JPS6268883A

JPS6268883A - １−（アルキルシクロヘキシル）−２−（アルキルフルオロビフエニリル）エタンを含むネマチツク液晶混合物

Info

Publication number: JPS6268883A
Application number: JP9318186A
Authority: JP
Inventors: マルク・ビユテ; ローランス・ラバ; フランソワーズ・ヴイネ
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Current assignee: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 1985-08-26
Filing date: 1986-04-22
Publication date: 1987-03-28
Also published as: JPH0419278B2; FR2586422A1; DE3676917D1; EP0216672A1; FR2586422B1; EP0216672B1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は電気的に制御された複屈折効果を利用した装置
に使用することができるネマチック液晶混合物に係る。

ある種の液晶装置で使用する電気光学効果は電気的に制
御された複屈折（ＢＣＥ）である。この効果は、負の肪
寛異方性（Δｅ）を有するネマチック相の電場内での変
形（ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）に対応する。この△Ｃは
結晶分子の長軸に平行な方向の誘電率ｅ　と長軸に垂直
な方向の誘電率ｅｂとの差を表わしている。

液晶装置では高い多重度（ｔａｕｘ　ｄｅ　ｒｎｕｌｔ
ｉｐｌｅｘａｇｅ）。

丁なわち冒度（多重）の情報を映像化するために電気的
にアドレス指足できる多数のスクリーン線が可能となる
ネマチック物質を使用する必要がある。この多重度には
装置の端子に印加された電圧（ｖ）と結晶変形のしきい
値電圧（ｖ８）との関数として次の式で表わすことがで
きる。

所定の多重度に対しては液晶セルの中心においのふれの
角（ΦＭ　ｅ　ａｎｇＬｇ　ｄｅ　ｂａｓｃｕｌｅｍｅ
ｎｔｍｏｌｓｃｕｌａｉｒｅ　）を有する必要がある。

ふれの角が小さいときのΦＭは結晶変形しきい値電圧Ｖ
８および液晶の曲げ弾性率に８．と扇状（ｅｖｅｎｔａ
ｉｌ　）弾性率に、ｌの比に直接関係する。実際Φヤは
次の式％式％これらの条件で電２的に誘導される複屈折は次式のよう
になる。

ただし、０２０Ｍ（２）−Ｚ、ｎｏとｎ６ｔ！それぞれ
結晶の異常指数（ｉｎｄｉｃｅ　ｅｘｔｒａｏｒｄｉｎ
ａｌｒｅ）と常指数（ｉｎｄｉｃｅ　ｏｒｄｉｎａｉｒ
ｅ）　、　ｅは液晶の厚み。

２はセル内での位置である。

交差しに２つの偏光子の間で装置から液晶に伝達される
相対強度は次の関係式で与えられる。

この式で△ｎはｎｅ−ｎ６−λは装置に入射する元の波
長である。したがって物質の最も重要なバラース（ｍｅ
ｓｏｍｏｒｐｈｉｓｍｓ）領域範囲△Ｔである。

的伝達曲組の傾きの度合、従って使用する物質の多重度
（ｍｕｌｔｉｐｌｅｘａｂｉｌｉｔＳ）を決足するので
重要である。またこの比はできるだけ最大にしなければ
ならない。さらに、所望の多重度を得るには△ｎと△６
の値が重要である。通常はこれら全ての値を最もうまく
つり合わせる。

電気的に制御された複屈折効果を利用する液晶装置で現
実に用いられているネマチック液晶は一般に多重度がお
よそ１７２５０で、比Ｋｓｓ’に＊ｓかおよそ１〜１．
２である。しかしながら、同程度の多重度を有し、しか
もメソフェース範囲がより大きくかつ化学的安定性がよ
り艮好な物質を使用するのか望ましい。

本発明はまさに特性の向上した液晶混合物に係る。

本発明のネマチック液晶混合物は次の囚とＩＢＩから成
る。

囚　下記一般式（Ｉ）の１−（アルキルシクロヘキシル
）−２−（アルキルフルオロビフェニリル）エタンの少
なくとも１種：（Ｒ’とＲ３は同一でも異なっていてもよく、炭素原子
が１〜７個のアルキル基である。）（５）次の＋ａ＋〜
ｌｄｌから選択される化合物の少なくとも１８１０１ｍｌ下記一般式（ＩＩ）のアルキルビシクロオクタン
カルホン酸アルキルフルオロフェニルニ（Ｒ”とＲ４は
同一でも異なっていてもよく。

炭素原子か１〜７個のアルキル基である。）ｌｂｌ　下
記一般式（ＩＩＩ）のビフェニルビシクロへキシルジア
ルキル：（Ｒ’とＲ６は炭素原子が１〜７個のアルキル基である
。）ｌｃｌ前記一般式（ＩＶ）に相当するアルキルシクロへ
キシルカルボン酸ジシアノアルコキシフェニル：（ＲとＲは同一でも異なり【もよく、炭素原子が１〜７
個のアルキル基である。）ｌｄｌ下記一般式（Ｖ）に相
当するビシクロへキシルカルボニトリルジアルキルまた
はアルキルアルキレン：（Ｒ″と１３０は同一でも異なっていてもよく。

炭素原子が１〜７個のアルキルかアルキレン基である。

）この混合物中の各成分の割合は次のとおりである。

ｔＡｌ　　１−（フルキルシクロヘキシル）−２−（フ
ルキルフルオロビフェニリル）エタンが合計で６０〜９
０重量％。

＠１ａ１アルキルビシクロオクタンカルボン酸アルキル
フルオロフェニルカ合計で０〜１５％。

ｌｂｌビフェニルビシクロへキシルジアルキルか合計で
０〜１２％。

１ｏ１アルキルシクロへキシルカルボン酸ジシアノアル
コキシフェニルが合計で０〜１２％。

ｌｄｌビシクロへキシルカルボニトリルジアルキルまた
はアルキルアルキレンが合計で０〜４０％。

少なくとも１ｍの１−（アルキルシクロヘキシル）−２
−（アルキルフルオロビフェニリル）エタンを上述の化
合物１ｍｌ〜ｌｄｌから選択した化合物１種以上と組み
合わせることによって、全てのパラメーターのバランス
が最も優れ、かつ比”８３／に１□とメンフェース範囲
ΔＴが顕著に改良された液晶組成物が得られる。

本発明の混合物の各成分はほとんど公知であり、従来方
法によって製造することができる。

たとえば、１−（アルキルシクロヘキシル）−２−（ア
ルキルフルオロビフエＡ）エタンハ英国特許ＧＢ−Ａ　
２１３３　７９５号に記載の方法を用いて製造すること
かできる。

本発明で使用できるこの種の化合物の例としては次のも
のを挙げることかできる。

（１２２）−次式（■）の１−（トラ７スー４−ｎ−エ
チルシクロヘキシル）　−２−（２’−フルオロ−４’
−（２−エチル）−４−ビフ（Ｖｌ）（Ｉ３１Ｓ）−次式（■）の１−（トランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキシル）−２−（２’−フルオロ−４
’−（２−ペンチル）−４−（ＭＩ）（Ｉ３２）−次式幅）の１−（トラｙスー４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）−２−［：２’−フルオロ−４’
−（２−エチル）−４−ビフェニリル〕エタンニ（１５２）−ｔ　−（）ランｘ−４−ｎ−ペンチルシク
ロヘキシル）　−２−［２’−フルオロ−４’−（２−
エチル）−４−ビフェニリルコアルキルビシクロオクタ
ンカルボン酸アルキルフルオロフェニルはＧ、Ｗ、Ｇｒ
ａｙとＳ　、Ｍ、Ｋｅ　１１７がＭｏ１−　Ｃｒ）’ｓ
ｔ、Ｌｉｑ、　Ｃｒｙｓｔ、　（１９８１）、　７５巻
。

１０９−１１９百に記載している方法によって製造する
ことかできる。

使用することができるこの檀の化合物の例としては次の
ものを挙げることかでとる。

（ＢＣＯ５５Ｆ）−次式（Ｘ）の４−ｎ−ペンチルビシ
クロオクタンカルボン酸２−フルオロ−（ＢＣＯ５７Ｆ
）−次式（Ｘ［）の４−ｎ−ペンチルビシクロオクタン
カルボン酸２−フルオロ−４−ｎ−へプチルフェニルニビフェニルビシクロへキシルジアルキルハＲ０Ｅｉｄｅ
ｎｓａｈｉｎｋ　ｅ　Ｄ、Ｅｒｄｍａｎｎ　、　Ｊ、Ｋ
ｒａｕｓｓ　＃　Ｌ。

ＰｏｈｌがＡｎｇｅｗ　Ｃｈｅｍ、　　８９　、１０３
　（１９７７）に記載している方法によって製造するこ
とができる。

この種の化合物の例としては次式（Ｘ［［）の４−（ト
ランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−４’−（
トランス−４−ｎ−７’ロビルシクロヘキシル）ピフェ
ニル（ＣＢＣ５３）を挙げることができる。

アルキルシクロへキシルカルボン酸ジシアノアルコキシ
フェニルはに、Ｗａｌｌｅｎｆｅｌｓ、Ｇ−Ｂａｃｈｍ
ａｎｎｙＤ、Ｈｏｆｍａｎｎ　ｒ　Ｒ，ＫｅｒｎかＴｅ
ｔｒａｈｅｄｒｏｎ　、　（１９６５）　。

２１巻、２２３９〜２２５６頁に記載し【いる方法によ
って製造することができる。たとえば、この論文の矛２
２４１向の化合物■二Ｎ　　ＮＣをアルキルシクロヘキシル酸り四ライド：で処理すると
１次式二の化合物にする。次いでこの化合物をアルキルブロマイ
ドで処理１−ると次式の銹導体か得られる。

この種の化合物の例としては１次式（Ｘｌｌｌ）のトラ
ンス−４−ｎ−ペンチルシクロへキシル−１−カルボン
１１４−ｎ−ブトキシ−２，３−ジシアノフェニル（５
ＨＥＮ０４　）を挙げることができる。

ビシクロへキシルカルボニトリルジアルキルまたはアル
キルアルキレンはＲ，ＥｊｄｅｎＢｃｈｌｎｋ　、　Ｇ
。

Ｈａａｓ　、　Ｍ、Ｒ６ｍｅｒ　ｅ　Ｂ、Ｓ、５ｃｈｅ
ｕｂｌｅかＡｌｇｅｗＣｈｅｍ、９６（１９８４）、４
２．１５１９１に記載した方法によって製造することが
できる。

この種の化合物の例としては次のものを挙げることがで
きる。

（ＣＣＮ４７）−次式（ＸＩＶ）の４α−ｎ−へブチル
。

４′α−ｎ−ブチル−１α、１′α−ビシクロへキシル
−４β−カルボニトリル；（ＣＣＮ５５）−次式（ＸＶ）の４α、４′α−ジーｎ
−ベンチルーｌα、１′α−ビシクロへキシル−４β−
カルボニトリル：（５ＣＣＯｄ　３　’）−次式ＯＮ）の４α−ｎ−ペン
チル４′α−（２−プロペニル）−１α　１′α−ビシ
クロへキシル−４β−カルボニトリルニ一般に本発明の混合物は複数種の成分を含んでおりＳ特
に複数種の１−（アルキルシクロヘキシル）−２−（ア
ルキルフルオロビフェニリル）エタンと挿１　ｒ　ｌｂ
ｌ　、　ｌｅｔ　、　（ｄｌから選択された複数種の化
合物を含む。

さらに、混合物が同一の群の複数種の成分を有するとき
、これらの成分は共晶混合物の形態であってもよい。

本発明の１具体例の混合物は次の成分を含むものである
。

−１−（）ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）
　−２−［２’−フルオロ−４’−（２−ペンチル）−
４−ビフェニリル〕エタン。

１−（）ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）　
−２−（２’−フルオロ−４’−（２−エチル）−４−
ビフェニリル〕エタンおよび１−（Ｉｌｌスス−−ｎ−
ペンチルシクロヘキシル）　−２−（２’−フルオロ−
４’−（２−エチル）−４−ビフェニリル〕エタンの共
晶混合物　８２〜８８Ｘ量％。

−４−ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボン酸２−フ
ルオロ−４−ｎ−ペンチルフェニル５〜８．７％。

−４−ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボン酸２−フ
ルオロ−４−ｎ−へブチルフェニル０〜５％。

−４−（）ランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（）ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル
）ビフェニル　１．５〜３％。

−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロへキシル−１−カ
ルボン酸４−ｎ−ブトキシ−２，３−ジシアノフェニル
　３〜４％。

本発明の液晶混合物は電気的に制御された複屈折効果を
利用する液晶装置の活性成分として使用できる。

本発明のその他の特徴と利点は以下の実施例の記載から
より明瞭になるであろう。以下の実施例は例示であって
本発明を限定するもので【工ない０実施例１式（■）　ｆ）　Ｉ　２２カ６１ｉ１ｉ％、　式（ＸＶ
）　ｆ）ＣＣＮ５５か３３重量％の液晶混合物を調製し
た。

こうして得られアこ液晶混合物は一３℃〜６４℃の温度
範囲でネマチックメソフェース相を呈する。

得られた混合物の誘電異方性△Ｃ１光学異方性Δｎおよ
び比に３．／に□を従来法で測定したところ次の値が得
られた。

△ｎ−０，１１，Δ＠−−２．３゜）Ｃｓｓ　／に１．　＝　１．２７゜実施例２実施例１と同様にして式（■）のＩ２２が７０重量％１
式（１）の５ＣＣＯｄ３Φが３０１１量％の液晶混合物
を調製した。

実施例１と同様に測定して混合物のメンフェース範囲、
光学異方性△ｎ、誘電異方性ΔＣおよび比に３Ｓ７ｋｌ
ｌの値を決定した。結果は次のとおり。

メンフェース範囲ニー２〜６３℃ 光学異方性：Δｎ−０，１１誘電異方性：△ｅ−−１．５比Ｋｓｓ　’ｋｇ　−１，ｓ　２実施例３実施例１と同様に、１３５，１３２：Ｆ５よびＩ５２゜
ｊなわち式（■）、（■）および（ＩＸ）の化合物の共
晶混合物８９重量％１式（ＸＶ）のＣＣＮ５５９．７　
重量％、ならびに式（ＸＩ［Ｉ）の５ＨＥＮＯ４１，３
］１量％からなる混合物を調製した。実施例１と同様に
して測定したこの混合物の％性は次のとおり。

ネマチックメソフェース範囲ニー３２〜９７℃光学異方
性二△ｎ−０，１３８訪電異方性二△ｅ−−１に、、　’ｋＨ−１，３実施例４実施例１と同様にして次の組成の液晶混合物を一製した
〇 −Ｉ３Ｊ１３２および１５２１丁なわち式（■）。

（■）および４（■）の化合物の共晶混合物か８５．９
５重量％。

一式（Ｘ’）　（’）　ＢＣＯ５５Ｆ　カ８．６５　重
量％、一式（Ｘ［［）のＣＢ０５Ｂか２．２！量％。

一式（ＸＩ［［）の５）ＩＥＮＯ４が３．２重量％。

この液晶混合物の特性は次のとおり。

ネマチックメソフェース範囲ニー３５〜＋１０３℃。

光学異方性：Δｎ−０，１４２誘電異方性：△ｅ−−１に、３／に、、−１，２実施例５本実施例では実施例１と同様にして次の重量組成の液晶
混合物を調製した。

（３Ｊ１３２およびｌ５２１丁なわち式（■）。

（■）および（■）の化合物の共晶混合物が８２．８％
。

−ＢＣＯ５５ＦとＢＣＯ５７Ｆ″１丁なわち式（Ｘ）と
（ＸＩ）の化合物の共晶混合物が１ｚ、２％。

一式（Ｘ［［）のＣＢＣ５３が１．５％。

一式（Ｘｉｌｌ　）の５ＨＥＮＯ４が３．５％。

この混合物の特性は次のとおり・ネマチックメソフェース範囲ニー４２〜９７℃。

光学異方性二△ｎ−０，１４銹電異方性二Δｅ−−１に、、／に１ｍ−１，２実施例６実施例１と同様にして次の組成の液晶混合物を調製した
。

式（■）のＩ２２が１２．２重量％。

−）３２．Ｉ３５およびＩ５２．ｆなわち式（■）。

（■）および（ＩＸ）の化合物の共晶混合物が７６．４
重量％。

−ＢＣＯ５５ＦとＢＣＯ５７Ｆ、ｊなｈ’）を式（Ｘ）
と（ＸＩ）の化合物の共晶混合物か６．２％。

一式（ＸＶ）　のＣＣＮ５５が２．５１ｔｔ％。

一式（ＸＩＩ［）の５ＨＥＮＯ４が２．７重量％。

この液体混合物の特性は次のとおり。

ネマチックメソフェース節回ニー５７〜９３℃。

光学異方性二△ｎ−０，１４５誘電異方性：△ｅ−−１に３ｍ　’　Ｋ　１１−１．３７−。

比較のために本発明の実施に使用したいくつかの液晶の
物理的特性を次表に挙げる。

Ｃ以下余白）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一でも異なつてもよい
炭素原子１〜７個のアルキル基である）の１−（アルキ
ルシクロヘキシル）−２− （アルキルフルオロビフェニリル）エタン少なくとも一
種と、（ａ）一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II）（式中、Ｒ＾３およびＲ＾４は同一でも異なつてもよい
炭素原子１〜７個のアルキル基である）のアルキルビシクロオクタンカルボン酸アルキルフルオロフェニル、（ｂ）一般式（III）： ▲数式、化学式、表等があります▼（III）（式中、Ｒ＾５およびＲ＾６は炭素原子１〜７個のアル
キル基である）のビフェニルビシクロヘキシルジアルキル、（ｃ）一般式（IV）： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV）（式中、Ｒ＾７およびＲ＾８は同一でも異なつてもよい
炭素原子１〜７個のアルキル基である）のアルキルシクロヘキシルカルボン酸ジシアノアルコキシフェニル、および（ｄ）一般式（Ｖ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ）（式中、Ｒ＾９およびＲ＾１＾０は同一でも異なつても
よい炭素原子１〜７個のアルキルまたはアルキレン基である）のビシクロヘキシルカルボニトリルジアルキルまたはアルキルアルキレン、から選択された化合物少なくとも一種とからなつており
、１−（アルキルシクロヘキシル）−２−（アルキルフル
オロビフェニリル）エタンが合計で６０〜９０重量％、
アルキルビシクロオクタンカルボン酸アルキルフルオロ
フェニルが合計で０〜１５％、ビフェニルビシクロヘキ
シルジアルキルが合計で０〜１２％、アルキルシクロヘ
キシルカルボン酸ジシアノアルコキシフェニルが合計で
０〜１２％、ビシクロヘキシルカルボニトリルジアルキ
ルまたはアルキルアルキレンが合計で０〜４０％である
ネマチック液晶混合物。
（２）１−（アルキルシクロヘキシル）−２−（アルキ
ルフルオロビフェニリル）エタンが、１−（トランス−
４−ｎ−エチル−シクロヘキシル）−２−〔２′−フル
オロ−４′−（２−エチル）−４−ビフェニリル〕エタ
ン、１−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル
）−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−ペンチル）−
４−ビフェニリル〕エタン、１− （トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−２−
〔２′−フルオロ−４′−（２−エチル）−４−ビフェ
ニリル〕エタンおよび１−（トランス−４−ｎ−ペンチ
ルシクロヘキシル）−２−〔２′−フルオロ−４′−（
２−エチル）−４−ビフェニリル〕エタンから選択され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の液晶
混合物。
（３）アルキルビシクロオクタンカルボン酸アルキルフ
ルオロフェニルが、４−ｎ−ペンチルビシクロオクタン
カルボン酸２−フルオロ−４−ｎ−ペンチルフェニルま
たは４−ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボン酸２−
フルオロ−４−ｎ−ヘプチルフェニルであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項に記載の液晶混
合物。
（４）ビフェニルビシクロヘキシルジアルキルが４−（
トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−４′−
（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）ビフェ
ニルであることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第
３項のいずれかに記載の液晶混合物。
（５）アルキルシクロヘキシルカルボン酸ジシアノアル
コキシフェニルがトランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘ
キシル−１−カルボン酸４−ｎ−ブトキシ−２，３−ジ
シアノフェニルであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項〜第４項のいずれかに記載の液晶混合物。
（６）ビシクロヘキシルカルボニトリルジアルキルまた
はアルキルアルキレンが、４α−ｎ−ヘプチル、４′α
−ｎ−ブチル−１α，１′α−ビシクロヘキシル−４β
−カルボニトリル、４α，４′α−ジ−ｎ−ペンチル−
１α，１′α−ビシクロヘキシル−４β−カルボニトリ
ルまたは４α−ｎ−ペンチル、４′α−（２−プロペニ
ル）−１α，１′α−ビシクロヘキシル−４β−カルボ
ニトリルであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
〜第５項のいずれかに記載の液晶混合物。
（７）前記混合物が１−（トランス−４−ｎ−エチルシ
クロヘキシル）−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−
エチル）−４−ビフェニリル〕エタン６７重量％と４α
，４′α−ジ−ｎ−ペンチル−１α，１′α−ビシクロ
ヘキシル−４β−カルボニトリル３３重量％とからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の液晶混
合物。
（８）前記混合物が１−（トランス−４−ｎ−エチルシ
クロヘキシル）−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−
エチル）−４−ビフェニリル〕エタン７０重量％と４α
−ｎ−ペンチル、４′α−（２−プロペニル）−１α，
１′α−ビシクロヘキシル−４β−カルボニトリル３０
重量％とからなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の液晶混合物。
（９）１−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシ
ル）−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−ペンチル）
−４−ビフェニリル〕エタン、１−（トランス−４−ｎ
−プロピルシクロヘキシル）−２−〔２′−フルオロ−
４′−（２−エチル）−４−ビフェニリル〕エタンおよ
び１−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）
−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−エチル）−４−
ビフェニリル〕エタンの共晶混合物８９重量％、４α，４′α−ジ−ｎ−ペンチル−１α，１′α−ビシ
クロヘキシル−４β−カルボニトリル９．７％、ならび
にトランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル−１−カルボン酸４−ｎ−ブトキシ−２，３−ジシア
ノフェニル１．３重量％からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の液晶混合物。
（１０）１−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−ペンチル）
−４−ビフェニリル〕エタン、１−（トランス−４−ｎ
−プロピルシクロヘキシル）−２−〔２′−フルオロ−
４′−（２−エチル）−４−ビフェニリル〕エタンおよ
び１−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）
−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−エチル）−４−
ビフェニリル〕エタンの共晶混合物８２〜８６重量％、４−ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボン酸２−フルオロ−４−ｎ−ペンチルフェニル５〜８．
７％、４−ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボン酸２−フルオロ−４−ｎ−ヘプチルフェニル０〜５％
、４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−４′−（トランス−４−ｎ−プロピルシク
ロヘキシル）ビフェニル１．５〜３％、ならびにトランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル−１−カルボン酸４−ｎ−ブトキシ−２，３−ジシア
ノフェニル３〜４％からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の液晶混合物。
（１１）１−（トランス−４−ｎ−エチルシクロヘキシ
ル）−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−エチル）−
４−ビフェニリル〕エタン１２．２％、１−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロ −ヘキシル）−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−ペ
ンチル）−４−ビフェニリル〕エタン、１−（トランス
−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−２−〔２′−フ
ルオロ−４′−（２−エチル）−４−ビフェニリル〕エ
タンおよび１−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘ
キシル）−２−〔２′−フルオロ−４′−（２−エチル
）−４−ビフェニリル〕エタンの共晶混合物７６．４％
、４−ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボン酸２−フルオロ−４−ｎ−ペンチルフェニルおよび４
−ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボン酸２−フルオ
ロ−４−ｎ−ヘプチルフェニルの共晶混合物６．２重量
％、４α，４′α−ジ−ｎ−ペンチル−１α，１′α−ビシ
クロヘキシル−４β−カルボニトリル２．５重量％、な
らびにトランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル−１−カルボン酸４−ｎ−ブトキシ−２，３−ジシア
ノフェニル２．７重量％からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の液晶混合物。
（１２）特許請求の範囲第１項〜第１１項のいずれかに
記載の液晶混合物を含むことを特徴とする、電気的に制
御された複屈折効果を利用する液晶装置。