JPS6260254A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6260254A JPS6260254A JP60199146A JP19914685A JPS6260254A JP S6260254 A JPS6260254 A JP S6260254A JP 60199146 A JP60199146 A JP 60199146A JP 19914685 A JP19914685 A JP 19914685A JP S6260254 A JPS6260254 A JP S6260254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- channel
- type
- vth
- implanted
- ion implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■産業上の利用分野〕
本発明は、0MO8素子の製造方法に関する。
本発明は、0MO8素子に於いて、Pチャネル及びNチ
ャネル素子で、各々、異なるVthを必要とする場合、
−回のフォト工程と、−回のイオン打込工程で、P及び
Nチャネル合せ、4水準のVtht−調整することを可
能とするものである。
ャネル素子で、各々、異なるVthを必要とする場合、
−回のフォト工程と、−回のイオン打込工程で、P及び
Nチャネル合せ、4水準のVtht−調整することを可
能とするものである。
Vthを、Pチャネル2水準、Nチャネル2水準設定す
る場合、従来例(第2図)をもって説明する。N型シリ
コン基板201の一部に、P型基板領域202を形成し
、素子分離用醸化膜203を介してP及びNチャネル領
域を区分けし、ゲート酸化膜204を形成する。次に、
Nチャネルの所望する一部を開口し、レジスト205を
パターン形成する。ここで、Nチャネルの所望するトラ
ンジスタのVthを上げるため、ボロンイオン206を
、1〜9X10+41副−2の範囲でイオン注入する。
る場合、従来例(第2図)をもって説明する。N型シリ
コン基板201の一部に、P型基板領域202を形成し
、素子分離用醸化膜203を介してP及びNチャネル領
域を区分けし、ゲート酸化膜204を形成する。次に、
Nチャネルの所望する一部を開口し、レジスト205を
パターン形成する。ここで、Nチャネルの所望するトラ
ンジスタのVthを上げるため、ボロンイオン206を
、1〜9X10+41副−2の範囲でイオン注入する。
次に、Pチャネルの所望する一部を開口し、レジスト2
07をパターン形成し、Vthを下げるため、ボロンイ
オン208を、5〜9×10+llイオン注入する。
07をパターン形成し、Vthを下げるため、ボロンイ
オン208を、5〜9×10+llイオン注入する。
その後、ゲート電極211を形成し、Nチャネルソース
・ドレイン拡散層212及びPチャネルソース・ドレイ
ン拡散層215を形成する。さらに層間絶縁膜214.
AL電極配線215を形成しOMOS素子は、形成され
る。ここで、先程、Nチャネル領域で、ボロシイ4ンが
注入されたトランジスタ209は、ボロンイオンが注入
されていないNチャネルトランジスタに比べVthは高
くなるし、又同様に、Pチャネル領域で、ボロンイオン
が注入されたトランジスタ210は、ボロンイオンが未
注入のトランジスタに比べVthの絶対値は下がる。こ
のように、P及びNチャネル各々2水準のVthを得よ
うとした場合、従来例では、フォト工程を2回、イオン
注入工程を、2回行なう必要があった口 〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕そこで、本
発明は、従来、P及びNチャネル別々に行なっていた、
Vthのコントロールを、−回のフォト工程と、−回の
イオン注入工程で達成しようとするものである。
・ドレイン拡散層212及びPチャネルソース・ドレイ
ン拡散層215を形成する。さらに層間絶縁膜214.
AL電極配線215を形成しOMOS素子は、形成され
る。ここで、先程、Nチャネル領域で、ボロシイ4ンが
注入されたトランジスタ209は、ボロンイオンが注入
されていないNチャネルトランジスタに比べVthは高
くなるし、又同様に、Pチャネル領域で、ボロンイオン
が注入されたトランジスタ210は、ボロンイオンが未
注入のトランジスタに比べVthの絶対値は下がる。こ
のように、P及びNチャネル各々2水準のVthを得よ
うとした場合、従来例では、フォト工程を2回、イオン
注入工程を、2回行なう必要があった口 〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕そこで、本
発明は、従来、P及びNチャネル別々に行なっていた、
Vthのコントロールを、−回のフォト工程と、−回の
イオン注入工程で達成しようとするものである。
ボロンイオン注入工程を一度に、行なうことにより、工
程数の削減を行なう。
程数の削減を行なう。
実施例をもって、本発明を光切する。第1図が実施例で
ある。N型シリコン基板101に、P型不純物領域10
2を形成し、チャネル素子分離用酸化膜103を形成後
、ゲート酸化膜104を形成する。次に、P及びNチャ
ネルに、Vthを、Nチャネルでは、Vthを上げる為
、又Pチャネルでは、Vthの絶対値を下げることを目
的に、各チャネルで所望する部分が開口するようにレジ
ストパターン105を形成する。これをマスクにボロン
イオン106を、実施例では、8X1011ctrr”
で、イオン注入した。またP及びNチャネルの各トラン
ジスタが所望するVthになるように、N及びP型基板
濃度を調整した。この後、ゲー)電極111を形成し、
ソース・ドレイン拡散層109.110を形成した。さ
らに、層間絶縁層112を形成後、接続用コンタクトホ
ールを明け、AL電極115を形成した。このとき、N
チャネルトランジスタで、先のボロンイオンが注入され
たトランジスタ107は、他のNチャネルトランジスタ
に比べ、Vthは高くなる。同時にPチャネルトランジ
スタに於いても、ボロンイオンが注入されたトランジス
タ108は、他のPチャネルトランジスタに比べ、Vt
hの絶対値は下がる(例−1,7■ → −ctBv
)。
ある。N型シリコン基板101に、P型不純物領域10
2を形成し、チャネル素子分離用酸化膜103を形成後
、ゲート酸化膜104を形成する。次に、P及びNチャ
ネルに、Vthを、Nチャネルでは、Vthを上げる為
、又Pチャネルでは、Vthの絶対値を下げることを目
的に、各チャネルで所望する部分が開口するようにレジ
ストパターン105を形成する。これをマスクにボロン
イオン106を、実施例では、8X1011ctrr”
で、イオン注入した。またP及びNチャネルの各トラン
ジスタが所望するVthになるように、N及びP型基板
濃度を調整した。この後、ゲー)電極111を形成し、
ソース・ドレイン拡散層109.110を形成した。さ
らに、層間絶縁層112を形成後、接続用コンタクトホ
ールを明け、AL電極115を形成した。このとき、N
チャネルトランジスタで、先のボロンイオンが注入され
たトランジスタ107は、他のNチャネルトランジスタ
に比べ、Vthは高くなる。同時にPチャネルトランジ
スタに於いても、ボロンイオンが注入されたトランジス
タ108は、他のPチャネルトランジスタに比べ、Vt
hの絶対値は下がる(例−1,7■ → −ctBv
)。
従来、P及びNチャネルに各々2水準のVthを得よう
とした場合、フォト工程を2回、イオン注入工程を2回
、必要としていたのに対し、本発明では、フォト工程、
イオン注入工程、各−回で達成出来る。
とした場合、フォト工程を2回、イオン注入工程を2回
、必要としていたのに対し、本発明では、フォト工程、
イオン注入工程、各−回で達成出来る。
第1図(α)、(b)は、本発明の実施例の工程断面図
であり、レジス)105 、イオン注入106である。 第2図(α)〜(C)は、従来例の工程断面図で、20
5が第2レジストパターン、207が第2レジストパタ
ーン、206が#11イオン注入、208が第2イオン
注入工程を示す。 以 上
であり、レジス)105 、イオン注入106である。 第2図(α)〜(C)は、従来例の工程断面図で、20
5が第2レジストパターン、207が第2レジストパタ
ーン、206が#11イオン注入、208が第2イオン
注入工程を示す。 以 上
Claims (1)
- 相補型金属酸化膜半導体装置(以下CMOSと略記)の
、スレッシヨールド電圧(以下Vthと略記)を調整す
るイオン注入工程に於いて、Pチャネル領域とNチャネ
ル領域の、少なくともPチャネル領域の一部分、もしく
は、P及びNチャネル領域の一部分をレジストで被覆す
る工程、P型不純物を、イオン注入する工程を有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60199146A JPS6260254A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60199146A JPS6260254A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6260254A true JPS6260254A (ja) | 1987-03-16 |
Family
ID=16402912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60199146A Pending JPS6260254A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6260254A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05283621A (ja) * | 1990-09-20 | 1993-10-29 | Korea Electron Telecommun | BiCMOS電界効果トランジスタの製造方法 |
US5989949A (en) * | 1996-06-29 | 1999-11-23 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing a complementary metal-oxide semiconductor device |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP60199146A patent/JPS6260254A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05283621A (ja) * | 1990-09-20 | 1993-10-29 | Korea Electron Telecommun | BiCMOS電界効果トランジスタの製造方法 |
US5989949A (en) * | 1996-06-29 | 1999-11-23 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing a complementary metal-oxide semiconductor device |
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