JPS625157B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

西ドイツ国特許明細書第1545725号（及び関連
するが同一ではないクリングラー（Klingler）の
米国特許明細書第3398150号）ならびに西ドイツ
国特許公開公報第2136643号（及び関連するクリ
ングラーの米国特許明細書第3729346号）には、
なかんずく一般式： 〔式中、Alkは炭素原子数３又は４を有する直鎖
又は分枝鎖のアルキレン基であり、Ｒは水素又は
炭素原子数１〜６を有するアルキル基である〕の
化合物を、一般式： 〔式中、フエノール性水酸基及び／又は塩基性第
二級窒素原子はベンジル基により保護されていて
もよい〕のケトンの接触的水素添加により製造す
る方法が記載されている。 水素添加は水、メタノール、エタノール又は水
−アルコール混合物中で行なわれる。 しかしながら、このような化合物の水素添加に
おける大きな欠点は、原料ケトンが極めて低い溶
解度を有するので大きな希釈度で作業する必要が
あることである。例えば第二級塩基性窒素原子が
保護基としてベンジル基を有する式（Ｂ）の原料
ケトンを使用する場合、水素添加においてまず該
ベンジル基が脱離されるので、形成するほとんど
不溶性のケトンが頻繁に高めた温度及び高い希釈
度でさえ反応溶器中に沈殿し、このため触媒表面
は不活性になるので、すでに水素添加の困難なケ
ト基は極めて緩慢にかつ不完全に還元されるにす
ぎない。記載した欠点は工業的及び生産規模の操
作において顕著である。 例えば西ドイツ国特許明細書第1545725号に見
られるように式（Ｂ）のケトンの水素添加（例
１、２、６及び７）においては、混合物の形の溶
剤25〜72倍量が必要とされる。たとえ難溶性物質
の接触的水素添加のために極めて適当であるジメ
チルホルムアミド（上記西ドイツ国特許には記載
されていない）を使用するにしても、例えば例２
の中間生成物は15倍量のこの溶剤に溶解しなけれ
ばならない。しかしながら、この反応の最適温度
60〜70℃で、こらの条件下に脱ベンジル化ケトン
が沈殿し、その結果特に大規模な操作で引続き水
素添加するのが極めて困難になる。約48時間の必
要な水素添加時間中に、着色せる副生成物が生
じ、形成せるケトンをなお多量に含有する最終生
成物は製薬的用途に要求される純度を得るために
後水素添加をしなければならず、かつ生成物の多
大なロスを伴なう再結晶をしなければならない。
それ故に、この方法での大規模生産は非常に高価
でかつ不経済である。 本発明は式： 〔Alkは炭素原子数２〜４を有する直鎖又は分枝
鎖のアルキレン基であり、Ｒは水素又はメチル基
である〕の塩基性置換アルキルテオフイリン誘導
体を、式： 〔式中、Alk及びＲは上記のものを表わし、フエ
ノール性水酸基及び／又は第二級塩基性窒素原子
は保護基を有していてもよい〕の化合物の水素添
加によつて製造する方法に関し、水素添加を式： 〔式中R′、R″及びＲは同じかもしくは異なるも
のであり、かつ炭素原子数１又は２を有するアル
キル基であり、R′はＲと一緒になつて炭素原
子数３又は４を有するアルキレン架橋を形成して
もよい〕の溶剤中で行なうことを特徴とする。 反応生成物がなお保護基を有する場合には、該
保護基はこの目的に常用の方法で脱離することが
できる。 式（）及び（）において、Alkは殊に次の
基であつてもよい： −CH₂−CH₂−；−（CH₂）₃−；−（CH₂）₄−；

【式】及び

【式】 式（）の相当する化合物からつくることので
きる式（）の化合物の例は次のものを包含す
る： ７−｛３−〔２−（３・５−ジヒドロキシフエニ
ル）−２−ヒドロキシメチルアミノ〕−プロピル｝
−テオフイリン； ７−｛２−〔２−（３・４−ジヒドロキシフエニ
ル）−２−ヒドロキシエチルアミノ〕−エチル｝−
テオフイリン； ７−｛３−〔２−（２・４−ジヒドロキシフエニ
ル）−２−ヒドロキシエチルアミノ〕−ブチル−
(1)｝−テオフイリン； ７−｛２−メチル−３−〔２−（３・５−ジヒド
ロキシフエニル）−２−ヒドロキシエチルアミ
ノ〕−プロピル−(1)｝−テオフイリン； ７−｛２−メチル−３−〔２−（２・４−ジヒド
ロキシフエニル）−２−ヒドロキシエチルアミ
ノ〕−プロピル−(1)｝−テオフイリン； ７−｛３−〔２−（３・５−ジヒドロキシフエニ
ル）−２−ヒドロキシエチルアミノ〕−ブチル−
(1)｝−テオフイリン； ７−｛３−〔２−（３・４−ジヒドロキシフエニ
ル）−２−ヒドロキシエチルアミノ〕−ブチル−
(1)｝−テオフイリン； ７−｛３−〔２−（３・５−ジヒドロキシフエニ
ル）−１−メチル−２−ヒドロキシエチルアミ
ノ〕−プロピル−(1)｝−テオフイリン； ７−｛２−メチル−３−〔１−メチル−２−
（３・４−ジヒドロキシフエニル）−２−ヒドロキ
シエチルアミノ）〕−プロピル−(1)｝−テオフイリ
ン； 式（）の出発化合物は遊離塩基の形で又は酸
付加塩として、例えば、塩化水素酸、臭化水素
酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、酢酸、プロ
ピオン酸、コハク酸、マレイン酸、グルコン酸、
マロン酸、フマル酸、乳酸、酒石酸、クエン酸又
はリン酸のような無害で製薬的に認容しうる酸の
塩として使用することができる。 水素添加を式（）の溶剤中で実施すれば、上
記の困難が生じないことは驚異的である。式
（）のR′及びR″が一緒になつて炭素原子数３又
は４を有するアルキレン架橋基を形成する場合、
この場合における式は次のようになる： 〔式中、ｎは３又は４であり、R″はCH₃又はC₂H₅
である〕 式（）〔式（ａ）を含む〕に入る溶剤の例
はジメチルアセトアミド、ジエチルアセトアミ
ド、ジメチルプロピオンアミド、ジエチルプロピ
オンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチル
ピロリドン、Ｎ−メチルピペリドン及びＮ−エチ
ルピペリドンである。 上記構造の望ましい溶剤はジメチルアセトアミ
ド及びＮ−メチルピロリドンである。これら市販
の溶剤と水からなり、水の分量が50％を越えない
混合物も使用できる。例えば、Ｎ−メチルピロリ
ドン又はジメチルアセトアミドとでは水の分量は
30％までであつてもよい。有利には水分量は０〜
10％である。 本発明方法によれば一般式（）のケトンは通
常５〜15倍量の式（）の溶剤に溶解し、水素添
加触媒の添加後に20〜100℃の間の温度で水素添
加する。該反応は加圧（例えば50バールまで、有
利には２〜10バール）下に又は加圧なしに実施す
ることができる。任意の水素添加において水素の
吸収が、痕跡量の触媒毒の存在によりときどき生
じるように、著しく減少する場合には、組成物を
過しかつ新しい触媒の添加後に水素添加を完結
させることができる。これは、反応の減速期に沈
殿した出発ケトンは触媒から簡単な方法で分離す
ることができないので公知方法では不可能であ
る。生成物を後処理するためには、過した水素
添加溶液を真空中で濃縮し、残滓を常法、例えば
再結晶、溶解、沈殿又は溶剤、殊にアルコールと
ともに沸騰することにより精製すれば十分であ
る。反応溶液の濃縮における溶剤の回収は、ベン
ジル保護基を含有する出発ケトンの水素添加にお
いて形成したトルエンが（トルエンと本発明で使
用する溶剤との大きい沸点差のために）容易に分
離されるので、容易に可能である。 本発明方法による還元は、オキソ基を水酸基に
還元するのに使用される常用の金属触媒を使用
し、触媒的に活性化された水素を用いて行なう。
触媒は担体を用いるか又は担体なしでも使用でき
る。殊に適当なのはパラジウム（例えば、パラジ
ウムカーボン又は硫酸バリウム上のパラジウ
ム）、白金及び酸化白金のような貴金属触媒であ
る。 ケト基の環元は他の方法で、例えば水素化リチ
ウムアルミニウム又は硼水素化ナトリウムによつ
て実施することもできる。 存在する水添分解により脱離しうる保護基は、
一般に、これがパラジウム触媒の存在下に水素で
行なわれる場合には還元において脱離する。存在
する保護基が反応の間に脱離しない場合には、こ
れら保護基は例えばオキソ基の還元の終了後に、
パラジウム触媒の存在下に水素で処理することに
より除去するか又は通常の加水分解により除去す
ることができる。 本発明による方法においては、フエノール性水
酸基ならびに第二級アミノ基を公知保護基により
保護するのが屡々適当である。屡々、このような
保護基は既に出発化合物の製造のために要求され
る。これらの保護基は最終生成物から容易に脱離
される。加溶媒分解により脱離可能なアシル基も
しくは例えばベンジル基のような水素添加の際に
脱離可能な基が使用される。加溶媒により脱離可
能な保護基は、例えば希酸、例えば希塩酸又は硫
酸と室温で又は短時間加熱、例えば煮沸すること
による脱エステルもしくは鹸化によつて脱離され
る。しかしながら保護基の型により、脱離は既に
反応工程の間に起きる。後者の場合は、例えば第
二アミノ基ならびに与えられた場合にフエノール
性水酸基がベンジル基又はカルボベンゾキシ基で
保護され、かつパラジウム触媒が使用される場合
である。保護基が反応中に脱離されない場合に
は、反応生成物の簡単な後処理が必要とされ、こ
の場合保護基の脱離は例えば上記のような条件下
に行なわれる。 第二アミノ基の保護基として、例えばベンジル
基、α−フエニルエチル基、トリチル基、例えば
ｐ−ブロモベンジル基又はｐ−ニトロベンジル基
のようなベンゼン核に置換分を有するベンジル
基；カルボベンゾキシ基、カルボベンズチオ基又
は第三−ブチルヒドロキシカルボニル基のような
ヒドロキシカルボニル基；トリフルオロアセチル
基、フタリル基、第三−ブチルカルボキシ基、ｐ
−トルエンスルホニル基及び類似基を使用するこ
とができる。これらの同じ保護基はフエノール性
水酸基に対しても使用することができ；付加的に
簡単なアシル基、例えば低級アルカノイル基、例
えばアセチル基、ホルミル基、プロピオニル基又
はブチリル基、もしくは低級カルバルコキシ基、
例えばカルボメトキシ、カルボエトキシ、カルボ
プロポキシ又はカルボブトキシ基を使用すること
もできる。 公知方法と比較した新規方法の重要な利点は要
約すれば次のとおりである： １ 不溶性中間生成物が反応中に沈殿しない。 ２ 高い収率（例えば西ドイツ国特許第1545725
号明細書の実施例２による66.5％の代りに99.4
％） ３ 短かい水素添加時間。 ４ 高い濃度、これと関連して同じ反応器中で可
成り高い装入量が可能であり、これにより溶剤
及び生産費が節減される。 ５ 原料の大量使用に困難がない。 ６ 後処理が以前に可能であつたよりも簡単であ
る。 ７ 最終生成物の高い純度が得られる。 ８ 溶剤の回収が簡単である。 別記しないかぎりすべての「部」及び「％」は
「重量部」又は「重量％」である。 本発明方法は上記の工程を包含するか、主とし
て上記の工程からなるかもしくは上記の工程だけ
からなつていてもよく、使用した混合物は上記の
物質を包含するか、主として上記の物質からなる
か、もしくは上記の物質だけからなつていてもよ
い。 例 １ ７−｛３−〔２−（３・５−ジヒドロキシフエニ
ル）−２−オキソエチル−ベンジルアミノ〕−プロ
ピル｝−テオフイリン塩酸塩500ｇをジメチルアセ
トアミド５に溶解した。10％のパラジウム−炭
素触媒25ｇを添加し、混合物を70℃に加熱し、撹
拌下に、この温度及び２バールの圧力で、水素添
加の速度が感知できるほど緩慢になるまで（約２
時間）水素添加した。引続き、混合物を過し、
更にパラジウム触媒25ｇを添加した後、６バール
の圧力で終了するまで（２−３時間）水素添加し
た混合物を過し、溶剤の大部分を水流ポンプ真
空で留去し、残渣をエタノール８で処理した。
溶液を流水で12時間冷却し、沈殿した物質を吸引
過した。次に、エタノール２と撹拌下に１時
間沸騰し、窒素を通して25℃に冷却させ、吸引
過した。真空中で55℃で乾燥した後、純粋な７−
｛３−〔２−（３・５−ジヒドロキシフエニル）−２
−ヒドロキシエチルアミノ）〕−プロピル｝−テオ
フイリン塩酸塩391ｇ（＝理論値の94.5％）を得
た。融点263−265℃。 例 ２ 例１で使用した出発物質50ｇをＮ−メチルピロ
リドン−(2)0.4に溶解し、パラジウム−炭素触
媒５ｇの添加後超過大気圧なしで75℃で水素添加
した。水素吸収の終了後に、生成物を過し、溶
剤を水浴中で約５トルの圧力で蒸留し、残渣を90
％のエタノールとともに撹拌下に１時間煮沸し
た。20℃で20時間放置した後に吸引過し、エタ
ノールで洗浄しかつ乾燥した。収量：例１で得た
生成物31ｇ（＝理論量の75％）。融点262〜264
℃。 例 ３ ７−｛２−〔２−（３・４−ジベンジルオキシフ
エニル）−２−オキソエチル−ベンジルアミノ〕−
エチル｝−テオフイリン塩酸塩850ｇをジメチルア
セトアミド10中で、５％のパラジウム−炭素触
媒60ｇを添加して５バールの水素圧及び50℃で水
素添加した。溶剤を真空中で蒸留し、残渣を無水
アルコール８とともに撹拌及び窒素の導通下に
１時間煮沸した。室温で15時間放置した後に、生
成物を吸引過し、再びエタノール５とともに
上記方法で煮沸した。吸引過し、乾燥した物質
は、分析用純度であつた。７−｛２−〔２−（３・
４−ジヒドロキシフエニル）−２−ヒドロキシエ
チルアミノ〕−エチル｝−テオフイリン塩酸塩460
ｇ（＝理論値の89.2％）を得た。分解点：186〜
188℃。 例３の出発物質は次のようにして得られた。 トルエン10中の３・４−ジベンジルオキシ−
ω−ブロムアセトフエノン634ｇ及び７−（２−ベ
ンジルアミノエチル）−テオフイリン980ｇの溶液
を撹拌しながら４時間還流下に煮沸した。次に混
合物を60℃に冷却し、生成した臭化水素酸塩を吸
収過し、トルエン0.5で洗浄し、冷却箱中で
15時間放置した。晶出した塩を吸引過し、メタ
ノールに懸濁させ、撹拌下にメタノール性塩化水
素酸230mlとともに撹拌することによつて塩酸塩
に変換した。10時間後に吸引過し、冷メタノー
ルで洗浄し、60℃で乾燥した。融点170〜174℃を
有する７−｛２−〔２−（３・４−ベンジルオキシ
フエニル）−２−オキソエチルベンジルアミノ〕−
エチル｝−テオフイリン塩酸塩834ｇ（＝理論値の
78.4％）を得た。 例 ４ ７−｛３−〔２−（３・５−ジヒドロキシフエニ
ル）−２−オキソエチルアミノ〕−プロピル｝−テ
オフイリン塩酸塩12ｇをジエチルアセトアミド
200ml中で、５％のパラジウム−炭素触媒0.8ｇの
添加後に60〜70℃で水素添加した。引続き、混合
物を過し、溶剤を真空下に蒸留し、かつ残渣を
90％エタノールとともに１時間煮沸した。翌日、
物質を吸引過し、エタノールで洗浄し、乾燥し
た。純粋な７−｛３−〔２−（３・５−ジヒドロキ
シフエニル）−２−ヒドロキシエチルアミノ〕−プ
ロピル｝−テオフイリン塩酸塩10.1ｇ（理論値の
85％）を得た。融点262〜265℃。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 式： 〔式中、Alkは炭素原子数２〜４を有するアルキ
   レン鎖であり、Ｒは水素又はメチル基である〕の
   塩基性置換アルキルテオフイリン誘導体を式： の化合物もしくは第二級塩基性窒素原子又はフエ
   ノール性水酸基又は第二級塩基性窒素原子及びフ
   エノール性水酸基の両方が保護基を含有する式
   （）の化合物の接触的水素添加により製造する
   方法において、水素添加を式： 又は 〔式中、R′、R″及びＲは炭素原子数１又は２を
   有するアルキル基であり、ｎは３又は４である〕
   のアミドを含有する液剤中で実施することを特徴
   とする、塩基性置換アルキルテオフイリン誘導体
   の製造法。 ２ 溶剤として上記アミドと、上記アミド及び水
   の全重量に対して水０〜50％とが存在する、特許
   請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 溶剤が上記アミドからなる、特許請求の範囲
   第２項記載の方法。 ４ アミドがジメチルアセトアミド又はＮ−メチ
   ルピロリドンである、特許請求の範囲第１項記載
   の方法。 ５ 保護基が存在する、特許請求の範囲第１項記
   載の方法。 ６ 第二級塩基性窒素原子がそれに結合して保護
   基としてベンジル基を有する、特許請求の範囲第
   ５項記載の方法。 ７ フエノール性水酸基が保護基を有しない特許
   請求の範囲第６項記載の方法。 ８ 両方のフエノール性水酸基がベンジル基によ
   り保護されている、特許請求の範囲第６項記載の
   方法。 ９ 水素添加触媒が貴金属触媒である、特許請求
   の範囲第１項記載の方法。 １０ 使用した溶剤の量が式（）のケトンの量
   の５〜15倍である、特許請求の範囲第１項記載の
   方法。