JPS6261190B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6261190B2 JPS6261190B2 JP55109390A JP10939080A JPS6261190B2 JP S6261190 B2 JPS6261190 B2 JP S6261190B2 JP 55109390 A JP55109390 A JP 55109390A JP 10939080 A JP10939080 A JP 10939080A JP S6261190 B2 JPS6261190 B2 JP S6261190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- photoconductor
- potential
- pulse
- shows
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 9
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14672—Blooming suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像装置に関するもので、電荷転
送機能あるいはＸ―Ｙアドレス機能等を有する回
路素子上に光導電体と電極を設けた構成におい
て、上記電極の抵抗値を1kΩ以下とすることに
より、ブルーミング抑制機構や電気的な自動感度
調整機構を具備した固体撮像装置を提供するもの
である。
送機能あるいはＸ―Ｙアドレス機能等を有する回
路素子上に光導電体と電極を設けた構成におい
て、上記電極の抵抗値を1kΩ以下とすることに
より、ブルーミング抑制機構や電気的な自動感度
調整機構を具備した固体撮像装置を提供するもの
である。
従来、電荷転送機能あるいはＸ―Ｙアドレス機
能等を有する回路素子上に光導電体と電極を設け
た構成において、電荷転送機能を有するものとし
ては、CCDまたはBBD等の自己走査機能をもつ
回路素子、Ｘ―Ｙアドレス機能をもつものとして
は各Ｘ，Ｙ走査線上にマトリクス状にMOSスイ
ツチを配列したものなどが提案されているが、い
ずれの場合も、光導電体上の電極は半導体基板と
同電位（接地電位）に保たれていた。この光導電
体上の電極にパルス電圧を印加すると、後述する
ようにブルーミング抑制機構や自動感度調整機構
を持たせることができる。しかしながら、これら
の種々の機構を制御するためのパルスの波形は電
極の抵抗により大巾に変化する。
能等を有する回路素子上に光導電体と電極を設け
た構成において、電荷転送機能を有するものとし
ては、CCDまたはBBD等の自己走査機能をもつ
回路素子、Ｘ―Ｙアドレス機能をもつものとして
は各Ｘ，Ｙ走査線上にマトリクス状にMOSスイ
ツチを配列したものなどが提案されているが、い
ずれの場合も、光導電体上の電極は半導体基板と
同電位（接地電位）に保たれていた。この光導電
体上の電極にパルス電圧を印加すると、後述する
ようにブルーミング抑制機構や自動感度調整機構
を持たせることができる。しかしながら、これら
の種々の機構を制御するためのパルスの波形は電
極の抵抗により大巾に変化する。
本発明は、上記のような構成の固体撮像装置に
おいて、光導電体上の電極の抵抗を1KΩ以下に
することにより、パルスが波形の実質的な変化を
受けることなく光導電体に印加され、ブルーミン
グ抑圧機構や自動感度調整機構が得られるように
したものである。
おいて、光導電体上の電極の抵抗を1KΩ以下に
することにより、パルスが波形の実質的な変化を
受けることなく光導電体に印加され、ブルーミン
グ抑圧機構や自動感度調整機構が得られるように
したものである。
以下、本発明の装置の実施例について、図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
CCDとBBDは、電荷の蓄積が空乏層か不純物
領域かの差はあるが、動作が本質的に同じである
ので、今後BBDにて説明する。
領域かの差はあるが、動作が本質的に同じである
ので、今後BBDにて説明する。
第１図は、Si基板上に形成したBBD上に光導電
体と電極を形成した固体撮像装置の一単位を示し
たものである。
体と電極を形成した固体撮像装置の一単位を示し
たものである。
Ｐ型半導体基板１０にn+型領域１１を形成
し、ダイオードを設ける。１２はn+型領域で、
電位の井戸である。１３は第一ゲート電極であ
り、n+型領域１１と重なり部分を有している。
１４は半導体基板１０と第一ゲート電極１３との
間を絶縁するゲート酸化膜である。１５は第一電
極１６と半導体基板１０および第一ゲート電極１
３とを電気的に分離するための絶縁体層である。
１６は第一電極で、n+型領域１１と電気的に接
続したダイオードの電極であるとともに正孔阻止
層１７の電極ともなつており、絵素分離のため隣
接の絵素とは絶縁されている。１８は
（Zn1-xCdxTe）1-y（In2Te3）yよりなる光導電体層
であり、その上に透明電極１９が形成されてお
り、透明電極１９側より入射光２１が照射され
る。２０は光導電体層１８の光情報の積分時間を
制御する機構を含む部分であり、その詳細につい
ては後述する。
し、ダイオードを設ける。１２はn+型領域で、
電位の井戸である。１３は第一ゲート電極であ
り、n+型領域１１と重なり部分を有している。
１４は半導体基板１０と第一ゲート電極１３との
間を絶縁するゲート酸化膜である。１５は第一電
極１６と半導体基板１０および第一ゲート電極１
３とを電気的に分離するための絶縁体層である。
１６は第一電極で、n+型領域１１と電気的に接
続したダイオードの電極であるとともに正孔阻止
層１７の電極ともなつており、絵素分離のため隣
接の絵素とは絶縁されている。１８は
（Zn1-xCdxTe）1-y（In2Te3）yよりなる光導電体層
であり、その上に透明電極１９が形成されてお
り、透明電極１９側より入射光２１が照射され
る。２０は光導電体層１８の光情報の積分時間を
制御する機構を含む部分であり、その詳細につい
ては後述する。
上記構造の装置において、第２図ａに示すよう
な駆動パルスを印加する。時刻t1において電極１
６は、第２図ｂに示すように（ＶCH−ＶT）に設
定される。ここで、ＶTは、n+型領域１１，１２
および第一ゲート電極１３より構成される電界効
果型トランジスタ（FET）のしきい値電圧であ
る。
な駆動パルスを印加する。時刻t1において電極１
６は、第２図ｂに示すように（ＶCH−ＶT）に設
定される。ここで、ＶTは、n+型領域１１，１２
および第一ゲート電極１３より構成される電界効
果型トランジスタ（FET）のしきい値電圧であ
る。
今、入射光２１があると、光導電体１８におい
て電子・正孔対が生成し、それぞれ電極１６，１
９に到達して電極１６の電位が低下する。さらに
時刻t2において第一ゲート電極１３にＶCHを印加
すると、n+型領域１１からn+型領域１２に信号
電荷の移送が行なわれる。その結果、n+型領域
１１の電位は再び上昇して（ＶCH−ＶT）とな
る。n+型領域１２に移送された信号電荷は、そ
の後第２図ａに示した転送パルスＶ〓により出力
部へ転送される。以上がCCDおよびBBDの光情
報読み込み動作である。
て電子・正孔対が生成し、それぞれ電極１６，１
９に到達して電極１６の電位が低下する。さらに
時刻t2において第一ゲート電極１３にＶCHを印加
すると、n+型領域１１からn+型領域１２に信号
電荷の移送が行なわれる。その結果、n+型領域
１１の電位は再び上昇して（ＶCH−ＶT）とな
る。n+型領域１２に移送された信号電荷は、そ
の後第２図ａに示した転送パルスＶ〓により出力
部へ転送される。以上がCCDおよびBBDの光情
報読み込み動作である。
次にＸ―Ｙアドレス型の場合について述べる。
第３図は、MOSスイツチ上に光導電体と電極を
形成した固体撮像装置の一単位を示したものであ
る。
第３図は、MOSスイツチ上に光導電体と電極を
形成した固体撮像装置の一単位を示したものであ
る。
ｐ型半導体基板３０にn+型領域３１，３２を
形成し、それぞれソース、ドレインとする。３４
は上記ソース領域３１およびドレイン領域３２の
ゲート電極であり、半導体基板３０とはゲート酸
化膜３３で絶縁されている。このゲート電極３４
はまた列方向の各絵素のゲートと接続されてい
る。ドレイン３２は、電極３５により行方向の絵
素のドレインと共通接続されている。３６は絶縁
体層で、第一電極３７とゲート電極３４とを電気
的に分離している。上記第一電極３７は、ソース
領域３１と電気的に接続されているとともに、正
孔阻止層３８の電極ともなつている。３９は
（Zn1-x―CdxTe）1-y・（In2Te3）yよりなる光導電体
層であり、その上に透明電極４０が形成されてお
り、上記透明電極４０側より入射光４２が照射さ
れる。４１は光導電体層３９の光情報の積分時間
を制御する機構を含む部分であり、その詳細につ
いては後述する。
形成し、それぞれソース、ドレインとする。３４
は上記ソース領域３１およびドレイン領域３２の
ゲート電極であり、半導体基板３０とはゲート酸
化膜３３で絶縁されている。このゲート電極３４
はまた列方向の各絵素のゲートと接続されてい
る。ドレイン３２は、電極３５により行方向の絵
素のドレインと共通接続されている。３６は絶縁
体層で、第一電極３７とゲート電極３４とを電気
的に分離している。上記第一電極３７は、ソース
領域３１と電気的に接続されているとともに、正
孔阻止層３８の電極ともなつている。３９は
（Zn1-x―CdxTe）1-y・（In2Te3）yよりなる光導電体
層であり、その上に透明電極４０が形成されてお
り、上記透明電極４０側より入射光４２が照射さ
れる。４１は光導電体層３９の光情報の積分時間
を制御する機構を含む部分であり、その詳細につ
いては後述する。
第４図は、第３図の単位素子をＸ・Ｙ方向に
各々複数個づつ形成した場合の回路構成を示して
いる。図において、５１〜６２はFETであり、
Qnmは、半導体基板とn+型領域で形成されるダ
イオードである。Q′nmは、光導電体で形成され
るダイオードであり、また、６３は出力端子、Ｒ
Lは負荷抵抗、Voは電源である。
各々複数個づつ形成した場合の回路構成を示して
いる。図において、５１〜６２はFETであり、
Qnmは、半導体基板とn+型領域で形成されるダ
イオードである。Q′nmは、光導電体で形成され
るダイオードであり、また、６３は出力端子、Ｒ
Lは負荷抵抗、Voは電源である。
第５図は、Ｘ・Ｙ走査回路から上記FET５１
〜６２に印加されるパルスの時間変化を示したも
のである。時刻t0でラインY1にパルスが印加され
ると、FET５４〜５６はオン状態となる。この
とき、Ｘ走査回路はX1から順にパルスが印加さ
れるため、負荷抵抗ＲLを通して電源Voによりダ
イオードＱ1n，Q′1nはQ11，Q′11から順に逆バイ
アスされる。時刻t1にてラインY2にパルスが印加
され、Ｑ2n，Q′2nは順次逆バイアスされる。以下
同様にすべてのダイオードが逆バイアスされる。
〜６２に印加されるパルスの時間変化を示したも
のである。時刻t0でラインY1にパルスが印加され
ると、FET５４〜５６はオン状態となる。この
とき、Ｘ走査回路はX1から順にパルスが印加さ
れるため、負荷抵抗ＲLを通して電源Voによりダ
イオードＱ1n，Q′1nはQ11，Q′11から順に逆バイ
アスされる。時刻t1にてラインY2にパルスが印加
され、Ｑ2n，Q′2nは順次逆バイアスされる。以下
同様にすべてのダイオードが逆バイアスされる。
さて、ダイオードQ′nmに光が入射すると、光
導電体３９中で電子・正孔対が生成し、電子は第
一電極３７に集められ、ダイオードQ′nm，Qnm
の電位が低下する。この電位低下は入射光量に比
例し、１フイールドまたは１フレーム期間、光情
報が蓄積される。次にダイオードQ′nm，Qnmが
Ｘ・Ｙ走査回路によるパルスで逆バイアスにされ
るとき、光量に比例して低下した電位分が電源
Voより負荷抵抗ＲLを通して供給される。したが
つて、出力端子６３には光量に比例した電位が出
力される。以上がＸ―Ｙアドレス機能を有する回
路素子上に光導電体と電極を設けた構成における
光情報読み込み動作である。
導電体３９中で電子・正孔対が生成し、電子は第
一電極３７に集められ、ダイオードQ′nm，Qnm
の電位が低下する。この電位低下は入射光量に比
例し、１フイールドまたは１フレーム期間、光情
報が蓄積される。次にダイオードQ′nm，Qnmが
Ｘ・Ｙ走査回路によるパルスで逆バイアスにされ
るとき、光量に比例して低下した電位分が電源
Voより負荷抵抗ＲLを通して供給される。したが
つて、出力端子６３には光量に比例した電位が出
力される。以上がＸ―Ｙアドレス機能を有する回
路素子上に光導電体と電極を設けた構成における
光情報読み込み動作である。
次に、光導電体の第二電極に印加する電位によ
り、光情報の積分時間を制御する機構について説
明する。この動作は、BBDやCCD等の電荷転送
型の場合でも、Ｘ―Ｙアドレス型の場合でも同じ
である。
り、光情報の積分時間を制御する機構について説
明する。この動作は、BBDやCCD等の電荷転送
型の場合でも、Ｘ―Ｙアドレス型の場合でも同じ
である。
第６図に光導電体の光感度の印加電圧依存性を
示す。光導電体の感度は、印加電圧が高い程増加
するが、より高い電圧を印加すると飽和する。光
導電体で形成されたダイオードは、BBDやCCD
の場合リードパルスにより、またＸ―Ｙアドレス
型の場合走査パルスと電源Voにより逆バイアス
状態、すなわち第６図のV1の点まで電圧が印加
される。このとき、光導電体上の電極に上記の逆
バイアス状態を打ち消すような正の電位を印加し
てやると、その光感度は実質零となる。このこと
から、第２図ｃのようなパルスを上記電極に印加
すると、光導電体の積分期間中に蓄積時間と不感
時間を設けることが可能となる。したがつて、光
導電体上の電極の一部を接地電位に保つておき、
この領域を測光部とし、上記測光部の出力に応じ
て蓄積期間と不感時間の比を決め光導電体上の測
光部以外の電極にフイードバツクしてやると電気
的な自動感度調整ができる。
示す。光導電体の感度は、印加電圧が高い程増加
するが、より高い電圧を印加すると飽和する。光
導電体で形成されたダイオードは、BBDやCCD
の場合リードパルスにより、またＸ―Ｙアドレス
型の場合走査パルスと電源Voにより逆バイアス
状態、すなわち第６図のV1の点まで電圧が印加
される。このとき、光導電体上の電極に上記の逆
バイアス状態を打ち消すような正の電位を印加し
てやると、その光感度は実質零となる。このこと
から、第２図ｃのようなパルスを上記電極に印加
すると、光導電体の積分期間中に蓄積時間と不感
時間を設けることが可能となる。したがつて、光
導電体上の電極の一部を接地電位に保つておき、
この領域を測光部とし、上記測光部の出力に応じ
て蓄積期間と不感時間の比を決め光導電体上の測
光部以外の電極にフイードバツクしてやると電気
的な自動感度調整ができる。
次に、光導電体の第二電極に印加する電位によ
りブルーミングを抑圧する機構について説明す
る。
りブルーミングを抑圧する機構について説明す
る。
BBDにおけるブルーミング抑圧を説明するた
めの印加パルスを第７図に示す。第二電極に印加
するパルスの正電位Ｖ+iを転送パルスで読み込み
ゲートがオンする電位（Ｖ〓−ＶT）以上に保持
すれば、ダイオード電位はＶ+iにクリツプされ、
強い入射光がある場合においてもブルーミングが
発生しなくなる。
めの印加パルスを第７図に示す。第二電極に印加
するパルスの正電位Ｖ+iを転送パルスで読み込み
ゲートがオンする電位（Ｖ〓−ＶT）以上に保持
すれば、ダイオード電位はＶ+iにクリツプされ、
強い入射光がある場合においてもブルーミングが
発生しなくなる。
以上は、第二電極にパルス電圧を印加して感度
調整機能やブルーミング抑圧機能を行なわせ得る
ことを示してきたが、次には本発明にかかる第二
電極の抵抗値の依存性について述べる。第８図
に、同図ａの波形の駆動パルスを印加したとき
の、光導電体に実際に印加される電位（同図ｂ）
と、感度調整機能やブルーミング抑圧機能が動作
する範囲（同図ｃ）を示す。これらの図より、第
二電極の抵抗値としては1kΩ以下であれば、正
常な動作が行なわれることがわかる。このよう
に、感度調整やブルーミング抑圧の動作におい
て、第二電極の抵抗値が制限を受けるのは、光導
電体の容量をＣpとし、第二電極の抵抗値をＲと
したとき、光導電体においてＣpＲなる時定数を
有する積分回路が構成されるためであると考えら
れる。
調整機能やブルーミング抑圧機能を行なわせ得る
ことを示してきたが、次には本発明にかかる第二
電極の抵抗値の依存性について述べる。第８図
に、同図ａの波形の駆動パルスを印加したとき
の、光導電体に実際に印加される電位（同図ｂ）
と、感度調整機能やブルーミング抑圧機能が動作
する範囲（同図ｃ）を示す。これらの図より、第
二電極の抵抗値としては1kΩ以下であれば、正
常な動作が行なわれることがわかる。このよう
に、感度調整やブルーミング抑圧の動作におい
て、第二電極の抵抗値が制限を受けるのは、光導
電体の容量をＣpとし、第二電極の抵抗値をＲと
したとき、光導電体においてＣpＲなる時定数を
有する積分回路が構成されるためであると考えら
れる。
以上述べてきたように、本発明の固体撮像装置
は、光導電体上の第二電極の抵抗値を1kΩ以下
にすることにより、自動感度調整やブルーミング
抑圧を効果的に行なえるものである。
は、光導電体上の第二電極の抵抗値を1kΩ以下
にすることにより、自動感度調整やブルーミング
抑圧を効果的に行なえるものである。
第１図は、本発明の一実施例である、電荷転送
機能を有する回路素子上に光導電体を設けた固体
撮像装置の一単位の断面構造を示すものである。
第２図は、第１図の固体撮像装置の動作を説明す
るための図で、クロツクパルスの時間関係と光導
電体の電位変化と光情報の蓄積期間を制御する自
動感度調整パルスを示している。第３図は、本発
明の他の実施例である、MOSスイツチ上に光導
電体を設けた固体撮像装置の一単位の断面構造を
示すものである。第４図は、第３図の単位素子を
Ｘ・Ｙ方向に各数個づつ形成したときの回路構成
を示すものである。第５図は、第３図と第４図に
示した固体撮像装置の動作説明のための図で、
Ｘ・Ｙ各走査パルスの電位変化を示している。第
６図は、光導電体の光感度の印加電圧依存性を示
すものである。第７図は、ブルーミングを抑圧す
るための駆動パルスとダイオード電位を示す。第
８図は、第二電極にパルス電圧を印加したとき
の、光導電体への印加電圧と、ブルーミング抑圧
や自動感度調整が可能な範囲を示す図である。 １０……ｐ型半導体基板、１１，１２……n+
型領域、１３……第一ゲート電極、１４……ゲー
ト酸化膜、１５……絶縁体層、１６……第一電
極、１７……正孔阻止層、１８……光導電体層、
１９……透明電極、２０……光導電体層１８の光
情報の積分時間を制御する機構を含む部分、２１
……光、３０……ｐ型半導体基板、３１，３２…
…n+型領域、３３……ゲート酸化膜、３４……
ゲート電極、３５……電極、３６……絶縁体層、
３７……第一電極、３８……正孔阻止層、３９…
…光導電体層、４０……透明電極、４１……光導
電体層３９の光情報の積分時間を制御する機構を
含む部分、４２……光。
機能を有する回路素子上に光導電体を設けた固体
撮像装置の一単位の断面構造を示すものである。
第２図は、第１図の固体撮像装置の動作を説明す
るための図で、クロツクパルスの時間関係と光導
電体の電位変化と光情報の蓄積期間を制御する自
動感度調整パルスを示している。第３図は、本発
明の他の実施例である、MOSスイツチ上に光導
電体を設けた固体撮像装置の一単位の断面構造を
示すものである。第４図は、第３図の単位素子を
Ｘ・Ｙ方向に各数個づつ形成したときの回路構成
を示すものである。第５図は、第３図と第４図に
示した固体撮像装置の動作説明のための図で、
Ｘ・Ｙ各走査パルスの電位変化を示している。第
６図は、光導電体の光感度の印加電圧依存性を示
すものである。第７図は、ブルーミングを抑圧す
るための駆動パルスとダイオード電位を示す。第
８図は、第二電極にパルス電圧を印加したとき
の、光導電体への印加電圧と、ブルーミング抑圧
や自動感度調整が可能な範囲を示す図である。 １０……ｐ型半導体基板、１１，１２……n+
型領域、１３……第一ゲート電極、１４……ゲー
ト酸化膜、１５……絶縁体層、１６……第一電
極、１７……正孔阻止層、１８……光導電体層、
１９……透明電極、２０……光導電体層１８の光
情報の積分時間を制御する機構を含む部分、２１
……光、３０……ｐ型半導体基板、３１，３２…
…n+型領域、３３……ゲート酸化膜、３４……
ゲート電極、３５……電極、３６……絶縁体層、
３７……第一電極、３８……正孔阻止層、３９…
…光導電体層、４０……透明電極、４１……光導
電体層３９の光情報の積分時間を制御する機構を
含む部分、４２……光。
Claims (1)
- １ 光導電体と、信号走査機能を有する回路素子
と、上記光導電体と回路素子とを電気的に結合す
る第一電極と、上記光導電体上に、第一電極と反
対側に形成した透明電極としての第二電極を備
え、上記第二電極にパルス電圧を印加し、上記第
二電極の抵抗を1KΩ以下としてなる固体撮像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10939080A JPS5733873A (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Solid state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10939080A JPS5733873A (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Solid state image pickup device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5733873A JPS5733873A (en) | 1982-02-24 |
| JPS6261190B2 true JPS6261190B2 (ja) | 1987-12-19 |
Family
ID=14509016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10939080A Granted JPS5733873A (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Solid state image pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5733873A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05115173A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 可変直流電源 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917774A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136A (ja) * | 1984-06-09 | 1986-01-06 | Maruzen Sekiyu Kagaku Kk | ２．６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフエノ−ルの製造方法 |
-
1980
- 1980-08-08 JP JP10939080A patent/JPS5733873A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136A (ja) * | 1984-06-09 | 1986-01-06 | Maruzen Sekiyu Kagaku Kk | ２．６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフエノ−ルの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05115173A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 可変直流電源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5733873A (en) | 1982-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4271420A (en) | Solid-state image pickup device | |
| US4223330A (en) | Solid-state imaging device | |
| JPH0453149B2 (ja) | ||
| JPH084129B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS59108464A (ja) | 固体撮像装置 | |
| EP0267591A2 (en) | Photoelectric converter | |
| JPH05276442A (ja) | 残像積分固体撮像デバイス | |
| JPH07264485A (ja) | 撮像装置 | |
| JPH06164826A (ja) | 固体撮像装置とその駆動方法 | |
| US4789888A (en) | Solid-state image sensor | |
| JPS6261190B2 (ja) | ||
| JPH03277065A (ja) | 薄膜トランジスタ型光センサの駆動方法及び駆動装置 | |
| JPH0831992B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05244513A (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法 | |
| US4402014A (en) | Circuit arrangement for discharging a capacity | |
| JPH084131B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2636898B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6048109B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JPH02181470A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2660046B2 (ja) | イメージセンサ | |
| US6677997B1 (en) | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same | |
| JP2830519B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| EP0029367B1 (en) | Solid state imaging apparatus | |
| JPS6130433B2 (ja) | ||
| JPS59140766A (ja) | 原稿読取装置 |