JPS6249250A - 薄膜感湿素子 - Google Patents
薄膜感湿素子Info
- Publication number
- JPS6249250A JPS6249250A JP18849185A JP18849185A JPS6249250A JP S6249250 A JPS6249250 A JP S6249250A JP 18849185 A JP18849185 A JP 18849185A JP 18849185 A JP18849185 A JP 18849185A JP S6249250 A JPS6249250 A JP S6249250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- moisture
- sensitive element
- film
- moisture sensitive
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、1膜感湿素子に関する。更に詳しくは、感湿
特性にすぐれかつ耐環境性の点でも良好な薄膜感湿素子
に関する。
特性にすぐれかつ耐環境性の点でも良好な薄膜感湿素子
に関する。
空気中の相対湿度の制御は、精密工業、食品工業、繊維
工業、ビル管理−ヒなどで大変重要であり、それを検知
する感湿素子とし、では、従来へのような材料を用いた
ものが知られている。
工業、ビル管理−ヒなどで大変重要であり、それを検知
する感湿素子とし、では、従来へのような材料を用いた
ものが知られている。
(1)Se、Ge、 S−iなどの金属あるいは半導体
(2)Sn、Fe、Tjなどの金属の酸化物(3)AD
、20Jなとの多孔質金属酸化物(4)L、1Cffな
どの電解質塩 (5)有機または無機材料からなる高分子膜しかしなが
ら、これらの各種材料を用いた感湿素子は、いずれも保
守が大変であったり、あるいは信頼性や応答性に問題が
あるなど、満足される状態にはない。
(2)Sn、Fe、Tjなどの金属の酸化物(3)AD
、20Jなとの多孔質金属酸化物(4)L、1Cffな
どの電解質塩 (5)有機または無機材料からなる高分子膜しかしなが
ら、これらの各種材料を用いた感湿素子は、いずれも保
守が大変であったり、あるいは信頼性や応答性に問題が
あるなど、満足される状態にはない。
例えば、上記(2)の金属酸化物を用いる場合には、そ
Jtの成形にプレスや焼結が行われるが、均質なプレス
が困難であったりあるいは焼成時の割れなどの問題がみ
られる。また、工程上では問題なく成形されても、感湿
素子が水分の脱吸着に起因する抵抗変化を利用する性質
上、水分の影響で粒界から破壊が生ずるため、耐久性、
換fflずれば信頼性にも問題がある。このように、金
属酸化物を用いた感湿素子は、構造が複雑であり、また
吸着水を除去するためヒータ・−による加熱を必要どし
ているばかりではなく、9()%応答に数句乃至[0数
分間を要するので、肝心の応答性の点でも出好とはいえ
ない。
Jtの成形にプレスや焼結が行われるが、均質なプレス
が困難であったりあるいは焼成時の割れなどの問題がみ
られる。また、工程上では問題なく成形されても、感湿
素子が水分の脱吸着に起因する抵抗変化を利用する性質
上、水分の影響で粒界から破壊が生ずるため、耐久性、
換fflずれば信頼性にも問題がある。このように、金
属酸化物を用いた感湿素子は、構造が複雑であり、また
吸着水を除去するためヒータ・−による加熱を必要どし
ているばかりではなく、9()%応答に数句乃至[0数
分間を要するので、肝心の応答性の点でも出好とはいえ
ない。
また、(5)の高分子1岸を用いた場合には、材料面で
は廉価であるものの、溶剤などの薬品による劣化や信頼
性の低下などの問題がみられる。更に、品分−r容景変
化タイプの感湿素子なども実用化されているが、この場
合にも90%応答に10〜数10秒間程度かかり、応答
性の点で十分満足されていない。
は廉価であるものの、溶剤などの薬品による劣化や信頼
性の低下などの問題がみられる。更に、品分−r容景変
化タイプの感湿素子なども実用化されているが、この場
合にも90%応答に10〜数10秒間程度かかり、応答
性の点で十分満足されていない。
本発明者らは1.二うし、た問題点を避け、特1.:、
!極材料として耐食性にすぐれたものを求めて検44
を重ねた結果、絶縁性基板−hにカイましくけスパッタ
リング法により形成させた耐食性被加工金属薄膜にフォ
トレジストパターンを形成させた後、電解エツチングl
、て得らツ1.る耐食性くし型電極を湿度センサーに用
いるごど7)<好適゛て・あることをフI:ず見出しく
特願昭59−270,456号−)6引詩、きかかる1
ll11食付くし型電極を用いた薄膜感湿素子の’jr
、t;−・層の改Ki’を図った結果、導電付くし導
電(4;の表面を高分子・薄膜で覆い、この高分子−薄
膜の表面に一更に;1つ化yルギルよたはこれど9化ア
ルギルとで処理することにより、耐環境+1にすぐれ、
しかも応答性のl(好27−薄膜感湿素子を得る、τと
ができた(特願昭60−4.0.786号)、 この薄膜+8湿寿了・1こおいて、導電性くし型電極の
表面も−覆う高分子薄膜は、1・+1メチルシリルジメ
チルアミン右・どの含窒素イ1機けい素化合物よたけそ
れと?ン[ニアとの混合物のプラズマ重合脱として形成
さ才l1、用いl:’、 jl、ているが、かかる含窒
素廟機けい素化合物とし、てビス(1−リメ(ルシリル
)アセトアミドを用いる、二とによ1・) 、 IQ日
゛)!シる薄膜感湿素子の感湿特性、が更1.r−ヘ段
ど改善さ114、また耐環境・14の点でも良好なt〕
のが得ら才1することが、今回新たに見出された。
!極材料として耐食性にすぐれたものを求めて検44
を重ねた結果、絶縁性基板−hにカイましくけスパッタ
リング法により形成させた耐食性被加工金属薄膜にフォ
トレジストパターンを形成させた後、電解エツチングl
、て得らツ1.る耐食性くし型電極を湿度センサーに用
いるごど7)<好適゛て・あることをフI:ず見出しく
特願昭59−270,456号−)6引詩、きかかる1
ll11食付くし型電極を用いた薄膜感湿素子の’jr
、t;−・層の改Ki’を図った結果、導電付くし導
電(4;の表面を高分子・薄膜で覆い、この高分子−薄
膜の表面に一更に;1つ化yルギルよたはこれど9化ア
ルギルとで処理することにより、耐環境+1にすぐれ、
しかも応答性のl(好27−薄膜感湿素子を得る、τと
ができた(特願昭60−4.0.786号)、 この薄膜+8湿寿了・1こおいて、導電性くし型電極の
表面も−覆う高分子薄膜は、1・+1メチルシリルジメ
チルアミン右・どの含窒素イ1機けい素化合物よたけそ
れと?ン[ニアとの混合物のプラズマ重合脱として形成
さ才l1、用いl:’、 jl、ているが、かかる含窒
素廟機けい素化合物とし、てビス(1−リメ(ルシリル
)アセトアミドを用いる、二とによ1・) 、 IQ日
゛)!シる薄膜感湿素子の感湿特性、が更1.r−ヘ段
ど改善さ114、また耐環境・14の点でも良好なt〕
のが得ら才1することが、今回新たに見出された。
〔問題点へ・解決するための16段〕および〔作用〕従
って、本発明は薄膜感湿素子に係り、この薄膜感湿素子
は、絶縁性基板F、に形成させた導電性くし型電極の表
面をビス(トリメチルシリル)アセトアミドの高分子が
り膜で覆ってなる。
って、本発明は薄膜感湿素子に係り、この薄膜感湿素子
は、絶縁性基板F、に形成させた導電性くし型電極の表
面をビス(トリメチルシリル)アセトアミドの高分子が
り膜で覆ってなる。
絶縁性基板上への導電付くし型電極の形成は、従来の例
にならって行オ〕ワ、る。即ち、ガラス、アルミナ、石
英などの絶縁性基板上に、ステンレススチール、ハステ
ロイC、インコネル、モネル、金、銀、銅、白金、アル
ミニウム、鉄、コバ/l用−、ニッケルなどの耐食性金
属や電極形成材料金属をスパッタリング法、イオンブ!
ノーティング法などにより、約O91〜0.5μm程度
の厚さの薄膜を形成させ、次にそこにフォトレジストパ
ターンを形成させる。
にならって行オ〕ワ、る。即ち、ガラス、アルミナ、石
英などの絶縁性基板上に、ステンレススチール、ハステ
ロイC、インコネル、モネル、金、銀、銅、白金、アル
ミニウム、鉄、コバ/l用−、ニッケルなどの耐食性金
属や電極形成材料金属をスパッタリング法、イオンブ!
ノーティング法などにより、約O91〜0.5μm程度
の厚さの薄膜を形成させ、次にそこにフォトレジストパ
ターンを形成させる。
例えばアルミニウムの場合には、このようにして形成さ
れた電極形成材料金属薄膜へのフォトレジストパターン
の形成は、周知のフォトリソグラフ技術を適用すること
によって行われる。即ち、金属薄膜」二にフォトレジス
トコーティングを行ない、そこにくし型電極のパターン
の陰画または陽画を焼付+t ;t=ニガラス板を重ね
、ソUα射による焼イq【づおよび現像によって行われ
る。ごの後、湿式化学エラチンη゛が行われるが、エッ
チソゲ液どしては、リン“酸−硫酸−焦水りr1ム酸−
水(重鼠比65:15 : 5 : 15)混合液、1
′1l−IF(フッ酸系)、塩化第2鉄水溶液、硝酸、
リン酸−硝酸混合液などが用いら1+、る。
れた電極形成材料金属薄膜へのフォトレジストパターン
の形成は、周知のフォトリソグラフ技術を適用すること
によって行われる。即ち、金属薄膜」二にフォトレジス
トコーティングを行ない、そこにくし型電極のパターン
の陰画または陽画を焼付+t ;t=ニガラス板を重ね
、ソUα射による焼イq【づおよび現像によって行われ
る。ごの後、湿式化学エラチンη゛が行われるが、エッ
チソゲ液どしては、リン“酸−硫酸−焦水りr1ム酸−
水(重鼠比65:15 : 5 : 15)混合液、1
′1l−IF(フッ酸系)、塩化第2鉄水溶液、硝酸、
リン酸−硝酸混合液などが用いら1+、る。
このようにして絶縁性基板−Fユに形成させた導電性く
し型電極の表面は、ビス(1−1,Jメチルシリル)ア
セl−アミドの高分子薄膜によって覆われる。この高分
子薄膜の形成は、一般にビス(トリメチルシリル)アセ
トアミドまたはそれとアンモニアとの混合物を千ツマ−
に用いるプラズマ重合法によって行オ) 、11.、単
量体圧力約0.01〜0.ITorr、好ましくは約0
.02−0.08Torr、電力約5−:’IOWの条
件下で約5000−18000人のプラズマ重合膜が形
成され、る。
し型電極の表面は、ビス(1−1,Jメチルシリル)ア
セl−アミドの高分子薄膜によって覆われる。この高分
子薄膜の形成は、一般にビス(トリメチルシリル)アセ
トアミドまたはそれとアンモニアとの混合物を千ツマ−
に用いるプラズマ重合法によって行オ) 、11.、単
量体圧力約0.01〜0.ITorr、好ましくは約0
.02−0.08Torr、電力約5−:’IOWの条
件下で約5000−18000人のプラズマ重合膜が形
成され、る。
形成されたプラズマ重合膜は電気抵抗が高く、通常は絶
縁性の薄膜であるが、その表面を臭化メチル、臭化エヂ
ル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチルなどのハロゲン化アル
キルの少くとも−・種、りr才しくはり化メチルのガス
と接触させると、その抵抗値に下げることができろ。こ
オシは、化学反応や拡散現象により、膜中t、:’:臭
素や3つ索が取り込まれ、そのため1こ導電P1が改善
されるためど考えられる。
縁性の薄膜であるが、その表面を臭化メチル、臭化エヂ
ル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチルなどのハロゲン化アル
キルの少くとも−・種、りr才しくはり化メチルのガス
と接触させると、その抵抗値に下げることができろ。こ
オシは、化学反応や拡散現象により、膜中t、:’:臭
素や3つ索が取り込まれ、そのため1こ導電P1が改善
されるためど考えられる。
図面の第1図は、本発明に係る薄膜感湿素子の−・態様
夕示すそ第1.の平面図であり、絶縁性m板1−にに導
電付くし導電4Ilii2.2’が形成され、その表面
は上記プラズマ重合膜3によって覆われでおり、この重
合膜にJ:って覆われていない電極取出部分には半田付
LJあるいは銀ペースト4,4′により、リード線5.
5′が取り付けられている。
夕示すそ第1.の平面図であり、絶縁性m板1−にに導
電付くし導電4Ilii2.2’が形成され、その表面
は上記プラズマ重合膜3によって覆われでおり、この重
合膜にJ:って覆われていない電極取出部分には半田付
LJあるいは銀ペースト4,4′により、リード線5.
5′が取り付けられている。
本発明に係る薄膜感湿素子IJ2、従来の含窒素有機け
い素化合物のプラズマ重合膜よりも耐水性、耐薬品性に
すぐれているビス(1〜リメチルシリル)アセlルアミ
ドまたは+hとアンモニアとの混合物のプラズマ重合膜
などで導電−MlくL型電極の表面が覆われているため
、耐環境性は良好であり、しかも導電付くし型電極の表
面を覆っているプラズマ重合膜は、その膜厚が薄いので
、感湿素子とし、。
い素化合物のプラズマ重合膜よりも耐水性、耐薬品性に
すぐれているビス(1〜リメチルシリル)アセlルアミ
ドまたは+hとアンモニアとの混合物のプラズマ重合膜
などで導電−MlくL型電極の表面が覆われているため
、耐環境性は良好であり、しかも導電付くし型電極の表
面を覆っているプラズマ重合膜は、その膜厚が薄いので
、感湿素子とし、。
での感湿特性の点でも更に一−一段と良好である。。
[実施例〕
次11、実施例について本発明を説明する3゜実施例
ガラス基板りに、フ第1ヘリソゲラフ法により、線幅5
00/l111、線間隔250μmの線状歯を] :(
m mの長さで多数本形成させ、子の長さの内11mm
に相当する部分で互いに対向する線状歯同士が噛み合1
)ているような状態のくし型電極を金で形成させた。
00/l111、線間隔250μmの線状歯を] :(
m mの長さで多数本形成させ、子の長さの内11mm
に相当する部分で互いに対向する線状歯同士が噛み合1
)ているような状態のくし型電極を金で形成させた。
次いで、このくし型電極部分3−1分覆うように、ビス
(I−リメチルシIJル))′セ1−アミドのプラズマ
重合1摸を、圧力0.02Torr、電力1.OW、時
間1時間の条件下で形成させた。その後、耐圧反応容器
中で、温度60“c、圧ノ13.5kg#J、時間48
時間の条件下で臭化メチル処理しまた。
(I−リメチルシIJル))′セ1−アミドのプラズマ
重合1摸を、圧力0.02Torr、電力1.OW、時
間1時間の条件下で形成させた。その後、耐圧反応容器
中で、温度60“c、圧ノ13.5kg#J、時間48
時間の条件下で臭化メチル処理しまた。
リード線を銀ベースl−付けした薄膜感湿素r・につい
で、これをdl、!湿度試験器に入れ、LCRメーター
を用いて、IK)Tz、1vの測定条件下で感湿特性の
評価を行なった。20℃における相対湿度50〜100
%での抵抗値の変化が、第2図のグラフに示されており
、この結果から1本発明の薄膜感湿素子は、空気中の水
蒸気旦の増減変化に対して電気抵抗が鋭敏に変化するこ
とが分り、応答性の点ですぐれている。具体的には、5
5%→98%の90%応答は約1.5秒であり、その逆
の場合には約6秒の値が得られた。
で、これをdl、!湿度試験器に入れ、LCRメーター
を用いて、IK)Tz、1vの測定条件下で感湿特性の
評価を行なった。20℃における相対湿度50〜100
%での抵抗値の変化が、第2図のグラフに示されており
、この結果から1本発明の薄膜感湿素子は、空気中の水
蒸気旦の増減変化に対して電気抵抗が鋭敏に変化するこ
とが分り、応答性の点ですぐれている。具体的には、5
5%→98%の90%応答は約1.5秒であり、その逆
の場合には約6秒の値が得られた。
第1−図は、本発明に係る薄膜感湿素子の一態様を示す
そItの1[l面図である。また、第2図はこの薄膜感
湿素子を用いて測定した相対湿度と電気抵抗との関係を
示すイfラフである。 (符号の説明) 1・・・・・絶縁性基板 2・・・・・導電付くし型電極 3・・・・・プラズマ重合膜
そItの1[l面図である。また、第2図はこの薄膜感
湿素子を用いて測定した相対湿度と電気抵抗との関係を
示すイfラフである。 (符号の説明) 1・・・・・絶縁性基板 2・・・・・導電付くし型電極 3・・・・・プラズマ重合膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶縁性基板上に形成させた導電性くし型電極の表面
をビス(トリメチルシリル)アセトアミドの高分子薄膜
で覆ってなる薄膜感湿素子。 2、高分子薄膜がビス(トリメチルシリル)アセトアミ
ドまたはそれとアンモニアとの混合物のプラズマ重合膜
である特許請求の範囲第1項記載の薄膜感湿素子。 3、高分子薄膜がハロゲン化アルキルで処理されたプラ
ズマ重合膜である特許請求の範囲第1項または第2項記
載の薄膜感湿素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18849185A JPS6249250A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 薄膜感湿素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18849185A JPS6249250A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 薄膜感湿素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6249250A true JPS6249250A (ja) | 1987-03-03 |
JPH0533741B2 JPH0533741B2 (ja) | 1993-05-20 |
Family
ID=16224658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18849185A Granted JPS6249250A (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 薄膜感湿素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6249250A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0626900U (ja) * | 1992-09-04 | 1994-04-12 | 有限会社きのした | 遠赤外線放射健康衣料 |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP18849185A patent/JPS6249250A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0533741B2 (ja) | 1993-05-20 |
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