JPS6254273A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は電荷発生層にアモルファス８ｉ−Ｇ。

系電荷発生材料を用いた機能分離型電子写真感光体に関
する。

従来技術 導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を設けたい
わゆる機能分離型電子写真感光体として特公昭５６−１
９４３号公報、特公昭５６−２４３５２号公報等には電
荷発生層にａ　−Ｓｔ（ａはアモルファスを表わす。以
下同様）、ａ　−８１Ｎ。

ａ−８１Ｃ等のａ−８１系電荷発生材料を用いたものが
知られている。この鎚の感光体は無公害であり、広い分
光感度領域を有し、またきわめ【長寿命であるという特
長を持つことで知られているが、感光体の全層’＆　ａ
　−Ｓｉ　　で構成すると製造コストが高く、また波長
７００ｎｍ以上の光感度が低い上、４５０〜７００ｎｍ
の光に対しても充分な感度があるとは云えな〜・。

目　　　的 本発明の目的は安価なアモルファス８１〜Ｇ・系電荷発
生材料を用いることにより製造コストを低下せしめ、し
かも低波長域から高波長域に亘って光感度を向上させた
機能分離型の電子写真感光体を提供することである。

構成 本発明の電子写真感光体は導電性支持体上に電荷発生層
及び電荷輸送層を順次設けた電子写真感光体において、
電荷発生層が、シリコン及びゲルマニウムを母体とし、
更にこれらの原子が水素及び／又は−・ロゲン原子を含
む、下記一般式で示されるアモルファス８ｌ−Ｇｅ系電
荷発生材料からなることを特徴とするものである。

ａ　　（Ｓ　ｉ　Ｉ−ｘ　Ｇｅｘ　）１−　ｙ　（Ｈ，
Ｘ）ｙ（但し０　＜　ｘ　＜　１．０．０５　＜　ｙ　
＜　０．６で、ａはアモルファス、Ｘはハロゲン原子ｔ
ｘＨわす。）前記式で示される本発明のａ−８ｉ〜Ｇｏ
系電荷発生材料からなる電荷発生層は電磁波により移動
可能なキャリアを発生し、このうち易動度の大きいキャ
リアが電荷輸送層に効率よく注入輸送されるように、電
荷輸送層が積層されている。このため本発明では例えば
電荷輸送材料の電子の易動度が大きい場合、電荷輸送材
料の電子輸送準位を電荷発生層の伝導帯に近付けてこれ
らの異種材料のマツチングをとり、注入効率及び輸送の
容易性を計ることができる。またホールを光減衰キャリ
アに使用する場合も同様に異種材料とのマツチングが可
能である。

本発明を図面によって説明すると、第１図は本発明の基
本的感光体の構成図で、この感光体は導電性支持体１と
′電荷発生層２と電荷輸送層３とからなっている。第２
〜４図は本発明感光体の変形例で、第２図の感光体はｉ
ｆ図の感光体において支持体１と電荷発生層２との間に
更にブロッキング層４を設げたものであり、第３図の感
光体は第１図の感光体において電荷発生層２をＰ型層２
−１と空乏層２−２とＮ型層２−３とに分けたものであ
り、また第４図の感光体は第１図の感光体において支持
体１に対する電荷発生層２及び電荷輸送層３の配置を逆
にした上、支持体１と電荷輸送層３との間にブロッキン
グ層４を設げ、更に電荷発生層２上に保腹層５を設げた
ものである。

以上のような本発明の感光体において電荷発生層２は暗
導電度が１ｏ−１０〜１０−’Ω　口　と低いが、光エ
ネルギー１．５　ｅＶにおける吸収係数が約ｔｏ”（２
−”と８００　ｎｍ近くの光に対して大きい。

このため本発明の電荷発生層はａ　−８ｔ単独の電荷発
生層に比べて長波長に分光増感されるという特長を持っ
ている。このような特長を発揮させるには適切なＳｔと
Ｇｅとの組成比（実用的にはＧｏ／　（Ｇ＠＋　８１　
）比を用いる。）及び膜厚が必要である。例えば前記一
般式中、ｘ　＝　０．５の組成の場合、膜厚は０．１〜
３μが最適である。しかし一般には０　＜　ｘ　＜　１
の範囲において膜厚は通常の場合（第１〜２図及び第４
図）Ｏ，ＯＳ〜１０μの範囲で変化し得る。このように
本発明の電荷発生層は通常の場合、単独構成であるが、
露光時、この層内に発生したホールと電子とを効果的に
分離して量子効率を向上するために第３図に示すように
Ｐ型層２−１と空乏層２−２とＮ型層２−３との３層構
成にすることができる。ここでＰ型層２−１の構成材料
としては前記一般式の電荷発生材料にＢ、　Ａｔ、　Ｇ
ａ、　Ｉｎ、　Ｔｔ等をドープしたものが、またＮ型層
２−３の構成材料としては同じく前記一般式の電荷発生
材料にＮ、　Ｐ、　Ａａ、　Ｓｂ、　Ｂｉ等をドープし
たものが使用される。なお第３図のようなＰ型層２−１
及びＮｐ層２−３の支持体に対する配置は前記発生した
電子を電荷輸送層３に注入する場合であるが、発生した
ホールを電荷輸送層３に注入する場合はＰ型層２−１及
びＮ型層２−３は逆の配置（支持体側からＮ型層、Ｐ型
層の順）にする必要がある。いずれにしてもＰ型層２−
１、空乏Ｉｆｊｉ２−２、Ｎ壓／＊　２−３の厚さは前
記一般式中で０　＜　ｘ　＜　１の範囲では夫ｋＯ１０
１〜１、Ｏμ、０．２〜２．θμ、０．０２〜１．０μ
が適当である。

電荷輸送層３は従来と同じく電荷輸送材料を主成分とし
て構成される。電荷輸送材料には高分子のものと低分子
のものとがあり、高分子のものではＶｔ０Ｉ＋を含むガ
ラス半導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びその誘
導体（例えばハロゲン化ポＩＪ　＋　Ｎ−ビニルカルバ
ゾール）、ポリビニルピレン及びその誘導体、ポリビニ
ル６一 インドロキノキサリン、ポリビニルジベンゾチオフェン
、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジンなど
のビニル重合体やピレン〜ホルムアルテヒド樹脂、ブロ
ムピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール
〜ホルムアルテヒ）”　１１　脂、　クロロエチルカル
バゾール−ホルムアルデヒド樹脂などの縮合樹脂がある
。また低分子のものはトリアリールメタン類、トリアリ
ールアルカン類およびテトラアリールメタン類、ジアリ
ールアルカンａ、Ｎ＄　　Ｎ−ジベンジルアニリン肪導
体、アニリン誘導体、ジスチリル含有芳香族化合物、ホ
リアリール炭化水素、トリトリルアミン、アリールアミ
ン類、４−ジアリールアミノ置換カルコン類、フルオレ
ノン類、ピラゾリン類、オキサジアゾール類、チアジア
ゾール類、トリアゾール類、イミダシロン類、オキサゾ
ール類、チアゾール類、イミダゾール類、ビスイミダゾ
リジン類、ピラジン類、１．２．４−）リアジン類、ア
リリデンオキサシロン類、ベンゾチアゾール、ベンズイ
ミダゾール、ベンズオキサゾール類、キナゾリン類、ベ
ンゾフラン類、アクリジン及びフェナジン類、カルバゾ
ール類、エチレン誘導体、ベンジリデンアニリン類、ポ
リエン類、アミノスチルベン類、アリールケトン類など
であり、更に具体的にはフルオレノン、２−ニトロ−９
−フルオレノン、２，７−シニトロー９−フルオレノン
、２、４．７−ドリニトロー９−フルオレノン、２゜４
、５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、４Ｈ−イ
ンデノ［１，２−ｂ）チオフェン−４−オン、２−ニト
ロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ）チオフェン−４−オ
ン、２．６．８−　）ジニトロ−４Ｈ−インデノ［１，
２−ｂ］チオフェン−４−オン、８Ｈ−インデノ（ｚ、
ｔ−ｂ：１チオフェン−８−オン、２−ニトロ−８ｆ（
−インデノ［２，ｘ−ｂ］チオフェン−８−オン、２−
ブロム−６，８−ジニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−
ｂ）チオフェン、６，８−ジニトロ−４Ｈ−インデノ［
１，２−ｂ］チオフェン、２−ニトロジベンゾチオフェ
ン、２．８−−／ニトロジベンゾチオフェン、３−ニト
ロ−ジベンゾチオフェン−５−オキサイド、３，７−シ
ニトロージベンゾチオフエンー５−オキサイド、１．３
．７−トリニトロージベンゾチオフエンー５．５−ジオ
キサイド、３−ニトロ−ジベンゾチオフェン−５，５−
ジオキサイド、３，７−シニトロージペンゾチオフエン
ーｓ、５−ジオキサイド、４−ジシアノメチレン−４Ｈ
−インデノ（：１．２−ｂ）チオフェン、６，８−ジニ
トロ−４−ジシアノメチレン−４Ｈ−インデノ（ｉ、ｚ
−ｂ）チオフェン、１．３．７．９　−テトラニトロベ
ンゾ〔ｃ〕シンノリン−５−オキサイド、２，４．１０
−トリニトロベンゾ〔Ｑ〕シンノリン−６−オキサイド
、２．４．８−　）りニトロベンゾ〔ｃ〕シンノリン−
６−オキサイド、２．４．　ｓ　−トリニドロチオキサ
ントン、２゜４．７−）ジニトロ−９，１０−フエナン
スレンキノン、１，４−ナフトキノンベンゾ［ａ）アン
スラセン−７，１２−ジオン、２．４．７−トリニトロ
−９−ジシアノメチレンフルオレン、テトラクロル無水
フタル酸、ｌ−ブロムピレン、１−メチルピレン、１−
エチルピレン、１−アセチルピレン、カルバゾール、Ｎ
−エチルカルバソール、Ｎ−β−クロロエチルカルバゾ
ール、Ｎ−β−ヒドロキシエチルカルバゾール、２−フ
ェニルインドール、２−フェニルナフタレン、２、！ｓ
−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノ
フェニル）　−１，３，４−トリアゾール、ｌ−フェニ
ル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−
ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、２−フェニル−
４−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−フェニルオ
キサゾール、トリフェニルアミン、トリス（４−ジエチ
ルアミノフェニル）メタン、８゜６−ビス（ジベンジル
アミノ）−９−エチルカルバゾール、４．４’−ビス（
ジベンジルアミノ）ジフェニルメタン、４．４’−ビス
（ジベンジルアミノ）ジフェニルエーテル、１．１−ビ
ス（４−シヘンジルアミノフェニル）ゾロノＲン、ｌＯ
− ２−（ａ−ナフチル）−５−（４−ジエチルアミノフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−スチリル
−５−（Ｓｉ−Ｎ−エチルカルバゾリル）　−１，３，
４−オキサジアゾール、２−（４−メトキシフェニル）
−５−（Ｓｉ−Ｎ−エチルカルバゾリル）　−１，３，
４−オキサジアゾール、２−（４−ジエチルアミノフェ
ニル）−５−（Ｓｉ−Ｎ−エチルカルバゾリル）　−１
，ａ。

４−オキサジアゾール、９−（４−ジエチルアミノスチ
リル）アントラセン、９−（４−ジメチルアミノスチリ
ル）アントラセン、　ａ−（９−アニトリル）−β−（
Ｓｉ−Ｎ−エチルカルバゾリル）エチレン、５−メチル
−２−（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゾオキサゾ
ール、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオ
レン、Ｎ−エチル−３−（９−フルオレノンデン）カル
バゾール、２，６−ビス（４−ジエチルアミノスチリル
）ピリジン、メチルフェニルヒドラゾノ−３−メチリデ
ン−９−エチルカルバゾール、メチルフェニルヒドラゾ
ノ−４−メチリデン−Ｎ、Ｎ−ジエチルアニリン、４−
Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン、α−フェニル−
４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンなどが挙げら
れる。

また高分子電荷輸送材料の場合は電子受容１住化合物と
混合して電荷輸送錯体として使用することができる。更
に電荷輸送材料、特に低分子電荷輸送材料には結着剤を
併用することかできる。

ここで電子受容性化合物としてはカルボン酸無水物、オ
ルソ−又はノ９ラーキノイド構造など、電子受容性の母
核構造を有する化合物、ニトロ基、シアノ基など電子受
容性の置換基を有する脂肪環式化合物、芳香族化合物、
複素環式化合物などがあり、更に具体的には無水マレイ
ン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テト
ラブロム無水フタル酸、無水ナフタル酸、無水ピロメリ
ット酸、クロル−ｐ−ベンゾキノン、２．５−ジクロル
ベンゾキノン、２，６−ジクロルベンゾキノン、５，８
−ジクロルナフトキ）７、ｏ−クロルアニル、ｏ−７’
ロムアニル、Ｐｌロルアニル、Ｐ−７’ロムアニル、ｐ
＋１ヨードアニル、テトラシアノキノジメタン、５゜６
−キラリンジオン、クマリン−２，２−ジオン、オキシ
インジルビン、オギシインジコ、１゜２−ジニトロエタ
ン、Ｚ、Ｚ−ジニトロピリジン、２−ニトロ−２−ニト
ロソプロノぞン、イミノジアセトニトリル、スクシノニ
トリル、テトラシアノエチレン、１　ｇ　１　ｇ　３ｐ
　３　−テトラクアノゾロペニド、ｏ−，ｍ−又はｐ−
ジニトロベンゼン、１．２．３−　）リニトロベンゼン
、１゜２１　４−　トリニトロベンゼン、１．３．５−
　）ジニトロベンゼン、ジニトロエタンジン、２，４−
ジニトロアセトフェノン、２．４−ジニ）０トルエン、
ｌ＊３ｅ５−１−＋Ｊニトロベンゾフェノン、１，２．
３−）ジニトロアニソール、α、β−ジニトロナフタレ
ン、１．４．５．８　−テトラニトロナフメレン、３．
４．５−　）ジニトロ−１゜２−ジメチルベンゼン、３
−ニトロソ−２−二トロトルエン、２−ニトロン−３，
ｓ−ジニト−ｌ：Ｊ　− ロトルエン、ｏ−、ｍ−又＆！ｐ−ニトロニトロソベン
ゼン、フタロニトリル、テレフタロニトリル５．インフ
タロニトリル、シアン化ベンゾイル、シアン化ブロムベ
ンジル、シアン化キノリン、シアン化０−キシリレン、
ｏ−、ｍ−又はｐ−シアン化ニトロベンジル、３．５−
ジニトロピリジン、３−ニトロ−２−ピリジン、３゜４
−ジシアノピリジン、α−１β−又はｒ−シアノピリジ
ン、４，６−シニトロキノン、４−二トロキテントン、
ｏ、１ｏ−ジニトロアントラセン、１−ニトロアントラ
セン、２−ニトロフェナントレンキノン、２．５−ジニ
トセフルオレノン、２，６−ジニトロフルオレノン、３
゜６−ジニトロフルオレノン、２．７−ジニトロフルオ
レノン、　　２．４．７−　）ジニトロフルオレノン、
　２．４．５．７　−テトラニトロフルオレノン、３．
６−シエトロフルオレノンマンデノニトリル、３−ニト
ロフルオレノンマンデノニトリル、テトラシアノピレン
などがある。

一方、結着剤としては無機質のセラミクスやゴム、種々
のフィルム形性能のある高分子化合物や樹脂類が使用さ
れる。分子量は約１万以上のものが好適である。具体例
をあげると、水ガラス、低融点ガラス、スミセラム（住
友化学）、シリコンゴム、シリコン樹脂、ポリカーボネ
ート、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリ
ケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリ
レート、ポリブチルアクリレート、ポリ塩化ビニル、］
］π化ビニルー酢酸ビニルコポリマー塩化ビニリデン−
塩化ビニルコアトリマー、塩化ビニリデン−アクリロニ
トリルコポリマー、ポリビニルケトン、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチ
レン、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、
ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、Ｉリア
クリルアミド、ポリアクリロニトリル、ジアセチルセル
ロース、トリアセチルセルローズ、セルロースアセテー
トブチレート、セルロースアセテートフタレート、エチ
ルセルロース、シアノエチルセルロース、ポリエステル
、ポリアミド、スチレン−ブタジェンコポリマー、スチ
レン−メチルメタクリレートコポリマー、スチレン−ア
クリロニトリルコポリマー、アクリロニトリル−ブタジ
ェン−スチレンコポリ寸−１塩化ビニリデン−酢酸ビニ
ルコポリマー、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピ
レン、フェノール圓ホルムアルデヒド樹脂などである。

なお電荷輸送層３中の電荷輸送材料の割合は１０〜９５
重量％、好ましくは３０〜９０重世％が適当である。ま
た電荷輸送層３の厚さは３〜５０μ、好ましくは５〜３
０μ程度が適当である。

第２図及び第４図に示したブロッキング層４は支持体１
側からの電荷注入を阻止して暗減衰を改良するために支
持体１上に設げられる。ブロッキング層４の構成材料と
してはＡｔｔＯ３゜Ｓｉｎｇ、　ＳｉＣ，５ＩＯＣ，Ｂ
Ｎ、　ＢＣＮ、　Ｔｉｅ、、　ＺｒＯ２゜ＭｇＦ、等の
絶縁性無機物が使用される。ブロッキング層４の厚さは
３００ＡＮ１μの範囲が適当である。

次に第４図に示した保護層５は感光体表面を保護するた
めに設けられる。保護層の構成材料の代表例としてはポ
リエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル等が添げられる。保護／ｉ！
５の厚さは０．５〜５０μ程度が適当である。

以上の各層を支持する導電性支持体ｌとしてはステンレ
ス、Ａ４　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　
Ｔａ、　Ｖ。

ＴＩ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はそれらの合金からな
る板；前記金属又は金属の箔をプラスチックフィルム（
例えばポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレン
、セルローストリアセテート、ポリプロピレン、塩化ビ
ニル−塩化ビニリデンコポリマー、ポリスチレン、ポリ
アミド等のフィルム）、ガラス板、セラミック板、紙等
に蒸着又は積層した複合体；ガラス板上にＩｎ１Ｏ１、
Ｆ３ｎＯ＠。

ＩＴＯ等を蒸着した被合体；前述のような樹脂プラスチ
ックフィルム中にＡｔ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ａ
ｕ。

Ｃｒ、　Ｍｏｌ　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｌ
、　Ｐｔ、　Ｐｄ　ＱＩの金属を添加したもの等が挙げ
られる。

本発明の感光体を作るには例えば第１図の感光体の場合
は導電性支持体ｌ上に前記一般式の電荷発生材料の原料
ガスをスパッタリング法により堆積せしめて電荷発生層
２を形成した後、その上に電荷輸送材料を例えば塗布法
によりコートシて電荷輸送層３を形成すればよい。なお
第２図及び第４図の感光体の場合、ブロッキング層４は
同様なスフ９ツタリング法で、また第３図の感光体の場
合、ＰＮ接合を有する電荷発生層２も同様なスパッタリ
ング法で形成することができる。

以下に本発明を実施例によって説明する。

実施例１ 清浄化処理したＡｔ基板（６０Ｘ　１００　ｍｎｔ　）
を第５図に示すようなプラズマＣＶＤ装ｆ（図中、１は
導電性支持体、１０はペルジャー、１１は電極、１２は
ヒーター、１３は排気バルブ、１４はガスバルブ、１５
は絶縁ガイシ、１６は高周波電源、１７〜２１はガスフ
ローコントロ−ラー、２２〜２６はガスバルブ、２７〜
３１は原料ガス、希釈ガス又はドーゾガス用ボンベ）の
電極１１に１で示すように取付けた後、ペルジャーＩＯ
を閉じ真空排気した。一方、ガスボンベ２７〜３１のい
ずれが１つには夫々、原料ガスとして各々８１　ｒｆ、
及びＧｅｔ（い及び希釈ガスとしてＦＴ！を充填した。

次に所定の操作に従って下記条件下でＡｔ基板上にａ　
−Ｓｔ　　　Ｇｘ：　［（−ｚ （但しｘ　＝　０．５　）を均一に堆積させることによ
り、約１μ厚の電荷発生層を形成した。

全ガス流量　２００８ＣＣＩ−１ ガス組成比　Ｇｅ　Ｈ４／　（Ｇｏ　Ｈ４＋　Ｓ　ｉ　
Ｈ４）　＝　０．５希釈率（ＧｅＨ４＋５ＩＨ４）／ｆ
（＊　＝”７１６基板温度　２３０〜２５０℃ 高周波出力　１００〜３００　Ｗ　（１３，５６ＭＨ，
）堆積時間　３時間 この電荷発生層内のＳｉとＧｏとの組成比はＧ・／（Ｇ
ｅ＋Ｓｉ）比で約０．５であり、また光学的バンドギャ
ップＥｇｏｐｔは約１．４　ｅＶであった。別にａ　−
８ｉ、ｘＧａｘ：　Ｈ中の組成比Ｘを０〜１０間で変化
させて各種の電荷発生層を作った。この時の組成比Ｘと
光学的バンドギャップＥｇｏＰｔとの関係を第６図に示
す。

次は２．４．７−　）リニトロフルオレノンＣＴＮＦ）
／ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）＝１／１０（重量
比）の混合物をトルエンとシクロヘキサンの等量混合溶
媒に溶解し、これを前記電荷発生層（但しａ　−５ｔ１
−、Ｇｏｘ：Ｈ中の組成比Ｘが０．５のもの）上にドク
ターブレードで塗布乾燥して約２４μ厚の電荷輸送層を
形成した。

この様にして得られた感光体を暗中で正コロナ放電によ
り表面電位的＋５００Ｖに帯電させ、ついで１００　ｔ
ｕｘの白色光で画像絽光後、直ちに負帯電トナーでカス
ケード現像を行ない、得られた画像を転写紙上に転写、
定着した。この時得られた画像はコントラストが高く、
且つ鮮明であった。

又、光源として波長８３０ｎｍ、エネルギー２０μＪ／
ｃｒ／ｌの光を使って感光体を画像露光し、以下同様に
処理したところ、同様にコントラストの高い鮮明な画像
が得られた。

一方、比較のため原料ガスとしてＳｉＨ，だけを用いて
同じ厚さのａ−８１：ＨＮ電荷発生層を設けた他は同様
にして感光体を作成した。

第７図に本実施例の感光体（但しａ−８ｉ　ｔ　−ｘＧ
ＩＩＸ　：　Ｈ中の組成比Ｘが０．５のもの）比較用感
光体の分光感度特性を示す。この図から明らかなように
Ｇｏを含有した本発明の感光体は比較品に比べて長波長
に分光増感されている。

実施例２ 電荷輸送層形成液としてＴＮＦ／ブチラール樹脂＝１：
２（重量比）の混合物をテトラヒドロフランに溶解した
溶液を用い、且つ電荷輸送層の厚さを約２０μとした他
は実施例１と同じ方法で感光体を作成した。

以下、この感光体を用いて実施例１と同様にして画像形
成を行ない、同様に良好な結果を得た。なお露光時の結
果を第８図に示す。

実施例３ 残りのボンベの１つに穐ガスを充填し、ａ−８１，−ｘ
Ｇ・ｘ：　Ｈを堆積させる前にＡ４基板上に混合比１：
１で８ｉＨ，と穐　とを混合して流すことにより約０．
３μ厚の１！−８１，Ｎ、製ブロッキング層を形成した
他は実施例１と同じ方法で感光体を作成した。

この感光体に実施例１と同様にして帯電させたところ、
表面電位７８０ｖに帯電した。この結果から暗減衰比も
改善されていることがわかった。

実施例４ 残りのガスボンベの１つにＦ（１’ＹベーストシたＢ□
Ｈ６を、また他の１つに島をベースとしたＰＨ８を充填
し、前記Ｈ窩ベースＢ、　Ｈ，と５ｉ１（４とＧ＠Ｈ４
とを混合比Ｂｍ　ＥＩｍ　／　（Ｓｌｌ（４＋　Ｇ＠Ｈ
４）　＝　０．０１で用いて実施例１と同様な方法でＭ
　基板上にＢドープａ−８ｌ　１　、ｘ　Ｇ　ｘ　：　
Ｈ（但しｘ　＊　０．４　）を均一に堆積させて約１μ
厚のＰ型層を形成した後、その上に前記Ｈ，ペースＰＨ
，とＳｉＨ４とＧｅＨ４とを混合比Ｐｕｓ／（Ｂｉｔ（
、＋　Ｇ・Ｉ（、）　＝　０．０３で用いて実施例１と
同様な方法でＰドープａ−８１１−。

Ｇａｘ：　ｔ（（但しｘ　＋　０．４　）を均一に堆積
させ℃約０．３μ厚のＮ型層を形成することにより、３
層構成（但し空乏層の厚さは約１０μ）の電荷発生層を
設けた。更にその上に実施例２と同じ方法で２０μ厚の
電荷輸送層を設けた。

こうして得られた感光体に暗中で正コロナ放電により表
面電位を約＋５００ｖとし、ついで１００　Ｌｕｘの白
色光で光減衰させたところ、暗減衰及び感度の向上が見
られた。その結果を第８図に示す。

効果 以上のように電荷発生材料として＊　−（Ｓｔ、−ｘＧ
ｏ　ｘ　）１−ｙ　（Ｈｅ　Ｘ　）　ｙを用いたので、
本発明の感光体は製造コストが安く、また波長７００　
ｎｍ以上、特に８００　ｎｍ　以上の光に対しても実用
的な感度を有し、しかも８００　ｎｍ　以下の光に対し
℃高感度である。その他１）耐光疲労や（り返し疲労が
少ない、２）高濃度、高解像度、ノ・−フトーンの鮮明
な高品質画像が得られる、３）無公害である寺の特長を
持っている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基本的な感光体のＶｉ面図、第２〜４
図は夫々第１図の感光体の変形したものの断面図、第５
図は実施例で用いたプラズマＣＶＤ装置の概略図、第６
図は実施例１で作成した電荷発生層の構成材料ａ　−Ｓ
ｉ□−ｘ　Ｇ＊　１　ｍ　Ｈの組成比Ｘと光学的バンド
ギャップとの関係図、第７図は実施例１で作った本発明
の感光体及び比較用感光体の各感度曲線図、第８図は実
施例２及び４で作った本発明感光体における露光量と表
面電位との関係図である。 １・・・導電性支持体　　２・・・電荷発生層３・・・
電荷輸送層　　　　４・・・ブロッキング層５・・・保
禮層　　　　　２−１・・・Ｐ部層２−２・・・空乏層
　　　　２−３・・・Ｎ型１−１Ｏ・・・ペルジャー　
　　　　１１・・・ｔｔ［１２・・・ヒーター　　　　
１３・・・排気／＜ルフ１４・・・ガスバルブ　　　１
５・・・絶縁ガイシ−２５＝ 厭ｔ、ｈｇで・Ａヱ妃５ゝト 藝四−星

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を順次
   設けた電子写真感光体において、電荷発生層が、シリコ
   ン及びゲルマニウムを母体とし、更にこれらの原子が水
   素及び／又はハロゲン原子を含む、下記一般式で示され
   るアモルファスＳｉ〜Ｇｅ系電荷発生材料からなること
   を特徴とする電子写真感光体。 ａ−（Ｓｉ＿１＿−＿ｘＧｅ＿ｘ）＿１＿−＿ｙ（Ｈ、
   Ｘ）＿ｙ （但し０＜ｘ＜１、０．０５＜ｙ＜０．６で、ａはアモ
   ルファス、Ｘはハロゲン原子を表わす。）