JPS6261050A - 放射線感応性ネガ型レジストの現像方法 - Google Patents
放射線感応性ネガ型レジストの現像方法Info
- Publication number
- JPS6261050A JPS6261050A JP20064285A JP20064285A JPS6261050A JP S6261050 A JPS6261050 A JP S6261050A JP 20064285 A JP20064285 A JP 20064285A JP 20064285 A JP20064285 A JP 20064285A JP S6261050 A JPS6261050 A JP S6261050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- polymer
- radiation
- ethoxyethanol
- methoxyethanol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/18—Diazo-type processes, e.g. thermal development, or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路の製造に際し、放射線感応性ネガ型レ
ジストを利用する微細加工法、特に現像によるパターン
形成法に関するものである。
ジストを利用する微細加工法、特に現像によるパターン
形成法に関するものである。
現在集積回路製造時におけるパターンの最小線幅は試作
段階では既にサブミクロン領域Ｋ及び更にその線幅は微
細化の一途を辿っている。近い将来、汎用の集積回路に
おいてもパターンの最小線幅は１ミクロンあるいはそれ
以下になることが予想されている。これらの微細パター
ンの加工には基板上に塗布したレジストを電子線、Ｘ線
、遠紫外線などの放射線で描画露光後現像することによ
りズ得たレジストパターンをマスクとして、基板をエツ
チングする方法が採用されているが、その中のエツチン
グ工程ではプラズマを利用するドライエツチングの手法
が加工精度の上から注目されている。したがって、高精
度の微細パターンを実現させるためＫはドライエツチン
グに対する耐性に優れ、かつ１ミクロン以下の高い解像
性を有する放射線レジストの開発およびそれを利用する
微細加工方法特ＶＣ１ミクロン以下の微細パターンを形
成するための現像方法を見出すことが重要であるＯ 上記要請を満足する放射線感応性ネガ型レジストとして
、本出願人らは、ノ・ロゲンを含有する芳香族ビニル化
合物重合体、特にビニルトルエン重合体を塩素化してな
る重合体を素材とする放射線感応性ネガ型レジストを提
案している。（特開昭５８−１８７９２３）本発明はこ
れら放射線感応性ネガ型レジストに対する新規な現像方
法を提供しようとするものである。
段階では既にサブミクロン領域Ｋ及び更にその線幅は微
細化の一途を辿っている。近い将来、汎用の集積回路に
おいてもパターンの最小線幅は１ミクロンあるいはそれ
以下になることが予想されている。これらの微細パター
ンの加工には基板上に塗布したレジストを電子線、Ｘ線
、遠紫外線などの放射線で描画露光後現像することによ
りズ得たレジストパターンをマスクとして、基板をエツ
チングする方法が採用されているが、その中のエツチン
グ工程ではプラズマを利用するドライエツチングの手法
が加工精度の上から注目されている。したがって、高精
度の微細パターンを実現させるためＫはドライエツチン
グに対する耐性に優れ、かつ１ミクロン以下の高い解像
性を有する放射線レジストの開発およびそれを利用する
微細加工方法特ＶＣ１ミクロン以下の微細パターンを形
成するための現像方法を見出すことが重要であるＯ 上記要請を満足する放射線感応性ネガ型レジストとして
、本出願人らは、ノ・ロゲンを含有する芳香族ビニル化
合物重合体、特にビニルトルエン重合体を塩素化してな
る重合体を素材とする放射線感応性ネガ型レジストを提
案している。（特開昭５８−１８７９２３）本発明はこ
れら放射線感応性ネガ型レジストに対する新規な現像方
法を提供しようとするものである。
一般にネガ型レジストは放射線照射部分が重合体鎖間の
架橋反応によってゲル化し溶媒に不溶となることを利用
して、非照射部分を現像液で溶解除去することＫよって
レジストパターンを形成する。ネガ型レジストの微細パ
ターンの形成に際しては照射部分の膨潤を抑え、かつ非
照射部分を速やかに溶解させる現像溶媒の探索が％に重
要である。本発明の対象とする放射線感応性ネガ型レジ
ストについても、かかる観点から、サブミクロンの解像
性を発現させるための現像方法の確立をめざした一層の
検討が要求されて（・た。
架橋反応によってゲル化し溶媒に不溶となることを利用
して、非照射部分を現像液で溶解除去することＫよって
レジストパターンを形成する。ネガ型レジストの微細パ
ターンの形成に際しては照射部分の膨潤を抑え、かつ非
照射部分を速やかに溶解させる現像溶媒の探索が％に重
要である。本発明の対象とする放射線感応性ネガ型レジ
ストについても、かかる観点から、サブミクロンの解像
性を発現させるための現像方法の確立をめざした一層の
検討が要求されて（・た。
本発明の目的は、上記した事情に鑑み、ハロゲンを含有
する芳香族ビニル化合物重合体から成る放射線感応性ネ
ガ型レジストに対して、現像時、放射線照射部分の膨潤
の少ない現像溶媒を用いることによって、サブミクロン
の解像性を発現するために必要な現像方法を提供するこ
とにある。
する芳香族ビニル化合物重合体から成る放射線感応性ネ
ガ型レジストに対して、現像時、放射線照射部分の膨潤
の少ない現像溶媒を用いることによって、サブミクロン
の解像性を発現するために必要な現像方法を提供するこ
とにある。
すなわち、本発明は一般式が下記〔Ｉ〕式（式中、ＲＩ
ｓ Ｒ１およびＲ１は水素原子又は炭素数１から５のア
ルキル基であり、そのうち少なくとも１つは炭素数１か
ら３のアルキル基であるとする）で示される繰り返し単
位を有する重合体をハロゲン化反応することによって得
られる重合体を素材とする放射線感応性ネガ型レジスト
を基板に塗布し、放射線を照射した後、現像してパター
ンを形成する工程において、メトキシエタノールおよび
／又はエトキシエタノールを含む現像溶媒を用いて現像
することを特徴とする放射線感応性ネガ型レジストの現
像方法にある。
ｓ Ｒ１およびＲ１は水素原子又は炭素数１から５のア
ルキル基であり、そのうち少なくとも１つは炭素数１か
ら３のアルキル基であるとする）で示される繰り返し単
位を有する重合体をハロゲン化反応することによって得
られる重合体を素材とする放射線感応性ネガ型レジスト
を基板に塗布し、放射線を照射した後、現像してパター
ンを形成する工程において、メトキシエタノールおよび
／又はエトキシエタノールを含む現像溶媒を用いて現像
することを特徴とする放射線感応性ネガ型レジストの現
像方法にある。
上記［Ｉ’３式で示される繰り返し単位を有する重合体
の例としては、ビニルトルエン、ジメチルスチレン、ト
リメチルスチレンなどの単独重合体あるいはこれらを一
成分として含む共重合体を挙げることができる。
の例としては、ビニルトルエン、ジメチルスチレン、ト
リメチルスチレンなどの単独重合体あるいはこれらを一
成分として含む共重合体を挙げることができる。
該重合体の合成方法としては、ラジカル重合、イオン重
合のいずれの方法でも適用できるが、ネガ型レジストの
解像性が重合体の分子量分散度に依存することを考慮す
ると、アニオン重合の手法を用いて分散度の小さい重合
体を得るのが好ましい。
合のいずれの方法でも適用できるが、ネガ型レジストの
解像性が重合体の分子量分散度に依存することを考慮す
ると、アニオン重合の手法を用いて分散度の小さい重合
体を得るのが好ましい。
該重合体をハロゲン化反応することによって得られる重
合体が本発明の対象とするレジスト材料となる。ハロゲ
ン化反応の方法としては、過酸化ベンゾイルなどの触媒
存在下にて、塩化スルフリル。
合体が本発明の対象とするレジスト材料となる。ハロゲ
ン化反応の方法としては、過酸化ベンゾイルなどの触媒
存在下にて、塩化スルフリル。
Ｎ−ブロモコハク酸イミドなどのハロゲン化剤を用いた
ラジカルハロゲン化法あるいは、特開昭５８−４２７７
９．％願昭５９−０５１０６９゜５９−０５１０７１，
５？−１２！＋６７４および５９−１２３６７５で本出
願人が提案した電解ハロゲン化方法を挙げることができ
るが、分子量分散度を考慮すると、後者の方法が好まし
いと言える。
ラジカルハロゲン化法あるいは、特開昭５８−４２７７
９．％願昭５９−０５１０６９゜５９−０５１０７１，
５？−１２！＋６７４および５９−１２３６７５で本出
願人が提案した電解ハロゲン化方法を挙げることができ
るが、分子量分散度を考慮すると、後者の方法が好まし
いと言える。
反応におけるハロゲン化率については特に限定する必要
はないが、放射線に対するレジストの感度がその導入率
に依存することを考慮すると、重合体の繰り返し単位当
りのハロゲン原子の数で定義される導入率が５チ以上、
好ましくは２０チ以上であることが望ましい。重合体の
分子量についても特に制限を施す必要はないが、レジス
トの感度が分子量にほぼ比例して変化することを考える
ならば、分子量は１００００以上とするのが望ましい。
はないが、放射線に対するレジストの感度がその導入率
に依存することを考慮すると、重合体の繰り返し単位当
りのハロゲン原子の数で定義される導入率が５チ以上、
好ましくは２０チ以上であることが望ましい。重合体の
分子量についても特に制限を施す必要はないが、レジス
トの感度が分子量にほぼ比例して変化することを考える
ならば、分子量は１００００以上とするのが望ましい。
上記重合体を素材とするレジストの現像方法で、メトキ
シエタノール又はエトキシエタノールを含む現像液がサ
ブミクロンの解像性を得る上で極めて優れている。また
、メトキシエタノール又はエトキシエタノールを単独で
現像液として使用してもよい。さらに、メトキシエタノ
ール又はエトキシエタノールと炭素数１から５の１価ア
ルコールから成る混合溶媒を現像液として使用してもよ
い。
シエタノール又はエトキシエタノールを含む現像液がサ
ブミクロンの解像性を得る上で極めて優れている。また
、メトキシエタノール又はエトキシエタノールを単独で
現像液として使用してもよい。さらに、メトキシエタノ
ール又はエトキシエタノールと炭素数１から５の１価ア
ルコールから成る混合溶媒を現像液として使用してもよ
い。
該１価アルコールの例としてメタノール、エタノール、
ｎ−プロパツール、１−７’ロバノール、フタノール、
ｎ−アミルアルコール、１−アミルアルコールなどを挙
げることができる。これら混合溶媒の混合比率は１／９
９〜９９／１の範囲であり、レジストの分子量、ハロゲ
ン化率などに応じテ、現像後のレジストパターンの解像
状態を考慮して両者の適正な混合比率が決定される。
ｎ−プロパツール、１−７’ロバノール、フタノール、
ｎ−アミルアルコール、１−アミルアルコールなどを挙
げることができる。これら混合溶媒の混合比率は１／９
９〜９９／１の範囲であり、レジストの分子量、ハロゲ
ン化率などに応じテ、現像後のレジストパターンの解像
状態を考慮して両者の適正な混合比率が決定される。
現像の方法については特に制限を加えるものではな（、
通常のパターン形成プロセスで採用されている、浸漬現
偉、スプレー現備などいずれの方法にも適用することが
できる。
通常のパターン形成プロセスで採用されている、浸漬現
偉、スプレー現備などいずれの方法にも適用することが
できる。
以下に実施例を示し、本発明を更に具体的に説明する。
実施例１
開始剤に５ｅａ−ブチルリチウム、溶媒にベンゼンな用
いて、分子量４．２ Ｘ １０’のｐ−ビニルトルエン
重合体を得た。該重合体のベンゼン溶液を１２Ｎ濃塩酸
と共に白金電極付き電解槽に入れ、ｆＯＡ／ｃｒＩｔの
一定電流密度で通電し、塩素化ポリｐ−ビニルトルエン
を得た。元素分析による塩素含量から計算される塩素化
率（ビニルトルエン繰返し単位当りの塩素原子の数）は
７０％であった。
いて、分子量４．２ Ｘ １０’のｐ−ビニルトルエン
重合体を得た。該重合体のベンゼン溶液を１２Ｎ濃塩酸
と共に白金電極付き電解槽に入れ、ｆＯＡ／ｃｒＩｔの
一定電流密度で通電し、塩素化ポリｐ−ビニルトルエン
を得た。元素分析による塩素含量から計算される塩素化
率（ビニルトルエン繰返し単位当りの塩素原子の数）は
７０％であった。
又、（）ＰＯ測測定ら分散度Ｍｙ／Ｍｎの値は１．０８
であった。得られた重合体をキシレンに溶解し濃度１２
％のレジスト溶液とした。孔径（１４μｍのミクロフィ
ルターで濾過しスピナーによってシリコンウェハに２０
００回転で塗布したところ、０．６５μｍの均一な薄膜
を形成した。１１０℃で２５分間ベーキング後、電子線
描画装置を用いて、加速電圧２０ｘＶでパターン描画を
行りた。描画後、エトキシエタノールと１−アミルアル
コール混合溶媒（容量比２対１）Ｋ１分間浸漬して現像
し、１−プロパツールで洗浄後乾燥した。形成されたパ
ターンの膜厚測定から感度を評価した結果、残膜率５０
％に相当するドーズ量Ｄ ｇＯ−５の値は４．５μｏ／
ｄであった。描画パターンとして、一定うイン巾（５μ
？Ｆりでスペース巾の寸法が異なる一連のパターンを用
いて解像性を調べた結果、α５〜Ｑ、６２５μｍスペー
スのパターン形成り［能であった。
であった。得られた重合体をキシレンに溶解し濃度１２
％のレジスト溶液とした。孔径（１４μｍのミクロフィ
ルターで濾過しスピナーによってシリコンウェハに２０
００回転で塗布したところ、０．６５μｍの均一な薄膜
を形成した。１１０℃で２５分間ベーキング後、電子線
描画装置を用いて、加速電圧２０ｘＶでパターン描画を
行りた。描画後、エトキシエタノールと１−アミルアル
コール混合溶媒（容量比２対１）Ｋ１分間浸漬して現像
し、１−プロパツールで洗浄後乾燥した。形成されたパ
ターンの膜厚測定から感度を評価した結果、残膜率５０
％に相当するドーズ量Ｄ ｇＯ−５の値は４．５μｏ／
ｄであった。描画パターンとして、一定うイン巾（５μ
？Ｆりでスペース巾の寸法が異なる一連のパターンを用
いて解像性を調べた結果、α５〜Ｑ、６２５μｍスペー
スのパターン形成り［能であった。
比較例１
実施例１の塩素化ボＩＪ ｐ−ビニルトルエンを用いて
、現像液が異なる以外は、実施例１と同じ方法でレジス
トパターンを形成した。描画後、メチルエチルケトンと
１−プロパツール混合溶媒（容量比３対１）に１分間浸
漬して現像し、１−プロパツールで洗浄後乾燥してパタ
ーンを形成した。
、現像液が異なる以外は、実施例１と同じ方法でレジス
トパターンを形成した。描画後、メチルエチルケトンと
１−プロパツール混合溶媒（容量比３対１）に１分間浸
漬して現像し、１−プロパツールで洗浄後乾燥してパタ
ーンを形成した。
実施例１の描画パターンで解像性を調べた結果、［１７
５μｍスペースのパターンを解像することができなかっ
た。
５μｍスペースのパターンを解像することができなかっ
た。
実施例２
実施例１と同様の方法で、分子量１．３Ｘ１０’。
分散度１．０ Ｂ 、塩素化率１６％の塩素化ポリｐ−
ビニルトルエンを得た。実施例１と同様の方法でシリコ
ンウェハ上に厚さ１μｍのレジスト膜を形成し、１１０
℃で２５分間ベーキング後、Ｘｅ−）Ｉｇランプ１５力
ｓｏｏｗ）を光源とする密着転写装＠＜キャノン■製Ｐ
ＬＡ−５２０）［て、ライン／スペース寸法が種々異な
るパターンが形成された石英製マスクを介して露光した
。露光後、スプレー現像装＠ＪＡＰＴ社製モデ／Ｉ／９
１５）を用いて、現像液をエトキシエタノール、リンス
液をイソプロパツールとして現像し、レジストパターン
を形成した。露光時間２．５秒で残膜率はほぼ１００％
に達し、α７５μｍのライン／スペースを解像すること
が可能であった。
ビニルトルエンを得た。実施例１と同様の方法でシリコ
ンウェハ上に厚さ１μｍのレジスト膜を形成し、１１０
℃で２５分間ベーキング後、Ｘｅ−）Ｉｇランプ１５力
ｓｏｏｗ）を光源とする密着転写装＠＜キャノン■製Ｐ
ＬＡ−５２０）［て、ライン／スペース寸法が種々異な
るパターンが形成された石英製マスクを介して露光した
。露光後、スプレー現像装＠ＪＡＰＴ社製モデ／Ｉ／９
１５）を用いて、現像液をエトキシエタノール、リンス
液をイソプロパツールとして現像し、レジストパターン
を形成した。露光時間２．５秒で残膜率はほぼ１００％
に達し、α７５μｍのライン／スペースを解像すること
が可能であった。
実施例５
開始剤Ｋｒ５−ブチルリチウム、溶媒にテトラヒドロフ
ランを用いて、分子＠ １． Ｉ Ｘ １０Ｓの２．５
−ジメチルスチレン１合体を得た。実施例１と同じ方法
で、該重合体の電解塩素化反応を施し、塩素化ポリ（２
，５−ジメチルスチレン）を得た。元素分析による塩素
含量から計算される塩素化率は１３５％であった。ＧＰ
Ｏ測定から分散度は１．１０であった。実施例１と同様
の方法でレジスト薄膜を形成し、電子線描画特性を調べ
た。現像は浸漬現像とし、メトキシエタノールと１−ア
ミルアルコール混合溶媒（容量比１対１）で現像し、１
−プロパツールで洗浄後乾燥した。ｐ ｇｏ−５の値は
１．２μａ／ａｄであり、等間隔のライン／スペースパ
ターンで（Ｌ５μｍの解像度が得られた。
ランを用いて、分子＠ １． Ｉ Ｘ １０Ｓの２．５
−ジメチルスチレン１合体を得た。実施例１と同じ方法
で、該重合体の電解塩素化反応を施し、塩素化ポリ（２
，５−ジメチルスチレン）を得た。元素分析による塩素
含量から計算される塩素化率は１３５％であった。ＧＰ
Ｏ測定から分散度は１．１０であった。実施例１と同様
の方法でレジスト薄膜を形成し、電子線描画特性を調べ
た。現像は浸漬現像とし、メトキシエタノールと１−ア
ミルアルコール混合溶媒（容量比１対１）で現像し、１
−プロパツールで洗浄後乾燥した。ｐ ｇｏ−５の値は
１．２μａ／ａｄであり、等間隔のライン／スペースパ
ターンで（Ｌ５μｍの解像度が得られた。
実施例４
実施例１のｐ−ビニルトルエン重合体のベンゼン溶液を
４８％臭化水素酸と共にフッ素系アニオン交換展を隔膜
とする白金電極付き電解槽に入れ、１０Ａ／ｄの一定電
流密度で通電し、臭素化ポリｐ−ビニルトルエンを得た
。ハロゲン含量から計算される臭素化率は６５％であっ
た。又、分散度は１．０８であった。実施例１と同じ方
法でレジスト膜を形成し、電子線描画後、エトキシエタ
ノールとｎ−ブタノール混合溶媒（容量比３対１）Ｋ１
分間浸漬して現像し、エタノールでリンス後乾燥した。
４８％臭化水素酸と共にフッ素系アニオン交換展を隔膜
とする白金電極付き電解槽に入れ、１０Ａ／ｄの一定電
流密度で通電し、臭素化ポリｐ−ビニルトルエンを得た
。ハロゲン含量から計算される臭素化率は６５％であっ
た。又、分散度は１．０８であった。実施例１と同じ方
法でレジスト膜を形成し、電子線描画後、エトキシエタ
ノールとｎ−ブタノール混合溶媒（容量比３対１）Ｋ１
分間浸漬して現像し、エタノールでリンス後乾燥した。
感度Ｄｇ”’ （７）値は６．５μａ／ｃＩｄであり、
５μｍラインに対する解像限界スペース巾はα５μｍで
あった。
５μｍラインに対する解像限界スペース巾はα５μｍで
あった。
以上説明したように、本発明の現像方法はハロゲンを含
有する芳香族ビニル化合物重合体を素材とする放射線ネ
ガ型レジストの解像性を向上する上で極めて有効な現像
方法であり、パターン寸法ゝ ゝ ＋ ″
１ １μｍ以下のサブミクロンパターンが要求される半
導体集積回路などの製造に大きな効果が期待されもので
ある。
有する芳香族ビニル化合物重合体を素材とする放射線ネ
ガ型レジストの解像性を向上する上で極めて有効な現像
方法であり、パターン寸法ゝ ゝ ＋ ″
１ １μｍ以下のサブミクロンパターンが要求される半
導体集積回路などの製造に大きな効果が期待されもので
ある。
Claims (3)
- （１）一般式が下記〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は水素原子又は炭
素数１から３のアルキル基であり、そのうち少なくとも
１つは炭素数１から３のアルキル基であるとする。）で
示される繰り返し単位を有する重合体をハロゲン化反応
することによって得られる重合体を素材とする放射線感
応性ネガ型レジストを基板に塗布し、放射線を照射した
後、現像してパターンを形成する工程において、メトキ
シエタノールおよび／又はエトキシエタノールを含む現
像溶媒を用いて現像することを特徴とする放射線感応性
ネガ型レジストの現像方法。 - （２）上記現像溶媒がメトキシエタノール又はエトキシ
エタノールの単独溶媒である特許請求の範囲第１項記載
の現像方法。 - （３）上記現像溶媒が、メトキシエタノール又はエトキ
シエタノールと炭素数１から５の１価アルコールとから
成る混合溶媒である特許請求の範囲第１項記載の現像方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20064285A JPS6261050A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 放射線感応性ネガ型レジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20064285A JPS6261050A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 放射線感応性ネガ型レジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6261050A true JPS6261050A (ja) | 1987-03-17 |
Family
ID=16427786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20064285A Pending JPS6261050A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 放射線感応性ネガ型レジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6261050A (ja) |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP20064285A patent/JPS6261050A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0546535B2 (ja) | ||
| JPS6261050A (ja) | 放射線感応性ネガ型レジストの現像方法 | |
| US4454200A (en) | Methods for conducting electron beam lithography | |
| JPH11203937A (ja) | 制御されたｐＨを有する導電性ポリマー | |
| JPS63158544A (ja) | 放射線感応性ネガ型レジストの現像方法 | |
| US4581318A (en) | N-alkynyl polyvinylpyridinium resists having electron and deep U.V. sensitivity | |
| US4677048A (en) | Process of using N-alkynyl polyvinylpyridinium resists having electron and deep U.V. sensitivity | |
| EP0077057B2 (en) | Negative-type resist sensitive to ionizing radiation | |
| JPS6374050A (ja) | 放射線感応性レジスト材料および微細加工方法 | |
| JPS58187923A (ja) | 放射線感応性レジスト材を用いる微細加工法 | |
| JPS647651B2 (ja) | ||
| US4656108A (en) | Patterned film of thiocarbonyl fluoride polymer | |
| JPS595245A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS6259950A (ja) | 電離放射線感応ポジ型レジスト | |
| JP2593310B2 (ja) | レジスト材料 | |
| JPH052141B2 (ja) | ||
| JPH01293337A (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物 | |
| JPH0377986B2 (ja) | ||
| US4604305A (en) | Improvements in contrast of a positive polymer resist having a glass transition temperature through control of the molecular weight distribution and prebaked temperature | |
| JPS59192245A (ja) | レジスト材料 | |
| JPS58122531A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6091350A (ja) | 電離放射線感応ネガ型レジスト | |
| JPS60138543A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH03182756A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS60140234A (ja) | パタ−ン形成方法 |