JPS6249989B2 - - Google Patents
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- JPS6249989B2 JPS6249989B2 JP54087022A JP8702279A JPS6249989B2 JP S6249989 B2 JPS6249989 B2 JP S6249989B2 JP 54087022 A JP54087022 A JP 54087022A JP 8702279 A JP8702279 A JP 8702279A JP S6249989 B2 JPS6249989 B2 JP S6249989B2
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- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマルチチツプLSIパツケージに関し特
に入出力端子の取出し構造に関する。
に入出力端子の取出し構造に関する。
一般に、マルチチツプLSI用セラミツク配線基
板の製造方法には、次に示す2つの製造方法があ
る。第1は、セラミツク基板上に厚膜または薄膜
の技術を使用して配線層および絶縁層を交互に積
層していく製造方法である。
板の製造方法には、次に示す2つの製造方法があ
る。第1は、セラミツク基板上に厚膜または薄膜
の技術を使用して配線層および絶縁層を交互に積
層していく製造方法である。
第1図および第2図に示す基板はこの製造方法
により製造されたもので、第1図の基板は、日経
マグロウヒル社から1977(昭和52)年4月15日に
発行された刊行物「日経エレクトロニクスNo.
158」の第100頁から第119頁において「大型コン
ピユータの高集積実装技術とその役割Acos77シ
ステム800/900を例として」と題して発表された
論文、IEEEが1977年開催したComputer Society
International Conferenceにおいて「ニユーパツ
ケージング・テクノロジー・フオー・ハネイウエ
ル・ラージスケール・コンピユータシステム
(NEW PACKAGING TECHNOLOGY FOR
HONEYWELL LARGE SCALE COMPUTER
SYSTEN」)と題して発表された論文および1976
年10月に発行された刊行物「IEEE
TSANSACTIONS ON PARTS.VOL.PHP―12.
No.4」の第288頁から第292頁において「ザ・ケー
ス・オブ・マルチチツプ・エルエスアイ・バツケ
ージング・オブ・ハイリライアビリテイ・ミリタ
リイ・エレクトロニクス(The Case for
Multiehip LSI Packaging of High―Reliabity
Military Electronics)」と題して、W.A.
FARRANDにより発表された論文に提案されて
いる。すなわち、これらの基板11から外部に入
出力端子13を出そうとするときには、片面に回
路が構成され基板を貫通して端子を出すことが困
難であるため基板11の周辺に端子13を出す構
成にしてある。また、第2図に示す別の基板は、
マグロウヒル社から1987年9月28日に発行された
刊行物「エレクトロニクス」の第117頁から第125
頁に「パツケージング・テクノロジー・レスポン
ズ・トウ・ザ・デイマンド・フオー・ハイデンシ
テイズ(Packaging technolky responds to the
demand for higer densities)」と題してJerry
Lymanにより発表された論文に提案されている
ように端子23はプリント基板21等に半田付で
接続これらの構子の構造では、基板11および2
1内部の回路14および24を端子13および2
3に引き出すとき、その引出線が長くなり、特
に、高速信号を取扱う場合そこでの遅れが大きく
なるばかりでなく、本端子を負荷とする外部信号
バスへの信号の反射電圧が大きくなるなど波形伝
送に悪影響を与えるという欠点がある。また、電
源を基板11および21の内部へ供給するに当つ
ても端子11および21から内部への距離が長い
ため電圧降下が大きくなるという欠点がある。ま
た、これらの多数の引出線のために、内部回路の
配線レイアウトを困難になるという欠点もある。
により製造されたもので、第1図の基板は、日経
マグロウヒル社から1977(昭和52)年4月15日に
発行された刊行物「日経エレクトロニクスNo.
158」の第100頁から第119頁において「大型コン
ピユータの高集積実装技術とその役割Acos77シ
ステム800/900を例として」と題して発表された
論文、IEEEが1977年開催したComputer Society
International Conferenceにおいて「ニユーパツ
ケージング・テクノロジー・フオー・ハネイウエ
ル・ラージスケール・コンピユータシステム
(NEW PACKAGING TECHNOLOGY FOR
HONEYWELL LARGE SCALE COMPUTER
SYSTEN」)と題して発表された論文および1976
年10月に発行された刊行物「IEEE
TSANSACTIONS ON PARTS.VOL.PHP―12.
No.4」の第288頁から第292頁において「ザ・ケー
ス・オブ・マルチチツプ・エルエスアイ・バツケ
ージング・オブ・ハイリライアビリテイ・ミリタ
リイ・エレクトロニクス(The Case for
Multiehip LSI Packaging of High―Reliabity
Military Electronics)」と題して、W.A.
FARRANDにより発表された論文に提案されて
いる。すなわち、これらの基板11から外部に入
出力端子13を出そうとするときには、片面に回
路が構成され基板を貫通して端子を出すことが困
難であるため基板11の周辺に端子13を出す構
成にしてある。また、第2図に示す別の基板は、
マグロウヒル社から1987年9月28日に発行された
刊行物「エレクトロニクス」の第117頁から第125
頁に「パツケージング・テクノロジー・レスポン
ズ・トウ・ザ・デイマンド・フオー・ハイデンシ
テイズ(Packaging technolky responds to the
demand for higer densities)」と題してJerry
Lymanにより発表された論文に提案されている
ように端子23はプリント基板21等に半田付で
接続これらの構子の構造では、基板11および2
1内部の回路14および24を端子13および2
3に引き出すとき、その引出線が長くなり、特
に、高速信号を取扱う場合そこでの遅れが大きく
なるばかりでなく、本端子を負荷とする外部信号
バスへの信号の反射電圧が大きくなるなど波形伝
送に悪影響を与えるという欠点がある。また、電
源を基板11および21の内部へ供給するに当つ
ても端子11および21から内部への距離が長い
ため電圧降下が大きくなるという欠点がある。ま
た、これらの多数の引出線のために、内部回路の
配線レイアウトを困難になるという欠点もある。
さらに、該基板11および21とこれを実装す
る、例えば、プリント基板等との接続にコネクタ
を使用する場合、コネクタ構造によつて必要とさ
れる物理的寸法のために該基板側の端子部の面積
を小さくすることができず、そのためにICチツ
プ14および24の実装可能領域が狭められると
いう欠点がある。
る、例えば、プリント基板等との接続にコネクタ
を使用する場合、コネクタ構造によつて必要とさ
れる物理的寸法のために該基板側の端子部の面積
を小さくすることができず、そのためにICチツ
プ14および24の実装可能領域が狭められると
いう欠点がある。
さらに、セラミツク基板11および21に搭載
されるLSIの集積度がそれ程高くないときの端子
数は100〜300個程度であり、端子13および23
の間隔もそれ程小さくならず実現可能であるが、
LSIの集積度が高くなるとセラミツク基板11お
よび21に搭載される回路数が、20000〜40000回
路程度になると、端子数が1000個以上必要とな
る。このような端子構造を第1図および第2図に
示す10cm平方のセラミツク基板11および21に
おいて構成しようとすると、端子13および23
のピツチは0.4mm以下となり、セラミツク基板1
1および21とそれを実装するプリント基板(図
示せず)との接続が非常に困難になる。この欠点
を除去したのが第3図に示すような基板であり、
これは上述の第2の製造方法で実現されている。
この製造方法はマグロウヒル社から1979年2月15
日に発行された刊行物「エレクトロニクス」の第
85頁から第86頁に「IBM・ハズ・ア・メツセー
ジ・ザ4300」と題してAuthony Durniakにより
発表された論文において提案されている。
されるLSIの集積度がそれ程高くないときの端子
数は100〜300個程度であり、端子13および23
の間隔もそれ程小さくならず実現可能であるが、
LSIの集積度が高くなるとセラミツク基板11お
よび21に搭載される回路数が、20000〜40000回
路程度になると、端子数が1000個以上必要とな
る。このような端子構造を第1図および第2図に
示す10cm平方のセラミツク基板11および21に
おいて構成しようとすると、端子13および23
のピツチは0.4mm以下となり、セラミツク基板1
1および21とそれを実装するプリント基板(図
示せず)との接続が非常に困難になる。この欠点
を除去したのが第3図に示すような基板であり、
これは上述の第2の製造方法で実現されている。
この製造方法はマグロウヒル社から1979年2月15
日に発行された刊行物「エレクトロニクス」の第
85頁から第86頁に「IBM・ハズ・ア・メツセー
ジ・ザ4300」と題してAuthony Durniakにより
発表された論文において提案されている。
第3図に示すような基板31では、10cm平行に
0.1″ピツチで端子33を出すと40×40=1600端子
の構成が可能となる。しかし、第3図のようにす
るためにはチツプ34の搭載面、すなわち、配線
面と反対側に端子33を出すために基板31を貫
通させる信号パスを作成する必要があり、この構
成ではセラミツク基板の構成が複雑となり、上述
の第1製造方法ではそのプロセスが非常に複雑と
なるという欠点がある。また、ICチツプ34で
発生する熱を基板31を介して反対側に逃がす一
般的な構造がとりにくく、ICチツプ34の実装
面から大半の熱を逃がさなければならないため放
熱構造が複雑になるという欠点がある。
0.1″ピツチで端子33を出すと40×40=1600端子
の構成が可能となる。しかし、第3図のようにす
るためにはチツプ34の搭載面、すなわち、配線
面と反対側に端子33を出すために基板31を貫
通させる信号パスを作成する必要があり、この構
成ではセラミツク基板の構成が複雑となり、上述
の第1製造方法ではそのプロセスが非常に複雑と
なるという欠点がある。また、ICチツプ34で
発生する熱を基板31を介して反対側に逃がす一
般的な構造がとりにくく、ICチツプ34の実装
面から大半の熱を逃がさなければならないため放
熱構造が複雑になるという欠点がある。
本発明の目的は基板を貫通する配線を不要にし
かつ基板のほぼ全面から端子を出すことができる
マルチチツプLSIパツケージを提供することにあ
る。
かつ基板のほぼ全面から端子を出すことができる
マルチチツプLSIパツケージを提供することにあ
る。
本発明の他の目的は内部回路から端子までの配
線長を短くしたマルチチツプLSIパツケージを提
供することにある。
線長を短くしたマルチチツプLSIパツケージを提
供することにある。
本発明のさらに他の目的は基板上の端子部の占
める面積を小さくしたマルチチツプSIパツケージ
を提供することにある。
める面積を小さくしたマルチチツプSIパツケージ
を提供することにある。
本発明のさらに他の目的はICチツプから発生
した熱をICチツプ実装面の反対側から逃がすこ
とのできるマルチチツプLSIパツケージを提供す
ることにある。
した熱をICチツプ実装面の反対側から逃がすこ
とのできるマルチチツプLSIパツケージを提供す
ることにある。
本発明のさらに他の目的はICチツプの保護が
可能なマルチチツプLSIパツケージを提供するこ
とにある。
可能なマルチチツプLSIパツケージを提供するこ
とにある。
本発明のマルチチツプLSIパツケージは、複数
のICチツプとこれらICチツプのそれぞれに設け
られた端子と電気的に接続される複数の導体回路
部とを有する実装基板と、 前記ICチツプの少なくとも1つを覆うようコ
の字状断面を有し上面に複数の端子部が形成され
かつこれら端子部と電気的接続を行うよう前記上
面および側面に複数の導体パターンが形成された
少なくとも1つのカバーとを含むことを特徴とす
る。
のICチツプとこれらICチツプのそれぞれに設け
られた端子と電気的に接続される複数の導体回路
部とを有する実装基板と、 前記ICチツプの少なくとも1つを覆うようコ
の字状断面を有し上面に複数の端子部が形成され
かつこれら端子部と電気的接続を行うよう前記上
面および側面に複数の導体パターンが形成された
少なくとも1つのカバーとを含むことを特徴とす
る。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第4図a〜fは本発明の第1の実施例を示す図
である。第4図aはマルチチツプLSIパツケージ
のICチツプ実装面側の1部分を切欠いて示した
斜視図である。参照数字41は基板、参照数字4
2は端子部、参照数字43は外部端子の例として
のピン形端子および参照数字44はICチツプを
示したものである。第4図bは第4図aをAA′点
において切断した断面図である。この第4図bか
ら明らかなように、この例では端子部42は複数
個のICチツプを覆う構造をしており、基板41
からの入出力端子はICチツプ実装側全面からほ
ぼ一様に取り出すことができる。また、ICチツ
プ44で発生した熱は基板41を貫通して逃がす
ことができ、例えば、ICチツプ実装面と反対側
に放熱器を取り付ける等の手段で放熱することが
可能である。
である。第4図aはマルチチツプLSIパツケージ
のICチツプ実装面側の1部分を切欠いて示した
斜視図である。参照数字41は基板、参照数字4
2は端子部、参照数字43は外部端子の例として
のピン形端子および参照数字44はICチツプを
示したものである。第4図bは第4図aをAA′点
において切断した断面図である。この第4図bか
ら明らかなように、この例では端子部42は複数
個のICチツプを覆う構造をしており、基板41
からの入出力端子はICチツプ実装側全面からほ
ぼ一様に取り出すことができる。また、ICチツ
プ44で発生した熱は基板41を貫通して逃がす
ことができ、例えば、ICチツプ実装面と反対側
に放熱器を取り付ける等の手段で放熱することが
可能である。
第4図cは端子部42の拡大図であり、基板4
1からピン43への回路の接続の一例を示したも
のである。端子部表面または内部に作られた回路
パターン45により接続が行われている。この例
の場合では端子部は、例えば、パターンを焼付け
たセラミツクでできており基板への取付けは半田
付またはろう付で行われる。
1からピン43への回路の接続の一例を示したも
のである。端子部表面または内部に作られた回路
パターン45により接続が行われている。この例
の場合では端子部は、例えば、パターンを焼付け
たセラミツクでできており基板への取付けは半田
付またはろう付で行われる。
この端子部42の基板への取付においては、信
号の接続と同時にICチツプのシールを兼ねさせ
ることも可能である。
号の接続と同時にICチツプのシールを兼ねさせ
ることも可能である。
第4図dは端子部42とプリント回路基板41
との電気的接続状態を示す斜視図であり、回路パ
ターンは基板1の中に多層化された導体層46を
介してICチツプ44と接続されている。この接
続は、ICチツプ44とそのICチツプ44を覆つ
ている端子部42のピン43との接続のみなら
ず、他の端子部42のピン43との接続もされ
る。
との電気的接続状態を示す斜視図であり、回路パ
ターンは基板1の中に多層化された導体層46を
介してICチツプ44と接続されている。この接
続は、ICチツプ44とそのICチツプ44を覆つ
ている端子部42のピン43との接続のみなら
ず、他の端子部42のピン43との接続もされ
る。
第4図eはこの関係をさらに明確にするための
断面図であり、あるICチツプ44の端子に接続
された導体層はそのICチツプ44を覆つていな
い端子部42のピンチ43に接続されるとともに
その端子部42に覆われているICチツプ44の
端子にも接続されている。
断面図であり、あるICチツプ44の端子に接続
された導体層はそのICチツプ44を覆つていな
い端子部42のピンチ43に接続されるとともに
その端子部42に覆われているICチツプ44の
端子にも接続されている。
第4図fは端子部42の他の実施例を示す図で
ある。この図に示すように、端子部42の上部に
孔46があけられており、この孔46を介して端
子部取付後の洗浄を行い、さらに、ICチツプ保
護のための樹脂を充填する構造にすることもでき
る。
ある。この図に示すように、端子部42の上部に
孔46があけられており、この孔46を介して端
子部取付後の洗浄を行い、さらに、ICチツプ保
護のための樹脂を充填する構造にすることもでき
る。
さて、一般に、外部へ取出す信号端子の数は、
基板上に実装された全回路数に関係する。これ
は、1971年12月に発行された刊行物「IEEE
TRANSACTIONS ON COMPUTERS VOL.C―
20、No.12」の第1469頁〜第1479頁において「オ
ン・ア・ピン・バーサス・ブロツク・リレーシヨ
ンシツプ・フオー・パーテイシヨンズ・オブ・ロ
ジツク・グラフス(On a Pin Versus Block
Relationship For Pavtitions of Logic
Graphs)」と題して発表された論文で述べられて
いるように、一般にレント(Rent)の法則と呼
ばれている経験則 P=KBr……(1)にほぼ従うと考えられている。
基板上に実装された全回路数に関係する。これ
は、1971年12月に発行された刊行物「IEEE
TRANSACTIONS ON COMPUTERS VOL.C―
20、No.12」の第1469頁〜第1479頁において「オ
ン・ア・ピン・バーサス・ブロツク・リレーシヨ
ンシツプ・フオー・パーテイシヨンズ・オブ・ロ
ジツク・グラフス(On a Pin Versus Block
Relationship For Pavtitions of Logic
Graphs)」と題して発表された論文で述べられて
いるように、一般にレント(Rent)の法則と呼
ばれている経験則 P=KBr……(1)にほぼ従うと考えられている。
ここで
Pは必要端子数、
Kは定数、
Bは回路数、
rは定数で一般に0.57〜0.75の間の値をと
る。
る。
従つて、本発明において、基波上に実装されて
いるすべてのICチツプの信号端子数と回路数が
同一と仮定し、 PIcをICチツプの信号端子数、 BIcをICチツプ当りの回路数、 nを1つの端子部に覆われるICチツプの
数、 Nを基板上の端子部の数とすると 端子部当りの必要信号端子数PTは PT=K(nNBIc)r/N=nKBIc r/(n
N)I−r……(2) という式で表わされる。一方、端子部に覆われる
ICチツプの信号端子数の合計は nPIc=nKBIc r ……(3) であるから、端子部当りの信号端子数PTはそれ
に覆われるICチツプの信号端子数の合計1/
(nN)I-r倍となり、例えばn=4,N=9,r=
0.6とすると1/(nN)I-r=1/360.4≒1/4.2とは
るかに少ない端子を出せば良いことになる。この
ことがICチツプを予めケースへ封入し、それを
基板へ実装するような構造に対して本発明構成の
有する大きな利点である。
いるすべてのICチツプの信号端子数と回路数が
同一と仮定し、 PIcをICチツプの信号端子数、 BIcをICチツプ当りの回路数、 nを1つの端子部に覆われるICチツプの
数、 Nを基板上の端子部の数とすると 端子部当りの必要信号端子数PTは PT=K(nNBIc)r/N=nKBIc r/(n
N)I−r……(2) という式で表わされる。一方、端子部に覆われる
ICチツプの信号端子数の合計は nPIc=nKBIc r ……(3) であるから、端子部当りの信号端子数PTはそれ
に覆われるICチツプの信号端子数の合計1/
(nN)I-r倍となり、例えばn=4,N=9,r=
0.6とすると1/(nN)I-r=1/360.4≒1/4.2とは
るかに少ない端子を出せば良いことになる。この
ことがICチツプを予めケースへ封入し、それを
基板へ実装するような構造に対して本発明構成の
有する大きな利点である。
次の本発明の第2の実施例について図面を参照
して説明する。第5図は本発明の第2の実施例を
示す1部分を切欠いて示す斜示図である。同図で
示すように、本実施例での外部端子53はピン方
式でなく、パツド方式である。このように、本発
明は端子そのものの方式には何ら制限を与えるも
のではない。また、端子部52と基板51との回
路の接続も本実施例では端子部52の4側面を使
用せず2面で接続しており、その構造も端子部に
予め固着されたリード57により基板51と接続
するようにしたものである。
して説明する。第5図は本発明の第2の実施例を
示す1部分を切欠いて示す斜示図である。同図で
示すように、本実施例での外部端子53はピン方
式でなく、パツド方式である。このように、本発
明は端子そのものの方式には何ら制限を与えるも
のではない。また、端子部52と基板51との回
路の接続も本実施例では端子部52の4側面を使
用せず2面で接続しており、その構造も端子部に
予め固着されたリード57により基板51と接続
するようにしたものである。
以上、2つの実施例を示したが、端子部52の
形状および構造およびその端子部42の基板51
への固着方法、さらにICチツプ54の基板51
への実装方法に何ら限定されることはないことは
明らかである。
形状および構造およびその端子部42の基板51
への固着方法、さらにICチツプ54の基板51
への実装方法に何ら限定されることはないことは
明らかである。
以上のように、本発明には、マルチチツプ実装
基板においてチツプ実装面積を減らすことなく、
また、放熱特性を損りことなく、短い引出線の多
数の入出力端子を取り出すことができるという効
果がある。また、貫通孔などない比較的簡単な構
造のマルチチツプ実装基板のほぼ全面にわたつて
多数の入出力端子をとり出すことができるという
効果がある。
基板においてチツプ実装面積を減らすことなく、
また、放熱特性を損りことなく、短い引出線の多
数の入出力端子を取り出すことができるという効
果がある。また、貫通孔などない比較的簡単な構
造のマルチチツプ実装基板のほぼ全面にわたつて
多数の入出力端子をとり出すことができるという
効果がある。
第1図から第3図は従来のマルチチツプLSIパ
ツケージの例を示す図、第4図aは本発明の一実
施例を示す斜視図、第4図bは第4図A―A′点
か切断した断面図、第4図cおよび第4図fは第
4図aの端子部の2つの例の拡大図、第4図dは
前記端子部と基板との接続関係を示す図、第4図
eは前記第4図dの接続関係を断面で示す図およ
び第5図は本発明の他の実施例を示す図である。 第1図から第5図において、11,21,3
1,41,51,51,……マルチチツプ実装基
板、42,52……端子部、13,23,33,
43,53……外部端子、14,24,34,4
4,54……ICチツプ、45……端端子部回路
パターン、46……孔子部上部にあけられた孔、
57……リード。
ツケージの例を示す図、第4図aは本発明の一実
施例を示す斜視図、第4図bは第4図A―A′点
か切断した断面図、第4図cおよび第4図fは第
4図aの端子部の2つの例の拡大図、第4図dは
前記端子部と基板との接続関係を示す図、第4図
eは前記第4図dの接続関係を断面で示す図およ
び第5図は本発明の他の実施例を示す図である。 第1図から第5図において、11,21,3
1,41,51,51,……マルチチツプ実装基
板、42,52……端子部、13,23,33,
43,53……外部端子、14,24,34,4
4,54……ICチツプ、45……端端子部回路
パターン、46……孔子部上部にあけられた孔、
57……リード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 複数のICチツプとこれらICチツプのそれぞ
れに設けられた端子と電気的に接続される複数の
導体回路部とを有する実装基板と、 前記ICチツプの少なくとも1つを覆うようコ
の字状断面を有し上面に複数の端子部が形成され
かつこれら端子部と電気的接続を行うよう前記上
面および側面に複数の導体パターンが形成された
少なくとも1つのカバーとを含むことを特徴とす
るマルチチツプLSIパツケージ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8702279A JPS5612760A (en) | 1979-07-10 | 1979-07-10 | Multi chip lsi package |
FR8015245A FR2461361B1 (fr) | 1979-07-10 | 1980-07-09 | Blocs de puces de circuits integres pour circuits logiques |
US06/168,226 US4398208A (en) | 1979-07-10 | 1980-07-10 | Integrated circuit chip package for logic circuits |
DE19803026183 DE3026183A1 (de) | 1979-07-10 | 1980-07-10 | Gehaeuse fuer integrierte logikschaltkreise |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8702279A JPS5612760A (en) | 1979-07-10 | 1979-07-10 | Multi chip lsi package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5612760A JPS5612760A (en) | 1981-02-07 |
JPS6249989B2 true JPS6249989B2 (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13903327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8702279A Granted JPS5612760A (en) | 1979-07-10 | 1979-07-10 | Multi chip lsi package |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4398208A (ja) |
JP (1) | JPS5612760A (ja) |
DE (1) | DE3026183A1 (ja) |
FR (1) | FR2461361B1 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5818951A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-02-03 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体チツプ装着用基板 |
EP0120500B1 (en) * | 1983-03-29 | 1989-08-16 | Nec Corporation | High density lsi package for logic circuits |
DE3435341A1 (de) * | 1984-09-26 | 1986-04-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Einrichtung zum loesbaren befestigen von kuehlkoerpern auf einer mehrzahl von integrierten bausteinen |
US4774630A (en) * | 1985-09-30 | 1988-09-27 | Microelectronics Center Of North Carolina | Apparatus for mounting a semiconductor chip and making electrical connections thereto |
DE3633625A1 (de) * | 1985-12-04 | 1987-06-11 | Vdo Schindling | Traegerplatte |
US4682651A (en) * | 1986-09-08 | 1987-07-28 | Burroughs Corporation (Now Unisys Corporation) | Segmented heat sink device |
JPS6376444A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Nec Corp | チツプキヤリア |
FR2608863B1 (fr) * | 1986-12-19 | 1994-04-29 | Nec Corp | Circuit integre logique comportant des bascules electroniques d'entree et de sortie pour stabiliser les durees des impulsions |
US4805691A (en) * | 1986-12-22 | 1989-02-21 | Sundstrand Corporation | Cooling technique for compact electronics inverter |
US5144412A (en) * | 1987-02-19 | 1992-09-01 | Olin Corporation | Process for manufacturing plastic pin grid arrays and the product produced thereby |
JPS63228206A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Nec Corp | クロツク分配方式 |
US4942497A (en) * | 1987-07-24 | 1990-07-17 | Nec Corporation | Cooling structure for heat generating electronic components mounted on a substrate |
US4918335A (en) * | 1987-11-06 | 1990-04-17 | Ford Aerospace Corporation | Interconnection system for integrated circuit chips |
US4858072A (en) * | 1987-11-06 | 1989-08-15 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Interconnection system for integrated circuit chips |
CA1283225C (en) * | 1987-11-09 | 1991-04-16 | Shinji Mine | Cooling system for three-dimensional ic package |
CA1327710C (en) * | 1987-12-07 | 1994-03-15 | Kazuhiko Umezawa | Cooling system for ic package |
US5040052A (en) * | 1987-12-28 | 1991-08-13 | Texas Instruments Incorporated | Compact silicon module for high density integrated circuits |
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EP0341950B1 (en) * | 1988-05-09 | 1994-09-14 | Nec Corporation | Flat cooling structure of integrated circuit |
US4975766A (en) * | 1988-08-26 | 1990-12-04 | Nec Corporation | Structure for temperature detection in a package |
JPH06100408B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1994-12-12 | 日本電気株式会社 | 冷却装置 |
EP0363687B1 (en) * | 1988-09-20 | 1996-01-10 | Nec Corporation | Cooling structure for electronic components |
US5285012A (en) * | 1992-02-18 | 1994-02-08 | Axon Instruments, Inc. | Low noise integrated circuit package |
DE4222402A1 (de) * | 1992-07-08 | 1994-01-13 | Daimler Benz Ag | Anordnung für die Mehrfachverdrahtung von Mulichipmodulen |
US6262477B1 (en) | 1993-03-19 | 2001-07-17 | Advanced Interconnect Technologies | Ball grid array electronic package |
TWI320300B (en) * | 2005-11-18 | 2010-02-01 | Dissipating heat device of fin-type | |
US8064224B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-11-22 | Intel Corporation | Microelectronic package containing silicon patches for high density interconnects, and method of manufacturing same |
US9645603B1 (en) | 2013-09-12 | 2017-05-09 | Advanced Processor Architectures, Llc | System clock distribution in a distributed computing environment |
US9429983B1 (en) | 2013-09-12 | 2016-08-30 | Advanced Processor Architectures, Llc | System clock distribution in a distributed computing environment |
US8555096B2 (en) * | 2009-08-07 | 2013-10-08 | Advanced Processor Architectures, Llc | Method and apparatus for selectively placing components into a sleep mode in response to loss of one or more clock signals or receiving a command to enter sleep mode |
US11042211B2 (en) | 2009-08-07 | 2021-06-22 | Advanced Processor Architectures, Llc | Serially connected computing nodes in a distributed computing system |
US10014238B2 (en) | 2016-07-19 | 2018-07-03 | Ge Energy Power Conversion Technology Ltd | Method, system, and electronic assembly for thermal management |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US3311798A (en) * | 1963-09-27 | 1967-03-28 | Trw Semiconductors Inc | Component package |
US3423638A (en) * | 1964-09-02 | 1969-01-21 | Gti Corp | Micromodular package with compression means holding contacts engaged |
US3373322A (en) * | 1966-01-13 | 1968-03-12 | Mitronics Inc | Semiconductor envelope |
US3404215A (en) * | 1966-04-14 | 1968-10-01 | Sprague Electric Co | Hermetically sealed electronic module |
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US3496634A (en) * | 1966-12-30 | 1970-02-24 | Ibm | Method of wiring and metal embedding an electrical back panel |
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US4082394A (en) * | 1977-01-03 | 1978-04-04 | International Business Machines Corporation | Metallized ceramic and printed circuit module |
US4220917A (en) * | 1978-07-31 | 1980-09-02 | International Business Machines Corporation | Test circuitry for module interconnection network |
-
1979
- 1979-07-10 JP JP8702279A patent/JPS5612760A/ja active Granted
-
1980
- 1980-07-09 FR FR8015245A patent/FR2461361B1/fr not_active Expired
- 1980-07-10 US US06/168,226 patent/US4398208A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-07-10 DE DE19803026183 patent/DE3026183A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2461361A1 (fr) | 1981-01-30 |
US4398208A (en) | 1983-08-09 |
DE3026183C2 (ja) | 1988-03-10 |
JPS5612760A (en) | 1981-02-07 |
DE3026183A1 (de) | 1981-02-19 |
FR2461361B1 (fr) | 1985-09-13 |
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