JPS6251515B2 - - Google Patents

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JPS6251515B2
JPS6251515B2 JP9622181A JP9622181A JPS6251515B2 JP S6251515 B2 JPS6251515 B2 JP S6251515B2 JP 9622181 A JP9622181 A JP 9622181A JP 9622181 A JP9622181 A JP 9622181A JP S6251515 B2 JPS6251515 B2 JP S6251515B2
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JP
Japan
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lens
optical fiber
semiconductor laser
fiber
optical
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Application number
JP9622181A
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English (en)
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JPS57211288A (en
Inventor
Masatoshi Saruwatari
Toshihiko Sugie
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Publication of JPS57211288A publication Critical patent/JPS57211288A/ja
Publication of JPS6251515B2 publication Critical patent/JPS6251515B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206Optical features

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体レーザの光を光フアイバへ効
率よく結合させる結合装置に関し、特にフアイバ
入射端における反射を除くようにするものであ
る。
半導体レーザと単一モード光フアイバとの結合
系としては種々の方式が考えられているが、結合
系からの反射光が半導体レーザに戻ると半導体レ
ーザの変調特性、スペクトル特性が変化し、光伝
送上の劣化が生じることが知られている。特にフ
アイバ入射面からの反射は戻る割合が高くこの反
射を抑えるような対策が必要となる。従来、フア
イバ入射面からの反射を抑える方法としてはフア
イバの入射面にガラス板を貼りつける方法(a)、フ
アイバの入射面を斜めにする方法(b)等がある。
まず、方法(a)について説明すると、第1図Aに
示すように半導体レーザ1から出射した光ビーム
はレンズ2により単一モード光フアイバ3のコア
4の大きさに合致するように絞られる。光フアイ
バ3の入射面5においては、絞られたビームは最
小になつており、ここで反射したビームは光軸が
入射ビームと一致する限り入射ビームと同じ光路
を通り、半導体レーザ1の出射点に像を結ぶ。そ
こで入射端面5に光フアイバ3と屈折率の近いガ
ラス板6を貼ることにより入射端面の反射率を著
しく軽減する。ガラス板6の入射面7からの反射
はガラス板6の厚だけ結像条件がずれることと、
ガラス板の入射面7が光軸に対し斜めにしてある
ので入射光軸と反射光軸とがずれることによりレ
ーザ出射点に像を結ばない。
従来の方法(b)については第1図Bに示すように
光フアイバ3の入射端面5を光軸に対し斜めとす
る。よつてフアイバ入射端面5からの反射は光軸
がずれるためレーザ出射点とはずれた所に像を結
ぶ。
従来の方法の欠点は方法(a)においては光学研磨
を施したガラス板6が余分に必要なこと、方法(b)
においては光フアイバを斜めに研磨する精密加工
技術が必要になることおよび光フアイバへ斜めに
入射されるので結合効率が悪くなること等があげ
られる。
この発明は特に半導体レーザと光フアイバとの
結合効率が良好な共焦点複合レンズ系において、
余分なガラス板やフアイバ斜め研摩加工技術を使
用せずに光フアイバの入射面からの反射をなくし
た結合装置を提供するものである。
先ず半導体レーザと単一モード光フアイバとを
二つのレンズを用いて結合する共焦点複合レンズ
系について第2図を参照して説明する。即ち第1
レンズ21と第2レンズ22とが半導体レーザ1
と光フアイバ3との間に配される。実験によれば
第1レンズ21は、ルビー、サフアイア、YAG
又はガラスの球レンズがよく、大きさは直径0.7
〜1.0mm程度である。一方、第2レンズ22とし
ては集束形ロツドレンズが適する。
この共焦点レンズ系の配置は第2図Bに示すよ
うに半導体レーザ1と第1レンズ21との間隔
(矢印1と矢印21の間隔)は第1レンズ21の
焦点距離f1、第1と第2レンズの間隔(矢印21
と矢印22の間隔)は両レンズ21,22の焦点
距離の和f1+f2、第2レンズ22と光フアイバ3
との間隔(矢印22と矢印3の間隔)は第2レン
ズ22の焦点距離f2をそれぞれとるようにする。
この場合、半導体レーザ1のビーム径2W0(約
1.5〜3μm)は2つのレンズの焦点距離の比
f2/f1だけ拡大され、矢印3の位置にビーム径
2W1=2W0×(f2/f1)の像を結ぶ。従つて半導体
レーザ1の出力光はf2とf1の比を選ぶことで光フ
アイバ3へ効率よく結合させることができる。実
際には、半導体レーザ1の接合面でのレーザビー
ムはその接合面に垂直方向のビーム半径Wv平行
方向のビーム半径Wpとは異なり、接合面で等価
的ビーム半径W0は√vpで定義される。よ
つて光フアイバ3の導波光ビームの半径をWf
する時、f2/f1とWf/W0とがほぼ等しくなるよ
うにされる。実際の結合系ではf1=0.4〜0.6mm程
度、f2=1.5〜2.0mm程度を選んでおり、第1レン
ズ21および第2レンズ22の間隔は0から2mm
程度まで変えても結合上は問題ない。
ところでこの結合系において光フアイバ3の入
射端面からの反射をなくすためには第1図に示し
たようにガラス板を貼りつけるとかフアイバ入射
端面を斜めにするとかが考えられるが、この発明
では第2レンズとして使用する集束形ロツドレン
ズ22と光フアイバ3とを一体化する。このよう
にすればガラス板を使用するとかフアイバに斜め
研磨を施す等の余分な工程が省けるだけでなく、
結合特性もそこなうことがない。
第3図に集束形ロツドレンズ22を光学接着剤
等を用いて光フアイバ3と一体化した例を示す。
ところが、この例ではロツドレンズ22の出射端
面8に光ビームが最も絞られる点即ちビームウエ
イストW1が位置するように結合系の条件を選ば
ないと光フアイバ3へ効率よく結合しない。現実
にはビームウエイストの位置は使用するロツドレ
ンズ22の集束パラメータのばらつきや半導体レ
ーザ1と第1レンズ21との距離のばらつきで変
化する。特に半導体レーザ1と第1レンズ21の
距離の変化に対して変換された像の倍率(f2
f1)の2乗を乗じた位置の変化が生じることを理
論的に導出した。したがつて第3図に示した構成
を実現するためには半導体レーザ1と第1レンズ
21との取りつけ距離のバラツキに応じて、ロツ
ドレンズ22の長さを調整しなければならなく、
製作性や歩留りが悪くなるという欠点がある。ロ
ツドレンズ22と光フアイバ3とが一体化されて
いると、前記長さの調整の代りに第1レンズ21
と第2レンズ22との距離を調整することも考え
られるが、この場合はビームウエイストの位置は
ロツドレンズ22の出力端面からあまり変動しな
いことを確認している。
第4図はこの発明の一実施例を示し、この例で
は第2レンズ22は2つのほぼ等しい長さのロツ
ドレンズ23,24に分割構成する。両者のロツ
ドレンズ23,24の長さの和は所望の焦点距離
f2を得るロツドレンズ長にしてある。第1レンズ
21側のロツドレンズ23は固定しておき、光フ
アイバ3側のロツドレンズ24は光学接着剤等を
用いて光フアイバ3と一体化して前後に動かせる
ようにしてある。ビームウエイストの位置はロツ
ドレンズ23,24の間隔dをかえることで、ロ
ツドレンズ24の光フアイバ側端面8から光軸方
向に動かすことができる。
第5図は0.11ピツチのロツドレンズ(日本板硝
子社製SLW1.8タイプ)を2個用い、両者の間隔
dに対して、ロツドレンズ24の端面8からビー
ムウエイストまでの距離xを計算した値を実線で
示す。但し平行ビームが入射したと仮定した。こ
の例から間隔dを△dかえることで距離xが△x
=−△d/2だけ調整できることがわかる。即
ち、第1レンズ21を半導体レーザ1に取りつけ
る際、距離のバラツキがあつて平行ビームからず
れても間隔dをかえてロツドレンズ24の出力端
面8にビームウエイストをもつてくることができ
る。平行ビームより広がり傾向の時はdを大き
く、収束される傾向の時はdを小さくすればよ
い。なお、dをかえると第2レンズ21としての
焦点距離が変るが、その変化を第5図の破線で示
す。この例では1mmの間隔を設けると約3割焦点
距離が長くなるが光フアイバ3に対する結合の上
ではあまり問題にならない。
次にこの発明の第4図に示した実施例ではロツ
ドレンズ23と24の間に新たに反射面9および
10ができる。しかしこれらの面による反射光は
ロツドレンズ23の入射面11に達するとロツド
レンズ24の出射面8における透過ビームと同様
に10μm程度に絞られる。この移されたビームは
半導体レーザ1の出射ビームよりも例えば10倍程
度大きい、したがつて第1レンズ21を通過する
と反射ビームはほぼ平行ビームに拡大変換され、
半導体レーザ1の発光径に比べて十分大きくなる
ので、この反射ビームは半導体レーザ1にほとん
ど影響をおよぼさない。なおロツドレンズ23の
入射面11における反射はその方向を入射光に対
してわずかに例えば0.5度傾むけるだけで半導体
レーザ1への結合を1%以下にすることができ
る。フアイバ入射面における反射率はロツドレン
ズを一体化しない場合は3.4%あるが、屈折率1.6
または1.55のロツドレンズをつけると、それぞれ
0.24%および0.12%に減少させることができる。
つまりこの発明では結合用に使用するロツドレ
ンズ22を分割して一つはフアイバ入射端面の反
射率を減少させるのに使用するとともに、分割し
た二つのロツドレンズ間の距離を調整することで
光フアイバとの結合を最適にするようにはかつた
ものである。
以上説明したようにこの発明の特長としてフア
イバ入射端面の反射対策と結合系の光軸方向の調
整ができることが明らかになつたが、この発明に
よれば結合系のトレランスも大きくなるという新
たな特長がある。この点について次に説明する。
光軸に平行方向の結合のトレランスは光フアイバ
だけを動かす場合より約2倍ゆるくなる。これは
第5図から判るように光フアイバにロツドレンズ
24を固定しておくとレンズ間隔dを変えた時、
即ちフアイバを光軸方向に動かした時ビームウエ
イストの動きが1/2になることで説明できる。次
に光軸に垂直方向のトレランスについて考える。
垂直方向のトレランスはロツドレンズ23とロツ
ドレンズ24との間の結合特性を考察すればよ
い。通常この方向のトレランスはガウスビームの
結合で説明できる。例えばスポツトサイズW1
ビーム同志の結合は軸ずれをxとするとその効率
η(x)はη(x)=e×P(−x2/W )で表わ
される。フアイバに入射するガウスビームがフア
イバの固有のスポツトサイズW1と等しい時には
前述の式より±3μmの軸ずれに対して1.6dBの
損失となる。これは第2、第3、第4の各図にお
いてフアイバだけを動かす場合がある。一方、フ
アイバにロツドレンズ24があらかじめ一体化さ
れているとロツドレンズ23と24との結合にな
るが、この時のスポツトサイズが√2倍拡大され
るので±3μmの軸ずれで0.8dBの損失に低減す
る。したがつて光軸に垂直方向のトレランスもこ
の発明によれば緩和することができる。
第6図はこの発明の他の実施例を示す。この例
の結合系も第4図の場合と同様に半導体レーザチ
ツプ1、第1レンズである球レンズ21、第2レ
ンズを構成する集束形ロツドレンズ23および2
4、単一モード光フアイバの素線3で構成され
る。半導体レーザチツプ1はヒートシンク110
にマウントされており、ヒートシンク110に
は、球レンズ21をハンダ固定した球レンズホル
ダ211を融剤(例えばAu・Sn半田や低融点半
田)を用いて固定してある。ヒートシンク110
は支持体112に固定され、信頼性を確保するた
めヒートシンク110、ホルダ211を含み半導
体レーザ1を、サフアイア窓111付きのキヤツ
プ112で気密封止してある。通常キヤツプ11
2で覆つた半導体レーザのハウジングをパツケー
ジと呼んでいるが、この例のパツケージは球レン
ズ21を内蔵している。
さらに、サフアイア窓111は光軸(半導体レ
ーザ1の出力光が出てくる方向)に対してわずか
に傾むけてあり、窓111からの反射が半導体レ
ーザ1に戻らないようにしてある。ロツドレンズ
23はホルダ231に固定されており、このホル
ダ231ごとキヤツプ112に貼りつけてある。
この時、光軸とロツドレンズ23の中心軸とが一
致するように調整する。光フアイバは通常125μ
mの外径を有しており、保護のため直径が0.9mm
程度のナイロンで被覆されている。この状態を心
線と呼び、被覆されてない状態を素線と呼んでい
る。ところで半導体レーザ1との結合を安定にす
るためには素線30をしつかりと固定する必要が
ある。このため、内径がフアイバ外径125μmよ
り数μm大きい内径を有するキヤピラリ301の
中にフアイバ素線30を通しており、キヤピラり
301はフアイバ心線31とともにパイプ302
の中に接着剤を用いてとめてある。したがつてパ
イプ302にはフアイバがしつかりととめられて
おり、パイプに入れた状態でフアイバの端面研磨
をすることができる。
パイプ302の先には、ロツドレンズ24が光
学接着剤を使つて貼りつけられており、ロツドレ
ンズ24の中心軸がフアイバのコアの軸と一致す
るように、あらかじめ調整をしている。ここで半
導体レーザ1を発振させて、フアイバ内にパワー
が最大にはいるように光軸方向と光軸に垂直方向
との調整を行なう。図に示したように、フアイバ
の先端にロツドレンズ24が一体化されたパイプ
302は外わく303の中にすべりこませてい
る。外わく303の内径とパイプ302の外径は
殆んど遊びがないように仕上げてガタつきがない
ようにしてある。両者のすべりを滑らかにするに
はあらかじめ固定用の接着剤を外わくの内にぬつ
ておればよい。光軸方向の調整は外わく303を
キヤツプ112に押しつけた状態でパイプ302
を前後に動かせばよい。これと同時に外わく30
3はキヤツプ112に接着剤を介して押しつけつ
つ、接触面ですべらせながら面内調整を行なう。
フアイバ出力端から最大の光が取り出される状態
を確認しつつ、接着剤の固化するのを持つ。
所で、光フアイバ心線31は引つ張り強度が小
さいのでケブラー32を介して直径3mm程度の
PVCが被覆されている。ここでケブラー32を
ケブラー押え321を介して外わく303に固定
すればPVCで被覆された光フアイバ(通常光フ
アイバコードと呼ぶ)33を引つぱつても光フア
イバ心線31には直接力が加わらなく信頼性の向
上がはかれる。
以上説明したように、この発明は半導体レーザ
と光フアイバとの結合効率の高い複合レンズ系に
おいて、第2レンズとして使用する集束形ロツド
レンズを分割して、その内の1つを光フアイバ入
射端面に貼りつけるようにしているので、反射の
影響が顕著なフアイバ入射面からの反射を抑える
ことができるとともに、結合特性から見てもフア
イバの軸合せ精度が緩和される利点がある。この
結合系は単一モードフアイバ用だけでなく、多モ
ードフアイバ用にも適用でき、結合系における反
射を十分に小さくできるので反射による信号劣化
の顕著な半導体レーザのアナログ伝送用モジユー
ルにも使用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図A及びBはそれぞれ反射対策を施した従
来の半導体レーザと光フアイバとの結合系を示す
構成図、第2図は共焦点複合レンズ系を説明する
構成図および原理図、第3図は複合レンズ系にお
いてフアイバ入射端の反射を除くようにした一構
成を示す図、第4図はこの発明の一実施例を示す
構成図、第5図はこの発明の結合条件を説明する
計算例を示す図、第6図はこの発明の具体的な構
成例を示す側断面図である。 1:半導体レーザ、2:結合用レンズ、3:単
一モード光フアイバ、4:光フアイバのコア、
5:光フアイバの入射面、6:反射除去用のガラ
ス板、7:ガラス板の入射面、21:複合レンズ
系の第1レンズとなる球レンズ、22:複合レン
ズ系の第2レンズとなる集束形ロツドレンズ、2
3,24:複合レンズ系の第2レンズとなる二つ
の集束形ロツドレンズ、110:半導体レーザの
ヒートシンク、111:半導体レーザパツケージ
のサフアイア窓、112:半導体レーザパツケー
ジのキヤツプ、210:球レンズホルダ、23
1:第1のロツドレンズホルダ、30:単一モー
ド光フアイバ素線、31:光フアイバ心線、3
2:ケブラー、33:光フアイバコード、30
1:素線を保持するキヤピラリ、302:キヤピ
ラリと心線を固定するパイプ、303:パイプ、
321:ケブラー押え。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体レーザチツプ、第1レンズ、第2レン
    ズおよび光フアイバをこの順序に配置して、半導
    体レーザと光フアイバとを結合させる結合装置に
    おいて、前記第2レンズと前記第1レンズとの焦
    点距離の比を、前記光フアイバを導波する光ビー
    ムのビーム半径と前記半導体レーザの接合面に垂
    直方向および平行方向のビーム半径の相乗平均と
    の比にほぼ等しくするとともに、前記第2レンズ
    として、焦点距離が前記の条件を満たす集束形ロ
    ツドレンズを複数個分割しておき、前記光フアイ
    バに最も近い集束形ロツドレンズを光フアイバ入
    射端面に光学接着剤を介して貼りつけたことを特
    徴とする半導体レーザと光フアイバとの結合装
    置。
JP9622181A 1981-06-22 1981-06-22 Coupler for semiconductor laser and optical fiber Granted JPS57211288A (en)

Priority Applications (1)

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JP9622181A JPS57211288A (en) 1981-06-22 1981-06-22 Coupler for semiconductor laser and optical fiber

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JPS57211288A JPS57211288A (en) 1982-12-25
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JPS5873170A (ja) * 1981-10-27 1983-05-02 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
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JPH07117625B2 (ja) * 1988-09-19 1995-12-18 日本電気株式会社 半導体レーザモジュール

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