JPS6331395Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6331395Y2 JPS6331395Y2 JP8042783U JP8042783U JPS6331395Y2 JP S6331395 Y2 JPS6331395 Y2 JP S6331395Y2 JP 8042783 U JP8042783 U JP 8042783U JP 8042783 U JP8042783 U JP 8042783U JP S6331395 Y2 JPS6331395 Y2 JP S6331395Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- cooling
- semiconductor element
- cooling fin
- display device
- Prior art date
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 30
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体冷却装置に関する。
第1図a及びbに、車両搭載半導体装置におけ
る半導体冷却装置の従来例を示す。同図におい
て、1は冷却フイン、2は半導体素子取付けブロ
ツク、3は絶縁シート、4は半導体素子、41は
半導体素子のリード、5は函体、51,52,5
3はこの函体の取付け脚、54は函体側端子、6
は導電支持枠、7は車体、71,72,73は車
体7側の函体取付け梁、74は車体側端子であつ
て、ケーブル8を介して函体側端子54に接続さ
れている。第2図に、上記半導体素子4が組み込
まれる電気回路を示す。図において、100は車
両搭載インバータ装置の主回路であつて、サイリ
スタ101〜104を単相ブリツジ接続してな
り、その交流出力は出力変圧器120を介してイ
ンバータ負荷203に供給される。これらサイリ
スタが第1図の半導体素子4に対応する。インバ
ータ装置の主回路100にはパンタグラフ20
0、保護ヒユーズ201、直流高速度遮断器20
2を通して直流電力が入力され、リアクトル13
0、コンデンサ140からなる直流平滑回路を介
して上記ブリツジ接続されたサイリスタに供給さ
れる。111〜114は強制転流回路である。
る半導体冷却装置の従来例を示す。同図におい
て、1は冷却フイン、2は半導体素子取付けブロ
ツク、3は絶縁シート、4は半導体素子、41は
半導体素子のリード、5は函体、51,52,5
3はこの函体の取付け脚、54は函体側端子、6
は導電支持枠、7は車体、71,72,73は車
体7側の函体取付け梁、74は車体側端子であつ
て、ケーブル8を介して函体側端子54に接続さ
れている。第2図に、上記半導体素子4が組み込
まれる電気回路を示す。図において、100は車
両搭載インバータ装置の主回路であつて、サイリ
スタ101〜104を単相ブリツジ接続してな
り、その交流出力は出力変圧器120を介してイ
ンバータ負荷203に供給される。これらサイリ
スタが第1図の半導体素子4に対応する。インバ
ータ装置の主回路100にはパンタグラフ20
0、保護ヒユーズ201、直流高速度遮断器20
2を通して直流電力が入力され、リアクトル13
0、コンデンサ140からなる直流平滑回路を介
して上記ブリツジ接続されたサイリスタに供給さ
れる。111〜114は強制転流回路である。
このように、従来の車両搭載半導体装置では、
導電支持枠6を用いて冷却フイン1を函体5に支
持しているので、冷却フイン1は函体5と同電位
にあり、半導体素子4に高電圧が印加していても
接地電位に維持され安全であるが、冷却フイン1
と半導体素子4との間を絶縁している絶縁シート
3が破壊された場合には、上記第2図の主回路電
位が大地電位となつてしまう為、装置を運転停止
しなくてはならないと云う問題があつた。勿論、
導電支持枠6に代えて絶縁支持枠を用いれば、絶
縁シート3が破壊してもそのまま装置の運転を継
続することができるが、今度は、冷却フイン1の
電位が上記主回路の電位まで上昇し危険である。
導電支持枠6を用いて冷却フイン1を函体5に支
持しているので、冷却フイン1は函体5と同電位
にあり、半導体素子4に高電圧が印加していても
接地電位に維持され安全であるが、冷却フイン1
と半導体素子4との間を絶縁している絶縁シート
3が破壊された場合には、上記第2図の主回路電
位が大地電位となつてしまう為、装置を運転停止
しなくてはならないと云う問題があつた。勿論、
導電支持枠6に代えて絶縁支持枠を用いれば、絶
縁シート3が破壊してもそのまま装置の運転を継
続することができるが、今度は、冷却フイン1の
電位が上記主回路の電位まで上昇し危険である。
この考案は、この従来の問題点に鑑みてなされ
たもので、冷却フインを函体に絶縁支持した上、
接地抵抗を介して函体電位に接続し、該接地抵抗
の電圧もしくは電流を検出して表示する表示装置
を設けることにより、絶縁シートが絶縁破壊して
も半導体装置の運転は継続することができ、しか
も冷却フインが高電位にあることを外部から知る
ことができる半導体冷却装置を提供することを目
的とする。
たもので、冷却フインを函体に絶縁支持した上、
接地抵抗を介して函体電位に接続し、該接地抵抗
の電圧もしくは電流を検出して表示する表示装置
を設けることにより、絶縁シートが絶縁破壊して
も半導体装置の運転は継続することができ、しか
も冷却フインが高電位にあることを外部から知る
ことができる半導体冷却装置を提供することを目
的とする。
以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。
る。
第3図a及びbにおいて、冷却フイン1は絶縁
支持枠61により函体5に固定支持されている。
300は冷却フイン接地抵抗であつて、一端が冷
却フイン1に接続され、他端が表示装置400の
高電位側端子402に接続されている。表示装置
400の他方の接地側端子401は函体側端子5
4に接続されており、両端子401,402間に
表示ランプ(発光ダイオード)403と定電圧ダ
イオード404及び電流制限抵抗406が直列に
して挿入されると共にこの直列路に対して並列に
過電流保護用の定電圧ダイオード405が挿入さ
れている。この定電圧ダイオード405としては
ツエナー電圧が定電圧ダイオード404のそれよ
り大きいものが用いられる。
支持枠61により函体5に固定支持されている。
300は冷却フイン接地抵抗であつて、一端が冷
却フイン1に接続され、他端が表示装置400の
高電位側端子402に接続されている。表示装置
400の他方の接地側端子401は函体側端子5
4に接続されており、両端子401,402間に
表示ランプ(発光ダイオード)403と定電圧ダ
イオード404及び電流制限抵抗406が直列に
して挿入されると共にこの直列路に対して並列に
過電流保護用の定電圧ダイオード405が挿入さ
れている。この定電圧ダイオード405としては
ツエナー電圧が定電圧ダイオード404のそれよ
り大きいものが用いられる。
この構成においては、絶縁シート3が充分なる
絶縁耐圧を有している間は、冷却フイン1が接地
電位にある函体側端子54、車体側端子74とほ
ぼ同電位にある。絶縁シート3が絶縁破壊にいた
ると半導体素子4の主回路電位が半導体素子取付
けブロツク2−絶縁シート3−冷却フイン1−接
地抵抗300−表示装置400−函体側端子54
間に加わり、定電圧ダイオード404の両端の電
圧がツエナー電圧を超えるとこれが導通して表示
ランプ(発光ダイオード)403に電流が流れ、
絶縁シート3が絶縁破壊したことが表示される。
表示装置400の高電位側端子402と接地電位
側端子401間の電圧が定電圧ダイオード405
のツエナー電圧を超えると該定電圧ダイオード4
05が導通して上記両端子間を定電圧に保持し、
電流制限抵抗406により、表示ランプ403に
過電流が流れる恐れは無い。また、逆に、定電圧
ダイトード404がある為、誤動作が防止され
る。
絶縁耐圧を有している間は、冷却フイン1が接地
電位にある函体側端子54、車体側端子74とほ
ぼ同電位にある。絶縁シート3が絶縁破壊にいた
ると半導体素子4の主回路電位が半導体素子取付
けブロツク2−絶縁シート3−冷却フイン1−接
地抵抗300−表示装置400−函体側端子54
間に加わり、定電圧ダイオード404の両端の電
圧がツエナー電圧を超えるとこれが導通して表示
ランプ(発光ダイオード)403に電流が流れ、
絶縁シート3が絶縁破壊したことが表示される。
表示装置400の高電位側端子402と接地電位
側端子401間の電圧が定電圧ダイオード405
のツエナー電圧を超えると該定電圧ダイオード4
05が導通して上記両端子間を定電圧に保持し、
電流制限抵抗406により、表示ランプ403に
過電流が流れる恐れは無い。また、逆に、定電圧
ダイトード404がある為、誤動作が防止され
る。
この実施例では、冷却フイン1が絶縁支持枠で
函体5に支持され、絶縁シート3の上記絶縁破壊
が生じ場合、接地抵抗300を介して接地される
ので、主回路電位が接地電位となることはなく、
そのまま半導体装置100の運転を継続すること
ができる。
函体5に支持され、絶縁シート3の上記絶縁破壊
が生じ場合、接地抵抗300を介して接地される
ので、主回路電位が接地電位となることはなく、
そのまま半導体装置100の運転を継続すること
ができる。
上記実施例では、接地抵抗300に流れる電流
を検出しているが、該接地抵抗300の両端電圧
を検出して表示する構成としても良い。
を検出しているが、該接地抵抗300の両端電圧
を検出して表示する構成としても良い。
また、上記実施例は、車両搭載用半導体装置の
半導体冷却装置を例にとつて説明したが、冷却フ
インが半導体素子側と絶縁物を介して電気的に絶
縁された構造の半導体冷却装置であれば、この考
案を実施して同様の効果が得られる。
半導体冷却装置を例にとつて説明したが、冷却フ
インが半導体素子側と絶縁物を介して電気的に絶
縁された構造の半導体冷却装置であれば、この考
案を実施して同様の効果が得られる。
以上の如く、この考案によれば、冷却フインを
函体に絶縁支持した上、接地抵抗を介して接地
し、該接地抵抗に電流が流れたことを検出して表
示する表示装置を設けたことにより、絶縁シート
が絶縁破壊しても、半導体装置の運転を継続する
ことができ、しかも絶縁シートが絶縁破壊して冷
却フインが高電位にあることを外部から簡単に知
ることができるので、安全性は確保され、保守も
簡単になる利点がある。
函体に絶縁支持した上、接地抵抗を介して接地
し、該接地抵抗に電流が流れたことを検出して表
示する表示装置を設けたことにより、絶縁シート
が絶縁破壊しても、半導体装置の運転を継続する
ことができ、しかも絶縁シートが絶縁破壊して冷
却フインが高電位にあることを外部から簡単に知
ることができるので、安全性は確保され、保守も
簡単になる利点がある。
第1図a及びbは従来の半導体冷却装置のそれ
ぞれ側面図及び正面図、第2図は上記半導体冷却
装置により冷却される半導体素子の一使用例であ
る車両搭載インバータ装置の主回路を示す回路
図、第3図a及びbはそれぞれこの考案による半
導体冷却装置の実施例の側面図及び正面図であ
る。 図において、1……冷却フイン、2……半導体
素子取付けブロツク、3……絶縁シート、4……
半導体素子、5……函体、61……絶縁支持枠、
100……半導体装置の主回路、300……接地
抵抗、400……表示装置、401,402……
端子、403……表示ランプ、404,405…
…定電圧ダイオード、406……電流制限抵抗。
なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。
ぞれ側面図及び正面図、第2図は上記半導体冷却
装置により冷却される半導体素子の一使用例であ
る車両搭載インバータ装置の主回路を示す回路
図、第3図a及びbはそれぞれこの考案による半
導体冷却装置の実施例の側面図及び正面図であ
る。 図において、1……冷却フイン、2……半導体
素子取付けブロツク、3……絶縁シート、4……
半導体素子、5……函体、61……絶縁支持枠、
100……半導体装置の主回路、300……接地
抵抗、400……表示装置、401,402……
端子、403……表示ランプ、404,405…
…定電圧ダイオード、406……電流制限抵抗。
なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体装置を収納する接地電位の函体に半導
体素子用冷却フインが絶縁支持され、該冷却フ
インが絶縁シートにより上記半導体素子側と電
気的に絶縁されてなる半導体冷却装置におい
て、上記冷却フインに接地抵抗を接続すると共
に該接地抵抗の電圧もしくは電流を検出して表
示する表示装置を設けたことを特徴とする半導
体冷却装置。 (2) 表示装置が、高電位側端子と接地側端子との
間に、定電圧ダイオードと表示ランプ及び電流
制限抵抗を直列に具えると共に、過電流保護用
の定電圧ダイオードを有し、該表示装置を介し
て接地抵抗が接地されていることを特徴とする
実用新案登録請求の範囲第1項記載の半導体冷
却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8042783U JPS59185842U (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | 半導体冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8042783U JPS59185842U (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | 半導体冷却装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59185842U JPS59185842U (ja) | 1984-12-10 |
JPS6331395Y2 true JPS6331395Y2 (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=30210420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8042783U Granted JPS59185842U (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | 半導体冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59185842U (ja) |
-
1983
- 1983-05-27 JP JP8042783U patent/JPS59185842U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59185842U (ja) | 1984-12-10 |
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