JPS627183A - 半導体レ−ザの光出力安定化回路 - Google Patents
半導体レ−ザの光出力安定化回路Info
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- JPS627183A JPS627183A JP14724485A JP14724485A JPS627183A JP S627183 A JPS627183 A JP S627183A JP 14724485 A JP14724485 A JP 14724485A JP 14724485 A JP14724485 A JP 14724485A JP S627183 A JPS627183 A JP S627183A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザの光出力の安定化回路に関し、特
に同一半導体基板に形成された複数個の！ト導体レーザ
の光出力安定化回路に関する。
に同一半導体基板に形成された複数個の！ト導体レーザ
の光出力安定化回路に関する。
一般に、半導体レーザ（以下ＬＤという）の光出力は、
動作温度や経年変化等により大きく変動するので、光出
力を一定にするための光出力安定化回路が必要である。
動作温度や経年変化等により大きく変動するので、光出
力を一定にするための光出力安定化回路が必要である。
従来この種の光出力安定化回路は、第４図に示すように
、入力端子ｌに入力されるデータ入力信号が駆動回路２
と制御回路１５とに入力され、駆動回路２の出力信号が
ＬＤ５を駆動し、このＬＤ５の光出力の一部７が光電気
変換回路８に人力され、この光電気変換回路８の出力信
号が制御回路１５に入力し、この制御回路１５の出力信
号は駆動回路２に入力される。また、駆動回路２はデー
タ入力信号に応じてＬＤ５の駆動電流を変化させ、この
ＬＤ５はデータ入力信号に応じた光信−号を出力する９
ｏこのＬＤ５の光出力の一部を取り出し光電気変換回路
５３に入力し、電気信号に変換する。
、入力端子ｌに入力されるデータ入力信号が駆動回路２
と制御回路１５とに入力され、駆動回路２の出力信号が
ＬＤ５を駆動し、このＬＤ５の光出力の一部７が光電気
変換回路８に人力され、この光電気変換回路８の出力信
号が制御回路１５に入力し、この制御回路１５の出力信
号は駆動回路２に入力される。また、駆動回路２はデー
タ入力信号に応じてＬＤ５の駆動電流を変化させ、この
ＬＤ５はデータ入力信号に応じた光信−号を出力する９
ｏこのＬＤ５の光出力の一部を取り出し光電気変換回路
５３に入力し、電気信号に変換する。
制御回路１５は、ＬＤ５の光出力に比例した光電気変換
回路８の出力信号と電気入力信号とを入力し、ＬＤ５の
光出力を一定にするための制御信号を駆動回路２に出力
する。
回路８の出力信号と電気入力信号とを入力し、ＬＤ５の
光出力を一定にするための制御信号を駆動回路２に出力
する。
一般に、制御回路１５は、データ入力信号のデータパタ
ーンの影響を削除してから整流し、その値がＬＤ５の所
定の光出力に対応した一定値になるよう制御する。１Ｍ
えば、Ｌ［）５の光出力が所定の値よりも増加した場合
には、光電気変換回路８の出力信号が変化するので、そ
の変化分に見あうだけ駆動回路２の駆動電流を減少させ
ることによりＬＤ５の光出力レベルを一定に制御する。
ーンの影響を削除してから整流し、その値がＬＤ５の所
定の光出力に対応した一定値になるよう制御する。１Ｍ
えば、Ｌ［）５の光出力が所定の値よりも増加した場合
には、光電気変換回路８の出力信号が変化するので、そ
の変化分に見あうだけ駆動回路２の駆動電流を減少させ
ることによりＬＤ５の光出力レベルを一定に制御する。
上述した従来の光出力安定化回路は、制御回路１５にて
電気入力信号のデータパターンの影響を排除しているが
、そのため制御回路が複雑になり特に同符号の連続が長
い場合には制御が難がしいという欠点があったユ また、複数個の半導体レーザを動作させる場合には、半
導体レーザの特性のバラツキが大きいために、各々の半
導体レーザを個別に光出力を安定化させる必要があり、
半導体レーザの数だけ光出力安定化回路が必要である。
電気入力信号のデータパターンの影響を排除しているが
、そのため制御回路が複雑になり特に同符号の連続が長
い場合には制御が難がしいという欠点があったユ また、複数個の半導体レーザを動作させる場合には、半
導体レーザの特性のバラツキが大きいために、各々の半
導体レーザを個別に光出力を安定化させる必要があり、
半導体レーザの数だけ光出力安定化回路が必要である。
そのため部品数と実装面、積が大きくなり、又価格も高
くなるという欠点があった。
くなるという欠点があった。
本発明の目的は、このような問題点を解決し、容易に制
御できかつ簡単、安価に構成できる半導体レーザの光出
力安定化回路を提供することにある。
御できかつ簡単、安価に構成できる半導体レーザの光出
力安定化回路を提供することにある。
本発明の半導体レーザの光出力安定化回路は、同一半導
体基板上に形成された第１および第２の半導体レーザと
、この第１の半導体レーザの電流をデータ入力信号およ
び制御信号により駆動する第１の駆動回路と、前記第２
の半導体レーザの電流をマーク率の一定な制御入力信号
および前記制御信号により駆動する第２の駆動回路と、
前記第２の半導体レーザの光出力を入力して電気信号に
変換する光電気変換回路と、この光電気変換回路の出力
信号を前記制御信号として前記第１および第２の駆動回
路に供給して前記第２の半導氷レーザの光出力を安定化
して制御する制御回路とを含み構成される。
体基板上に形成された第１および第２の半導体レーザと
、この第１の半導体レーザの電流をデータ入力信号およ
び制御信号により駆動する第１の駆動回路と、前記第２
の半導体レーザの電流をマーク率の一定な制御入力信号
および前記制御信号により駆動する第２の駆動回路と、
前記第２の半導体レーザの光出力を入力して電気信号に
変換する光電気変換回路と、この光電気変換回路の出力
信号を前記制御信号として前記第１および第２の駆動回
路に供給して前記第２の半導氷レーザの光出力を安定化
して制御する制御回路とを含み構成される。
；発明の原理〕
一般に、ＬＤの特性、例えば同値電流や微分量子効率の
特性の変動する主な要因としそは、ＬＤを形成する半導
体基板の特性のバラツキ、各種製造条件のバラツキおよ
び動作温度の変動等があげられる。
特性の変動する主な要因としそは、ＬＤを形成する半導
体基板の特性のバラツキ、各種製造条件のバラツキおよ
び動作温度の変動等があげられる。
本発明の光出力安定化回路に使用するＬＤは、同一の半
導体基板上に構成することで、特性のバラツキを光出力
の安定化には支障ない程度に小さくすることができる。
導体基板上に構成することで、特性のバラツキを光出力
の安定化には支障ない程度に小さくすることができる。
すなわち、半導体基板の特性のバラツキや各種製造条件
のバラツキがあってら、同一の基板内では各Ｌ’ Ｄに
同じく一様に影響を与えるので、ＬＤ相互の特性のバラ
ツキは小くできる。また、同一基板内では基板の熱抵抗
が小さく基板も小さくできるため、各Ｌ Ｄは熱的に強
く結合し、ＬＤ相互の温度差はほとん゛ど生ヒないよう
にできる。
のバラツキがあってら、同一の基板内では各Ｌ’ Ｄに
同じく一様に影響を与えるので、ＬＤ相互の特性のバラ
ツキは小くできる。また、同一基板内では基板の熱抵抗
が小さく基板も小さくできるため、各Ｌ Ｄは熱的に強
く結合し、ＬＤ相互の温度差はほとん゛ど生ヒないよう
にできる。
本発明においては、同一の半導体基板に構成した複数個
のＬＤの中の少なくとも１個のＬＤに対して光出力の安
定化を行なって、その安定化のための制御信号牙その他
のＬＤに対しても供給することにより、他のＬＤの光出
力を安定化するものである。このように同一基板上のＬ
Ｄは特性のバラツキが小さいため、少なくとも１本の制
御信号で制御しても十分に安定化することができる６〔
実施例〕 次に本発明を図面により詳細に説明する。
のＬＤの中の少なくとも１個のＬＤに対して光出力の安
定化を行なって、その安定化のための制御信号牙その他
のＬＤに対しても供給することにより、他のＬＤの光出
力を安定化するものである。このように同一基板上のＬ
Ｄは特性のバラツキが小さいため、少なくとも１本の制
御信号で制御しても十分に安定化することができる６〔
実施例〕 次に本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の第′１の実施例のブロック図であり、
同一半導体基板上の２個のＬＤがある場合を示している
。入力端子１１に入力したデ“−タ入力信号は駆動回路
２に入力され、こめ駆動回路２の出力はＬＤ５に接続さ
れ、このＬＤ５は光出力１０を出力する。一方、入力端
子１１に入力するマーク率の一定な制御入力信号は駆動
回路３に入力され、この駆動回路３の出力はしＤ６に接
続され、このＬＤ６の一部又は全部の先出カフが光電気
変換回路８に供給される。この光電気変換回路８の出力
信号は制御回路９に入力され、制御回路９の出力信号は
駆動回路２および駆動回路３に入力される。また、少な
くともＬＤ５とＬＤ６は同一の半導体基板４に形成され
る。
同一半導体基板上の２個のＬＤがある場合を示している
。入力端子１１に入力したデ“−タ入力信号は駆動回路
２に入力され、こめ駆動回路２の出力はＬＤ５に接続さ
れ、このＬＤ５は光出力１０を出力する。一方、入力端
子１１に入力するマーク率の一定な制御入力信号は駆動
回路３に入力され、この駆動回路３の出力はしＤ６に接
続され、このＬＤ６の一部又は全部の先出カフが光電気
変換回路８に供給される。この光電気変換回路８の出力
信号は制御回路９に入力され、制御回路９の出力信号は
駆動回路２および駆動回路３に入力される。また、少な
くともＬＤ５とＬＤ６は同一の半導体基板４に形成され
る。
駆動回路３はその制御入力信号に応じてＬＤ６を駆動す
る。このＬＤ６の一部又は全部の先出カフは光電気変換
回路８に入力して電気信号に変換され、その値はＬＤ６
の光出力に比例した値になる。
る。このＬＤ６の一部又は全部の先出カフは光電気変換
回路８に入力して電気信号に変換され、その値はＬＤ６
の光出力に比例した値になる。
制御回路９は、光電気変換回路８の出力レベルを所定の
値と比較し、その結果により駆動回路２および駆動回路
３を制御する。もし、何らかの要因でＬＤ６の光出力が
設定値よりも大ききなった場合には、光電気変換回路８
の出力レベルが変化し、制御回路９の出力信号はＬＤ６
の駆動電流・を −小さくするよう駆動回路３を制御
する。
値と比較し、その結果により駆動回路２および駆動回路
３を制御する。もし、何らかの要因でＬＤ６の光出力が
設定値よりも大ききなった場合には、光電気変換回路８
の出力レベルが変化し、制御回路９の出力信号はＬＤ６
の駆動電流・を −小さくするよう駆動回路３を制御
する。
このＬＤ６の光出力が大きくなる要因は、同じ＜ＬＤ５
にも作用するの？ＬＤ５の光出力も大きくなるが、制御
回路９の出力信号で駆動回路２を同様に制御することに
よりＬＤ５の光出力も所定の値に制御できる。
にも作用するの？ＬＤ５の光出力も大きくなるが、制御
回路９の出力信号で駆動回路２を同様に制御することに
よりＬＤ５の光出力も所定の値に制御できる。
入力端子１１からの制御入力信号は、マーク率が一定で
あるため、ＬＤ６の先出カフの時間平均値および光電気
変換回路８の出力信号の時間平均値はマーク率に比例し
た一定値となるので、制御回路９では制御入力信号のビ
ットパターンとは無関係に制御ができる。また、ＬＤ６
の先出カフを安定化するための制御回路９の出力信号で
ＬＤ５も制御するため、データ入力信号のビットパター
ンには無関係にＬＤ５の光出力１０も安定化できる。
あるため、ＬＤ６の先出カフの時間平均値および光電気
変換回路８の出力信号の時間平均値はマーク率に比例し
た一定値となるので、制御回路９では制御入力信号のビ
ットパターンとは無関係に制御ができる。また、ＬＤ６
の先出カフを安定化するための制御回路９の出力信号で
ＬＤ５も制御するため、データ入力信号のビットパター
ンには無関係にＬＤ５の光出力１０も安定化できる。
第２図は第１図の実施例の主要部の回路図である。入力
端子１に入力したデータ入力信号はトランジスタ２０の
ベースに入力され、トランジスタ２０のエミッタは電流
源２２、そのコレクタは電源ＶＣに接続され、トランジ
スタ２１のベースはり照電圧ｖＲ１に、そのエミッタは
電流源２２に、そのコレクタはＬＤ５のカソードに接続
され、トランジスタ２３のコレクタはＬＤ５のカソード
に接続され、抵抗２４はトランジスタ２３のエミ・ツタ
と接地の間に接続され、ＬＤ５から光出力１０を出力す
る。
端子１に入力したデータ入力信号はトランジスタ２０の
ベースに入力され、トランジスタ２０のエミッタは電流
源２２、そのコレクタは電源ＶＣに接続され、トランジ
スタ２１のベースはり照電圧ｖＲ１に、そのエミッタは
電流源２２に、そのコレクタはＬＤ５のカソードに接続
され、トランジスタ２３のコレクタはＬＤ５のカソード
に接続され、抵抗２４はトランジスタ２３のエミ・ツタ
と接地の間に接続され、ＬＤ５から光出力１０を出力す
る。
一方、駆動回路３の入力端子１１に入力するマーク率の
一定な制御入力信号は、トランジスタ３４のベースに入
力され、このトランジスタ３４のコレクタは電源ＶＣに
、そのエミッタは電流源２５に接続され、トランジスタ
３５のベースは参照電圧ＶＲ３に、そのエミッタは電流
源２５に、そのコレクタはＬＤ６のカソードと共にトラ
ンジスタ２６のコレクタに接続され、そのエミッタは抵
抗２７を介して接地され、ＬＤ６から先出カフを出力す
る。、 また、光電気変換回路８の受光素子２８のアノードは電
源Ｖ、Ｂに接続され、受光素子２８のカソードは反転増
幅器３０の入力に接続され、抵抗２つが反転増幅器３０
の入力と出力の間に接続される。抵抗３６は反転増幅器
３０の出力と電圧比較器３１の逆相入力との間に、コン
デンサ３７は電圧比較器３１の逆相入力と接地の間に接
続され、電圧比較器３１の正相入力は参照電圧ＶＲ２に
接□続され、電圧比較器３１の出力は、抵抗３２を介し
て、接地さ゛れたコンデンサ３３と、トランジスタ２６
のベースおよびトランジスタ２３のベースの間に接続さ
れる。これら少なくともＬＤ５とＬＤ６は同一の半導体
基板４に構成される。
一定な制御入力信号は、トランジスタ３４のベースに入
力され、このトランジスタ３４のコレクタは電源ＶＣに
、そのエミッタは電流源２５に接続され、トランジスタ
３５のベースは参照電圧ＶＲ３に、そのエミッタは電流
源２５に、そのコレクタはＬＤ６のカソードと共にトラ
ンジスタ２６のコレクタに接続され、そのエミッタは抵
抗２７を介して接地され、ＬＤ６から先出カフを出力す
る。、 また、光電気変換回路８の受光素子２８のアノードは電
源Ｖ、Ｂに接続され、受光素子２８のカソードは反転増
幅器３０の入力に接続され、抵抗２つが反転増幅器３０
の入力と出力の間に接続される。抵抗３６は反転増幅器
３０の出力と電圧比較器３１の逆相入力との間に、コン
デンサ３７は電圧比較器３１の逆相入力と接地の間に接
続され、電圧比較器３１の正相入力は参照電圧ＶＲ２に
接□続され、電圧比較器３１の出力は、抵抗３２を介し
て、接地さ゛れたコンデンサ３３と、トランジスタ２６
のベースおよびトランジスタ２３のベースの間に接続さ
れる。これら少なくともＬＤ５とＬＤ６は同一の半導体
基板４に構成される。
ＬＤの駆動方式としては、閾値電流に近い値のバイアス
電流に入力信号に応じて変化するパルス電流を重畳して
駆動し、その光出力の安定化はバイアス電流だけを制御
することにより行なわれている。
電流に入力信号に応じて変化するパルス電流を重畳して
駆動し、その光出力の安定化はバイアス電流だけを制御
することにより行なわれている。
駆動回路２のトランジスタ２０とトランジスタ □
２１は電流切換回路であり、データ入力信号電圧が参照
電圧Ｖ Ｒ１より低い場合は電流源２２の電流ＩＰＩは
ＬＤ５に流れ、逆に高い場合は流れない、また、トラン
ジスタ２３と抵抗２４は、ＬＤ５へのバイアス電流ＩＢ
Ｉを流す回路であり、このバイアス電流ＩＢＩはトラン
ジスタ２３のベース電圧により変化する。ＬＤ５は入力
信号電圧が低レベルの場合はオンとなって光を出力し、
高レベルの場合はオフとなって光をほとんど出力しない
。この光出力の安定化は、１−Ｄ５のＯＮ時とＯＦＦ時
の光出力１０の平均値が常に所定の値になるよう制御す
ることである。
２１は電流切換回路であり、データ入力信号電圧が参照
電圧Ｖ Ｒ１より低い場合は電流源２２の電流ＩＰＩは
ＬＤ５に流れ、逆に高い場合は流れない、また、トラン
ジスタ２３と抵抗２４は、ＬＤ５へのバイアス電流ＩＢ
Ｉを流す回路であり、このバイアス電流ＩＢＩはトラン
ジスタ２３のベース電圧により変化する。ＬＤ５は入力
信号電圧が低レベルの場合はオンとなって光を出力し、
高レベルの場合はオフとなって光をほとんど出力しない
。この光出力の安定化は、１−Ｄ５のＯＮ時とＯＦＦ時
の光出力１０の平均値が常に所定の値になるよう制御す
ることである。
また、駆動回路３も同様に、トランジスタ３４とトラン
ジスタ３５は電流切換回路を構成し、制御入力信号によ
り電流源２５の電流ＩＰ２を切換える。また、トランジ
スタ２６と抵抗２７はＬＤ６にバイアス電流ＩＢ２を流
すが、このバイアス電流ＩＢ２はトランジスタ２６のベ
ース電圧により変化する。解かりやすくするために、抵
抗２４と抵抗２７を同じ値としてバイアス電流ＩＢＩと
ＩＢ２を同じ値とし、又電流ＩＰＩとＩＰ２および参照
電圧ＶＲ，１とＶＨ２も同じ値とする。ＬＤ５と１−Ｄ
６は同一の半導体基板に構成しているので、その特性の
バラツキが無視できるため、ＬＤ５とＬＤ６のＯＮ時の
光出力およびＯＦＦ時の光出力はそれぞれ等しくなる。
ジスタ３５は電流切換回路を構成し、制御入力信号によ
り電流源２５の電流ＩＰ２を切換える。また、トランジ
スタ２６と抵抗２７はＬＤ６にバイアス電流ＩＢ２を流
すが、このバイアス電流ＩＢ２はトランジスタ２６のベ
ース電圧により変化する。解かりやすくするために、抵
抗２４と抵抗２７を同じ値としてバイアス電流ＩＢＩと
ＩＢ２を同じ値とし、又電流ＩＰＩとＩＰ２および参照
電圧ＶＲ，１とＶＨ２も同じ値とする。ＬＤ５と１−Ｄ
６は同一の半導体基板に構成しているので、その特性の
バラツキが無視できるため、ＬＤ５とＬＤ６のＯＮ時の
光出力およびＯＦＦ時の光出力はそれぞれ等しくなる。
このＬＤ６の一部又は全部の先出カフは、光電気変換回
路８の受光素子２８に入力して電流に変換され、反転増
幅器３０と抵抗２９により電圧に変換されると共に増幅
される。この反転増幅器３０の出力信号は、制御回路９
の抵抗３６とコンデンサ３７とにより積分されてレベル
信号となり、電圧比較器３１と逆相入力に入力される。
路８の受光素子２８に入力して電流に変換され、反転増
幅器３０と抵抗２９により電圧に変換されると共に増幅
される。この反転増幅器３０の出力信号は、制御回路９
の抵抗３６とコンデンサ３７とにより積分されてレベル
信号となり、電圧比較器３１と逆相入力に入力される。
この制御入力信号はマーク率が一定であるため、積分さ
れたレベル信号はり、 Ｄ ６の光出力の平均値に比較
した一定の値になる。レベル信号はＬＤ６の所定の光出
力レベルに対応する参照電圧ＶＲ２と比較される。電圧
比較器３１の出力信号は抵抗３２とコンデンサ３３との
積分効果によりゆるやかにトランジスタ２３およびトラ
ンジスタ２６のベースに入力される。
れたレベル信号はり、 Ｄ ６の光出力の平均値に比較
した一定の値になる。レベル信号はＬＤ６の所定の光出
力レベルに対応する参照電圧ＶＲ２と比較される。電圧
比較器３１の出力信号は抵抗３２とコンデンサ３３との
積分効果によりゆるやかにトランジスタ２３およびトラ
ンジスタ２６のベースに入力される。
らし、何らかの要因でＬＤ６の光出力が所定の値より大
きくなった場合には、電圧比較器３１の逆相入力の電圧
は参照電圧ＶＲ２よりも高くなり、電圧比較器３１の出
力は低レベルになる。すると、トランジスタ２６および
トランジスタ２３のベース電圧は序々に下がり、バイア
ス電流ＩＢ２は小さくなってＬＤ６の光出力は小さくな
り、ＬＤ６の光出力は所定の値に戻る。このＬＤ６の光
出力が大きくなる要因は同じ＜ＬＤ５にも作用するので
、ＬＤ５の光出力１ｏも大きくなるが、制御回路９の出
力信号によりＬＤ６と同様に制御され、バイアス電流Ｉ
ＢＩは小さくなりその結果ＬＤ５の光出力は小さくなっ
て所定の値に戻る。
きくなった場合には、電圧比較器３１の逆相入力の電圧
は参照電圧ＶＲ２よりも高くなり、電圧比較器３１の出
力は低レベルになる。すると、トランジスタ２６および
トランジスタ２３のベース電圧は序々に下がり、バイア
ス電流ＩＢ２は小さくなってＬＤ６の光出力は小さくな
り、ＬＤ６の光出力は所定の値に戻る。このＬＤ６の光
出力が大きくなる要因は同じ＜ＬＤ５にも作用するので
、ＬＤ５の光出力１ｏも大きくなるが、制御回路９の出
力信号によりＬＤ６と同様に制御され、バイアス電流Ｉ
ＢＩは小さくなりその結果ＬＤ５の光出力は小さくなっ
て所定の値に戻る。
結局、ＬＤ６の先出カフを安定化することによりＬＤ５
の光出力１ｏを安定化することができる。
の光出力１ｏを安定化することができる。
また、制御入力信号のマーク率が変わる場合には、光電
気変換回路８の増幅利得を変えるが又は＄制御回路９の
参照電圧ＶＲ２の値を変えればよい。
気変換回路８の増幅利得を変えるが又は＄制御回路９の
参照電圧ＶＲ２の値を変えればよい。
第３図は、本発明の第２の実施例のブロック図であり、
同一半導体基板上に３個以上のＬ Ｄがある場合を示す
、Ｎ個の入力端子１−１〜１−Ｎに入力する各データ入
力信号は、入力端子１−１〜１−Ｎに対応したＮ個の駆
動回路２−１〜２−Ｎにそれぞれ入力され、駆動回路２
−１〜２−Ｎは対応するＮ個のＬＤ５−１〜５−Ｎを駆
動し、ＬＤ５−１〜５−Ｎは、各データ入力信号に応じ
た光出力１０−１−１０−Ｎを出力する。一方、入力端
子１１に入力するマーク率の一定な制御入力信号に応じ
て駆動回路３はＬＤ６を駆動し、ＬＤ６の一部又は全部
の先出カフは光電気変換回路８に入力され、光電気変換
回路８の出方信号は制御回路３に入力され、制御回路９
の出力信号は駆動回゛路２−１〜２−Ｎおよび駆動回路
３に入力され、少なくともＬＤ５−１〜５−ＮおよびＬ
Ｄ６は同一の半導体基板４上に形成される。
同一半導体基板上に３個以上のＬ Ｄがある場合を示す
、Ｎ個の入力端子１−１〜１−Ｎに入力する各データ入
力信号は、入力端子１−１〜１−Ｎに対応したＮ個の駆
動回路２−１〜２−Ｎにそれぞれ入力され、駆動回路２
−１〜２−Ｎは対応するＮ個のＬＤ５−１〜５−Ｎを駆
動し、ＬＤ５−１〜５−Ｎは、各データ入力信号に応じ
た光出力１０−１−１０−Ｎを出力する。一方、入力端
子１１に入力するマーク率の一定な制御入力信号に応じ
て駆動回路３はＬＤ６を駆動し、ＬＤ６の一部又は全部
の先出カフは光電気変換回路８に入力され、光電気変換
回路８の出方信号は制御回路３に入力され、制御回路９
の出力信号は駆動回゛路２−１〜２−Ｎおよび駆動回路
３に入力され、少なくともＬＤ５−１〜５−ＮおよびＬ
Ｄ６は同一の半導体基板４上に形成される。
ＬＤ５−１〜５−ＮおよびＬＤ６は同一の半導体基板４
上に形成されるため、特性のバラツキは無視できるので
、ＬＤ６の光出力を安定化するための制御回路９の出力
信号を用いて駆動回路２−１〜２−Ｎを制御することに
より、ＬＤ５−１〜５−Ｎの光出力を一括して安定化す
ることができる。その他の動作については、第１図の実
施例と全く同じであり、１つの安定化回路でＮ個のＬＤ
の光出力を安定化できるため、ＬＤを個別に委定化する
場合に比べて大幅に回路量を減らすことができる。
上に形成されるため、特性のバラツキは無視できるので
、ＬＤ６の光出力を安定化するための制御回路９の出力
信号を用いて駆動回路２−１〜２−Ｎを制御することに
より、ＬＤ５−１〜５−Ｎの光出力を一括して安定化す
ることができる。その他の動作については、第１図の実
施例と全く同じであり、１つの安定化回路でＮ個のＬＤ
の光出力を安定化できるため、ＬＤを個別に委定化する
場合に比べて大幅に回路量を減らすことができる。
なお、これらの実施例の中で、光出力の安定化に使うＬ
Ｄ６をデータ信号用に使うＬＤ５およびＬＤ５−１〜５
−Ｎとは必らずしも同じ特性のものでなくてもよく、特
性に相関があれよいことは明らかである。
Ｄ６をデータ信号用に使うＬＤ５およびＬＤ５−１〜５
−Ｎとは必らずしも同じ特性のものでなくてもよく、特
性に相関があれよいことは明らかである。
また、本実施例では光出力を安定化するためにバイアス
電流だけを制御しているが、バイアス電流とパルス電流
、あるいはＬＤのＯＮ時の光出力とＯＦ Ｆ時の光出力
のように２つのパラメータを制御することもできる。そ
れは制御入力信号が高いレベルと低レベルの２つのパラ
メータを含んでいることを考えれば容易に類推できる。
電流だけを制御しているが、バイアス電流とパルス電流
、あるいはＬＤのＯＮ時の光出力とＯＦ Ｆ時の光出力
のように２つのパラメータを制御することもできる。そ
れは制御入力信号が高いレベルと低レベルの２つのパラ
メータを含んでいることを考えれば容易に類推できる。
以上説明したように、本発明は、同一の半導体基板に構
成した特性のバラツキの小さい複数個のＬＤの中の少な
くとも１個のＬＤの光出力を安定化し、この安定化のた
めの制御信号を用いて他のＬＤの光出力を安定化するこ
とにより、電気入力信号のデータパターンに無関係に光
出力安定化ができると共に、安定化に必要な回路数を減
らすことができるという効果がある。
成した特性のバラツキの小さい複数個のＬＤの中の少な
くとも１個のＬＤの光出力を安定化し、この安定化のた
めの制御信号を用いて他のＬＤの光出力を安定化するこ
とにより、電気入力信号のデータパターンに無関係に光
出力安定化ができると共に、安定化に必要な回路数を減
らすことができるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例のブロック図、第２図は
第１図の主要部の回路図、第３図は本発明の第２の実施
例のブロック図、第４図は従来の光出力安定化回路の一
例のブロック図である９図において １．１−１〜Ｎ、１１・・・入力端子、２．２−１〜・
２−Ｎ、３・・・駆動回路、４・・・半導体基板、５゜
５−１〜５−Ｎ、６・・・半導体レーザ、７，１０゜１
−１〜１０−Ｎ・・・光出力、８・・・光電気変換回路
、９・・・制御回路、２０，２１．２３，２６．３４゜
３５・・・トランジスタ、２２．２５・・・電流源−２
４゜２７．２９．３２．３６・・・抵抗、２８・・・受
光素子、３０・・・反転増幅器、３１・・・電圧比較器
、３３，３７・・・コンデンサである・。
第１図の主要部の回路図、第３図は本発明の第２の実施
例のブロック図、第４図は従来の光出力安定化回路の一
例のブロック図である９図において １．１−１〜Ｎ、１１・・・入力端子、２．２−１〜・
２−Ｎ、３・・・駆動回路、４・・・半導体基板、５゜
５−１〜５−Ｎ、６・・・半導体レーザ、７，１０゜１
−１〜１０−Ｎ・・・光出力、８・・・光電気変換回路
、９・・・制御回路、２０，２１．２３，２６．３４゜
３５・・・トランジスタ、２２．２５・・・電流源−２
４゜２７．２９．３２．３６・・・抵抗、２８・・・受
光素子、３０・・・反転増幅器、３１・・・電圧比較器
、３３，３７・・・コンデンサである・。
Claims (2)
- （１）同一半導体基板上に形成された第１および第２の
半導体レーザと、この第１の半導体レーザの電流をデー
タ入力信号および制御信号により駆動する第１の駆動回
路と、前記第２の半導体レーザの電流をマーク率の一定
な制御入力信号および前記制御信号により駆動する第２
の駆動回路と、前記第２の半導体レーザの光出力を入力
して電気信号に変換する光電気変換回路と、この光電気
変換回路の出力信号を前記制御信号として前記第１およ
び第２の駆動回路に供給して前記第２の半導体レーザの
光出力を安定化して制御する制御回路とを含む半導体レ
ーザの光出力安定化回路。 - （２）第１の半導体レーザが複数の半導体レーザからな
り、第１の駆動回路が各データ入力信号に応じて前記複
数の半導体レーザの各電流をそれぞれ駆動する複数の駆
動回路からなる特許請求の範囲第１項記載の半導体レー
ザの光出力安定化回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14724485A JPS627183A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 半導体レ−ザの光出力安定化回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14724485A JPS627183A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 半導体レ−ザの光出力安定化回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627183A true JPS627183A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15425840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14724485A Pending JPS627183A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 半導体レ−ザの光出力安定化回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627183A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002333603A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 多値変調装置 |
| JP2015201587A (ja) * | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2017188702A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-10-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP14724485A patent/JPS627183A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002333603A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 多値変調装置 |
| JP4744720B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2011-08-10 | 三菱電機株式会社 | 多値変調装置 |
| JP2015201587A (ja) * | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2017188702A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-10-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
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