JPS6252040B2 - - Google Patents
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- JPS6252040B2 JPS6252040B2 JP59022076A JP2207684A JPS6252040B2 JP S6252040 B2 JPS6252040 B2 JP S6252040B2 JP 59022076 A JP59022076 A JP 59022076A JP 2207684 A JP2207684 A JP 2207684A JP S6252040 B2 JPS6252040 B2 JP S6252040B2
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Classifications
-
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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Description
本発明は、溶液中に懸濁された封入すべき粒子
のための懸濁安定剤を有する、非金属物質の粒子
が封入された金属層を電気メツキ的に析出させる
ための浴もしくは電解液に関する。 異種物質の粒子が封入された金属層の電気メツ
キ的析出（電気メツキ分散析出と略される）は分
散材料を製造するための便利な方法である。電解
中に、浴内に懸濁された粒子はマトリツクス金属
と一緒に陰極上に析出しかつ金属マトリツクスに
よつて包囲されかつ封入される。 この場合、電解液内に懸濁された粒子を申し分
なく湿潤すべきである、浴内に含有され、懸濁安
定剤として作用する表面活性剤の種類及び特性が
電気メツキ分散析出の品質にとつて重要な役割を
演じる。上記湿潤条件が満されないか又は不十分
であれば、電解液を撹拌又は他の方法で運動させ
ても粒子は電解液内で急速に沈殿する、その結果
浴の懸濁した粒子の濃度が電解中に変化しかつ析
出したマトリツクス金属内での粒子分布が不均一
になる。 西独国特許第2644035号明細書によれば、電解
液に懸濁安定剤として、カルボキシル基及び／又
はスルホン酸基を結合させることにより両性特性
を付与した極めて特殊なイミダゾリン誘導体を添
加することによつて電気メツキ分散析出を有効に
実施することができる。該特許明細書には陽イオ
ン活性懸濁安定剤は記載されていない。 陽イオン活性物質は既にその懸濁安定剤として
の使用可能性が研究されたが、米国特許第
4222828号明細書には、前記目的のためには、長
鎖状フルオロ炭化水素基を含有するような陽イオ
ン活性物質のみが適当であると記載されている。 ところが驚異的にも、それにもかかわらず前記
米国特許明細書の技術思想とは異なり、弗素を含
有しない特定の陽イオン活性物質が電気メツキ分
散析出において優れた懸濁安定剤であることが判
明した。これらの新たに見出された物質は特定の
陽イオン活性イミダゾリン誘導体である。このこ
とは西独国特許第2644035号明細書の技術思想に
よれば、イミダゾリン誘導体は懸濁安定剤として
使用可能であるためには両性特性を有するべきで
あると見なされていたが故に一層予測困難なこと
であつた。 従つて、本発明の対象は、懸濁安定剤を含有す
る電気メツキ分散析出用浴であり、該浴は懸濁安
定剤が一般式： 〔式中、R1は少なくとも４個の脂肪族結合した炭
素原子を有する１価の飽和もしくは不飽和炭化水
素基又はこれらの複数の炭化水素基の混合物を表
わし、R2はメチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基又はイソプロピレン基を表わしかつＸは−
NH2、−NHR3、−NR3R4、−OH又は−OR5を表わ
し、該式中R2、R4及びR5はメチル基、エチル
基、プロピル基又は５個までの−Ｏ−CH2−CH2
基を有するポリグリコールエーテル基を表わす〕
で示される陽イオン活性イミダゾリン誘導体であ
ることを特徴とする。 上記一般式において、R1が８〜18個、有利に
は16〜18個（獣脂基）の炭素原子を有する脂肪族
の飽和及び不飽和炭化水素基の混合物、特にヘプ
タデセニル基であり、R2がエチレン基を表わし
かつＸが第一級アミノ基又はヒドロキシル基であ
る懸濁安定剤が特に有利である。 次に実施例により本発明を詳細に説明する。 例 １ 脱イオン化水中に以下の物質： １当り固形スルフアミン酸塩600〜680ｇの濃度
のスルフアミン酸ニツケル水溶液 630ml／ 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） ５ｇ／ 及び 硼酸（H3BO3） 40ｇ／ を溶かす。該溶液2.5の基礎電解液として使用
しかつ該溶液を実験中機械的撹拌機を用いて運動
させる。陽極としては、炭化ニツケルから成る板
（DIN 1702）を、陰極としては寸法50×100mmの
ニツケル合金X10CrNiTi189から成る板を使用す
る。実験の実施前に、陰極を自体公知方法で電解
的に脱脂し、陽極エツチングしかつ前ニツケル化
する。 次いで、前記基礎電解液に粒度約２μｍの炭化
珪素（SiC）150ｇ／を撹拌混入しかつ懸濁安
定剤0.8ｇ／を加える。この場合には、この安
定剤は１−アミノエチル−２−アルキル−アルケ
ニル−イミダゾリンであり、この場合“−アルキ
ル−アルケニル”は、特に獣脂内に存在するよう
な16〜18個の炭素原子を有するアルキル基とアル
ケニル基の混合物であると理解されるべきであ
る。 次いで、SiCの電気メツキ分散析出を50±１℃
の浴温度で実施する。この場合、浴のPH値は約
3.8〜4.0である。 多数の個別実験を種々の陰極電流密度を用いて
実施する、この場合電解時間は陰極で約20μｍの
層厚さが析出するように選択する。このためには
約20μｍの層厚さは2A／ｄm2の陰極電流密度で
約１時間で施されるが、同じ層厚さは10A／ｄm2
で約10分間で達成されることを基準にすべきであ
る。個別実験で使用した電流密度及びこの際達成
された析出したNiマトリツクス中への懸濁され
たSiC粒子の封入率（重量％で）を以下の第１表
に示す。
のための懸濁安定剤を有する、非金属物質の粒子
が封入された金属層を電気メツキ的に析出させる
ための浴もしくは電解液に関する。 異種物質の粒子が封入された金属層の電気メツ
キ的析出（電気メツキ分散析出と略される）は分
散材料を製造するための便利な方法である。電解
中に、浴内に懸濁された粒子はマトリツクス金属
と一緒に陰極上に析出しかつ金属マトリツクスに
よつて包囲されかつ封入される。 この場合、電解液内に懸濁された粒子を申し分
なく湿潤すべきである、浴内に含有され、懸濁安
定剤として作用する表面活性剤の種類及び特性が
電気メツキ分散析出の品質にとつて重要な役割を
演じる。上記湿潤条件が満されないか又は不十分
であれば、電解液を撹拌又は他の方法で運動させ
ても粒子は電解液内で急速に沈殿する、その結果
浴の懸濁した粒子の濃度が電解中に変化しかつ析
出したマトリツクス金属内での粒子分布が不均一
になる。 西独国特許第2644035号明細書によれば、電解
液に懸濁安定剤として、カルボキシル基及び／又
はスルホン酸基を結合させることにより両性特性
を付与した極めて特殊なイミダゾリン誘導体を添
加することによつて電気メツキ分散析出を有効に
実施することができる。該特許明細書には陽イオ
ン活性懸濁安定剤は記載されていない。 陽イオン活性物質は既にその懸濁安定剤として
の使用可能性が研究されたが、米国特許第
4222828号明細書には、前記目的のためには、長
鎖状フルオロ炭化水素基を含有するような陽イオ
ン活性物質のみが適当であると記載されている。 ところが驚異的にも、それにもかかわらず前記
米国特許明細書の技術思想とは異なり、弗素を含
有しない特定の陽イオン活性物質が電気メツキ分
散析出において優れた懸濁安定剤であることが判
明した。これらの新たに見出された物質は特定の
陽イオン活性イミダゾリン誘導体である。このこ
とは西独国特許第2644035号明細書の技術思想に
よれば、イミダゾリン誘導体は懸濁安定剤として
使用可能であるためには両性特性を有するべきで
あると見なされていたが故に一層予測困難なこと
であつた。 従つて、本発明の対象は、懸濁安定剤を含有す
る電気メツキ分散析出用浴であり、該浴は懸濁安
定剤が一般式： 〔式中、R1は少なくとも４個の脂肪族結合した炭
素原子を有する１価の飽和もしくは不飽和炭化水
素基又はこれらの複数の炭化水素基の混合物を表
わし、R2はメチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基又はイソプロピレン基を表わしかつＸは−
NH2、−NHR3、−NR3R4、−OH又は−OR5を表わ
し、該式中R2、R4及びR5はメチル基、エチル
基、プロピル基又は５個までの−Ｏ−CH2−CH2
基を有するポリグリコールエーテル基を表わす〕
で示される陽イオン活性イミダゾリン誘導体であ
ることを特徴とする。 上記一般式において、R1が８〜18個、有利に
は16〜18個（獣脂基）の炭素原子を有する脂肪族
の飽和及び不飽和炭化水素基の混合物、特にヘプ
タデセニル基であり、R2がエチレン基を表わし
かつＸが第一級アミノ基又はヒドロキシル基であ
る懸濁安定剤が特に有利である。 次に実施例により本発明を詳細に説明する。 例 １ 脱イオン化水中に以下の物質： １当り固形スルフアミン酸塩600〜680ｇの濃度
のスルフアミン酸ニツケル水溶液 630ml／ 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） ５ｇ／ 及び 硼酸（H3BO3） 40ｇ／ を溶かす。該溶液2.5の基礎電解液として使用
しかつ該溶液を実験中機械的撹拌機を用いて運動
させる。陽極としては、炭化ニツケルから成る板
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ニツケル合金X10CrNiTi189から成る板を使用す
る。実験の実施前に、陰極を自体公知方法で電解
的に脱脂し、陽極エツチングしかつ前ニツケル化
する。 次いで、前記基礎電解液に粒度約２μｍの炭化
珪素（SiC）150ｇ／を撹拌混入しかつ懸濁安
定剤0.8ｇ／を加える。この場合には、この安
定剤は１−アミノエチル−２−アルキル−アルケ
ニル−イミダゾリンであり、この場合“−アルキ
ル−アルケニル”は、特に獣脂内に存在するよう
な16〜18個の炭素原子を有するアルキル基とアル
ケニル基の混合物であると理解されるべきであ
る。 次いで、SiCの電気メツキ分散析出を50±１℃
の浴温度で実施する。この場合、浴のPH値は約
3.8〜4.0である。 多数の個別実験を種々の陰極電流密度を用いて
実施する、この場合電解時間は陰極で約20μｍの
層厚さが析出するように選択する。このためには
約20μｍの層厚さは2A／ｄm2の陰極電流密度で
約１時間で施されるが、同じ層厚さは10A／ｄm2
で約10分間で達成されることを基準にすべきであ
る。個別実験で使用した電流密度及びこの際達成
された析出したNiマトリツクス中への懸濁され
たSiC粒子の封入率（重量％で）を以下の第１表
に示す。
【表】
表から明らかなように、１〜20A／ｄm2の全電
流密度にわたつて極めて良好な封入率が達成され
る。この場合、最良の結果は5A／ｄm2の電流密
度における7.3重量％の率である。 得られた分散析出物の基体に対する接着力を陰
極薄板を90゜曲げることにより試験した。接着力
は全ての場合優れていることが判明した。析出物
の脆弱化はいかなる場合も観察されなかつた。 例 ２ 例１を繰返すが、但しこの場合には懸濁安定剤
として１−アミノエチル−２−アルキル−アルケ
ニル−イミダゾリンの代りに１−ヒドロキシエチ
ル−２−ヘプタデセニル−イミダゾリンを使用す
る。この場合も、最高7.3重量％の粒子封入率と
同時に良好に接着した非脆弱性の分散析出物が得
られる。 例 ３ 例１を繰返すが、但しこの場合にはSiC粒子の
代りに粒度0.4μｍの炭化チタン粒子（TiC）100
ｇ／を使用する。析出したNiマトリツクス内
に粒子最高５重量％の封入率が達成される。 例 ４ 例１を繰返すが、但しこの場合にはSiC粒子の
代りに粒度0.6μｍの酸化アルミニウム粒子
（Al2O3）100ｇ／を使用する。析出したNiマト
リツクスへの粒子最高６重量％の封入率が達成さ
れる。 例 ５ 例１を繰返すが、但しこの場合はSiC粒子の代
りに粒度３〜５μｍの二酸化チタン粒子
（TiO2）100ｇ／を使用する。析出したNiマト
リツクス中に粒子最高８重量％の封入率が達成さ
れる。 例 ６ CoSO4・7H2O 430〜470ｇ／ NaCl 15〜20ｇ／ 及び H3BO3 25〜35ｇ／ から成る基礎電解液を懸濁安定剤としての酸化ア
ルミニウム粒子100ｇ／及び１−アミノエチル
−２−アルキル−アルケニル−イミダゾリン0.8
ｇ／の添加物と一緒に使用する。該電解液はPH
値4.3〜5.0を有する。コバルト電極を用いて50℃
で分散析出を実施する、Coマトリツクス中への
Al2O3最高５重量％の封入率が達成される。 例 ７ 以下の浴及び条件： スルフアミン酸ニツケル溶液 315ml／ 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） 30ｇ／ 硼酸（H3PO3） 30ｇ／ PTFE（Fluon Ｌ 170）（粒度３〜４μｍ）
50ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム（助安定剤として）
0.10ｇ／ １−アミノエチル−２−アルキル−アルケニル−
イミダゾリン 0.80ｇ／ 浴温度 50℃ 浴運動 撹拌 PH値 4.0〜4.5 電流密度 2A／ｄm2 層厚さ 20μｍ を用いて自己潤滑性ポリテトラフルオルエチレン
の粒子の分散析出を実施する。 例 ８ 以下の浴及び条件： スルフアミン酸ニツケル 630ml／ 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） ５ｇ／ 硼酸（H3BO3） 30ｇ／ １−アミノエチル−２−アルキル−アルケニル−
イミダゾリン 0.80ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム 0.10ｇ／ 浴温度 50℃ PH値 3.8〜4.0 層厚さ 25μｍ 電流密度 2A／ｄm2 浴運動 撹拌 窒化硼素種CS（粒度５μｍ） 50ｇ／ を用いて自己潤滑性窒化硼素（BN）の粒子の分
散析出を実施する。 例 ９ 粒子封入率の浴内の粒子濃度に対する依存性を
調査する。浴組成及び実験条件はほぼ例１と同じ
であるが、但第２表に記載のように変更する：
流密度にわたつて極めて良好な封入率が達成され
る。この場合、最良の結果は5A／ｄm2の電流密
度における7.3重量％の率である。 得られた分散析出物の基体に対する接着力を陰
極薄板を90゜曲げることにより試験した。接着力
は全ての場合優れていることが判明した。析出物
の脆弱化はいかなる場合も観察されなかつた。 例 ２ 例１を繰返すが、但しこの場合には懸濁安定剤
として１−アミノエチル−２−アルキル−アルケ
ニル−イミダゾリンの代りに１−ヒドロキシエチ
ル−２−ヘプタデセニル−イミダゾリンを使用す
る。この場合も、最高7.3重量％の粒子封入率と
同時に良好に接着した非脆弱性の分散析出物が得
られる。 例 ３ 例１を繰返すが、但しこの場合にはSiC粒子の
代りに粒度0.4μｍの炭化チタン粒子（TiC）100
ｇ／を使用する。析出したNiマトリツクス内
に粒子最高５重量％の封入率が達成される。 例 ４ 例１を繰返すが、但しこの場合にはSiC粒子の
代りに粒度0.6μｍの酸化アルミニウム粒子
（Al2O3）100ｇ／を使用する。析出したNiマト
リツクスへの粒子最高６重量％の封入率が達成さ
れる。 例 ５ 例１を繰返すが、但しこの場合はSiC粒子の代
りに粒度３〜５μｍの二酸化チタン粒子
（TiO2）100ｇ／を使用する。析出したNiマト
リツクス中に粒子最高８重量％の封入率が達成さ
れる。 例 ６ CoSO4・7H2O 430〜470ｇ／ NaCl 15〜20ｇ／ 及び H3BO3 25〜35ｇ／ から成る基礎電解液を懸濁安定剤としての酸化ア
ルミニウム粒子100ｇ／及び１−アミノエチル
−２−アルキル−アルケニル−イミダゾリン0.8
ｇ／の添加物と一緒に使用する。該電解液はPH
値4.3〜5.0を有する。コバルト電極を用いて50℃
で分散析出を実施する、Coマトリツクス中への
Al2O3最高５重量％の封入率が達成される。 例 ７ 以下の浴及び条件： スルフアミン酸ニツケル溶液 315ml／ 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） 30ｇ／ 硼酸（H3PO3） 30ｇ／ PTFE（Fluon Ｌ 170）（粒度３〜４μｍ）
50ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム（助安定剤として）
0.10ｇ／ １−アミノエチル−２−アルキル−アルケニル−
イミダゾリン 0.80ｇ／ 浴温度 50℃ 浴運動 撹拌 PH値 4.0〜4.5 電流密度 2A／ｄm2 層厚さ 20μｍ を用いて自己潤滑性ポリテトラフルオルエチレン
の粒子の分散析出を実施する。 例 ８ 以下の浴及び条件： スルフアミン酸ニツケル 630ml／ 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） ５ｇ／ 硼酸（H3BO3） 30ｇ／ １−アミノエチル−２−アルキル−アルケニル−
イミダゾリン 0.80ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム 0.10ｇ／ 浴温度 50℃ PH値 3.8〜4.0 層厚さ 25μｍ 電流密度 2A／ｄm2 浴運動 撹拌 窒化硼素種CS（粒度５μｍ） 50ｇ／ を用いて自己潤滑性窒化硼素（BN）の粒子の分
散析出を実施する。 例 ９ 粒子封入率の浴内の粒子濃度に対する依存性を
調査する。浴組成及び実験条件はほぼ例１と同じ
であるが、但第２表に記載のように変更する：
【表】
第２表から明らかなように粒子封入率は浴内の
粒子濃度に伴い上昇する。 例 10 浴内の懸濁安定剤の濃度に対するマトリツクス
中への粒子封入率の依存性を調査する。浴組成及
び実験条件は例１とほぼ同じであるが、但し第３
表に記載のように変更する：
粒子濃度に伴い上昇する。 例 10 浴内の懸濁安定剤の濃度に対するマトリツクス
中への粒子封入率の依存性を調査する。浴組成及
び実験条件は例１とほぼ同じであるが、但し第３
表に記載のように変更する：
【表】
【表】
第３表から明らかなように、粒子封入率は浴中
の安定剤濃度に伴い上昇する、この場合１当り
0.6から0.8ｇへの安定剤濃度上昇で最大の封入率
上昇が見られる。
の安定剤濃度に伴い上昇する、この場合１当り
0.6から0.8ｇへの安定剤濃度上昇で最大の封入率
上昇が見られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 懸濁安定剤を含有する電気メツキ分散析出用
浴において、懸濁安定剤が一般式： 〔式中、R1は少なくとも４個の脂肪族結合した炭
素原子を有する１価の飽和もしくは不飽和炭化水
素基又はこれらの複数の炭化水素基の混合物を表
わし、R2はメチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基又はイソプロピレン基を表わしかつＸは−
NH2、−NHR3、−NR3R4、−OH又は−OR5を表わ
し、該式中R3、R4及びR5はメチル基、エチル
基、プロピル基又は５個までの−Ｏ−CH2−CH2
基を有するポリグリコールエーテル基を表わす〕
で示される陽イオン活性イミダゾリン誘導体であ
ることを特徴とする電気メツキ分散析出用浴。 ２ 式中R1が20個までの脂肪族結合した炭素原
子を有する炭化水素基又はこれらの複数の炭化水
素基の混合物を表わす、特許請求の範囲第１項記
載の浴。 ３ 式中R1がアルキル基、アルケニル基、アル
カリル基、アルアルキル基又はアルアルケニル基
である、特許請求の範囲第２項記載の浴。 ４ 式中基R1が置換基として塩素、臭素又は沃
素を有する、特許請求の範囲第１項〜第３項のい
ずれか１項に記載の浴。 ５ 式中R1が８〜18個の炭素原子を有する脂肪
族の飽和及び不飽和炭化水素基の混合物であり、
R2がエチレン基を表わしかつＸが第一級アミノ
基である、特許請求の範囲第１項〜第４項のいず
れか１項に記載の浴。 ６ 式中R1がヘプタデセニル基でありかつR2が
エチレン基でありかつＸがHO基である、特許請
求の範囲第１項〜第４項のいずれか１項に記載の
浴。 ７ 懸濁助安定剤としてラウリル硫酸ナトリウム
を含有する、特許請求の範囲第１項〜第６項のい
ずれか１項に記載の浴。 ８ 基礎電解質として、脱イオン化水１当り スルフアミン酸ニツケル（１当り固形スルフア
ミン酸塩（NH2SO3）2Ni550〜700ｇの濃度）
300〜650ml 塩化ニツケル（NiCl2・6H2O） ５〜35ｇ 及び 硼酸（H3BO3） 25〜45ｇ を有する、特許請求の範囲第１項〜第７項のいず
れか１項に記載の浴。 ９ 基礎電解質として、水１当り 硫酸コバルト（CoSO4・7H2O） 400〜500ｇ 塩化ナトリウム（NaCl） 10〜30ｇ 及び 硼酸（H3PO3） 20〜40ｇ を有する、特許請求の範囲第１項〜第７項のいず
れか１項に記載の浴。 １０ 分散相として金属炭化物、酸化物、硼化
物、珪化物、硫化物、窒化物、硫酸塩、合成物
質、硬質物質又はこれらの２種以上の物質の混合
物を有する、特許請求の範囲第１項〜第９項のい
ずれか１項に記載の浴。 １１ 粒度が約0.3〜15μｍである、特許請求の
範囲第１０項記載の浴。 １２ PH値約3.5〜５を有する、特許請求の範囲
第１項〜第１１項のいずれか１項に記載の浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AU48895/85A AU565008B2 (en) | 1984-02-10 | 1985-10-21 | Vehicle air conditioner |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3313871A DE3313871C1 (de) | 1983-04-16 | 1983-04-16 | Bad zur galvanischen Dispersionsabscheidung |
| DE3313871.0 | 1983-04-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193300A JPS59193300A (ja) | 1984-11-01 |
| JPS6252040B2 true JPS6252040B2 (ja) | 1987-11-02 |
Family
ID=6196609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59022076A Granted JPS59193300A (ja) | 1983-04-16 | 1984-02-10 | 電気メツキ分散析出用浴 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4479855A (ja) |
| EP (1) | EP0122416B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59193300A (ja) |
| AT (1) | ATE20763T1 (ja) |
| DE (2) | DE3313871C1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US4946507A (en) * | 1989-07-12 | 1990-08-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Pigment dispersant resin: reaction product of imidazoline amine and alkylene carbonate |
| US5116903A (en) * | 1991-04-05 | 1992-05-26 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Pigment dispersant resin: reaction product of imidazoline and alkylene carbonate adduct and a half blocked diisocyanate |
| JP3945956B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2007-07-18 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 複合めっき方法 |
| KR100709290B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2007-04-19 | 한국과학기술연구원 | 금속 및 무기분말을 포함하는 복합체막 및 그 제조 방법 |
| DE102005057384A1 (de) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Nanogate Ag | Silikatumhüllte Teilchen in einer Metallschicht |
| DE102014113543A1 (de) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Medienbeständige Multilagenbeschichtung für ein Messgerät der Prozesstechnik |
| CN107326405A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-11-07 | 安庆市枞江汽车部件制造有限公司 | 一种汽车安全带卡扣的表面电镀加工工艺 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1265472A (ja) * | 1967-11-29 | 1972-03-01 | ||
| DE2064199C3 (de) * | 1970-12-29 | 1974-09-12 | Friedr. Blasberg Gmbh & Co, Kg, 5650 Solingen | Saures galvanisches Zinkbad |
| DE2236443C3 (de) * | 1972-07-25 | 1978-05-24 | Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh, 8000 Muenchen | Wäßriges Bad zur Herstellung von metallischen Überzügen, die nichtmetallische, feinverteilte Feststoffe eingelagert enthalten |
| US3891542A (en) * | 1973-11-05 | 1975-06-24 | Ford Motor Co | Method for insuring high silicon carbide content in elnisil coatings |
| CH623851A5 (ja) * | 1975-10-04 | 1981-06-30 | Akzo Nv | |
| US3996114A (en) * | 1975-12-17 | 1976-12-07 | John L. Raymond | Electroplating method |
| US4222828A (en) * | 1978-06-06 | 1980-09-16 | Akzo N.V. | Process for electro-codepositing inorganic particles and a metal on a surface |
-
1983
- 1983-04-16 DE DE3313871A patent/DE3313871C1/de not_active Expired
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59022076A patent/JPS59193300A/ja active Granted
- 1984-03-01 AT AT84102202T patent/ATE20763T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-03-01 DE DE8484102202T patent/DE3460286D1/de not_active Expired
- 1984-03-01 EP EP84102202A patent/EP0122416B1/de not_active Expired
- 1984-03-23 US US06/592,852 patent/US4479855A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0122416B1 (de) | 1986-07-16 |
| DE3313871C1 (de) | 1984-05-24 |
| JPS59193300A (ja) | 1984-11-01 |
| EP0122416A1 (de) | 1984-10-24 |
| DE3460286D1 (en) | 1986-08-21 |
| US4479855A (en) | 1984-10-30 |
| ATE20763T1 (de) | 1986-08-15 |
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