JPS625353B2 - - Google Patents
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- JPS625353B2 JPS625353B2 JP54031305A JP3130579A JPS625353B2 JP S625353 B2 JPS625353 B2 JP S625353B2 JP 54031305 A JP54031305 A JP 54031305A JP 3130579 A JP3130579 A JP 3130579A JP S625353 B2 JPS625353 B2 JP S625353B2
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- electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質シリコンを用いた太陽電池に関
し、特にその信頼性の向上を図つたものである。
し、特にその信頼性の向上を図つたものである。
図は本発明実施例を示し、1はガラス等の透光
性絶縁基板、2a,2b,2cは該基板上に被着
された第1電極、3a,3b,3cは夫々第1電
極2a,2b,2c上に被着された非晶質シリコ
ン層、4a,4b,4cは夫々非晶質シリコン層
3a,3b,3c上に被着された第2電極、5は
上記第1電極、非晶質シリコン層、第2電極の積
層体を該第2電極側から密着包囲する絶縁膜であ
る。
性絶縁基板、2a,2b,2cは該基板上に被着
された第1電極、3a,3b,3cは夫々第1電
極2a,2b,2c上に被着された非晶質シリコ
ン層、4a,4b,4cは夫々非晶質シリコン層
3a,3b,3c上に被着された第2電極、5は
上記第1電極、非晶質シリコン層、第2電極の積
層体を該第2電極側から密着包囲する絶縁膜であ
る。
上記第1電極は透光性を有し、酸化錫、酸化イ
ンジウム、酸化インジウム・錫(In2O3+
xSnO2、X≦0.1)などで構成され、上記第2電
極はアルミニウム、クロムなどで構成されてい
る。
ンジウム、酸化インジウム・錫(In2O3+
xSnO2、X≦0.1)などで構成され、上記第2電
極はアルミニウム、クロムなどで構成されてい
る。
上記非晶質シリコン層は光照射により発電に寄
与する電子及び又は正孔を発生するもので、具体
的には、上記第1電極側から順次積層されたP型
層、ノンドープ層及びN型層の3層構造となつて
いる。斯る非晶質シリコン層はシランやフロルシ
リコンなどのシリコン化合物ガスやP型、N型各
不純物ガスを含む雰囲気中でのグロー放電により
順次推積形成される。そして、非晶質シリコン層
は各個別の積層体を構成すべく分割された第1電
極2a,2b,2cの隣接間隔部に左側の積層体
から延在し、当該左側の積層体から上記第1電極
2a,2bが斯る隣接間隔部に露出するのを防止
している。尚、上記P型層は膜厚40〜1000Å、ド
ープ量0.01〜1%、ノンドープ層は膜厚0.5〜2
μm、N型層は膜厚200〜1000Å、ドープ量0.1〜
3%である。
与する電子及び又は正孔を発生するもので、具体
的には、上記第1電極側から順次積層されたP型
層、ノンドープ層及びN型層の3層構造となつて
いる。斯る非晶質シリコン層はシランやフロルシ
リコンなどのシリコン化合物ガスやP型、N型各
不純物ガスを含む雰囲気中でのグロー放電により
順次推積形成される。そして、非晶質シリコン層
は各個別の積層体を構成すべく分割された第1電
極2a,2b,2cの隣接間隔部に左側の積層体
から延在し、当該左側の積層体から上記第1電極
2a,2bが斯る隣接間隔部に露出するのを防止
している。尚、上記P型層は膜厚40〜1000Å、ド
ープ量0.01〜1%、ノンドープ層は膜厚0.5〜2
μm、N型層は膜厚200〜1000Å、ドープ量0.1〜
3%である。
上記装置において、基板1及び第1電極を介し
て光が非晶質シリコン層に入ると、主にノンドー
プ層において自由状態の電子及び又は正孔が発生
し、これらは上記各層の作るPIN接合電界により
引かれて移動した後対向する第1電極や第2電極
に集められ両電極間に電圧が発生する。このと
き、左側の第2電極4a,4bは当該左側の積層
体から第1電極2a,2b,2c間に延在した非
晶質シリコン層3a,3bを越えて右側の積層体
に於ける非晶質シリコン層3b,3cから露出し
た第1電極2b,2cにまで延びているので、左
側の第2電極4a,4bとそれより右側の第1電
極2b,2cが夫々電気的に接続された状態にあ
り、従つて上記各対向電極間の起電圧は直列的に
相加される。
て光が非晶質シリコン層に入ると、主にノンドー
プ層において自由状態の電子及び又は正孔が発生
し、これらは上記各層の作るPIN接合電界により
引かれて移動した後対向する第1電極や第2電極
に集められ両電極間に電圧が発生する。このと
き、左側の第2電極4a,4bは当該左側の積層
体から第1電極2a,2b,2c間に延在した非
晶質シリコン層3a,3bを越えて右側の積層体
に於ける非晶質シリコン層3b,3cから露出し
た第1電極2b,2cにまで延びているので、左
側の第2電極4a,4bとそれより右側の第1電
極2b,2cが夫々電気的に接続された状態にあ
り、従つて上記各対向電極間の起電圧は直列的に
相加される。
上記絶縁膜5は酸化シリコンや窒化シリコンな
どで構成されており、シランガスと酸素又は窒素
ガスを含む雰囲気中でのグロー放電により、ある
いはアルゴン及び酸素又は窒素ガス雰囲気で石英
ガラスをスパツタする反応性スパツタにより形成
することができる。斯る絶縁膜は装置の機械的保
護並びに第2電極や非晶質シリコン層を外界から
完全に遮断し、湿気や腐蝕性ガスなどから装置を
護もる。
どで構成されており、シランガスと酸素又は窒素
ガスを含む雰囲気中でのグロー放電により、ある
いはアルゴン及び酸素又は窒素ガス雰囲気で石英
ガラスをスパツタする反応性スパツタにより形成
することができる。斯る絶縁膜は装置の機械的保
護並びに第2電極や非晶質シリコン層を外界から
完全に遮断し、湿気や腐蝕性ガスなどから装置を
護もる。
上記実施例装置はPIN接合型であつたがシヨツ
トキ型も実施でき、又実施例装置ではガラス基板
1側から光入射を行なつていたが、絶縁膜5及び
第2電極4a,4b,4cを透光性になすことに
より絶縁膜5側から光入射をなすこともできる。
トキ型も実施でき、又実施例装置ではガラス基板
1側から光入射を行なつていたが、絶縁膜5及び
第2電極4a,4b,4cを透光性になすことに
より絶縁膜5側から光入射をなすこともできる。
以上の説明より明らかな如く、本発明によれば
非晶質シリコンを用いた太陽電池において非晶質
シリコンなどが絶縁膜によつて機械的かつ外界か
ら完全に保護されるのでその信頼性が著しく向上
する。また、本発明太陽電池は並置して設けられ
た第1電極間に非晶質シリコン層が延在し、当該
隣接間隔部に於ける一方の第1電極の露出を防止
しているので、第2電極が隣接積層体の第1電極
と結合すべく隣接間隔部を越える際に何ら特別な
絶縁対策を施すことなく当該積層体の第1電極と
短絡するのを防止することができ、構成簡単にし
て隣接間隔部に於ける直列接続形態を実現し得
る。
非晶質シリコンを用いた太陽電池において非晶質
シリコンなどが絶縁膜によつて機械的かつ外界か
ら完全に保護されるのでその信頼性が著しく向上
する。また、本発明太陽電池は並置して設けられ
た第1電極間に非晶質シリコン層が延在し、当該
隣接間隔部に於ける一方の第1電極の露出を防止
しているので、第2電極が隣接積層体の第1電極
と結合すべく隣接間隔部を越える際に何ら特別な
絶縁対策を施すことなく当該積層体の第1電極と
短絡するのを防止することができ、構成簡単にし
て隣接間隔部に於ける直列接続形態を実現し得
る。
図は本発明実施例を示す断面図である。
1……基板、3a,3b,3c……非晶質シリ
コン層、5……絶縁膜。
コン層、5……絶縁膜。
Claims (1)
- 1 基板上に、第1電極、光照射により発電に寄
与する電子及び又は正孔を発生する非晶質シリコ
ン層、及び第2電極を順次積層した積層体を並置
し、斯る積層体をそれらの隣接間隔部に於いて一
方の積層体の第1電極と他方の積層体の第2電極
とを電気的に直列接続した太陽電池であつて、上
記第2電極は第1電極間の隣接間隔部に延在した
他方の積層体の非晶質シリコン層を越えて一方の
積層体から露出した第1電極に延びると共に、上
記積層体を上記第2電極側から絶縁膜により密着
包囲したことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3130579A JPS55123177A (en) | 1979-03-16 | 1979-03-16 | Solar cell |
US06/116,402 US4281208A (en) | 1979-02-09 | 1980-01-29 | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3130579A JPS55123177A (en) | 1979-03-16 | 1979-03-16 | Solar cell |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1264380A Division JPS55124274A (en) | 1980-02-04 | 1980-02-04 | Solar battery |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55123177A JPS55123177A (en) | 1980-09-22 |
JPS625353B2 true JPS625353B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=12327572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3130579A Granted JPS55123177A (en) | 1979-02-09 | 1979-03-16 | Solar cell |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS55123177A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58112374A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-04 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JPS59143375A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
JPS59198776A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 太陽電池モジユ−ル |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3483038A (en) * | 1967-01-05 | 1969-12-09 | Rca Corp | Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same |
US3571915A (en) * | 1967-02-17 | 1971-03-23 | Clevite Corp | Method of making an integrated solar cell array |
JPS50125690A (ja) * | 1974-03-20 | 1975-10-02 | ||
JPS51890A (en) * | 1974-06-20 | 1976-01-07 | Shunpei Yamazaki | Handotaisochi oyobi sonosakuseihoho |
JPS5169381A (ja) * | 1974-12-13 | 1976-06-15 | Suwa Seikosha Kk | |
JPS52131488A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-04 | Agency Of Ind Science & Technol | High-performance photoelectric conversion |
JPS52146190A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-05 | Japan Solar Energy | Semiconductor photoelectric converter |
JPS554994A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-14 | Siemens Ag | Solar battery and method of manufacturing same |
JPS55123176A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
-
1979
- 1979-03-16 JP JP3130579A patent/JPS55123177A/ja active Granted
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3483038A (en) * | 1967-01-05 | 1969-12-09 | Rca Corp | Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same |
US3571915A (en) * | 1967-02-17 | 1971-03-23 | Clevite Corp | Method of making an integrated solar cell array |
JPS50125690A (ja) * | 1974-03-20 | 1975-10-02 | ||
JPS51890A (en) * | 1974-06-20 | 1976-01-07 | Shunpei Yamazaki | Handotaisochi oyobi sonosakuseihoho |
JPS5169381A (ja) * | 1974-12-13 | 1976-06-15 | Suwa Seikosha Kk | |
JPS52131488A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-04 | Agency Of Ind Science & Technol | High-performance photoelectric conversion |
JPS52146190A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-05 | Japan Solar Energy | Semiconductor photoelectric converter |
JPS554994A (en) * | 1978-06-20 | 1980-01-14 | Siemens Ag | Solar battery and method of manufacturing same |
JPS55123176A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55123177A (en) | 1980-09-22 |
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