JPS6245683A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
- Publication number
- JPS6245683A JPS6245683A JP18393485A JP18393485A JPS6245683A JP S6245683 A JPS6245683 A JP S6245683A JP 18393485 A JP18393485 A JP 18393485A JP 18393485 A JP18393485 A JP 18393485A JP S6245683 A JPS6245683 A JP S6245683A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pigment
- phosphor
- ray tube
- cathode ray
- particles
- Prior art date
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- Pending
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は陰極線管に係り、特にカラー受像管を含む陰極
線管のパネル内面に形成される蛍光面に関するものであ
る。
線管のパネル内面に形成される蛍光面に関するものであ
る。
通常、カラー受像管の蛍光面は、赤、緑、青の各色に発
光するドツトまたはストライプ状の蛍光体層を有し、必
要に応じて、これら蛍光体層間の間隙に発光しない光吸
収物質が設けられている。
光するドツトまたはストライプ状の蛍光体層を有し、必
要に応じて、これら蛍光体層間の間隙に発光しない光吸
収物質が設けられている。
従来、この様なカラー受像管において画面のコントラス
トを向上させるために蛍光体にその発光色と略同−の色
調を有する顔料を付着または混入させて外光反射率の低
減を計るものが知られている。
トを向上させるために蛍光体にその発光色と略同−の色
調を有する顔料を付着または混入させて外光反射率の低
減を計るものが知られている。
この様なカラー受像管で重要なのは、いかにして輝度低
下を少なくし、外光反射率を大幅に低減させるかにある
。このため、顔料による蛍光体を発光させるための陰極
線のエネルギーの減衰を極力押えなければならず、従っ
て顔料の効率を良くして蛍光体に付加する量を最少にし
なければならない。
下を少なくし、外光反射率を大幅に低減させるかにある
。このため、顔料による蛍光体を発光させるための陰極
線のエネルギーの減衰を極力押えなければならず、従っ
て顔料の効率を良くして蛍光体に付加する量を最少にし
なければならない。
また通常は第3何に示すように蛍光体(1)の表面に図
示しない微量の有機系の接着剤等を用いて顔料粒子(2
)を付着させているため、蛍光面形成時に顔料粒子(2
)が他色の蛍光体層に侵入する機会が多く、発光輝度の
低下を伴なうという問題点があった。
示しない微量の有機系の接着剤等を用いて顔料粒子(2
)を付着させているため、蛍光面形成時に顔料粒子(2
)が他色の蛍光体層に侵入する機会が多く、発光輝度の
低下を伴なうという問題点があった。
即ち、例えば赤顔料(Fe、o、)が青色蛍光体層に混
入した場合、赤顔料が青色蛍光体の発光した光を吸収す
るため、青色輝度は大幅に低下することになる。
入した場合、赤顔料が青色蛍光体の発光した光を吸収す
るため、青色輝度は大幅に低下することになる。
本発明は上述した問題点に鑑みてなされたものであり、
顔料表面での反射を押さえ、しかも蛍光面形成時の顔料
粒子の他色蛍光体層への汚染を防ぎ、高コントラスト、
品輝度の陰極線管を提供することを目的としている。
顔料表面での反射を押さえ、しかも蛍光面形成時の顔料
粒子の他色蛍光体層への汚染を防ぎ、高コントラスト、
品輝度の陰極線管を提供することを目的としている。
本発明の陰極線管は第1図または第2図に示すように蛍
光体粒子(11)、(21) ’o裏表面被覆されたセ
ラミック膜例えば非結晶性シリカ膜(13) 、 (2
3)中に顔料粒子(12) 、 (22)を分散しであ
る顔料付蛍光体により形成された蛍光面を具備すること
を特徴としている。
光体粒子(11)、(21) ’o裏表面被覆されたセ
ラミック膜例えば非結晶性シリカ膜(13) 、 (2
3)中に顔料粒子(12) 、 (22)を分散しであ
る顔料付蛍光体により形成された蛍光面を具備すること
を特徴としている。
この非結晶性シリカ
はシリコンのアルコラート化合物31 (OC4H9)
4の加熱によって得られる。
4の加熱によって得られる。
このような構成にすることにより、顔料は蛍光体表面に
強固に被覆されると共に顔料粒子(12)。
強固に被覆されると共に顔料粒子(12)。
(22)表面での反射が押えられ、外光によるコントラ
ストの劣化を改善することができる。即ち、顔料の屈折
率をn2、シリカ膜の屈折率をnl、シリカ膜の膜厚を
d工、入射光の波長をλとするどきn1d、=1/4λ
・、・(、1)n1=f1
・・・・・・(2)の条件を満足すると、顔料粒子(
12) 、 (22)の表面反射を防止することができ
る。即ちn、<n2であれば反射減少となり、nl)n
、であれば反射増加となる。特にn1=rならnLd、
=1/4λて反射光は零になる。
ストの劣化を改善することができる。即ち、顔料の屈折
率をn2、シリカ膜の屈折率をnl、シリカ膜の膜厚を
d工、入射光の波長をλとするどきn1d、=1/4λ
・、・(、1)n1=f1
・・・・・・(2)の条件を満足すると、顔料粒子(
12) 、 (22)の表面反射を防止することができ
る。即ちn、<n2であれば反射減少となり、nl)n
、であれば反射増加となる。特にn1=rならnLd、
=1/4λて反射光は零になる。
通常カラー受像管に用いられる顔料とシリカとの屈折率
は下表に示す通りである。
は下表に示す通りである。
表
即ち、顔料はシリカに比べ屈折率が大きいため。
顔料表面にシリカ層を形成すれば表面反射を減少するこ
とができる。
とができる。
一方、シリカ膜は非発光層となるため、例えば動作電圧
が25.0kVの場合、0.1μ以下が好ましい。
が25.0kVの場合、0.1μ以下が好ましい。
即ち、蛍光体の表面にシリカ膜を形成することにより、
蛍光体のデッド・ボルテージが大きくなり、実験的には
、カラー受像管使用域で実用上問題とならない値は約4
.4kV以下であり、その時のシリカ膜の厚みdはジャ
ーナルオブエレクトロケミカルソサイアティ、vol、
119. Na3より引用した式 %式%: より求められ、その値は0.1μ以下である。金量光体
を仮に球体とすると、シリカの比重=2.2、ZnS蛍
光体の比重=4.1であるから蛍光体の径を2xμ、シ
リカの被覆量(wt%)をYとするとで表わされる。本
発明で用いられる蛍光体の平均粒子径は好ましくは3μ
〜15μであるからシリカの被覆量は2.0〜12.0
wt%となる。
蛍光体のデッド・ボルテージが大きくなり、実験的には
、カラー受像管使用域で実用上問題とならない値は約4
.4kV以下であり、その時のシリカ膜の厚みdはジャ
ーナルオブエレクトロケミカルソサイアティ、vol、
119. Na3より引用した式 %式%: より求められ、その値は0.1μ以下である。金量光体
を仮に球体とすると、シリカの比重=2.2、ZnS蛍
光体の比重=4.1であるから蛍光体の径を2xμ、シ
リカの被覆量(wt%)をYとするとで表わされる。本
発明で用いられる蛍光体の平均粒子径は好ましくは3μ
〜15μであるからシリカの被覆量は2.0〜12.0
wt%となる。
上述の様に蛍光体のデッドボルテージが大きくなるため
、例えばZnS : Cu、 AQ緑色蛍光体での電圧
・輝度特性を調べてみると、第4図に示すように非発光
層の厚みが厚くなると非結晶性シリカ膜の未形成の場合
に比べ、低電圧での輝度低下が大となる。従って陰極線
管、特にカラー受像管の動作時の微弱な散乱電子による
バックグランドの視感輝度の高い緑色発光に対して効果
的に作用し。
、例えばZnS : Cu、 AQ緑色蛍光体での電圧
・輝度特性を調べてみると、第4図に示すように非発光
層の厚みが厚くなると非結晶性シリカ膜の未形成の場合
に比べ、低電圧での輝度低下が大となる。従って陰極線
管、特にカラー受像管の動作時の微弱な散乱電子による
バックグランドの視感輝度の高い緑色発光に対して効果
的に作用し。
画面のコントラストを向上することができる。
(第1の実施例)
先ず次の組成の顔料分散液を用意する。
アルミン酸コバルト青顔料 ・・・ 25g次
に平均粒径7.0μのZnS : Ag、 CQ青蛍光
体500gを上の顔料分散液スラリーに入れ、充分に攪
拌後、ベーキング炉にて約450℃、30分間焼成を行
ない蛍光体表面に顔料が分散された約0.1μ厚の非結
晶性シリカ膜からなるセラミック膜を形成する。
に平均粒径7.0μのZnS : Ag、 CQ青蛍光
体500gを上の顔料分散液スラリーに入れ、充分に攪
拌後、ベーキング炉にて約450℃、30分間焼成を行
ない蛍光体表面に顔料が分散された約0.1μ厚の非結
晶性シリカ膜からなるセラミック膜を形成する。
次に焼成物を数%のシリカ液と混合してローリングをか
け、はぐして同時に表面処理を行い、乾燥して青色の蛍
光体を作成する。
け、はぐして同時に表面処理を行い、乾燥して青色の蛍
光体を作成する。
一方、通常の方法でアルミン酸コバルト顔料をZiS
: AgCQ蛍光体に重斌比で1:20付加したものを
作成した。
: AgCQ蛍光体に重斌比で1:20付加したものを
作成した。
これらをスラリー法によりそれぞれカラー受像管のパネ
ル内面に緑、青、赤の順に塗布して特性を比較し、第2
表の結果が得られた。
ル内面に緑、青、赤の順に塗布して特性を比較し、第2
表の結果が得られた。
第2表
第2表から明らかな様に、緑(G)、赤(R)、蛍光体
層への前傾斜の汚染がなくなった為、輝度が改善された
。また前傾斜の表面反射が低減され、外光反射率を改善
する事ができた。
層への前傾斜の汚染がなくなった為、輝度が改善された
。また前傾斜の表面反射が低減され、外光反射率を改善
する事ができた。
(第2の実施例)
先ず、次の組成の顔料分散液を用意する。
ベンガラ赤顔料 ・・・
1gケイ素のアルコラート化合物エタノール溶液 ・
・・100Og100O,含有率2.0%) 次に、平均粒径7.0μのYzO,S : Eu赤蛍光
体500gを上の顔料分散液スラリーに入れ、充分に攪
拌後、ベーキング炉にて約450℃、30分間焼成を行
ない、蛍光体表面に顔料が分散された約0.1μの非晶
性シリカ膜からなるセラミック膜を形成する。次いで、
焼成物を数%のシリカ溶液と混合してローリングをかけ
、はぐしと同時に表面処理を行ない。
1gケイ素のアルコラート化合物エタノール溶液 ・
・・100Og100O,含有率2.0%) 次に、平均粒径7.0μのYzO,S : Eu赤蛍光
体500gを上の顔料分散液スラリーに入れ、充分に攪
拌後、ベーキング炉にて約450℃、30分間焼成を行
ない、蛍光体表面に顔料が分散された約0.1μの非晶
性シリカ膜からなるセラミック膜を形成する。次いで、
焼成物を数%のシリカ溶液と混合してローリングをかけ
、はぐしと同時に表面処理を行ない。
乾燥して赤色の顔料付蛍光体を作成する。
一方、通常の方法でベンガラ赤顔料をY20□S:Eu
蛍光体に付加したものを作成した。
蛍光体に付加したものを作成した。
これらをスラリー法によりそれぞれカラー受像管のパネ
ル内面に緑、青、赤順に塗布して、特性を比較し、第3
表の結果が得られた。
ル内面に緑、青、赤順に塗布して、特性を比較し、第3
表の結果が得られた。
第3表
第3表から明らかな様に緑、青、蛍光体層への赤顔料の
汚染がなくなり、輝度が改善された。また、赤顔料の表
面反射が低減されたため、外光反射率を改善することが
できた。
汚染がなくなり、輝度が改善された。また、赤顔料の表
面反射が低減されたため、外光反射率を改善することが
できた。
(第3の実施例)
先ず、次の組成の顔料分散液を用意する。
酸化クロム緑顔料 ・・・ 1
0g次にZnS : Cu、 A Q緑蛍光体500g
を上の顔料分散液スラリーに入れ、充分に攪拌後、ベー
キング炉にて約450℃、30分間焼成を行ない、蛍光
体表面に顔料が分散された約0.1μの非結晶性シリカ
膜から成るセラミック膜を形成する。次いで焼成を行な
う。次いで焼成物を数%のシリカ溶液と混合してローリ
ングをかけ、はぐしと同時に表面処理を行ない、乾燥し
て緑色の顔料付蛍光体を作成する。
0g次にZnS : Cu、 A Q緑蛍光体500g
を上の顔料分散液スラリーに入れ、充分に攪拌後、ベー
キング炉にて約450℃、30分間焼成を行ない、蛍光
体表面に顔料が分散された約0.1μの非結晶性シリカ
膜から成るセラミック膜を形成する。次いで焼成を行な
う。次いで焼成物を数%のシリカ溶液と混合してローリ
ングをかけ、はぐしと同時に表面処理を行ない、乾燥し
て緑色の顔料付蛍光体を作成する。
一方、通常の方法で酸化クロム緑顔料をZnS:Cu。
AQ蛍光体に付加したものを作成した。
これらをスラリー法により、それぞれカラー受像管のパ
ネル内面に緑、青、赤順に塗布して特性を比較し、第4
表の結果が得られた。
ネル内面に緑、青、赤順に塗布して特性を比較し、第4
表の結果が得られた。
第4表
第4表から明らかな様に、緑顔料の表面反射が低減され
た為、外光反射率を改善することができた。またバック
グランド発光、即ち、暗部輝度が15%低下したため、
コントラストの改善された画像を得ることができた。こ
れは蛍光体の表面に非発光層が形成された為に電圧輝度
特性がリーバ−リニヤ−型に近づき、散乱電子による異
常発光が低減された為と思われる。
た為、外光反射率を改善することができた。またバック
グランド発光、即ち、暗部輝度が15%低下したため、
コントラストの改善された画像を得ることができた。こ
れは蛍光体の表面に非発光層が形成された為に電圧輝度
特性がリーバ−リニヤ−型に近づき、散乱電子による異
常発光が低減された為と思われる。
上述のように、本発明によれば顔料表面での反射及び蛍
光体への付着力を改善し、また散乱電子による異常発光
を低減することができるので高輝度、高コントラストの
陰極線管を得ることができる。
光体への付着力を改善し、また散乱電子による異常発光
を低減することができるので高輝度、高コントラストの
陰極線管を得ることができる。
第1図及び第2図は本発明による顔料付蛍光体の実施例
を示す説明用断面図、第3図は従来の顔料付蛍光体の一
例を示す説明用断面図、第4図は非発光層の厚みを変え
た時の加速電圧と相対輝度との関係を示すグラフである
。 1、11.21・・・蛍光体、2.12.22・・・顔
料13、23・・・シリカ膜
を示す説明用断面図、第3図は従来の顔料付蛍光体の一
例を示す説明用断面図、第4図は非発光層の厚みを変え
た時の加速電圧と相対輝度との関係を示すグラフである
。 1、11.21・・・蛍光体、2.12.22・・・顔
料13、23・・・シリカ膜
Claims (2)
- (1)パネル内面に形成され、陰極線の刺激により所
定の発光色で発光する蛍光体粒子の表面の略全域に前記
蛍光体粒子の発光色と同領域で選択的に高い反射率を有
する顔料が付加された蛍光体層と、前記陰極線を放出す
る電子銃とを少くとも具備してなる陰極線管において、
前記顔料が、この顔料の屈折率よりも小さい屈折率を有
するセラミック膜中に分散された状態であって、かつ前
記セラミック膜をバインダーとして前記蛍光体粒子表面
全域に被覆されていることを特徴とする陰極線管。 - (2)セラミック膜のバインダーがケイ素を主成分と
するアルコラート化合物の反応生成物である非結晶性シ
リカ膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の陰極線管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18393485A JPS6245683A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18393485A JPS6245683A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 陰極線管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6245683A true JPS6245683A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16144360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18393485A Pending JPS6245683A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 陰極線管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6245683A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5565286A (en) * | 1978-11-09 | 1980-05-16 | Toshiba Corp | Fluorescent material and its preparation |
JPS55104384A (en) * | 1979-02-02 | 1980-08-09 | Toshiba Corp | Filter-attached phosphor |
JPS5684787A (en) * | 1979-12-13 | 1981-07-10 | Toshiba Corp | Pigment-coated phosphor |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18393485A patent/JPS6245683A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5565286A (en) * | 1978-11-09 | 1980-05-16 | Toshiba Corp | Fluorescent material and its preparation |
JPS55104384A (en) * | 1979-02-02 | 1980-08-09 | Toshiba Corp | Filter-attached phosphor |
JPS5684787A (en) * | 1979-12-13 | 1981-07-10 | Toshiba Corp | Pigment-coated phosphor |
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