JPS5873170A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS5873170A JPS5873170A JP56171807A JP17180781A JPS5873170A JP S5873170 A JPS5873170 A JP S5873170A JP 56171807 A JP56171807 A JP 56171807A JP 17180781 A JP17180781 A JP 17180781A JP S5873170 A JPS5873170 A JP S5873170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- vessel
- window member
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000007575 Calluna vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 235000003332 Ilex aquifolium Nutrition 0.000 description 1
- 235000002296 Ilex sandwicensis Nutrition 0.000 description 1
- 235000002294 Ilex volkensiana Nutrition 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010041235 Snoring Diseases 0.000 description 1
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
(])発明の技術分野
本発明は半導体発光装置に関し、特に、光通信もしくは
計測、制御等において光源として使用される発光ダイオ
ード装置の樽故に関する。 (2)技術の背景 平面発光型の発光ダイオードにおいては放射強度分布工
(θ)が で表される。IOは0−0(光軸方向)の放射強度であ
る。通常発光ダイオードに用いられる結晶では屈折率が
3以上と大きなため。 ■(θ) = 工(1cs+6 と近似される。この余弦法則に従う光源はランバート光
源(拡散面光源もしくは等輝度光源ともいう)と呼ばれ
る。たとえばI (60’) =IO/2であり、指向
特性は悪い。このため、発光光を平行ビームにする、焦
点を結ばせる(点スポットにする)など、光ファイバと
の高効率結合や、計測・制御の用途に対しては、もしく
はインジケータとしてみかけの光源サイズを大きくする
などのためには、発光ダイオード素子の発光面上に光学
レンズの配設が不h」欠である。 (3)従来技術と問題点 かかる光学レンズとして透明球が付加された発光ダイオ
ード素子の構成IP!1図に示す。 同図において、11はN型ガリウムーアルンニウム・砒
素(Ga”−x Alx As 、 X=0.5〜0.
25 )層、12はガリウム・砒素活性層、13はP型
ガリウム・アルミニウム・砒素(GaOTA103As
)j曽、]4は二酸化/リコン(S10χ)等か6なる
絶縁皮暎、15V′iN側電極、16はP側亀椿。 17F′iP側電極兼故熱寛檜であるっそして18HN
illj己N>ガリウム・アルミニウム・砒素層11表
向上に例えばエポキシ糸明脂等の明噌19によって同定
されたガラス等からなる透明球である。 かかる構造eこ分いて、透明′f*I8がその中、1.
・と発光ダイオード系子の衣mIにンよば車内な発六光
軛1Lとが一致するように、HつN4ノガリウム・アル
ミニウム・6比率層】1の屈折率をn(、とし、樹)(
斤]9のノ用折穎全n1 とし、Ngyガリウム・アル
ミニウム・砒素層11の表面から透明β)ζ]8の頂点
A壕での1計を11とし、更に屍光都20からNuガリ
ウム・アルミニウム・tihXImzの衣…1までのh
+!離io とする時に全党名ム20から透明球の也点
Aまでの1陥A ト”が→ n 1Al”l−ユto+ 1、 とll7)ように、該発光タ゛イオード素子Jニジζ配
前固辱!さ7L tLげ、当肋イれ光ダイオード素子の
出力t1は丸物】LとゝFイ■すなわち次面11tcは
ぼ垂直な光として出力される。 ここでドぽ↑&(脂(屈折in+)19と透明球(1+
+tl[牽+17) ] 8とによる光学系の焦点の位
迩である。 しかじな−り;ら第2図に小されるようVC5透明球】
8が千の中心を発光ダイオード素子の次面Iこほぼ車間
な光電光軸りから1−寄して配置固斬された場合前(・
こは、光tbl+ L ′ 並びに出力光1′Pi F
+TI N[l薯、軸りと(は異った方向となる。この
之めかかる4鳴合1・Cは当該発光タイオード素子と九
ファイバ等の光伝送路との光q的結合が良好に行lわれ
ない。 したが〕て、すIJ記秀明坪18を発光ダイオード素子
衣[11]・/)弁光光軸上eこ正確に自11道固庸す
るためVC,並びにi、亥透明体18の沫J守並びに固
増全村なうために、イ丘貝が用いられるが、微小な4q
明球全仏う′N3其の使用は作条を煩粗イヒしてしまっ
。 (4)発1す・の目的 木梵ゆ(はかかる透明球を廟する半導体兄九タイオード
素子金光放田用窓を廟する気密刺止谷器VC収各する除
、当に9気臂t !jr 41粕齢からの放射光光がハ
T定の光軸Vこ沿って放射され侍る@敢を彷供しようと
するものである。 (5)発明の画成 このため、不屈明に工れぼ、丸Jn u3用開[−]紮
倫えた′A省月止谷七1叶わC,兄元+111土Vこ透
明球が配設4れた半導体発光素子が収容されてなる半導
体発光装h゛において、i・j記九故出1−1−1開口
が、少くともji!J F+に#′:胃体発元素子側V
こ突mする勢がjftl状表[IllをイJするニア3
部杓によつ−CC14t
計測、制御等において光源として使用される発光ダイオ
ード装置の樽故に関する。 (2)技術の背景 平面発光型の発光ダイオードにおいては放射強度分布工
(θ)が で表される。IOは0−0(光軸方向)の放射強度であ
る。通常発光ダイオードに用いられる結晶では屈折率が
3以上と大きなため。 ■(θ) = 工(1cs+6 と近似される。この余弦法則に従う光源はランバート光
源(拡散面光源もしくは等輝度光源ともいう)と呼ばれ
る。たとえばI (60’) =IO/2であり、指向
特性は悪い。このため、発光光を平行ビームにする、焦
点を結ばせる(点スポットにする)など、光ファイバと
の高効率結合や、計測・制御の用途に対しては、もしく
はインジケータとしてみかけの光源サイズを大きくする
などのためには、発光ダイオード素子の発光面上に光学
レンズの配設が不h」欠である。 (3)従来技術と問題点 かかる光学レンズとして透明球が付加された発光ダイオ
ード素子の構成IP!1図に示す。 同図において、11はN型ガリウムーアルンニウム・砒
素(Ga”−x Alx As 、 X=0.5〜0.
25 )層、12はガリウム・砒素活性層、13はP型
ガリウム・アルミニウム・砒素(GaOTA103As
)j曽、]4は二酸化/リコン(S10χ)等か6なる
絶縁皮暎、15V′iN側電極、16はP側亀椿。 17F′iP側電極兼故熱寛檜であるっそして18HN
illj己N>ガリウム・アルミニウム・砒素層11表
向上に例えばエポキシ糸明脂等の明噌19によって同定
されたガラス等からなる透明球である。 かかる構造eこ分いて、透明′f*I8がその中、1.
・と発光ダイオード系子の衣mIにンよば車内な発六光
軛1Lとが一致するように、HつN4ノガリウム・アル
ミニウム・6比率層】1の屈折率をn(、とし、樹)(
斤]9のノ用折穎全n1 とし、Ngyガリウム・アル
ミニウム・砒素層11の表面から透明β)ζ]8の頂点
A壕での1計を11とし、更に屍光都20からNuガリ
ウム・アルミニウム・tihXImzの衣…1までのh
+!離io とする時に全党名ム20から透明球の也点
Aまでの1陥A ト”が→ n 1Al”l−ユto+ 1、 とll7)ように、該発光タ゛イオード素子Jニジζ配
前固辱!さ7L tLげ、当肋イれ光ダイオード素子の
出力t1は丸物】LとゝFイ■すなわち次面11tcは
ぼ垂直な光として出力される。 ここでドぽ↑&(脂(屈折in+)19と透明球(1+
+tl[牽+17) ] 8とによる光学系の焦点の位
迩である。 しかじな−り;ら第2図に小されるようVC5透明球】
8が千の中心を発光ダイオード素子の次面Iこほぼ車間
な光電光軸りから1−寄して配置固斬された場合前(・
こは、光tbl+ L ′ 並びに出力光1′Pi F
+TI N[l薯、軸りと(は異った方向となる。この
之めかかる4鳴合1・Cは当該発光タイオード素子と九
ファイバ等の光伝送路との光q的結合が良好に行lわれ
ない。 したが〕て、すIJ記秀明坪18を発光ダイオード素子
衣[11]・/)弁光光軸上eこ正確に自11道固庸す
るためVC,並びにi、亥透明体18の沫J守並びに固
増全村なうために、イ丘貝が用いられるが、微小な4q
明球全仏う′N3其の使用は作条を煩粗イヒしてしまっ
。 (4)発1す・の目的 木梵ゆ(はかかる透明球を廟する半導体兄九タイオード
素子金光放田用窓を廟する気密刺止谷器VC収各する除
、当に9気臂t !jr 41粕齢からの放射光光がハ
T定の光軸Vこ沿って放射され侍る@敢を彷供しようと
するものである。 (5)発明の画成 このため、不屈明に工れぼ、丸Jn u3用開[−]紮
倫えた′A省月止谷七1叶わC,兄元+111土Vこ透
明球が配設4れた半導体発光素子が収容されてなる半導
体発光装h゛において、i・j記九故出1−1−1開口
が、少くともji!J F+に#′:胃体発元素子側V
こ突mする勢がjftl状表[IllをイJするニア3
部杓によつ−CC14t
【てlる半轡体発光装賑が抜し
くされる。 (6)発明の実施例 以下本)と明を失色ν(1ケもって杆軸に4兄ψ4する
、3第5図は4へ9.−明(・乙よる牛専俸冗芳;裟輿
の情り又をボテ。 1ム1区にb−いt、31 riブ1えは1、−二ノケ
ル汀缶かりhv衣市:かτメッキ延れ之谷器基体(ステ
1. )1.12を一ユM’lI h己各器へ体:目上
に載1錠され’Jll 卜4す1.・ツ・bln−、!
れて出V柊ンN基体に1r・1増された/′リシンセ、
・よりなるシリコン(Si) Vプマウント、33はM
’14 ji己ブフ゛マウント32上に軟質さ扛力+1
p\欠1.九が加rg71で固層されたづ6九タイオー
ド系子、341ま前記発光ダイオード素子33の発′j
′1.曲土にエポキシ糸「44す」樹脂35VCよって
同★された例えはサファイアからなる透明球でおる。 かかる、・?4明坏34は痺り述のり1」<レンズを構
成する。ここでンリコンップマウント32fま容器基体
3】と1141のくしと反応して金−シリコン合金が形
bλをれることによシ向あされ、舊た発光タイオードオ
、子33はでの′l1lL極全構成する金とシリ) 7
97’マウ71・32とが反しシ、、 L’t <?−
シリコン15舎が形by、されることによ一リli’i
l看される。 −t i 、 、3b、]、36biよ狗す111
シ 谷<ttが’A: 3 ] Vこ肢けられた
真通孔VC,ガラス37によって桶立ml 4 ’、
; ノ11−りL )ti+ ’r七先ン品子、 3
8 a、 38bi>↓悶′1」1外部接続端子
と発光ダイオード系子:33の電極とを111気的に払
紺するリード紛でbる。 ここでリード糾3゛8bは^+Jg已弁光ダイオード素
子33が塔載固着さt]たサブマウント32衣閣におい
て、@光ダイオード素子33の固潰部から導出蝋在され
た電極層に接鼾左されるっψに、39に光砂埠1用開口
40金有1〜て1紀容器基体31に固着された気W)封
旧用肯(キヤ、プ)、41け前記光放引用開[140を
刺止する例えばガラス材からなる窓N’Uで力る。かか
る気密封止用恰39も例えば跣−二、ケル台金から*成
され、る。 本発明によれば、前記窓部材4]が%例えば発光ダイオ
ード索子33方向VC妹[11状(こ凸とされ、当該発
光ダイオード素子33から弁ぜらハ透明球34甲を透過
した光に対してレンズ作用(効果)を早する。かかる窓
部ゼ41ぴ)レンズ作鵬Vこよって、81]記タ明〒木
34ゲ透居した九に付して光軸の補正がなさ71.る。 すなわち、第4図にボされるように、MンFから傾角ψ
を山してhx付了され、ノ出肋4・n?イ〕する半球状
の透明体45の例えば坊面に対し2人I′It角θ1で
入射した光は、該半球状透明体45内にj?いて θ+
’ (sinθ1 ’:: I+ 3111θ3′)
に屈折し、当該半球状透明1杢45の平面に入射角θ2
でヂリ運する。ナして当該牛坏状趨明14.45の平面
からψ(hu+ψ’=n<o+θ寞)の傾きをもって放
出される。 したがってψ〉ψ′ となり、^II配光源Pからの発
光角の仙きは減少して、透明体45から放出される。 第5[ン1は5前陀千球状透明体45(半径r)のJ目
点から距lll′itZ峡れた位彎Pから角度(傾き)
ψをもってriン出された光の、当該半球状透明体45
辿づ後の角度ψノの値カ、す。(ただし、半球状透明体
45の屈折率をn=1.5とした。)同図において曲1
14a、b、c、dはそれぞれ。 Z/r=’0.5,1.0,15,2.0 (fcだし
Z r、r半球状r・7明t1〜のJ貝点から光θ、l
)テでの耐1岨、rに半球4.(キ明俸の曲率半径)と
した場合のψ′の変化を示す。 なお破線Sで示す1](Lは、透明体45が平村士板の
場合を示す。 同図から明らかかように、ψlはψに7・Jシ明らかに
減少する。例えば7. / r == 2.0とした場
合、ψ=0〜5°の角度ズレVこ7j して補正された
角度ψlは02°以下と/J%さい。また7、/、r=
1.5とした猶6・、鳥屋スレψ5−17.5’筐−C
1神正、角度ψlは2°以内Vこ納めること力;できる
。 なお、11j記半球状透明体の頂点力1ら、その曲率半
径rの1.5〜2倍の距離に光@P力;配置されれば、
かかる半球状透叩」体は#、画面状限らtしず、回転双
曲面状の窓中面を有するものであってもよい。かかる回
転−双曲面状の窓出面を壱゛すとかで舞る。 また1本発明によれば、@切\のμ口く半球状透明体を
用いて隻・出バの放出角を神+tEi−侍る伸、、当該
R出光のhν出やムカ(り角?み、イヒせしめることが
できる。すなわち的記第5凶カシら明ら力\々ようにψ
がめるI+ti以上Vこなるとψ’ l’ij’j (
−)の顎き音生ずる。したがって、轟該半球状透明体全
透過した光Vi集束傾向を有する。 このため、前記第1図あるいは第2図に示される発光ダ
イオード素子構成おっては、平行な光栄(ビーム)を得
る之めには透明球の焦点に発光ダイオード素子の発光部
を位tJl+!ニジめる必要がおったものが、前記半球
状透明体の集束作用を第11用すれば、前記透明球と発
光ダイオード素子との位置合わせを厳密に行がう必要性
が低下する。 (7)発明の効果 V上のように1本発明によれば1発光ダイオード素子と
当該発光ダイオード素子上に配設される透明球レンズ体
を含む半導体発光装置において、前記透明球レンズ体を
透過して傾斜し走光の光−、全補正することができ、目
つ当該光の拡がシf抑制することができ、約骸発光夕”
イオード素子の発芳光を惨めで不動に光7アイノ1等に
伝岸することができる。 なお前記実施例にあっては、気V!刺止用金に設けられ
た光放射用開口を封止する窓部材としめるいはメニスカ
スレンズを通用してもよいことはもちろんでおる。
くされる。 (6)発明の実施例 以下本)と明を失色ν(1ケもって杆軸に4兄ψ4する
、3第5図は4へ9.−明(・乙よる牛専俸冗芳;裟輿
の情り又をボテ。 1ム1区にb−いt、31 riブ1えは1、−二ノケ
ル汀缶かりhv衣市:かτメッキ延れ之谷器基体(ステ
1. )1.12を一ユM’lI h己各器へ体:目上
に載1錠され’Jll 卜4す1.・ツ・bln−、!
れて出V柊ンN基体に1r・1増された/′リシンセ、
・よりなるシリコン(Si) Vプマウント、33はM
’14 ji己ブフ゛マウント32上に軟質さ扛力+1
p\欠1.九が加rg71で固層されたづ6九タイオー
ド系子、341ま前記発光ダイオード素子33の発′j
′1.曲土にエポキシ糸「44す」樹脂35VCよって
同★された例えはサファイアからなる透明球でおる。 かかる、・?4明坏34は痺り述のり1」<レンズを構
成する。ここでンリコンップマウント32fま容器基体
3】と1141のくしと反応して金−シリコン合金が形
bλをれることによシ向あされ、舊た発光タイオードオ
、子33はでの′l1lL極全構成する金とシリ) 7
97’マウ71・32とが反しシ、、 L’t <?−
シリコン15舎が形by、されることによ一リli’i
l看される。 −t i 、 、3b、]、36biよ狗す111
シ 谷<ttが’A: 3 ] Vこ肢けられた
真通孔VC,ガラス37によって桶立ml 4 ’、
; ノ11−りL )ti+ ’r七先ン品子、 3
8 a、 38bi>↓悶′1」1外部接続端子
と発光ダイオード系子:33の電極とを111気的に払
紺するリード紛でbる。 ここでリード糾3゛8bは^+Jg已弁光ダイオード素
子33が塔載固着さt]たサブマウント32衣閣におい
て、@光ダイオード素子33の固潰部から導出蝋在され
た電極層に接鼾左されるっψに、39に光砂埠1用開口
40金有1〜て1紀容器基体31に固着された気W)封
旧用肯(キヤ、プ)、41け前記光放引用開[140を
刺止する例えばガラス材からなる窓N’Uで力る。かか
る気密封止用恰39も例えば跣−二、ケル台金から*成
され、る。 本発明によれば、前記窓部材4]が%例えば発光ダイオ
ード索子33方向VC妹[11状(こ凸とされ、当該発
光ダイオード素子33から弁ぜらハ透明球34甲を透過
した光に対してレンズ作用(効果)を早する。かかる窓
部ゼ41ぴ)レンズ作鵬Vこよって、81]記タ明〒木
34ゲ透居した九に付して光軸の補正がなさ71.る。 すなわち、第4図にボされるように、MンFから傾角ψ
を山してhx付了され、ノ出肋4・n?イ〕する半球状
の透明体45の例えば坊面に対し2人I′It角θ1で
入射した光は、該半球状透明体45内にj?いて θ+
’ (sinθ1 ’:: I+ 3111θ3′)
に屈折し、当該半球状透明1杢45の平面に入射角θ2
でヂリ運する。ナして当該牛坏状趨明14.45の平面
からψ(hu+ψ’=n<o+θ寞)の傾きをもって放
出される。 したがってψ〉ψ′ となり、^II配光源Pからの発
光角の仙きは減少して、透明体45から放出される。 第5[ン1は5前陀千球状透明体45(半径r)のJ目
点から距lll′itZ峡れた位彎Pから角度(傾き)
ψをもってriン出された光の、当該半球状透明体45
辿づ後の角度ψノの値カ、す。(ただし、半球状透明体
45の屈折率をn=1.5とした。)同図において曲1
14a、b、c、dはそれぞれ。 Z/r=’0.5,1.0,15,2.0 (fcだし
Z r、r半球状r・7明t1〜のJ貝点から光θ、l
)テでの耐1岨、rに半球4.(キ明俸の曲率半径)と
した場合のψ′の変化を示す。 なお破線Sで示す1](Lは、透明体45が平村士板の
場合を示す。 同図から明らかかように、ψlはψに7・Jシ明らかに
減少する。例えば7. / r == 2.0とした場
合、ψ=0〜5°の角度ズレVこ7j して補正された
角度ψlは02°以下と/J%さい。また7、/、r=
1.5とした猶6・、鳥屋スレψ5−17.5’筐−C
1神正、角度ψlは2°以内Vこ納めること力;できる
。 なお、11j記半球状透明体の頂点力1ら、その曲率半
径rの1.5〜2倍の距離に光@P力;配置されれば、
かかる半球状透叩」体は#、画面状限らtしず、回転双
曲面状の窓中面を有するものであってもよい。かかる回
転−双曲面状の窓出面を壱゛すとかで舞る。 また1本発明によれば、@切\のμ口く半球状透明体を
用いて隻・出バの放出角を神+tEi−侍る伸、、当該
R出光のhν出やムカ(り角?み、イヒせしめることが
できる。すなわち的記第5凶カシら明ら力\々ようにψ
がめるI+ti以上Vこなるとψ’ l’ij’j (
−)の顎き音生ずる。したがって、轟該半球状透明体全
透過した光Vi集束傾向を有する。 このため、前記第1図あるいは第2図に示される発光ダ
イオード素子構成おっては、平行な光栄(ビーム)を得
る之めには透明球の焦点に発光ダイオード素子の発光部
を位tJl+!ニジめる必要がおったものが、前記半球
状透明体の集束作用を第11用すれば、前記透明球と発
光ダイオード素子との位置合わせを厳密に行がう必要性
が低下する。 (7)発明の効果 V上のように1本発明によれば1発光ダイオード素子と
当該発光ダイオード素子上に配設される透明球レンズ体
を含む半導体発光装置において、前記透明球レンズ体を
透過して傾斜し走光の光−、全補正することができ、目
つ当該光の拡がシf抑制することができ、約骸発光夕”
イオード素子の発芳光を惨めで不動に光7アイノ1等に
伝岸することができる。 なお前記実施例にあっては、気V!刺止用金に設けられ
た光放射用開口を封止する窓部材としめるいはメニスカ
スレンズを通用してもよいことはもちろんでおる。
$1図及び第2図は、発光ダイオード本子上に透明球レ
ンズを前設する除の光軸の移動状態をd明する側面M、
第3図は本発明による半導体発光装置の構成を示す1チ
面図、第4図及び琳51Aは不発明による半導体発光装
置における光−の補正状態を示す曲線図(グラフ)であ
る。 図において、31・・・簀器基体 33・・・発光ダイオード!子 34・・・透明球 41・・・窓部材
ンズを前設する除の光軸の移動状態をd明する側面M、
第3図は本発明による半導体発光装置の構成を示す1チ
面図、第4図及び琳51Aは不発明による半導体発光装
置における光−の補正状態を示す曲線図(グラフ)であ
る。 図において、31・・・簀器基体 33・・・発光ダイオード!子 34・・・透明球 41・・・窓部材
Claims (1)
- 光放出用開口を備えた気密刺止容器内に、発光面上に透
明球が配設された半導体発光素子が収容されてなる半導
体発光装置において、前記光放出用開口が、少くとも前
記半導体発光素子側に突出する略球面状表面を有する窓
部材によって刺止されてなることを%徴とする半導体発
光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56171807A JPS5873170A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56171807A JPS5873170A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5873170A true JPS5873170A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=15930081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56171807A Pending JPS5873170A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5873170A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62111481A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオ−ド |
EP0308749A2 (de) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrooptische Baugruppe |
JP2002359403A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
WO2011144522A1 (de) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtvorrichtung |
DE102011076122A1 (de) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Olympus Winter & Ibe Gmbh | Dampfsterilisierbare Lichtquelle |
EP1093765B2 (en) † | 1999-10-20 | 2013-04-03 | Nakanishi Inc. | Lighting device for dental or medical instrument |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50110703A (ja) * | 1974-02-06 | 1975-09-01 | ||
JPS552296A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-09 | Philips Nv | Optical combined element |
JPS566481A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
JPS5647015A (en) * | 1979-09-27 | 1981-04-28 | Anritsu Corp | Coupling method of light emitting element and optical fiber |
JPS57192096A (en) * | 1981-05-21 | 1982-11-26 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
JPS57199277A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-07 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous elements and manufacture thereof |
JPS57211288A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Coupler for semiconductor laser and optical fiber |
JPS57211289A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semicondutor laser coupler for single mode optical fiber |
-
1981
- 1981-10-27 JP JP56171807A patent/JPS5873170A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50110703A (ja) * | 1974-02-06 | 1975-09-01 | ||
JPS552296A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-09 | Philips Nv | Optical combined element |
JPS566481A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
JPS5647015A (en) * | 1979-09-27 | 1981-04-28 | Anritsu Corp | Coupling method of light emitting element and optical fiber |
JPS57192096A (en) * | 1981-05-21 | 1982-11-26 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
JPS57199277A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-07 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous elements and manufacture thereof |
JPS57211288A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Coupler for semiconductor laser and optical fiber |
JPS57211289A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semicondutor laser coupler for single mode optical fiber |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62111481A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオ−ド |
EP0308749A2 (de) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrooptische Baugruppe |
EP0308749A3 (de) * | 1987-09-25 | 1990-07-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrooptische Baugruppe |
EP1093765B2 (en) † | 1999-10-20 | 2013-04-03 | Nakanishi Inc. | Lighting device for dental or medical instrument |
JP2002359403A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
WO2011144522A1 (de) * | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtvorrichtung |
CN102906486A (zh) * | 2010-05-21 | 2013-01-30 | 欧司朗股份有限公司 | 照明装置 |
DE102011076122A1 (de) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Olympus Winter & Ibe Gmbh | Dampfsterilisierbare Lichtquelle |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4698730A (en) | Light-emitting diode | |
KR20010075353A (ko) | 발광다이오드 | |
JPS5586175A (en) | Photodiode | |
US20180331492A1 (en) | Eye-safe light source | |
JP2003017756A (ja) | 発光ダイオード | |
JPS5873170A (ja) | 半導体発光装置 | |
NO165515C (no) | Monteringssokkel for optisk element. | |
JPS61147585A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
JPH06151972A (ja) | レンズ・オン・チップ型発光装置及びその製造方法 | |
WO2018021414A1 (ja) | アイセーフ光源および電子機器 | |
JPH0750797B2 (ja) | 発光ダイオ−ド | |
JPH0563068U (ja) | 樹脂封止型発光体 | |
JPS6025914B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JPS59121985A (ja) | 反射電極型半導体発光素子 | |
JP4356138B2 (ja) | 点光源発光ダイオード装置 | |
JPS6352491A (ja) | パツケ−ジ部品およびこれを用いた光電子装置 | |
JPS59112668A (ja) | 発光ダイオ−ド装置 | |
JPS59124179A (ja) | 発光ダイオ−ド装置 | |
JPS5815287A (ja) | 光半導体装置 | |
JPS59149072A (ja) | 発光半導体装置 | |
US20220293824A1 (en) | Ultraviolet led device | |
JPS59222974A (ja) | 光半導体装置 | |
JPS5925284A (ja) | 光半導体装置 | |
JPS5844780A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2002009345A (ja) | Ledランプ |