JPS6258325A

JPS6258325A - 文字認識装置

Info

Publication number: JPS6258325A
Application number: JP60199894A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Hiyama; 桧山　豊
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1985-09-09
Filing date: 1985-09-09
Publication date: 1987-03-14
Anticipated expiration: 2009-09-14
Also published as: JPH0673098B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は９手書き入力された文字パターンを認熾す文字
認識装置に関する。

〔従　来　技　術〕

複数のタッチ電極上に指で文字パターンをトレースした
際に、所定周期毎に複数のタッチ電極をサン１リングし
て、所定周期毎にどの点に触っているかを検出し、この
座標の組み合わせから文字を認識する文字認識装置があ
る。

〔従来技術の問題点〕

しかしながら、上述のような文字認識装置では。

複数のタッチ電極を一定の周期数でサンプリングしてい
るため、タッチ電極に文字を素早く書いた場合と、ゆっ
くり書いた場合では指の触れたタッチ電極の数が異なる
。例えば、素早く文字を書いた場合には、指が触れたタ
ッチ電極の数が少なく。

検出されたタッチ電極の座標から描かれた文字を認識す
ることが困難となる。一方、ゆっくり文字を書いた場合
には、検出されるタッチ電極の数は多く、描かれた文字
の認識は容易であるが、検出されるデータが多くなるた
め、このデータを記憶させるための大きな容量のメモリ
が必要になる。

〔発明の目的〕

本発明は上記従来の欠点に鑑み１文字を描くスピードに
合わせて複数の電極をサンプリングする速度を変え、確
実に描かれた文字を認識すると共に大きな容量のメモリ
を必要としない文字認識装置を提供することを目的とす
る。

〔発明の要点〕

本発明は上記目的を達成するために、速度検出手段で検
出した文字パターンの入力速度に応じて複数の電極のサ
ンプリング（検出）周期を変化させ、少ないメモリ容量
で確実に書込まれた文字を認識することを要旨とする。

〔発明の実施例〕

以下１本発明の実施例について図面を参照しながら詳述
する。

本実施例は９本発明の文字認識装置をデータバンク機能
付電子時計に組込んだものである。第１図は、この電子
時計の回路ブロック図である。同図において、キー人力
部１は機械的なスイ・７チ機構を有するスイッチ部であ
り、モード切換用のスイッチＳＮ、書込みモード切換用
スイッチ８ｗベージ変更用のスイッチＳ、で構成されて
いる。

このモード切換用のスイッチｓＭは２時計モードとデー
タバンクモードとを切換えるスイ・７チであり、スイッ
チＳＭを操作することにより、その信号はＣＰＵ２へ出
力される。ＣＰＵ２ではスイッチＳＮから入力する信号
に従って、ＣＰＵ２の処理モードを時計モードまたはデ
ータバンクモードへ切換える。また、キー人力部１の書
込みモード切換用のスイッチＳ１．Ｉは、データバンク
モードにおいて、読出しモードと書込みモードとを切り
換えるスイッチであり、スイッチＳｗを操作することに
より、その信号はＣＰＵ２へ出力される。ＣＰＵ２では
スイッチＳｗから入力する信号に従って、ＣＰＵ２の処
理モードを読出しモードまたは書込みモードへ切換える
。さらに、キー人力部１のページ変更用のスイッチＳ、
はデータバンクモードにおいて２表示されている表示内
容を次の表示内容（次のページ）へ変更するスイッチで
あり。

スイッチＳ、を操作することにより、その信号はＣＰＵ
２へ出力される。ＣＰＵ２ではスイッチＳｐから入力す
る信号に従って、ページ変更処理を行う。

一方、タッチスイッチ部５は静電容量検知型のスイッチ
であり、１６桁、１６列のマトリックス状にタッチ電極
が配設されている。電子時計がデータバンクモードでか
つ書込みモードに設定されている時、このタッチスイッ
チ部５の電極に指を触れ文字を描くと、指が触れたタッ
チ電極の容量が変化する。タッチスイッチ部５ではこの
容量変化を信号の変化としてＣＰＵ２へ出力する。ＣＰ
Ｕ２は、複数の電極の信号から所定のタッチ電極を検出
し、その座標位置を“記憶しておき、−文字の座標が入
力された後に、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）３内のデ
ータとを比較する。ＲＯＭ３には数字、アルファベット
等に対する標準文字パターンのデータが記憶されており
、ＣＰＵ２によって選択された文字パターンは表示部４
へ出力される。表示部４は液晶表示素子で構成されてお
り。

ＣＰＵ２から出力された文字を表示する。

また、ＲＡＭ６はＣＰＵ２が文字認識処理を実行してい
る時、この実行に用いられるデータを記憶するメモリで
ある。例えば、このＲＡＭ６は第２図のメモリマツプに
示すように、サンプリング速度記憶部５ａ、ストローク
数記憶部６ｂ、入力中フラグ部６ｃ、離れ時間記憶部６
ｄ、入力時間記憶部６ｅおよび座標記憶部等を有してい
る。このサンプリング速度記憶部６ａは、ＣＰＵ２が複
数のタッチ電極をサンプリングする時間間隔を記憶する
ためのレジスタ（メモリ）である。また。

ストローク数記憶部６ｂは文字によって異なるストロー
ク数を記憶するレジスタである。また、入力中フラグ６
ｃは一文字入力するために最初にタッチスイッチ部５に
指が触れた時セットされるフラグレジスタである。また
、離れ時間記憶部６ｄは１ストロークをタッチスイッチ
部５に描いた後。

次の１ストロークを描くまでの時間を記憶するためのレ
ジスタである。さらに、入力時間記憶部６ｅは、１スト
ロークでタッチスイッチ部５に文字または文字の一部を
描（ための時間を記憶するためのレジスタである。

一方、ＣＰＵ２が前述の時計モードに設定されている時
、ＣＰＵ２は時刻計数回路７から時９分。

秒の時刻信号（時刻データ）を入力し１表示部４に時刻
を表示させる。この時刻信号は、水晶等で構成される発
振回路８から出力される高周波信号を５分周回路９で分
周してＩ　Ｈｚの信号を得て、このＩ　Ｈｚの信号を時
刻計数回路７で係数して得られたものである。

以上のような構成の本実施例の電子時計の動作について
第３図および第４図のにフローチャートを用いて説明す
る。

まず、ステップＳ１では、キー人力部１のスイッチＳ、
、Ｓｗ、Ｓ、が操作されたか否かを検出し、どれも操作
されない時には、ステップＳ２に移り時計モードか否か
を判断し１時計モードでなければステップＳＩに戻り１
時計モードであればステップＳ３で時刻表示処理を行っ
た後ステップＳ１に戻る。従って１時計モードの時には
表示部４に時刻計数回路７からの前述の時刻信号に従っ
て現在の時刻を表示する。

一方、キー人力部１のスイッチＳ　Ｍ　ｉ　Ｓ　ＬＬＩ
　＊Ｓ、のいずれかのスイッチが操作されると（ステッ
プＳ＋がＹＥＳ）、どのスイッチが操作されたか判断す
る（ステップＳ’４．Ｓ５）。この時、操作されたスイ
ッチがスイッチＳＮであれば（ステップＳ４がＹＥＳ）
、時計モードからデータバンクモード、またはデータバ
ンクモードから時計モードへのモード切換えを行う　（
ステップＳ６）。

このモード切換えの結果、ＣＰＵ２がデータバンクモー
ドに設定されていれば２例えばＰページ目のデータを表
示部４に表示する（ステップＳ７゜ＳＱ）。

一方、キー人力部１で操作されたスイッチがスイッチＳ
、であれば（ステップＳ５がＹＥＳ）。

データバンクモードか否かの判断を行う（ステップＳ９
）。この判断の結果、データバンクモードに設定されて
いれば、ページ数を＋工して１例えばＰ＋１ページ目の
データを表示部４に表示する（ステップＳ＋　ｏ、Ｓ＋
　＋）。

さらにキー人力部１で操作されたスイッチがスイッチＳ
、でないならば（ステップＳ５がＮｏ）。

キー人力部ｌで操作さたスイ・７チはスイッチＳｗであ
る。この時もＣＰＵ２がデータバンクモードに設定され
ているか判断し、ＣＰＵ２がデータバンクモードであれ
ば、書込み処理を行う（ステップＳ１２，５１３）。こ
の書込み処理は、前述のタッチスイッチ部５に描かれた
（トレースされた）文字パターンをＣＰＵ２で認識し、
ＲＡＭ６に書込むものである。

以下にこの書込み処理を第４図のフローチャートを用い
て説明する。

前述のように、書込みモードに設定されると。

どの程度の時間間隔でタッチスイッチ部１の容量変化デ
ータを読むかというサンプリング速度が所定の初期速度
に設定される（ステップ５Ｔ１）。

また、ストローク毎に増加するストローク数Ｓが“Ｏ″
にセットされ、１文字が入力中であることを示す入力中
フラグ６ｃをクリアする（ステップＳＴ２，５Ｔ３）。

このような初期設定が行われた後、タッチスイッチ部５
に文字が描かれる（指が触れる）のを待つ。ここで、タ
ッチスイッチ部５に指が触れない間は（ステップＳＴ４
がＮＯ）、後述するフローによって処理される。

一方、タッチスイッチ部５に七が触れると（ステップＳ
Ｔ４がＹＥＳ）、前述クリアした入力中フラグ６ｃをセ
ントし、離れ時間記憶部６ｄをクリアする（ステップＳ
Ｔ５，５Ｔ６）。次に。

１６桁×１６列のタッチ電極全ての容量値を読み込み、
最も容量の大きいタッチ電極の座標をＲＡＭＧ内の図示
しない領域に記憶させる（ステップ５Ｔ７）。さらに、
入力時間記憶部６ｅの内容をクリア（ステップ５Ｔ８）
Ｌ、次のサンプリングのタイミングか否かを検出する（
ステップ５Ｔ９）。

このサンプリングのタイミング待ち時間は、前述の所定
の速度に（ステップＳＴＩで）初期設定された時間によ
ってきまる。このタイミング時間に達するまでは、ステ
ップ５ＴＬＯに進み、タッチスイッチ部５に指のタッチ
が続いているか判断され、タイミング時間に達するとス
テップ５ＴＩＩに進み、タッチスイッチ部５の複数の電
極のいずれかに指のタッチが続いて行われているか判断
される。

ここで、タッチスイッチ部５に措のタッチが継続してい
れば１次のサンプリング処理を行い、前述と同様に複数
のタッチ電極の容量値をＣＰＵ２内に読み込み、容量が
最大のタッチ、電極を検出し。

この電極の座標をＲＡＭ６に記憶し、入力時間記憶部６
ｅのカウントを行う（ステップ５Ｔ１２゜５Ｔ１３）。

さらに、上述のサンプリングのタイミング（初期設定さ
れたサンプリング速度）に従って、ステップ５ＴＩＯ，
５ＴＩＩがＮｏになるまで順次ステップＳＴ９→５ＴＬ
Ｉ→５Ｔ１２→５Ｔ１３を繰り返し、タッチスイッチ部
５に描かれた文字の一ストローク全ての座標を記憶する
。

このようにして得られたデータにより、ＣＰＵ２では上
述のトレースされた文字の１ストロークの距離を算出す
る（ステップ５Ｔ１４）。さらに。

この距離のデータと前述の入力時間記憶部６ｅにＭ積さ
れた時間データより、１ストロークの単位時間当たりの
距離（サンプリング速度）を算出し。

新しいサンプリング速度を設定する（ステップ５Ｔ１５
，５Ｔ１６）。

次に、ストローク数記憶部６ｂの内容を＋１して（ステ
ップ５Ｔ１７）、−文字入力終了か否かを判断する（ス
テップ５Ｔ１８）。この−文字が終了か否かの判断は、
１ストローク終了した時から次の入力までの時間と離れ
時間記憶部６ｂの内容と比較することによって処理され
る。例えば数字の“２”は通常１ストロ一ク文字である
ため。

１ストローク入力した後、離れ時間は初期設定値より充
分長くなり、ステップ５Ｔ１８ではＹＥＳとなる。また
、数字の“５”は通常２ストロ一ク文字であるため、１
ストローク目を描いた後の離れ時間は短く、ステップ５
Ｔ１ＢではＮＯとなる。

従って、数字の“２″等の１ストロ一ク文字はＲＯＭ３
との間で文字認識処理が行われた後１表示部４に認識さ
れた文字を表示して記憶する（ステップ５Ｔ１９，５Ｔ
２０）。一方、数字の“５″等の１ストロ一ク文字以外
の文字は離れ時間記憶部６ｄの離れ時間をカウントしく
ステップ５Ｔ２１）、ステップＳＴ４へ戻り、タッチ入
力があれば２ストローク目の書込みへ移る。この２スト
ローク目の書込みは、ステ・７プ　ＳＴ４以降のフロー
によって実行され、さらに３ストローク、４ストロ一ク
文字の場合には順次同様のフローを繰り返し１文字の書
込みを実行する。この時、サンプリング速度は前述のよ
うに（ステップ５Ｔ１６）により新しいデータがサンプ
リング速度記憶部６ａに記憶されている。従って、２ス
トローク目以降のＣＰＵ２でのサンプリング速度は新し
いデータにより行われる。

また、前述の（ステップ５Ｔ４）でタッチスイッチ部５
に指が触れていない場合でも（ステップＳＴ４がＮｏ）
、文字書込み中であることを示すフラグレジスタ６Ｃの
セットを判断しくステップ５Ｔ２２）、　　フラグレジ
スタ６Ｃがセットされていれば（ステップ５Ｔ２２がＹ
ＥＳ）、上述の（ステップ５Ｔ１８）へ進む。また、フ
ラグレジスタ６Ｃもセットされていなければ、スイッチ
Ｓｗが操作されたか判断しくステップ５Ｔ２３）。

スイッチＳ、、Ｉが操作されていなければ前述の（ステ
ップ５Ｔ４）へ戻り、スイッチＳｗが操作されていれば
、読出しモードへ切り換えて書込み処理フローを終了す
る。

以上のフローによりタッチスイッチ部５にトレースされ
た最初の一文字が書込まれる。この時。

上述のフローチャートの（ステップ５Ｔ１６）において
最初の文字の書込速度に見合ったサンプリング速度が設
定されている。このサンプリング速度は前述のサンプリ
ング速度記憶部６ａに記憶されている。従って、２文字
目をタッチスイッチ部５に描くと、前述のくステップ５
ＴＩ）のサンプリング速度の初期設定値はサンプリング
速度記憶部６ａに記憶された内容に設定され、しかも、
この第１文字目で設定されたサンプリング速度は。

本実施例に用いるＲＡＭ６内の文字認識用のメモリ容量
に対して効率よく記憶できる速度である。

また、このサンプリング速度は文字認識に必要なサンプ
リング量でもある。従って、２文字目以降も前述の２ス
トローク目以降と同様、新しく設定されたサンプリング
速度で書込処理が行われる。

以上のように、タッチスイッチ部５に文字をトレースす
るスピードに応じて、サンプリング速度を変えることに
より、タッチスイッチ部５に文字をトレースするスピー
ドと、サンプリング数とは変わらないようにして、所定
のメモリ容量によって確実な文字認識を行うことができ
る。

なお１本実施例では本発明を電子時計に適用した例につ
いて説明したが２例えば小型の計算機や。

カード型の小型電子機器に組み込んでもよい。また、タ
ッチスイッチ部５のタッチ電極は１６行。

１６列、のマトリックス配列に限定されず、他の行数２
列数のタッチ電極を用いて構成してもよい。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように本発明によれば、小さなメモ
リ容量で確実に文字認識を行うことができ１本実施例の
電子時計のようなスペースが限定され、小容量のメモリ
を有する電子機器において文字をトレースする速さが変
わっても、確実に文字認識を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の文字認識装置を含む電子時計の回路ブ
ロック図。第２図はＲＡＭの内容を示すメモリマツプ。第３図は本発明の文字認識装置を含む電子時計１フロー
チヤート。第４図は第３図の書込み処理のフローチャートである。１・・・キー人力ブロック。２・・・ＣＰＵ。３・・・ＲＯＭ。５・・・タッチスイッチ部。６・・・ＲＡＭ。６ａ・・・号ンプリング速度記憶部。６ｂ・・・ストローク数記憶部。６ｃ・・・フラグ。６ｄ・・・離れ時間記憶部。６ｅ・・・入力時間記憶部。特許　出願人　　カシオ計算機株式会社第１図第２１図

Claims

【特許請求の範囲】

複数の電極を所定周期毎にサンプリングして所定周期毎
に入力された座標を検出し、この座標の組み合わせから
、複数の電極上に描かれた文字パターンを認識する文字
認識装置において、前記文字パターンの入力速度を検出
する入力速度検出手段と、この入力速度検出手段で検出
された入力速度に基づきサンプリング周期を可変するサ
ンプリング周期可変手段とを具備したことを特徴とする
文字認識装置。