JPS595245A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS595245A JPS595245A JP11369082A JP11369082A JPS595245A JP S595245 A JPS595245 A JP S595245A JP 11369082 A JP11369082 A JP 11369082A JP 11369082 A JP11369082 A JP 11369082A JP S595245 A JPS595245 A JP S595245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic solvent
- org
- rinsing liquid
- solvent
- rinsing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高分子系レジスト材料のパターン形成方法に関
する。
する。
近年集積回路における技術の進歩には目を見損るものが
あシ、その製造工程で使用されるレジスト材料として紫
外線、遠紫外線、荷電粒子線またはＸ線に感応し架橋す
る高分子系レジスト材料がある。これらのレジスト材料
は、該材料の塗膜を基板上に形成し、該塗膜の所定の位
置に光線または電離放射線を照射したのち、現像液によ
り該塗膜の未架橋部分を除去し、次いで該塗膜をリンス
液によシリンスすることによシ、レジストパターンを形
成するという方法で用いられている。この方法で使用す
る現像液は、実験を繰り返し試行錯誤により開発されて
おり、またリンス液の開発も同様である。
あシ、その製造工程で使用されるレジスト材料として紫
外線、遠紫外線、荷電粒子線またはＸ線に感応し架橋す
る高分子系レジスト材料がある。これらのレジスト材料
は、該材料の塗膜を基板上に形成し、該塗膜の所定の位
置に光線または電離放射線を照射したのち、現像液によ
り該塗膜の未架橋部分を除去し、次いで該塗膜をリンス
液によシリンスすることによシ、レジストパターンを形
成するという方法で用いられている。この方法で使用す
る現像液は、実験を繰り返し試行錯誤により開発されて
おり、またリンス液の開発も同様である。
このために従来のレジストパターン形成方法では、現像
液の溶解性が合っていなかったり、現像液とリンス液の
溶解性のバランスが適当でなかったりして、レジストパ
ターンの解像度の低下レジストパターンの変形あるいは
はがれなどの問題があった。
液の溶解性が合っていなかったり、現像液とリンス液の
溶解性のバランスが適当でなかったりして、レジストパ
ターンの解像度の低下レジストパターンの変形あるいは
はがれなどの問題があった。
本発明者らは１．レジストパターン形成方法に関して鋭
意研究の結果、現像液として特定の第２ビリアル係数を
もつ有機溶媒を使用し、さらに特定のリンス液を２種類
使用することによシ、微細なレジストパターンが鮮明に
得られ、またレジストパターンの変形あるいははがれが
無いことを見出し本発明に到達した。
意研究の結果、現像液として特定の第２ビリアル係数を
もつ有機溶媒を使用し、さらに特定のリンス液を２種類
使用することによシ、微細なレジストパターンが鮮明に
得られ、またレジストパターンの変形あるいははがれが
無いことを見出し本発明に到達した。
すなわち本発明は、光線または電離放射線に感応し架橋
する高分子系レジスト材料の塗膜を基板上に形成する工
程、該塗膜の所定の位置に光線または電離放射線を照射
する工程、現像液によって該塗膜の未架橋部分を除去す
る工程および該塗膜をリンス液によシリンスする工程を
含むパターン形成方法において、現像工程で現像液とし
て第２ビリアル係数（Ａ２）が−〇、２Ｘ１０ 〜＋１
．２Ｘ１０ ｍｅ／ｙの１有機溶媒を用い、リンス工
程で５℃における溶解度パラメータ（δ）が１０−１５
（→佃）＋である炭素数１〜６個のアルコールを含む
下記のリンス液Ｉおよびリンス液■で順次処理すること
を特徴とするレジストパターン形成方法。
する高分子系レジスト材料の塗膜を基板上に形成する工
程、該塗膜の所定の位置に光線または電離放射線を照射
する工程、現像液によって該塗膜の未架橋部分を除去す
る工程および該塗膜をリンス液によシリンスする工程を
含むパターン形成方法において、現像工程で現像液とし
て第２ビリアル係数（Ａ２）が−〇、２Ｘ１０ 〜＋１
．２Ｘ１０ ｍｅ／ｙの１有機溶媒を用い、リンス工
程で５℃における溶解度パラメータ（δ）が１０−１５
（→佃）＋である炭素数１〜６個のアルコールを含む
下記のリンス液Ｉおよびリンス液■で順次処理すること
を特徴とするレジストパターン形成方法。
リンス液１：有機溶媒Ａおよび有機溶媒Ｂを混合してな
シ８≦有機溶媒Ａ／ 有機溶媒Ｂ≦３０（容量比）の関 係を有するリンス液。
シ８≦有機溶媒Ａ／ 有機溶媒Ｂ≦３０（容量比）の関 係を有するリンス液。
リンス液Ｉｌ：有機溶媒Ｃからなるリンス液。
（ただし、有機溶媒Ａは第２ビリアル係数（Ａ、）が−
０，２Ｘ１０− ”＋１．２Ｘ１０−４（ｍ４／ｊ’）
の有機溶媒を示し、有機溶媒ＢおよびＣは同一または異
なシ有機溶媒の５℃における溶解度、４ラメータ（δ）
からレジスト材料の５℃における溶解度ノくラメ−ター
（δｒｅｎｔｍｌ）を差引いた値が−１〜５ （ａ４／
ＪＴとなる有機溶媒を提供するものである。
０，２Ｘ１０− ”＋１．２Ｘ１０−４（ｍ４／ｊ’）
の有機溶媒を示し、有機溶媒ＢおよびＣは同一または異
なシ有機溶媒の５℃における溶解度、４ラメータ（δ）
からレジスト材料の５℃における溶解度ノくラメ−ター
（δｒｅｎｔｍｌ）を差引いた値が−１〜５ （ａ４／
ＪＴとなる有機溶媒を提供するものである。
次に、本発明の詳細な説明する。
本発明に使用する現像液は、現像温度（一般には加〜刀
℃）での第２ビリアル係数（Ａりが−０，２Ｘ１０−’
−＋−１．２Ｘ１０−’ｍＪ／ｙの有機溶媒であり、好
ましくは一〇、ｌＸ１０−１−１．０Ｘ１０ ｍｅ／ｙ
、より好ましくは０＋０．５ Ｘｌ０− ’ｍｌ／ｙの
有機溶媒で４る。
℃）での第２ビリアル係数（Ａりが−０，２Ｘ１０−’
−＋−１．２Ｘ１０−’ｍＪ／ｙの有機溶媒であり、好
ましくは一〇、ｌＸ１０−１−１．０Ｘ１０ ｍｅ／ｙ
、より好ましくは０＋０．５ Ｘｌ０− ’ｍｌ／ｙの
有機溶媒で４る。
一般に高分子溶液の浸透圧は、次のビリアル展開式の形
で表わされる。
で表わされる。
二＝ＲＴ （＋ＡｔＣ十ＡｓＣ”十・・・）０Ｍ
ここでπ：高分子溶液の浸透圧
Ｍ：モル質量（数平均分子量）
Ｒ：ガス定数
Ｔ：絶対温度
Ｃ：高分子の質量濃度
Ａ２：第２ビリアル係数
Ａ３：第８ビリアル係数
したがって、温度を一定としたとき高分子の濃度（０を
変化させて浸透圧（π）を測定することＫよってモル質
量Ｍを求め、第２ビリアル系数（ＡＩ）係数（Ａ、）は
、上式に従って、現像温度σ）におけるレジスト材料の
濃度を変化させ浸透圧（π）を測定することにより求め
ることができる。第２ビリアル係数の測定法には上記浸
透圧によるもの以外に光散乱法、沈降平衡法などがある
（高分子学会網、高分子科学の基礎、Ｐ、７８〜９２．
ｐ。
変化させて浸透圧（π）を測定することＫよってモル質
量Ｍを求め、第２ビリアル系数（ＡＩ）係数（Ａ、）は
、上式に従って、現像温度σ）におけるレジスト材料の
濃度を変化させ浸透圧（π）を測定することにより求め
ることができる。第２ビリアル係数の測定法には上記浸
透圧によるもの以外に光散乱法、沈降平衡法などがある
（高分子学会網、高分子科学の基礎、Ｐ、７８〜９２．
ｐ。
１１９〜１２８．１９７８年）。
第２ビリアル係数（Ａ、）が＋１．２Ｘ１０＝ｍＶｊＦ
以上の有機溶媒を現像液として用いて現像すると、得ら
れるレジストパターンには膨潤によるフリンジの発生が
認められる。また、第２ビリアル係数（Ａ２）が−〇、
２Ｘ１０ ｒｎｌ／ｆ以下の現像液を用いると、得られ
るレジストパターンには現像残シが発生する。第２ビリ
アル係数（Ａ、）が−０，２ｘｌＯ−’−１−１．２ｘ
４ １０ ｍｅ／９の範囲の有機溶媒を現像液とした場合の
み鮮明なレジストパターンが得られる。
以上の有機溶媒を現像液として用いて現像すると、得ら
れるレジストパターンには膨潤によるフリンジの発生が
認められる。また、第２ビリアル係数（Ａ２）が−〇、
２Ｘ１０ ｒｎｌ／ｆ以下の現像液を用いると、得られ
るレジストパターンには現像残シが発生する。第２ビリ
アル係数（Ａ、）が−０，２ｘｌＯ−’−１−１．２ｘ
４ １０ ｍｅ／９の範囲の有機溶媒を現像液とした場合の
み鮮明なレジストパターンが得られる。
上記のように、現像液として使用する有機溶媒はレジス
ト材料の種類によって異なシーｖＬＫ例示することはで
きないが、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、シク
ロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、酢酸セ
ロソルブ、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、酢酸イソアミル、２−ニトロプロパｙ、１，１．２
−トリクロロエタン、イソプロピルアルコールなどの有
機溶媒を適宜選択しまたは適宜混合している。
ト材料の種類によって異なシーｖＬＫ例示することはで
きないが、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、シク
ロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、酢酸セ
ロソルブ、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、酢酸イソアミル、２−ニトロプロパｙ、１，１．２
−トリクロロエタン、イソプロピルアルコールなどの有
機溶媒を適宜選択しまたは適宜混合している。
また本発明における現像温度は通常側〜３０℃であシ、
また現像時間は通常５秒〜５分である。
また現像時間は通常５秒〜５分である。
なお、本発明に使用する現像液に界面活性剤、例えば脂
肪酸エステル系非イオン界面活性剤などを添加すること
によって現像性をさらに改良することができる。脂肪酸
エステル系非イオン界面活性剤としては、ソルビタント
リオレエート、ソルビタンセスキオレエート、ソルビタ
ンモノオレエート、ソルビタンモノステアレート、フル
ビタンジステアレート、ステアリン酸モノグリセリド、
オレイン酸モノグリセリドなどのＨＬＢＩ〜５のものを
挙げることができる。
肪酸エステル系非イオン界面活性剤などを添加すること
によって現像性をさらに改良することができる。脂肪酸
エステル系非イオン界面活性剤としては、ソルビタント
リオレエート、ソルビタンセスキオレエート、ソルビタ
ンモノオレエート、ソルビタンモノステアレート、フル
ビタンジステアレート、ステアリン酸モノグリセリド、
オレイン酸モノグリセリドなどのＨＬＢＩ〜５のものを
挙げることができる。
また、これらの非イオン界面活性剤は現像液中ＫＯ，０
１〜０．１重量係含まれているときに最良の効果を達成
できる。界面活性剤の量が０．１重量係を越えても、現
像後のレジストパターンには異常が認められることはほ
とんどないが、レジスト材料の種類によってはパターン
が剥離しゃすくなる場合がある。
１〜０．１重量係含まれているときに最良の効果を達成
できる。界面活性剤の量が０．１重量係を越えても、現
像後のレジストパターンには異常が認められることはほ
とんどないが、レジスト材料の種類によってはパターン
が剥離しゃすくなる場合がある。
本発明に使用するリンス液は、５℃における溶解度パラ
メータ（δ）が１０〜１５ ＜ａｒｘ７ｖａ＞＋である
炭素数１〜６個のアルコールを必須として含む下記のリ
ンス液Ｉおよび顧である。
メータ（δ）が１０〜１５ ＜ａｒｘ７ｖａ＞＋である
炭素数１〜６個のアルコールを必須として含む下記のリ
ンス液Ｉおよび顧である。
リンス液■：有機溶媒Ａおよび有機溶媒Ｂを混合してな
シ３≦有機溶媒Ａ／有機溶媒Ｂ≦刃（容量比）好ましく
は３．５≦有機溶媒Ａ／有機溶媒Ｂ≦２０（容量比）の
関係を有するリンス液。
シ３≦有機溶媒Ａ／有機溶媒Ｂ≦刃（容量比）好ましく
は３．５≦有機溶媒Ａ／有機溶媒Ｂ≦２０（容量比）の
関係を有するリンス液。
リンス液■：有機溶媒Ｃからなるリンス液。
（ただし、有機溶媒Ａは第２ビリアル係数（Ａ、）４−
４ が−０，２Ｘ１０ −１−１．２Ｘ１０ （ｍし’ｙ
）の有機溶媒を示し、有機溶媒ＢおよびＣは同一または
異なシ有機溶媒の５℃における溶解度パラメーター（δ
）からレジスト材料の５℃における溶解度パラメータ（
δｒｅ＠１ｓｔ）を差引いた値が−１〜５（φ個）１１
好ましくは−０゜５〜４（ｗ−）２となる有機溶媒を示
す。）なお溶解度パラメーター（δ）は次式で定義され
る数値である。
４ が−０，２Ｘ１０ −１−１．２Ｘ１０ （ｍし’ｙ
）の有機溶媒を示し、有機溶媒ＢおよびＣは同一または
異なシ有機溶媒の５℃における溶解度パラメーター（δ
）からレジスト材料の５℃における溶解度パラメータ（
δｒｅ＠１ｓｔ）を差引いた値が−１〜５（φ個）１１
好ましくは−０゜５〜４（ｗ−）２となる有機溶媒を示
す。）なお溶解度パラメーター（δ）は次式で定義され
る数値である。
δ：（ΔＥ／Ｖ）Ｔ
（ここでΔＥは有機溶媒またはレジスト材料の分子凝集
エネルギー、■は分子容を示す。） ２５℃における溶解度パラメーター（δ）が１０〜１５
（ｄ／ｄ）＋である炭素数１〜６個のアルコールとして
は、たとえば１ｓｏ−ブチルアルコール、ｔｃｒｔ−ブ
チルアルコール、ｎ−ヘプチルアルコール、２−ブチル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、１ＳＯ−プロピル
アルコール、ｎ−７”ロビルアルコール、エチルアルコ
ール、メチルアルコール、エチレングリコール、アミル
アルコールナト力あげられる。
エネルギー、■は分子容を示す。） ２５℃における溶解度パラメーター（δ）が１０〜１５
（ｄ／ｄ）＋である炭素数１〜６個のアルコールとして
は、たとえば１ｓｏ−ブチルアルコール、ｔｃｒｔ−ブ
チルアルコール、ｎ−ヘプチルアルコール、２−ブチル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、１ＳＯ−プロピル
アルコール、ｎ−７”ロビルアルコール、エチルアルコ
ール、メチルアルコール、エチレングリコール、アミル
アルコールナト力あげられる。
これらのアルコールは一般にはリンス液Ｉおよびリンス
液■中に２〜８０重量係混合される。
液■中に２〜８０重量係混合される。
上記アルコールと混合することのできる他の有機溶媒は
、本発明の条件を満たすものであれば特に限定するもの
ではないが、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、シ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、酢酸
セロソルブ、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、酢酸インアミル、２−ニトロプロパン、１．１．
２− ）リクロロエタン、イソプロピルアルコールなど
を挙げることができる。
、本発明の条件を満たすものであれば特に限定するもの
ではないが、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、シ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、酢酸
セロソルブ、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、酢酸インアミル、２−ニトロプロパン、１．１．
２− ）リクロロエタン、イソプロピルアルコールなど
を挙げることができる。
リンス液Ｉにおいて有機溶媒Ａ／有機溶媒Ｂが８未満の
場合は得られるレジストパターンの解像度が低下し、ま
たパターンのはがれが起きやすく、有機溶媒Ａ／有機溶
媒Ｂが園を越えるとリンス液としての機能が不十分であ
る。またリンス液Ｉにおける有機溶媒Ｃまたはり／ス液
■における有機溶媒Ｃが上記範囲をはずれた場合も得ら
れるレジスト・１ターンの解像度が低下し、パターンの
はがれが起きやすくなる。
場合は得られるレジストパターンの解像度が低下し、ま
たパターンのはがれが起きやすく、有機溶媒Ａ／有機溶
媒Ｂが園を越えるとリンス液としての機能が不十分であ
る。またリンス液Ｉにおける有機溶媒Ｃまたはり／ス液
■における有機溶媒Ｃが上記範囲をはずれた場合も得ら
れるレジスト・１ターンの解像度が低下し、パターンの
はがれが起きやすくなる。
なお、上記リンス液はリンス液■、リンス液■の順で使
用することが必要であシ、リンス液ｌおよびリンス液ｎ
を混合使用したりまたはリンス液Ｉｔ、リンス液Ｉの順
で使用しても良好なレジストパターンを得ることができ
ない。また本発明におけるリンス温度は通常頷〜３０℃
であり、リンス時間は通常５秒〜２分である。
用することが必要であシ、リンス液ｌおよびリンス液ｎ
を混合使用したりまたはリンス液Ｉｔ、リンス液Ｉの順
で使用しても良好なレジストパターンを得ることができ
ない。また本発明におけるリンス温度は通常頷〜３０℃
であり、リンス時間は通常５秒〜２分である。
本発明を適用できるレジスト材料は、紫外線などの光線
、遠紫外線、荷電粒子線、Ｘ線などの電離放射線に感応
し架橋する高分子系レジスト材料であり、たとえばポリ
イソプレン環化物またはポリブタジェン環化物を主成分
とし、これに光架標剤および／または光増感剤を混合し
た光線に感応するレジスト材料、スチレンもしくはスチ
レン誘導体の重合体もしくは共重合体またはこれらのノ
・ロゲン化物を主成分とする電離放射線に感応するレジ
スト材料、アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エス
テルの重合体または共重合体を主成分とする電離放射線
に感応するレジスト材料などをあげることができる。
、遠紫外線、荷電粒子線、Ｘ線などの電離放射線に感応
し架橋する高分子系レジスト材料であり、たとえばポリ
イソプレン環化物またはポリブタジェン環化物を主成分
とし、これに光架標剤および／または光増感剤を混合し
た光線に感応するレジスト材料、スチレンもしくはスチ
レン誘導体の重合体もしくは共重合体またはこれらのノ
・ロゲン化物を主成分とする電離放射線に感応するレジ
スト材料、アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エス
テルの重合体または共重合体を主成分とする電離放射線
に感応するレジスト材料などをあげることができる。
これらの高分子系レジスト材料の中で特に良好なレジス
トパターンが得られるレジスト材料とじ又は、本出願人
が先に特願昭５７−１２６８５ として出願した下記
一般式（５）で表わされる繰返し構造単位を有する重合
体または共重合体であり、かつ該重合体または共重合体
中に複数存在するＸの少なくとも１部がノ・ロゲンであ
シ、また該重合体まだは共重合体中に複数存在するＲ’
、 Ｒ２゜Ｒ８，Ｒ４およびＲ５の少なくとも１部がハ
ロアルキル基またはハロアルコキシ基である重合体また
は共重合体からなる電離放射線に感応するレジスト材料
をあげることができる。
トパターンが得られるレジスト材料とじ又は、本出願人
が先に特願昭５７−１２６８５ として出願した下記
一般式（５）で表わされる繰返し構造単位を有する重合
体または共重合体であり、かつ該重合体または共重合体
中に複数存在するＸの少なくとも１部がノ・ロゲンであ
シ、また該重合体まだは共重合体中に複数存在するＲ’
、 Ｒ２゜Ｒ８，Ｒ４およびＲ５の少なくとも１部がハ
ロアルキル基またはハロアルコキシ基である重合体また
は共重合体からなる電離放射線に感応するレジスト材料
をあげることができる。
ＣＨ２Ｃ−
ｓ
（Ｘは水素、メチル基または）・ロゲンであり、Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４およびＲ１１は同一または異なり、水
素、アルキル基、”ロゲン、ノ１０アルキル基またはノ
・ロアルコキシ基である） 上記一般式（Ｎで示される繰返し構造単位を有する重合
体または共重合体において、Ｘ ７５Ｅ ）・ロゲンで
ある前記一般式（５）で示される繰返し構造単位〔以下
（Ａ−１）で示される繰返し構造単位と記す〕の好まし
い割合は、重合体または共重合体中の全繰返し構造単位
数の２係以上、特に５ｍ以上であシ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒａ
、 Ｒ４およびＲ５の少なくとも１つがノ・ロアルキル
基またはノ＼ロアルコキシ基である前記一般式（８）で
示される繰返し構造単位〔以下（Ａ−２）で示さオする
繰返し構造単位と記す〕の好ましい割合は重合体または
共重合体中の全繰返し構造単位数の８−以上、特に５チ
以上である。
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４およびＲ１１は同一または異なり、水
素、アルキル基、”ロゲン、ノ１０アルキル基またはノ
・ロアルコキシ基である） 上記一般式（Ｎで示される繰返し構造単位を有する重合
体または共重合体において、Ｘ ７５Ｅ ）・ロゲンで
ある前記一般式（５）で示される繰返し構造単位〔以下
（Ａ−１）で示される繰返し構造単位と記す〕の好まし
い割合は、重合体または共重合体中の全繰返し構造単位
数の２係以上、特に５ｍ以上であシ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒａ
、 Ｒ４およびＲ５の少なくとも１つがノ・ロアルキル
基またはノ＼ロアルコキシ基である前記一般式（８）で
示される繰返し構造単位〔以下（Ａ−２）で示さオする
繰返し構造単位と記す〕の好ましい割合は重合体または
共重合体中の全繰返し構造単位数の８−以上、特に５チ
以上である。
（Ａ−１）で示される繰返し構造単位および（Ａ−２）
で示される繰返し構造単位の両者の割合の和は、重合体
または共重合体中の全繰返し構造単位の５〜６０％であ
り、好ましくは７〜４０チである。なお、Ｘがハロゲン
でアシ、かつＲ１，Ｒ１，８％、 Ｒ４およびＲ１１の
少なくとも１つがノ・ロアルキル基またはノ・ロアルコ
キシ基でおる前記一般式囚で示される繰返し構造単位は
、（Ａ−１）で示される繰返し構造単位としても取扱い
、また（Ａ−２）で示される繰返し構造単位としても取
扱われる。
で示される繰返し構造単位の両者の割合の和は、重合体
または共重合体中の全繰返し構造単位の５〜６０％であ
り、好ましくは７〜４０チである。なお、Ｘがハロゲン
でアシ、かつＲ１，Ｒ１，８％、 Ｒ４およびＲ１１の
少なくとも１つがノ・ロアルキル基またはノ・ロアルコ
キシ基でおる前記一般式囚で示される繰返し構造単位は
、（Ａ−１）で示される繰返し構造単位としても取扱い
、また（Ａ−２）で示される繰返し構造単位としても取
扱われる。
一般式（５）で示される繰返し構造単位における好まし
いＲ１，Ｒ１，Ｒ８，Ｒ４およびＲ５としては水素、メ
チル基、メトキシ基、塩素、臭素、塩化メチル基または
臭化メチル基であり、特にＲ’、 Ｒ”、 Ｒ”。
いＲ１，Ｒ１，Ｒ８，Ｒ４およびＲ５としては水素、メ
チル基、メトキシ基、塩素、臭素、塩化メチル基または
臭化メチル基であり、特にＲ’、 Ｒ”、 Ｒ”。
Ｒ４，Ｒ１１のうちの１つがメチル基または塩化メチル
基であシ他が水素の場合が好ましい。
基であシ他が水素の場合が好ましい。
まだ一般式（Ａ−１）で示される繰返し構造単位におけ
るＸとしては、塩素または臭素が好ましい。
るＸとしては、塩素または臭素が好ましい。
一般式囚で示される繰返し構造単位と共に共重合体を形
成することのできる他の繰返し構造単位としては、アク
リル酸エチル単位、アクリル酸ブチル単位、アクリル酸
グリシジル単位、α−ビニルナフタレン単位、β−ビニ
ルナフタレン単位、２−ビニルピリジン単位、４−ビニ
ルピリジン単位、無水マレイン酸単位、酢酸ビニル単位
などの不飽和エチレン化合物単位などの構成成分を挙げ
ることができるが、電離放射線に対する感度およびドラ
イエツチングに対する耐性のためには、これらの繰返し
構造単位は共重合体中の全繰返し構造単位数の５０係未
満が好ましく、特に２０％未満が好ましい。
成することのできる他の繰返し構造単位としては、アク
リル酸エチル単位、アクリル酸ブチル単位、アクリル酸
グリシジル単位、α−ビニルナフタレン単位、β−ビニ
ルナフタレン単位、２−ビニルピリジン単位、４−ビニ
ルピリジン単位、無水マレイン酸単位、酢酸ビニル単位
などの不飽和エチレン化合物単位などの構成成分を挙げ
ることができるが、電離放射線に対する感度およびドラ
イエツチングに対する耐性のためには、これらの繰返し
構造単位は共重合体中の全繰返し構造単位数の５０係未
満が好ましく、特に２０％未満が好ましい。
一般式囚で示される繰返し構造単位を有する重合体また
は共重合体の総ハロゲン含量は０．５〜４０重量％が好
ましい。
は共重合体の総ハロゲン含量は０．５〜４０重量％が好
ましい。
なお、本発明においてレジスト材料として使用される高
分子の分子量について、特に制限はたいが、光線または
電離放射線に別して高感度という性能を維持するため、
には分子量が高い方が好ましく、レジスト材料としての
塗膜形成のための取扱面からは分子量が低い方が好まし
い。
分子の分子量について、特に制限はたいが、光線または
電離放射線に別して高感度という性能を維持するため、
には分子量が高い方が好ましく、レジスト材料としての
塗膜形成のための取扱面からは分子量が低い方が好まし
い。
二つの相反する要求を満たす数平均分子量の範囲は、１
万〜１５０万よシ好ましくは２万〜１００万である。こ
れらのレジスト材料はキシレン、エチルベンゼン、トル
エンなどの有機溶媒に溶解し基板に塗布する。
万〜１５０万よシ好ましくは２万〜１００万である。こ
れらのレジスト材料はキシレン、エチルベンゼン、トル
エンなどの有機溶媒に溶解し基板に塗布する。
本発明によれば、解像度が優れ、パターンの変形あるい
ははがれかない。微細なレジストパターンをつくること
ができる。
ははがれかない。微細なレジストパターンをつくること
ができる。
次に本発明を実施例および比較例により、さらに詳しく
説明する。なお、実施例および比較例における現像液リ
ンス液Ｉまたはリンス液１１は第１表に示すものを用い
た。
説明する。なお、実施例および比較例における現像液リ
ンス液Ｉまたはリンス液１１は第１表に示すものを用い
た。
実施例１
内容積２ｔの四つ目丸底フラスコに磁気攪拌子を入れ、
系内を窒素に置きかえ、窒素気流下にシクロヘキサン３
２０ｐ、ビニルトルエン３５．４ ｇを入れ、系内を均
一溶液としたのち、内温を５０ Ｃに保った。ついで窒
素気流下に、ｎ −ブチルリチウムの０．５０モル／ｌ
シクロヘキサン溶液を１．０ ｍｌ加えて重合を開
始させた。
系内を窒素に置きかえ、窒素気流下にシクロヘキサン３
２０ｐ、ビニルトルエン３５．４ ｇを入れ、系内を均
一溶液としたのち、内温を５０ Ｃに保った。ついで窒
素気流下に、ｎ −ブチルリチウムの０．５０モル／ｌ
シクロヘキサン溶液を１．０ ｍｌ加えて重合を開
始させた。
１２０分後に重合率は９７．０％になった。反応溶液を
２．６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾールを含むメタノ
ール中に入れ、ｐ−メチルスチレン重合体を回収し、４
０Ｃで１６時間、減圧乾燥した。このようにして得られ
たｐ−メチルスチレン重合体１１．８ｇを１を丸底フラ
スコに入れ、系内を窒素に置換えたのち四塩化炭素２２
４ｇとラウリルペルオキシド４７．２ｍｇ、塩化スルフ
リル４．７２９を加え、系内７０Ｃに保って６０分反応
した。生成物を、２．２−メチレンビス（６−ｔ−ブチ
ル−４−メチルフェノール）を含むメタノール溶液中に
投じて生成物を分離回収した。生成物を核磁気共鳴装置
〔日本電子■製ＪＮＭ −４Ｈ−１００型〕 を用いて
分析したところ、原料であるｐ−メチルスチレン重合体
に認められるδ＝ ２．３ ｐｐｍのメチルの水素に由
来するピークには変化がなかったが、δ＝ ２．１ ｐ
ｐｍのメチンの水素に由来するピークが小さくなってい
ることが判った。さらに、１３Ｃ−核磁気共鳴装置 〔
日本電子製ＪＮＭ −ＦＸ−１００型〕を用いて分析し
たところ、δ＝ ４６．１１）ｐｍにクロロメチル基に
起因する吸収が新しく認められ、またδ＝５１〜５５
ｐｐｍに■ −ＣＣ／−に起因する吸収が認められた。このことから
、ｐ−メチルスチレン重合体のメチル基と主鎖が塩素化
されていることが判明しだ。これらの核磁気共鳴スペク
トルを詳細に解析したところ、（Ａ−１）で示される繰
返し構造単位が６％であり、（Ａ−２）で示される繰返
し構造単位が１４％含まれていることが判明した。また
塩素含量は５．７重量％でメンプランオスモメーターに
よって測定した数平均分子量は２ Ｘ １０’であった
。また２５Ｃにおける溶解度パラメータは１０．１ （
ｍ／Ｃｆｆり十であった。
２．６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾールを含むメタノ
ール中に入れ、ｐ−メチルスチレン重合体を回収し、４
０Ｃで１６時間、減圧乾燥した。このようにして得られ
たｐ−メチルスチレン重合体１１．８ｇを１を丸底フラ
スコに入れ、系内を窒素に置換えたのち四塩化炭素２２
４ｇとラウリルペルオキシド４７．２ｍｇ、塩化スルフ
リル４．７２９を加え、系内７０Ｃに保って６０分反応
した。生成物を、２．２−メチレンビス（６−ｔ−ブチ
ル−４−メチルフェノール）を含むメタノール溶液中に
投じて生成物を分離回収した。生成物を核磁気共鳴装置
〔日本電子■製ＪＮＭ −４Ｈ−１００型〕 を用いて
分析したところ、原料であるｐ−メチルスチレン重合体
に認められるδ＝ ２．３ ｐｐｍのメチルの水素に由
来するピークには変化がなかったが、δ＝ ２．１ ｐ
ｐｍのメチンの水素に由来するピークが小さくなってい
ることが判った。さらに、１３Ｃ−核磁気共鳴装置 〔
日本電子製ＪＮＭ −ＦＸ−１００型〕を用いて分析し
たところ、δ＝ ４６．１１）ｐｍにクロロメチル基に
起因する吸収が新しく認められ、またδ＝５１〜５５
ｐｐｍに■ −ＣＣ／−に起因する吸収が認められた。このことから
、ｐ−メチルスチレン重合体のメチル基と主鎖が塩素化
されていることが判明しだ。これらの核磁気共鳴スペク
トルを詳細に解析したところ、（Ａ−１）で示される繰
返し構造単位が６％であり、（Ａ−２）で示される繰返
し構造単位が１４％含まれていることが判明した。また
塩素含量は５．７重量％でメンプランオスモメーターに
よって測定した数平均分子量は２ Ｘ １０’であった
。また２５Ｃにおける溶解度パラメータは１０．１ （
ｍ／Ｃｆｆり十であった。
上記により得られた重合体をキシレンで１１．６重量％
の溶液とした。この溶液を０．７μｍの熱酸化層のつい
たシリコンウエーノ・上に乗せ、２００回転／分で２秒
、つづいて４，０００回転／分で３０秒間、回転塗布さ
せた。８０Ｃで（９）分熱処理して溶剤を飛散させたと
ころ、ウエーノ・上に１、Ｏｔｔｍの塗膜が形成されて
いた。キャノン■製露光機ＰＬＡ−５２１Ｆを用いて、
マスクを通して遠紫外線を照射したのち、２５′ｃにお
いて現像液に６０秒間浸漬して現像し、ついでリンス液
■に２０秒間、リンス液■に４０秒浸漬した。
の溶液とした。この溶液を０．７μｍの熱酸化層のつい
たシリコンウエーノ・上に乗せ、２００回転／分で２秒
、つづいて４，０００回転／分で３０秒間、回転塗布さ
せた。８０Ｃで（９）分熱処理して溶剤を飛散させたと
ころ、ウエーノ・上に１、Ｏｔｔｍの塗膜が形成されて
いた。キャノン■製露光機ＰＬＡ−５２１Ｆを用いて、
マスクを通して遠紫外線を照射したのち、２５′ｃにお
いて現像液に６０秒間浸漬して現像し、ついでリンス液
■に２０秒間、リンス液■に４０秒浸漬した。
その結果、コールドミラーＣＭ ２９０を用い、光強度
１０ｍｗ／ｃｒｌ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓ５ｏｃｉａｔ
ｅｓ 、 Ｉｎｃ。
１０ｍｗ／ｃｒｌ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓ５ｏｃｉａｔ
ｅｓ 、 Ｉｎｃ。
（ＯＡＩ）製Ｍｏｄｅｌ ２０５１ＪＶ Ｐｏｗｅｒ
ｍｅｔｅｒ 、 ２５３．７ ｍセンサーを用いて測定
〕、照射時間０．６秒で、線幅１μｍのパターンを解像
でき、レジストパターンの変形、はがれが起こらず、高
精度に微細なレジストパターンを作ることができた。
ｍｅｔｅｒ 、 ２５３．７ ｍセンサーを用いて測定
〕、照射時間０．６秒で、線幅１μｍのパターンを解像
でき、レジストパターンの変形、はがれが起こらず、高
精度に微細なレジストパターンを作ることができた。
実施例２〜７
実施例１で得たレジストを用い、現像液。
リンス液１またはリンス液■を違えた以外は実施例１と
同様にレジストパターンを作成したところ実施例１と同
様に良好な結果が得られた。
同様にレジストパターンを作成したところ実施例１と同
様に良好な結果が得られた。
実施例８
実施例１とまったく同様にしてレジスト溶液を調製した
。このレジスト溶液を０．７μｍの熱酸化膜の付いたシ
リコンウェーハ上に乗せ２００回転／分で２秒、つづい
て４．ｏｏｏ回転／分で３０秒間、回転塗布した。窒素
中、９０Ｃで（９）分間熱処理して溶剤を飛散させたと
ころ、ウェハ上に１．０μｍの塗膜が形成されていた。
。このレジスト溶液を０．７μｍの熱酸化膜の付いたシ
リコンウェーハ上に乗せ２００回転／分で２秒、つづい
て４．ｏｏｏ回転／分で３０秒間、回転塗布した。窒素
中、９０Ｃで（９）分間熱処理して溶剤を飛散させたと
ころ、ウェハ上に１．０μｍの塗膜が形成されていた。
加速電圧１０にＶで電子線を照射し、２５Ｃにおいて現
像液に６０秒間浸漬現像し、ついでリンス液Ｉに加秒間
、リンス液Ｕｌ／Ｃ４０秒間浸漬した。この結果照射量
０，５μＣ／ｄで、残膜率７０％で線幅１μｍのパター
ンが解像でき、レジストパターンの変形、はがれが起こ
らず、精度よく微細なレジストパターンをつくることが
できた。
像液に６０秒間浸漬現像し、ついでリンス液Ｉに加秒間
、リンス液Ｕｌ／Ｃ４０秒間浸漬した。この結果照射量
０，５μＣ／ｄで、残膜率７０％で線幅１μｍのパター
ンが解像でき、レジストパターンの変形、はがれが起こ
らず、精度よく微細なレジストパターンをつくることが
できた。
実施例９〜２０
内容積２ｔの四つ目丸底フラスコに磁気攪拌子を入れ、
系内を窒素に置きかえ、窒素気流下ニジクロヘキサン３
２０ｇ、スチレン７、Ｉ１１ビニルトルエン２８．３９
を入れ、系内を均一溶液としたのち、内温を６０Ｃに保
った。ついで窒素気流下に、ｎ−ブチルリチウムの０．
２５モル／ｌシクロヘキサン溶液を３．０ ｍｌ 加工
て重合を開始させた。（イ）分径に重合率は１００％と
なった。反応溶液を２．グーメチレンビス（６−ｔ−ブ
チル−４−エチルフェノール）を含むメタノール中に入
れ、スチレン重合体を回収し、４０Ｃで１６時間減圧乾
燥した。このようにして得られたスチレ／重合体１０．
７９を１を丸底フラスコに入れ、系内を窒素に置換えた
のち、四塩化炭素２２４ｇと過酸化ベンゾイル４７Ｉｎ
９、塩化スルフリル６．５１７を加え、系内を７０Ｃに
保って１．５時間反応した。反応生成物を２，２′−メ
チレンビス（６−１−ブチル−４−エチルフェノール）
を含むメタノール溶液中に投じて生成物を分離回収した
。塩素含量は７．１％であった。
系内を窒素に置きかえ、窒素気流下ニジクロヘキサン３
２０ｇ、スチレン７、Ｉ１１ビニルトルエン２８．３９
を入れ、系内を均一溶液としたのち、内温を６０Ｃに保
った。ついで窒素気流下に、ｎ−ブチルリチウムの０．
２５モル／ｌシクロヘキサン溶液を３．０ ｍｌ 加工
て重合を開始させた。（イ）分径に重合率は１００％と
なった。反応溶液を２．グーメチレンビス（６−ｔ−ブ
チル−４−エチルフェノール）を含むメタノール中に入
れ、スチレン重合体を回収し、４０Ｃで１６時間減圧乾
燥した。このようにして得られたスチレ／重合体１０．
７９を１を丸底フラスコに入れ、系内を窒素に置換えた
のち、四塩化炭素２２４ｇと過酸化ベンゾイル４７Ｉｎ
９、塩化スルフリル６．５１７を加え、系内を７０Ｃに
保って１．５時間反応した。反応生成物を２，２′−メ
チレンビス（６−１−ブチル−４−エチルフェノール）
を含むメタノール溶液中に投じて生成物を分離回収した
。塩素含量は７．１％であった。
実施例１に準じて生成物の構造を解析したところ、（Ａ
−１）で示される繰返し構造単位が９％であり、（Ａ−
２）で示される繰返し構造単位が１６％含まれているこ
とが判明した。メンプランオスモメーターによって測定
した数平均分子量は７．２ Ｘ １０’であった。また
２５Ｃにおける溶解度パラメーターは１０．２（叫保）
十であった。
−１）で示される繰返し構造単位が９％であり、（Ａ−
２）で示される繰返し構造単位が１６％含まれているこ
とが判明した。メンプランオスモメーターによって測定
した数平均分子量は７．２ Ｘ １０’であった。また
２５Ｃにおける溶解度パラメーターは１０．２（叫保）
十であった。
上記により得られた重合体をキシレンで１６．２重量％
の溶液とした。この溶液を０．７μｍノ熱酸化層のつい
たシリコンウェーハー上に乗せ、２００回転／分で２秒
、つづいて４，０００回転／分で３０秒間、回転塗布さ
せた。８０Ｃで（資）分熱処理して、溶剤を飛散させた
ところ、ウェーハー上に１．０μ乳の塗膜が形成されて
いた。
の溶液とした。この溶液を０．７μｍノ熱酸化層のつい
たシリコンウェーハー上に乗せ、２００回転／分で２秒
、つづいて４，０００回転／分で３０秒間、回転塗布さ
せた。８０Ｃで（資）分熱処理して、溶剤を飛散させた
ところ、ウェーハー上に１．０μ乳の塗膜が形成されて
いた。
次いで実施例９〜１４では、キャノン■製露光機ＰＬＡ
−５２１Ｆ ＣコールドミラーＣＭ ２９０使用）を
用いてマスクを通して遠紫外線を、光強度１０ｍｗ／（
７（ＯＡＩ製Ｍｏｄｅｌ ２０５ＵＶ Ｐｏｗｅｒｍｅ
ｔｅｒ 、 ２５３．７順 センサーを使用して測定）
で１．５秒間照射した。
−５２１Ｆ ＣコールドミラーＣＭ ２９０使用）を
用いてマスクを通して遠紫外線を、光強度１０ｍｗ／（
７（ＯＡＩ製Ｍｏｄｅｌ ２０５ＵＶ Ｐｏｗｅｒｍｅ
ｔｅｒ 、 ２５３．７順 センサーを使用して測定）
で１．５秒間照射した。
また実施例１５〜２０は加速電圧１０にＶで、電子線を
２．０μＣ／ｃｉｔ照射した。
２．０μＣ／ｃｉｔ照射した。
次に２５Ｃにおいて現像液に６０秒間、リンス液Ｉに２
０秒間、リンス液■に４０秒間浸漬した。
０秒間、リンス液■に４０秒間浸漬した。
その結果、第２表に示したようにいずれもパターンの変
形、はがれが起こらず精度よく微細パターンを形成する
ことができた。
形、はがれが起こらず精度よく微細パターンを形成する
ことができた。
第２表
比較例１〜３
実施例１で得たレジストを用い、現像液、リンス液１ま
たはリンス液■を違えた以外は実施例１と同様にレジス
トパターンを作成した。結果を第３表に示す。
たはリンス液■を違えた以外は実施例１と同様にレジス
トパターンを作成した。結果を第３表に示す。
第３表
Claims (1)
- （１）光線または電離放射線に感応し架橋する高分子系
レジスト材料の塗膜を基板上に形成する工程、該塗膜の
所定の位置に光線または電離放射線を照射する工程、現
像液によって該塗膜の未架橋部分を除去する工程および
該塗膜をリンス液によシリンスする工程を含むパターン
形成方法において、現像工程で現像液として第２ビリア
ル係数（Ａ、）が刊、２ＸｌＯ−）１．２ ３゜ＸＩ
Ｏｍｌ／ｆの有機溶媒を用い、リンス工程−２における
溶解度パラメータ（δ）が１０〜１５ （４−）’ｒで
ある炭素数１〜６個のアルコールを含む下記のリンス液
１およびリンス液ｎで順次処理することを特徴とするレ
ジストパターン形成方法。 リンス液Ｉ：有機溶媒Ａおよび有機溶媒Ｂを混合してな
り８≦有機溶媒 入／有機溶媒Ｂ≦３０（容量比） の関係を有するリンス液。 リンス液■：有機溶媒Ｃからなるリンス液。 （ただし、有機溶媒Ａは第２ビリアル係数（Ａ、）が−
０，２ＸＩＯ−１−１，２Ｘ１０ （ｍ７！／Ｐ）
＋７）有機溶媒を示し、有機溶媒ＢおよびＣは同一また
は異なり有機溶媒の５℃における溶解度パラメーター（
δ）からレジスト材料の５℃における溶解度パラメータ
（δ・・・Ｉ司を差引いた値が−１〜５ （ｅｎｔＶｔ
Ａ＋となる有機溶媒を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11369082A JPH0244063B2 (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | Rejisutopataankeiseihoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11369082A JPH0244063B2 (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | Rejisutopataankeiseihoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595245A true JPS595245A (ja) | 1984-01-12 |
| JPH0244063B2 JPH0244063B2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=14618710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11369082A Expired - Lifetime JPH0244063B2 (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | Rejisutopataankeiseihoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244063B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016208313A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2016-12-29 | 富士フイルム株式会社 | 現像液、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02261682A (ja) * | 1989-04-01 | 1990-10-24 | Sharp Corp | 印字装置 |
| JPH09277600A (ja) * | 1996-04-18 | 1997-10-28 | Nec Niigata Ltd | プリンタ |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11369082A patent/JPH0244063B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016208313A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2016-12-29 | 富士フイルム株式会社 | 現像液、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| JPWO2016208313A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2018-04-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| US10562991B2 (en) | 2015-06-23 | 2020-02-18 | Fujifilm Corporation | Developer, pattern forming method, and electronic device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244063B2 (ja) | 1990-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0232972B1 (en) | Negative photoresist compositions and processes for preparing thermally stable, negative images using them | |
| EP0060585B1 (en) | Method of applying a resist pattern on a substrate, and resist material mixture | |
| JP4467857B2 (ja) | 電子線露光による１９３ｎｍ感光性フォトレジスト材料の改変 | |
| Peter et al. | Organotin in nonchemically amplified polymeric hybrid resist imparts better resolution with sensitivity for next-generation lithography | |
| Cremers et al. | SU-8 as resist material for deep X-ray lithography | |
| CN100385622C (zh) | 精细图形的形成方法 | |
| US4286049A (en) | Method of forming a negative resist pattern | |
| US4401745A (en) | Composition and process for ultra-fine pattern formation | |
| JPS58187926A (ja) | 放射線ネガ型レジストの現像方法 | |
| US4278753A (en) | Plasma developable photoresist composition with polyvinyl formal binder | |
| JPS595245A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| US4623609A (en) | Process for forming patterns using ionizing radiation sensitive resist | |
| EP0110576B1 (en) | Ionizing radiation-sensitive material and its use for preparing a pattern | |
| JPS5817105A (ja) | 電離放射線感応性材料 | |
| JPS62127737A (ja) | 現像液 | |
| JPH01209444A (ja) | 現像液 | |
| JPS5923341A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JPS63236033A (ja) | パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6091350A (ja) | 電離放射線感応ネガ型レジスト | |
| JPH01293337A (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物 | |
| JPH0149928B2 (ja) | ||
| JPS58187923A (ja) | 放射線感応性レジスト材を用いる微細加工法 | |
| JPH0542659B2 (ja) | ||
| JPS6385541A (ja) | パタ−ンの形成方法 | |
| Choi | Sensitivity enhancement of poly (methyl methacrylate) by radiation-induced modification and degradation of PMMA by deep UV, x-ray, e-beam and proton beam irradiations |