JPS6246275Y2 - - Google Patents

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JPS6246275Y2
JPS6246275Y2 JP1982161220U JP16122082U JPS6246275Y2 JP S6246275 Y2 JPS6246275 Y2 JP S6246275Y2 JP 1982161220 U JP1982161220 U JP 1982161220U JP 16122082 U JP16122082 U JP 16122082U JP S6246275 Y2 JPS6246275 Y2 JP S6246275Y2
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JP
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equipment case
equipment
inverter device
cooling fin
ground
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JP1982161220U
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は絶縁物を介して冷却フインに結合され
た高周波スイツチングを行なう半導体素子からな
るインバータ装置に関する。
近年この種のインバータ装置としてコンピユー
タ、工業並びに化学プラントの計装、通信工業な
どにおける定電圧定周波数電源として、あるいは
誘導電動機などの可変速度運転における可変電圧
可変周波数電源としてなどインバータ装置が広く
使用されている。この種のインバータ装置におい
てはその制御に対する応答性を高めるために半導
体素子の高周波スイツチングが採用される。一方
インバータにおいては通常半導体素子を絶縁物を
介して大形の冷却フインと結合し、素子の冷却効
果を高めるため冷却フインを直接機器ケースに取
り付ける方式が採用される。このような構成のイ
ンバータ装置においては半導体の対地間分布容量
にもとづいて零相電流即ち接地電流が機器ケース
に流れ、この電流が原因で漏電遮断器が誤動作を
したり、あるいは機器ケースに接近した人身に危
害を及ぼす虞れが生ずる。
この種の零相電流は当該装置の半導体素子のス
イツチング周波数とその対地間分布容量とに比例
する。したがつて零相電流を抑制するためにはま
ず半導体素子のスイツチング周波数を可及的に低
く定めることが考えられるが、半導体素子のスイ
ツチング周波数を低くすることはインバータ装置
の制御に対する応答性を損なうことを意味するか
ら実質的に実施不可能である。一方半導体素子の
対地間分布容量を低減することは何らインバータ
装置の性能に悪影響を及ぼすことなく、逆に半導
体素子のスイツチング周波数を高めて装置の制御
に対する応答性を改善することを可能にするから
この場合の零相電流抑制法としては望ましい。
本考案は前記の事情に鑑み極めて簡単な手段に
よりインバータ装置における零相電流を抑制し漏
電遮断器の誤動作や人身に対する危害の発生を防
止することのできるインバータ装置を提供するこ
とを目的とする。
前記の目的は本考案によると首記のインバータ
装置において、前記冷却フインと前記装置の機器
ケースとの間に適当な間隔を設けかつ前記冷却フ
インを適当な高さの絶縁間座を介して前記機器ケ
ースに取りつけることによつて達成される。
次に図面に表わされた実施例にもとづいて本考
案の詳細を説明する。
第1図において半導体素子1は絶縁物3を介し
て冷却フイン2に結合される。一方冷却フイン2
は機器ケース7との間に適当な間隔を保ちかつ電
気的に絶縁されるように絶縁間座6を介して機器
ケース7に取り付けられる。その際冷却フイン2
を機器ケース7に取りつけるボルト4と冷却フイ
ン2との間を電気的に絶縁するため相互の間に絶
縁ブシユ5を挿入する。なお機器ケース7を安全
のため適宜接地するのが良い。
インバータ装置において前記の如く半導体素子
1の結合された冷却フイン2を電気的に完全に絶
縁して機器ケース7に取り付けることにより、半
導体素子1の導電部と接地部との間の絶縁距離が
著しく延長され、これに応じて半導体素子1の導
電部の対地間分布容量が減少するから、対地間分
布容量に比例する零相電流を抑制することができ
る。
本考案は以上に説明した如く、絶縁物を介して
冷却フインに結合された高周波スイツチングを行
なう半導体素子からなるインバータ装置におい
て、前記冷却フインと前記装置の機器ケースとの
間に適当な間隔を設けかつ前記冷却フインを適当
な高さの絶縁間座を介して前記機器ケースに取り
付けることによつて、前記半導体素子の導電部の
対地分布量が減少するから対地分布容量に比例す
る零相電流を抑制することができ、前記零相電流
により漏電遮断器が誤動作したり、前記機器ケー
スに接近する人身に危害の及ぶことを防止できる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体素子の結合された冷却フインが
絶縁されて機器ケースに取りつけられた本考案の
インバータ装置の該取付部の概略を表わす。 1……半導体整流素子、2……冷却フイン、3
……絶縁物、4……取付ボルト、5……絶縁ブシ
ユ、6……絶縁間座、7……機器ケース、8……
ナツト。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁物を介して冷却フインに高周波スイツチン
    グを行う複数個の半導体素子をそれぞれ結合し、
    かつ前記冷却フインを装置の機器ケースに取付け
    て構成するインバータ装置において、前記冷却フ
    インの下端部と前記装置の機器ケースとの間に適
    当な間隔を設けるとともに適当な高さの絶縁間座
    を介して前記冷却フインを前記機器ケースに取付
    けて構成したことを特徴とするインバータ装置。
JP16122082U 1982-10-25 1982-10-25 インバ−タ装置 Granted JPS5965540U (ja)

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JPS5965540U JPS5965540U (ja) 1984-05-01
JPS6246275Y2 true JPS6246275Y2 (ja) 1987-12-12

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4827648A (ja) * 1971-05-05 1973-04-12
JPS5168744A (ja) * 1974-11-04 1976-06-14 Gen Electric
JPS5621455B2 (ja) * 1977-11-15 1981-05-19

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5621455U (ja) * 1979-07-26 1981-02-25

Patent Citations (3)

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