構成されている。
この発明に係るＣＶＤ＊Ｈにおいては、真空排気され、
材料ガスが導入された真空チャンバ内で、放電電極板と
アース電極板との間に高周波電圧を印加することによっ
てグロー放電を生じさせ、この際の励起反応を利用して
基板表面に膜の形成が行なわれる。また真空チャンバの
壁面の一部は石英ガラスで形成されており、光源からそ
の石英ガラス壁を通して真空チャンバ内の材料ガスに光
照射し、その際の光励起反応によって基板表面に膜の形
成が行なわれる。そして、電極板間への高周波電圧の印
加と光源への電力の供給とは択一的に行なわれ、１つの
ＣＶＤ装置によって、プラズマＣＶＤ法による基板への
成膜と光ＣＶＤ法による基板への成膜とを必要に応じて
いずれも行なうことができる。
材料ガスが導入された真空チャンバ内で、放電電極板と
アース電極板との間に高周波電圧を印加することによっ
てグロー放電を生じさせ、この際の励起反応を利用して
基板表面に膜の形成が行なわれる。また真空チャンバの
壁面の一部は石英ガラスで形成されており、光源からそ
の石英ガラス壁を通して真空チャンバ内の材料ガスに光
照射し、その際の光励起反応によって基板表面に膜の形
成が行なわれる。そして、電極板間への高周波電圧の印
加と光源への電力の供給とは択一的に行なわれ、１つの
ＣＶＤ装置によって、プラズマＣＶＤ法による基板への
成膜と光ＣＶＤ法による基板への成膜とを必要に応じて
いずれも行なうことができる。
以下１図を参照しながら、この発明の好適な実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
図は、この発明の１実施例を示し、ＣＶＤ装置の構成を
模式的に表わした正面断面図である。
模式的に表わした正面断面図である。
この実施例装置において、真空チャンバ１１は、平面状
の蓋板１３と基台板１５とを平行に配設してその間に筒
状の石英ガラスｇ１７を介在配設し、全体として円筒形
状をなしている。蓋板１３と石英ガラス壁１７の上縁辺
、基台板１５と石英ガラス＠１１７の上縁辺とは、それ
ぞれ真空シール部材１９．２１によって真空シールされ
ている。石英ガラス壁１７の外側には、その外周面と対
向して環状光源（水銀ランプ）２３が配設されており、
環状光源２３の背後には反射板２５が配置されている。
の蓋板１３と基台板１５とを平行に配設してその間に筒
状の石英ガラスｇ１７を介在配設し、全体として円筒形
状をなしている。蓋板１３と石英ガラス壁１７の上縁辺
、基台板１５と石英ガラス＠１１７の上縁辺とは、それ
ぞれ真空シール部材１９．２１によって真空シールされ
ている。石英ガラス壁１７の外側には、その外周面と対
向して環状光源（水銀ランプ）２３が配設されており、
環状光源２３の背後には反射板２５が配置されている。
真空チャンバ１１の基台板１５には、真空排気手段（図
示せず）に接続する真空排気ポート２７が設けられてい
る。そして真空チャンバ１１の内方空間には、放電電極
板（ＲＦ電極板）２９とアース電極板（基板電極板）３
１とが互いに対向して配置されている。放電電極部３０
はマツチング回路３３を介して高周波電源３５に接続さ
れており、高周波電源３５及びアース電極部３２はアー
ス３７に接続されている。放ｆｒｉ電極部３０及びアー
ス電極部３２と真空チャンバ１１の蓋板１３及び基台板
１５との間は、それぞれ真空シール並びに電気絶縁のた
めの処理がなされている。またアース電極板３１にはヒ
ータ３９が内蔵されており、アース電極板３１の表面に
取り付けられる基板４１を所定の温度に加熱することが
できるようになっている。尚、上記した環状光源２３の
配設位置は、基板ホルダの役割を兼ねるアース電極板３
１の表面に取り付けられる基板４１の高さ付近とする。
示せず）に接続する真空排気ポート２７が設けられてい
る。そして真空チャンバ１１の内方空間には、放電電極
板（ＲＦ電極板）２９とアース電極板（基板電極板）３
１とが互いに対向して配置されている。放電電極部３０
はマツチング回路３３を介して高周波電源３５に接続さ
れており、高周波電源３５及びアース電極部３２はアー
ス３７に接続されている。放ｆｒｉ電極部３０及びアー
ス電極部３２と真空チャンバ１１の蓋板１３及び基台板
１５との間は、それぞれ真空シール並びに電気絶縁のた
めの処理がなされている。またアース電極板３１にはヒ
ータ３９が内蔵されており、アース電極板３１の表面に
取り付けられる基板４１を所定の温度に加熱することが
できるようになっている。尚、上記した環状光源２３の
配設位置は、基板ホルダの役割を兼ねるアース電極板３
１の表面に取り付けられる基板４１の高さ付近とする。
そしてさらに放電電極部３０には第１ガス供給管４３が
接続されており、放電電極板２９の表面からガスが吹き
出すようにされている。また真空チャンバ１１内には、
耐熱ガラスからなり、表面に多数の吹出し孔（図示せず
）が穿設された第２ガス吹出し管４５が設置されており
、第２ガス吹出し管４５は第２ガス供給管４７に接続し
ている。尚、高周波電源３５と環状光源２３の電源（図
示せず）とは。
接続されており、放電電極板２９の表面からガスが吹き
出すようにされている。また真空チャンバ１１内には、
耐熱ガラスからなり、表面に多数の吹出し孔（図示せず
）が穿設された第２ガス吹出し管４５が設置されており
、第２ガス吹出し管４５は第２ガス供給管４７に接続し
ている。尚、高周波電源３５と環状光源２３の電源（図
示せず）とは。
処理方法の選択に応じて択一的にスイッチオンするよう
にされる。
にされる。
以上のような構成のＣＶＤ装置を使用してプラズマＣＶ
Ｄ法により成膜する場合は、基板電極板（アース電極板
）３１に基板４１を取り付け。
Ｄ法により成膜する場合は、基板電極板（アース電極板
）３１に基板４１を取り付け。
真空排気ポート２７を介して真空排気手段（図示せず）
によって真空チャンバ１１内を１０−”Ｔｏｒｒ〜数Ｔ
ｏｒｒ程度に真空排気するとともに、基板電極板３１に
内蔵されたヒータ３９によって基板４１の温度を約３０
０℃に保持する。そして、放電電極部３０の第１ガス供
給管４３（又は第１ガス供給管４３及び第２ガス供給管
４７）から材料ガス（反応ガス）を真空チャンバｌｌ内
に導入し、高周波電源３５にＲＦパワーを投入して放電
電極板２９とアース電極板３１との間の空間にグロー放
電を生じさせ、その際の励起反応を利用して基板４１の
表面に所望の膜を形成させる。
によって真空チャンバ１１内を１０−”Ｔｏｒｒ〜数Ｔ
ｏｒｒ程度に真空排気するとともに、基板電極板３１に
内蔵されたヒータ３９によって基板４１の温度を約３０
０℃に保持する。そして、放電電極部３０の第１ガス供
給管４３（又は第１ガス供給管４３及び第２ガス供給管
４７）から材料ガス（反応ガス）を真空チャンバｌｌ内
に導入し、高周波電源３５にＲＦパワーを投入して放電
電極板２９とアース電極板３１との間の空間にグロー放
電を生じさせ、その際の励起反応を利用して基板４１の
表面に所望の膜を形成させる。
また、上記ＣＶＤ装置を使用して光ＣＶＤ法により成膜
する場合は、上記と同様に基板電極板３１に基板４１を
取り付け、真空排気ポート２７を介して真空排気手段（
図示せず）によって真空チャンバ１１内を数１０Ｔｏｒ
ｒ以下に真空排気するとともに、ヒータ３９によって基
板４１の温度を約３００℃に保持する。そして、放電電
極部３０の第１ガス供給管４３から材料ガス（反応ガス
）を真空チャンバ１１内に導入するとともに、第２ガス
供給管４７から希ガスを第２ガス吹出し管４５にに供給
し、第２ガス吹出し管４５の多数の吹出し孔（図示せず
）から石英ガラス壁１７の内側表面に向かって希ガスを
吹き出させる。この希ガスを吹き出すことによって、石
英ガラスｇ＆１７の内面、特に環状光源２３からの光が
透過する部分への反応生成物の堆積を防止することがで
きる。
する場合は、上記と同様に基板電極板３１に基板４１を
取り付け、真空排気ポート２７を介して真空排気手段（
図示せず）によって真空チャンバ１１内を数１０Ｔｏｒ
ｒ以下に真空排気するとともに、ヒータ３９によって基
板４１の温度を約３００℃に保持する。そして、放電電
極部３０の第１ガス供給管４３から材料ガス（反応ガス
）を真空チャンバ１１内に導入するとともに、第２ガス
供給管４７から希ガスを第２ガス吹出し管４５にに供給
し、第２ガス吹出し管４５の多数の吹出し孔（図示せず
）から石英ガラス壁１７の内側表面に向かって希ガスを
吹き出させる。この希ガスを吹き出すことによって、石
英ガラスｇ＆１７の内面、特に環状光源２３からの光が
透過する部分への反応生成物の堆積を防止することがで
きる。
そして環状光源２３から石英ガラス壁１７を通して材料
ガスに光照射し、その際の光励起反応を利用して基板４
１の表面に所望の膜を形成させる。
ガスに光照射し、その際の光励起反応を利用して基板４
１の表面に所望の膜を形成させる。
この発明は以上説明したように構成されているが、この
発明の範囲は上記説明並びに図面の内容に限定されるも
のではなく、請求の範囲を逸脱しない限り種々の変形例
が含まれる０例えば、真空チャンバの全体の形状は円筒
形でなく角形であっても良く、また石英ガラス壁は周囲
全体にわたって形成される必要はない、さらにまた光源
としては水銀ランプの他、エキシマレーザなどを使用し
ても良い。
発明の範囲は上記説明並びに図面の内容に限定されるも
のではなく、請求の範囲を逸脱しない限り種々の変形例
が含まれる０例えば、真空チャンバの全体の形状は円筒
形でなく角形であっても良く、また石英ガラス壁は周囲
全体にわたって形成される必要はない、さらにまた光源
としては水銀ランプの他、エキシマレーザなどを使用し
ても良い。
この発明は以上説明したような構成を有し。
かつ作用するので、この発明に係るＣＶＤ装置によれば
、１つの装置でプラズマＣＶＤ法による成膜と光ＣＶＤ
法による成膜とを適宜選択して行なうことができる。従
って、２種類のＣＶＤ装置を別個に製作し、設置してお
く必要がないので、装置コストの面、及び設置スペース
の面で利点が多い。
、１つの装置でプラズマＣＶＤ法による成膜と光ＣＶＤ
法による成膜とを適宜選択して行なうことができる。従
って、２種類のＣＶＤ装置を別個に製作し、設置してお
く必要がないので、装置コストの面、及び設置スペース
の面で利点が多い。
図はこの発明の１実施例を示し、ＣＶＤ装置の植成を模
式的に表わした正面断面図である。 １１・・・真空チャンバ、 １７・・・石英ガラス壁
。 ２３・・・環状光源（水銀ランプ）、 ２７・・・真空排気ポート、 ２９・・・放電電極板、
３１・・・アース電極板、 、４１・・・基板、４３・
・・ガス供給管。
式的に表わした正面断面図である。 １１・・・真空チャンバ、 １７・・・石英ガラス壁
。 ２３・・・環状光源（水銀ランプ）、 ２７・・・真空排気ポート、 ２９・・・放電電極板、
３１・・・アース電極板、 、４１・・・基板、４３・
・・ガス供給管。
Claims (1)
- 少なくとも壁面の一部が石英ガラスで形成された真空チ
ャンバと、その石英ガラス壁の外面に対向して配設され
た光源と、前記真空チャンバの内方空間に互いに対向し
て配設された放電電極板及びアース電極板と、前記光源
及び放電電極をそれぞれ作動させる各作動手段と、前記
真空チャンバに接続された真空排気手段と、前記真空チ
ャンバ内に材料ガスを供給する材料ガス供給手段とを備
えてなるＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21875785A JPS6277474A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21875785A JPS6277474A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277474A true JPS6277474A (ja) | 1987-04-09 |
Family
ID=16724927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21875785A Pending JPS6277474A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6277474A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7763327B2 (en) | 1996-04-22 | 2010-07-27 | Micron Technology, Inc. | Methods using ozone for CVD deposited films |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665973A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-04 | Komatsu Ltd | Vapor depositing method |
| JPS60121272A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21875785A patent/JPS6277474A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665973A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-04 | Komatsu Ltd | Vapor depositing method |
| JPS60121272A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7763327B2 (en) | 1996-04-22 | 2010-07-27 | Micron Technology, Inc. | Methods using ozone for CVD deposited films |
| US8420170B2 (en) | 1996-04-22 | 2013-04-16 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming glass on a substrate |
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