JPS6261350A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS6261350A JPS6261350A JP60199570A JP19957085A JPS6261350A JP S6261350 A JPS6261350 A JP S6261350A JP 60199570 A JP60199570 A JP 60199570A JP 19957085 A JP19957085 A JP 19957085A JP S6261350 A JPS6261350 A JP S6261350A
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- JP
- Japan
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- resin
- light
- semiconductor device
- resin composition
- sealed
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）等を樹脂組成物で
封止した樹脂封止型半導体装置に関し、特に光透過性が
よく、耐熱性、冷熱サイクル特性に優れた特長を有する
ものである。
封止した樹脂封止型半導体装置に関し、特に光透過性が
よく、耐熱性、冷熱サイクル特性に優れた特長を有する
ものである。
［発明の技術的背景とその問題点１
近年、種々の表示用等に実用化されているＬＥＤ等を用
いた発光装置は樹脂封止によって製造されている。 こ
こで用いられる封止用の樹脂としでは、従来、液状低粘
度のエポキシ樹脂等が用いられていた。
いた発光装置は樹脂封止によって製造されている。 こ
こで用いられる封止用の樹脂としでは、従来、液状低粘
度のエポキシ樹脂等が用いられていた。
しかしながら、一般に用いられているエポキシ樹脂によ
る１・１止では、硬化時および冷却時に生じる内部応力
により、半田耐熱試験や冷熱サイクル試験後、界面剥離
、クラック、ワイＡアオーブン等の不良が発生すること
が多かった。 また近年使用されているｔＪ Ｖ硬化に
よって５、＠様な問題があった。 更にＵＶ硬化におい
ては耐熱性が劣り、樹脂の線膨張率が特に大きく、冷熱
サイクル特性に劣るという欠点があった。 一般に応力
を軽減したり、線膨張率を低くしたりするには、無機質
の充填剤等を多聞に加える方法が採られている。
る１・１止では、硬化時および冷却時に生じる内部応力
により、半田耐熱試験や冷熱サイクル試験後、界面剥離
、クラック、ワイＡアオーブン等の不良が発生すること
が多かった。 また近年使用されているｔＪ Ｖ硬化に
よって５、＠様な問題があった。 更にＵＶ硬化におい
ては耐熱性が劣り、樹脂の線膨張率が特に大きく、冷熱
サイクル特性に劣るという欠点があった。 一般に応力
を軽減したり、線膨張率を低くしたりするには、無機質
の充填剤等を多聞に加える方法が採られている。
しかし、ＬＥＤ等は光透過性が必要であるため、タルク
、水酸化アルミニウム、ＲＭカルシウム、溶融シリカ等
の充填剤を数％加えただけでも著しく光透過性を阻害し
、実用上の光透過率を保つためには、前記の充填剤を使
用することができないという問題点があった。
、水酸化アルミニウム、ＲＭカルシウム、溶融シリカ等
の充填剤を数％加えただけでも著しく光透過性を阻害し
、実用上の光透過率を保つためには、前記の充填剤を使
用することができないという問題点があった。
［発明の目的１
本発明の目的は、前記の問題点および欠点を解決するた
めになされたもので、光透過性のよい、低応力で耐熱性
、冷熱サイクル特性に優れた樹脂封止型半導体装置を提
供しようとするものである。
めになされたもので、光透過性のよい、低応力で耐熱性
、冷熱サイクル特性に優れた樹脂封止型半導体装置を提
供しようとするものである。
［発明の概要］
本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、結晶性シリカを含有した樹脂組成物で樹脂封
止すれば光透過性のよい、耐熱性、冷熱サイクル特性に
優れた樹脂封止型半導体装置が得られることを見いだし
、本発明を完成するに至ったものである。 即ち本発明
は、結晶性シリカを含有した光透過性を有する樹脂組成
物で、発光素子を封止してなることを′ｆ１′ｆｉとす
る樹脂封止型半導体装置である。 そして結晶性シリカ
を樹脂組成物に対して、１０〜８０重半％含有している
ものである。
ねた結果、結晶性シリカを含有した樹脂組成物で樹脂封
止すれば光透過性のよい、耐熱性、冷熱サイクル特性に
優れた樹脂封止型半導体装置が得られることを見いだし
、本発明を完成するに至ったものである。 即ち本発明
は、結晶性シリカを含有した光透過性を有する樹脂組成
物で、発光素子を封止してなることを′ｆ１′ｆｉとす
る樹脂封止型半導体装置である。 そして結晶性シリカ
を樹脂組成物に対して、１０〜８０重半％含有している
ものである。
本発明に用いる結晶性シリカとしては、例えば市販品と
して、ブリスタライ１〜Δ、ＡＡ、Ａ−２゜Ｃ，５Ｘ、
ＶＸ−８，ＶＸ−８２，ＶＸ−Ｘ （１森社製、商品名
）等が挙げられ、これらは単独または２種以上混合しで
用いる。 結晶性シリカの平均粒径として０．５〜１０
μｍ程度の６のが望ましい。 粒径が０．５μｍ未満で
は増粘が遍しく多情に混入できない。 また１０μｍを
超えると沈降性が大きく、実用上難点があり好ましくな
い。 沈降防止、増粘防止等から各種粒径の結晶性シリ
カを組み合わせることも可能である。 結晶性シリカの
配合割合は、樹脂組成物に対して１０〜８０！！ ｍ％
金含有ることが望ましい。 配合Ｉが１０重量％未満の
場合は耐熱性、冷熱サイクル特性に効果なく、また８０
重填％を超えると樹脂組成物の粘度が著しく増加し、ま
た光透過性も十分でなくなり好ましくない。
して、ブリスタライ１〜Δ、ＡＡ、Ａ−２゜Ｃ，５Ｘ、
ＶＸ−８，ＶＸ−８２，ＶＸ−Ｘ （１森社製、商品名
）等が挙げられ、これらは単独または２種以上混合しで
用いる。 結晶性シリカの平均粒径として０．５〜１０
μｍ程度の６のが望ましい。 粒径が０．５μｍ未満で
は増粘が遍しく多情に混入できない。 また１０μｍを
超えると沈降性が大きく、実用上難点があり好ましくな
い。 沈降防止、増粘防止等から各種粒径の結晶性シリ
カを組み合わせることも可能である。 結晶性シリカの
配合割合は、樹脂組成物に対して１０〜８０！！ ｍ％
金含有ることが望ましい。 配合Ｉが１０重量％未満の
場合は耐熱性、冷熱サイクル特性に効果なく、また８０
重填％を超えると樹脂組成物の粘度が著しく増加し、ま
た光透過性も十分でなくなり好ましくない。
本発明で用いる樹脂組成物で使用する樹脂としては、熱
硬化性又は光硬化性の樹脂が用いられる。
硬化性又は光硬化性の樹脂が用いられる。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂系、不飽和ポリエ
ステル樹脂系等が、また光硬化性樹脂とし。
ステル樹脂系等が、また光硬化性樹脂とし。
ではアクリル系、不飽和ポリエステル樹脂系のラジカル
硬化系の樹脂、カチオン重合系のエポキシ樹脂等を挙げ
ることができ、これらは単独又は混合系として使用する
ことができる。
硬化系の樹脂、カチオン重合系のエポキシ樹脂等を挙げ
ることができ、これらは単独又は混合系として使用する
ことができる。
本発明に用いる樹脂組成物は、熱硬化性又は光硬化性樹
脂と硬化剤、硬化促進剤、結晶性シリカを含むものであ
るが、更に必要に応じて着色剤、可塑剤、酸化防止剤等
本発明の効果に悪影響を与えない限り、添加配合するこ
とができる。
脂と硬化剤、硬化促進剤、結晶性シリカを含むものであ
るが、更に必要に応じて着色剤、可塑剤、酸化防止剤等
本発明の効果に悪影響を与えない限り、添加配合するこ
とができる。
次に本発明の樹脂封止型半導体装置を図面を用いて説明
する。 第１図において（ａ ）図は、樹脂組成物を注
型封１する場合の状態を示し、（ｂ）図は、樹脂封止後
、型より取り出した状態を示したものである。 （ａ
）図において、離型剤を塗布したＬＥＤ用プラプラス
チック型１脂組成物２を注入し、発光素子３をマウント
シたフレーム４を固定用治具５を用いて取り付け、１４
０℃で１０時間加熱硬化、又は高圧水銀灯８０Ｗ ／
ｃｍを３灯（図示せず）を１０ｃｍＸ ３分間照射しそ
の後、１４０℃で３時間硬化させる。 硬化後、固定用
治具５を取りはずしくｂ）図に示したように樹脂封止さ
れた樹脂封止型半導体装置６を１！ｌ造することができ
る。
する。 第１図において（ａ ）図は、樹脂組成物を注
型封１する場合の状態を示し、（ｂ）図は、樹脂封止後
、型より取り出した状態を示したものである。 （ａ
）図において、離型剤を塗布したＬＥＤ用プラプラス
チック型１脂組成物２を注入し、発光素子３をマウント
シたフレーム４を固定用治具５を用いて取り付け、１４
０℃で１０時間加熱硬化、又は高圧水銀灯８０Ｗ ／
ｃｍを３灯（図示せず）を１０ｃｍＸ ３分間照射しそ
の後、１４０℃で３時間硬化させる。 硬化後、固定用
治具５を取りはずしくｂ）図に示したように樹脂封止さ
れた樹脂封止型半導体装置６を１！ｌ造することができ
る。
本発明、では半導体の樹脂封止について説明したが、そ
の他の電子部品の樹脂封止にも十分適用することができ
る。
の他の電子部品の樹脂封止にも十分適用することができ
る。
［発明の実施例］
次に本発明を実施例を用いて説明するが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。
らの実施例に限定されるものではない。
実施例 １
エポン８２８（シェル化学社製、エポキシ樹脂商品名）
ｉｏｏｇ、無水へキサヒドロフタルｌ！１３１００ｇ
、１−シアノエチル−２エチル−４メチルイミダゾ一ル
１ｇ、クリスタライトＶＸ−Ｓ ＜間食社製、結晶性シ
リカ商品名） １２（ｌａを攪拌混合均一にしてエポキ
シ樹脂組成物を得た。 こうして得たエポキシ樹脂組成
物を離型剤を塗布したＬＥＤ用のプラスチック型に注入
し、ガリウムーヒ素−リン（ＧａＡｓＰ）黄色発光のチ
ップをマウントしたフレームを固定用冶具を用いて取り
付け、１４０℃で１０時間加熱硬化させた。 その後、
固定用治具を取りはずし、１個１個切り離し、樹脂封止
型半導体装置製造した。
ｉｏｏｇ、無水へキサヒドロフタルｌ！１３１００ｇ
、１−シアノエチル−２エチル−４メチルイミダゾ一ル
１ｇ、クリスタライトＶＸ−Ｓ ＜間食社製、結晶性シ
リカ商品名） １２（ｌａを攪拌混合均一にしてエポキ
シ樹脂組成物を得た。 こうして得たエポキシ樹脂組成
物を離型剤を塗布したＬＥＤ用のプラスチック型に注入
し、ガリウムーヒ素−リン（ＧａＡｓＰ）黄色発光のチ
ップをマウントしたフレームを固定用冶具を用いて取り
付け、１４０℃で１０時間加熱硬化させた。 その後、
固定用治具を取りはずし、１個１個切り離し、樹脂封止
型半導体装置製造した。
この半導体装置について明かるさ、冷熱サイクル、半田
耐熱性について試験を行った。 その結果を第１表に示
したが本発明の顕著な効果が認められた。
耐熱性について試験を行った。 その結果を第１表に示
したが本発明の顕著な効果が認められた。
実施例 ２〜７
第１表に示した組成による樹脂組成物を得、実施例１と
同様な方法で樹脂封止型半導体装置を製造し、また実施
例１と同様な評価を行ったので、それぞれの結果を第１
表に示した。 いずれも本発明の顕著な効果が認められ
た。
同様な方法で樹脂封止型半導体装置を製造し、また実施
例１と同様な評価を行ったので、それぞれの結果を第１
表に示した。 いずれも本発明の顕著な効果が認められ
た。
比較例 １へ・５
第１表に示した組成による樹脂組成物を得、実施例１と
同様な方法で樹脂封止型半導体装置を製造し、また実施
例１と同様な評価を行った。 それぞれの結果を第１表
に示した。
同様な方法で樹脂封止型半導体装置を製造し、また実施
例１と同様な評価を行った。 それぞれの結果を第１表
に示した。
［発明の効果コ
以上の説明第１表から明らかなように、結晶性シリカを
含む低応力で光透過性のよい樹脂組成物によって発光素
子を封止したことにより、耐熱性、冷熱リイクル特性に
優れ、界面剥離やクラック、ワイヤオーブン等の不良発
生のない樹脂封止型半導体装置を提供することができる
。
含む低応力で光透過性のよい樹脂組成物によって発光素
子を封止したことにより、耐熱性、冷熱リイクル特性に
優れ、界面剥離やクラック、ワイヤオーブン等の不良発
生のない樹脂封止型半導体装置を提供することができる
。
第１図は、本発明の樹脂封止型半導体装置の構造を示す
断面図で、第１図（ａ ）は注形時の状態、第１図（ｂ
）は封止後取り出した状態を示す。 １・・・プラスチック型、 ２・・・樹脂組成物、 ３
・・・ｌ−Ｅ Ｄチップ、 ４・・・フレーム、 ５・
・・固定用冶具、 ６・・・樹脂封止型半導体装置。 （ａ） （ｂ） 第１図
断面図で、第１図（ａ ）は注形時の状態、第１図（ｂ
）は封止後取り出した状態を示す。 １・・・プラスチック型、 ２・・・樹脂組成物、 ３
・・・ｌ−Ｅ Ｄチップ、 ４・・・フレーム、 ５・
・・固定用冶具、 ６・・・樹脂封止型半導体装置。 （ａ） （ｂ） 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 結晶性シリカを含有した光透過性を有する樹脂組成
物で、発光素子を封止してなることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 ２ 結晶性シリカを樹脂組成物に対して１０〜８０重量
％含有する特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199570A JPS6261350A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199570A JPS6261350A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6261350A true JPS6261350A (ja) | 1987-03-18 |
Family
ID=16410025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60199570A Pending JPS6261350A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6261350A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953387A (ja) * | 1972-09-27 | 1974-05-23 | ||
| JPS5644589A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Manufacture of heat pipe |
| JPS5837939A (ja) * | 1982-07-24 | 1983-03-05 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS5922955A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Toshiba Chem Corp | 半導体封止用樹脂組成物 |
-
1985
- 1985-09-11 JP JP60199570A patent/JPS6261350A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953387A (ja) * | 1972-09-27 | 1974-05-23 | ||
| JPS5644589A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Manufacture of heat pipe |
| JPS5837939A (ja) * | 1982-07-24 | 1983-03-05 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS5922955A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Toshiba Chem Corp | 半導体封止用樹脂組成物 |
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