JPS6245128A - 外部燃焼装置 - Google Patents
外部燃焼装置Info
- Publication number
- JPS6245128A JPS6245128A JP18400585A JP18400585A JPS6245128A JP S6245128 A JPS6245128 A JP S6245128A JP 18400585 A JP18400585 A JP 18400585A JP 18400585 A JP18400585 A JP 18400585A JP S6245128 A JPS6245128 A JP S6245128A
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- Japan
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- gas
- hydrogen
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- main body
- external combustion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、半導体基板を熱酸化づるための反応？へ・
に連結して使用される外部燃焼具■に関するちのであり
、特に、従来の外部燃焼装置にくらべ−Ｃ燃焼ガスの流
れのｊ０失が少なく■っ燃焼器を小型にすることかでさ
る、改良された外部燃焼装置に関するものである。。
に連結して使用される外部燃焼具■に関するちのであり
、特に、従来の外部燃焼装置にくらべ−Ｃ燃焼ガスの流
れのｊ０失が少なく■っ燃焼器を小型にすることかでさ
る、改良された外部燃焼装置に関するものである。。
］発明の技術的背田１
゛ｒ導体基根の表面に熱酸化膜を形成覆るための熱酸化
法には、酸素ガスにより乾燥状態で￥導体基板を酸化さ
じる乾燥酸化法と、水素ガスを燃焼させてｉ３Ｊられる
高ン晶水只へ気によって゛１′ン俸（木ｉ；ｔ １を酸
化さける水素燃焼酸化法とがある。 このうら、乾燥酸
化法は反応管（Ａ！２化炉）内の温度を一様に保つこと
が容易であるため、８００℃以上の低温で比較的薄い酸
（ヒ膜を形成するのに適しているが、スルーブッ１−が
低く、従ってｐ）い＾々化膜を形成１Ｊるのに不利であ
るという欠点がある。
法には、酸素ガスにより乾燥状態で￥導体基板を酸化さ
じる乾燥酸化法と、水素ガスを燃焼させてｉ３Ｊられる
高ン晶水只へ気によって゛１′ン俸（木ｉ；ｔ １を酸
化さける水素燃焼酸化法とがある。 このうら、乾燥酸
化法は反応管（Ａ！２化炉）内の温度を一様に保つこと
が容易であるため、８００℃以上の低温で比較的薄い酸
（ヒ膜を形成するのに適しているが、スルーブッ１−が
低く、従ってｐ）い＾々化膜を形成１Ｊるのに不利であ
るという欠点がある。
これに対して水素燃焼酸化法は乾燥醇化法にくらべて数
９３の酸化法［Ｉ２が１〔Ｉられるためスルーブツトが
高く、１１つηい酸化膜を形成（Ｊることがぐきるので
、晟近では乾燥酸化法に代わって採用さＦＬることが多
くなって＋３す、特に、数白１１１１のｌ＋２い醇化膜
をンＩ２２どする索了間分ｌ９Ｉｌ膜の形成簀に広く採
用されている。 しかしながら、水素燃焼酸化法では水
メ〜燃焼時に（１３いて周囲に人込な圧力変動と４度分
布の変動とをもだらす゛ため、反応管（酸化炉）内の１
力分布と記１α分イｈを均一にす゛ることがむずかしい
という問題があり、従って、この問題を解決するための
種々の哀：と？が開発されている。
９３の酸化法［Ｉ２が１〔Ｉられるためスルーブツトが
高く、１１つηい酸化膜を形成（Ｊることがぐきるので
、晟近では乾燥酸化法に代わって採用さＦＬることが多
くなって＋３す、特に、数白１１１１のｌ＋２い醇化膜
をンＩ２２どする索了間分ｌ９Ｉｌ膜の形成簀に広く採
用されている。 しかしながら、水素燃焼酸化法では水
メ〜燃焼時に（１３いて周囲に人込な圧力変動と４度分
布の変動とをもだらす゛ため、反応管（酸化炉）内の１
力分布と記１α分イｈを均一にす゛ることがむずかしい
という問題があり、従って、この問題を解決するための
種々の哀：と？が開発されている。
水素燃焼酸化法は水素をどこで燃焼さけるかによっＣ炉
内燃焼法と外部燃焼法とに分けられる。
内燃焼法と外部燃焼法とに分けられる。
このうち、炉内燃焼法とは、反応管内に水素と酸にとを
導入して該反応管内で直接に水素を燃焼ざｔ！る１１式
であり、この方式による装置はたとえば高圧酸化法を実
施１Ｊるためのｒ：＋ｆＴ酸化装置として実現しＣいる
。
導入して該反応管内で直接に水素を燃焼ざｔ！る１１式
であり、この方式による装置はたとえば高圧酸化法を実
施１Ｊるためのｒ：＋ｆＴ酸化装置として実現しＣいる
。
一方、外ハＩＳ燃焼法とｔよ水素を反応管外のりｉ部燃
焼装置Ｆ１ ″ｃ−燃焼さＵ（、その結果発１１−シた
高ン九、旨島１’１の水蒸気を反応管内に樽入りる方式
であり、炉内燃焼γ）：よりら炉内の圧力分子ｌ’ｉと
温度分缶とを均一に保つことがでさる刊貞がある。
焼装置Ｆ１ ″ｃ−燃焼さＵ（、その結果発１１−シた
高ン九、旨島１’１の水蒸気を反応管内に樽入りる方式
であり、炉内燃焼γ）：よりら炉内の圧力分子ｌ’ｉと
温度分缶とを均一に保つことがでさる刊貞がある。
第２図は炉内燃焼法による酸化装置の一例を示しρＧの
であり、同図にＪ３いて１は反応管、２）９Ｌバツフア
と称するじ■ま板、３は熱ｍ１ｌｌｉ仮、４は半う９体
ＩＪ板、５は半ｊｎ体基板４を９てた状態【・載置して
いるボート、６は反応管１内に水素ガスと酸素がスとを
導入するためのガス導入管である。
であり、同図にＪ３いて１は反応管、２）９Ｌバツフア
と称するじ■ま板、３は熱ｍ１ｌｌｉ仮、４は半う９体
ＩＪ板、５は半ｊｎ体基板４を９てた状態【・載置して
いるボート、６は反応管１内に水素ガスと酸素がスとを
導入するためのガス導入管である。
この装置では、半導体１．４板４が首かれている反応室
に水素の燃焼による圧力変動を起こさせぬためにじゃま
板２を反応管１内に設けたことを特徴どするものである
。
に水素の燃焼による圧力変動を起こさせぬためにじゃま
板２を反応管１内に設けたことを特徴どするものである
。
１３図は外部燃焼法による酸化装置の一例を示した概略
図であり、同図において、７は反応管、８は管継手９を
介して反応管７に連結された外部燃焼室、１０は外部燃
焼室８内に酸素を導入するための酸素導入管、１１は外
部燃焼室８内に水素を導入し且つる火させるための水Ａ
導入管兼ヒータである。 水素導入管１にヒータ１１は
耐熱ｆ１１の高いＳｉＣで構成されている。
図であり、同図において、７は反応管、８は管継手９を
介して反応管７に連結された外部燃焼室、１０は外部燃
焼室８内に酸素を導入するための酸素導入管、１１は外
部燃焼室８内に水素を導入し且つる火させるための水Ａ
導入管兼ヒータである。 水素導入管１にヒータ１１は
耐熱ｆ１１の高いＳｉＣで構成されている。
［Ｉ′￥盲技術の問題貞］
第２図に示した内部燃焼法による酸化装置では、水素燃
焼に伴う圧力変動と大きな温瑣勾配とを半導体基板４が
置かれている反応室に伝えぬように一般に反応管１の全
長をかなり１（りする必要がある］二、じゃま板２を設
置ｊな１ノればならないので、反応管１の製作］ス１〜
がかなりｉ！″！１（ｌＩＩｌになるという欠員があり
、じ唐ま板２を設Ｇ”）て６水素燃焼に伴う圧力変動昏
）！、ｌ！度勾配の悪影響を完全に防Ｊ）することはで
きないという欠点があった。
焼に伴う圧力変動と大きな温瑣勾配とを半導体基板４が
置かれている反応室に伝えぬように一般に反応管１の全
長をかなり１（りする必要がある］二、じゃま板２を設
置ｊな１ノればならないので、反応管１の製作］ス１〜
がかなりｉ！″！１（ｌＩＩｌになるという欠員があり
、じ唐ま板２を設Ｇ”）て６水素燃焼に伴う圧力変動昏
）！、ｌ！度勾配の悪影響を完全に防Ｊ）することはで
きないという欠点があった。
一方、第ご３図に示した外部燃焼法に阜く酸化装「′Ｉ
′では、水素が水素導入′ｉ′へ・兼ヒータ１１の先端
面Ｃのみ燃焼づるため、該ヒータ１１の先端に燃焼によ
る強い渦流ｖ ｈ＜発生して外部燃焼室８内から反応管
７内への水蒸気の流入が妨げられ、ぞの結末、反応管内
に）９人される水蒸気の乱流ににす゛１′尋休１体毛板
の酸化が均整に＜Ｔらないという欠員があ−）た３、Ｊ
、た、該ヒータ１１の先端がＭｉ記渦流にＪ、って急速
に１ｆ耗りるため、該ヒータ１１の交］■費用がかさむ
という別の欠点らあった。
′では、水素が水素導入′ｉ′へ・兼ヒータ１１の先端
面Ｃのみ燃焼づるため、該ヒータ１１の先端に燃焼によ
る強い渦流ｖ ｈ＜発生して外部燃焼室８内から反応管
７内への水蒸気の流入が妨げられ、ぞの結末、反応管内
に）９人される水蒸気の乱流ににす゛１′尋休１体毛板
の酸化が均整に＜Ｔらないという欠員があ−）た３、Ｊ
、た、該ヒータ１１の先端がＭｉ記渦流にＪ、って急速
に１ｆ耗りるため、該ヒータ１１の交］■費用がかさむ
という別の欠点らあった。
［発明の［１的１
この発明の目的【ま、前記の如き従来装置の欠点を排除
した新規な酸化装置を１１２供υ′ることであり、更に
詳細には、第３図に示した装置の欠員をｉＪｌ除した外
部燃焼装７７を提供ηることである。
した新規な酸化装置を１１２供υ′ることであり、更に
詳細には、第３図に示した装置の欠員をｉＪｌ除した外
部燃焼装７７を提供ηることである。
［発明の概要］
この発明による外部燃焼装置は、水素ガス２９人口と酸
素ガス導入口とを具備するとと６に反応管に連結された
燃焼器本体と、該燃焼器本体の周囲に設けられた高周波
コイルと、該燃焼器本体内に水素ガス及び発生水蒸気の
流れ方向と平行に配着された少＜≧くとち一つ以上の誘
導加熱板とを４１しているもの（゛ある。 この発明に
よる外部燃焼装置では、該誘導加熱板によって該燃焼器
本体内にｎいに平？１で１１つ直線的な流路が形成され
るとともに該流路の壁自身が加熱体となっているので、
水素ガスの燃焼時に詠燃焼器本体内に渦流が発生するこ
とが’に ＜ 、水素燃焼で発生した高湿高圧の水蒸気
は該流路に沿って直線的に、：）速で流れることができ
る。 また、第３図の装置どは巽なって水素ガスの流路
が直線的に構成されているので燃焼器本体内で高圧水然
気が停滞することがない。
素ガス導入口とを具備するとと６に反応管に連結された
燃焼器本体と、該燃焼器本体の周囲に設けられた高周波
コイルと、該燃焼器本体内に水素ガス及び発生水蒸気の
流れ方向と平行に配着された少＜≧くとち一つ以上の誘
導加熱板とを４１しているもの（゛ある。 この発明に
よる外部燃焼装置では、該誘導加熱板によって該燃焼器
本体内にｎいに平？１で１１つ直線的な流路が形成され
るとともに該流路の壁自身が加熱体となっているので、
水素ガスの燃焼時に詠燃焼器本体内に渦流が発生するこ
とが’に ＜ 、水素燃焼で発生した高湿高圧の水蒸気
は該流路に沿って直線的に、：）速で流れることができ
る。 また、第３図の装置どは巽なって水素ガスの流路
が直線的に構成されているので燃焼器本体内で高圧水然
気が停滞することがない。
従って、本発明の装置では燃焼器本体の容積を小さくづ
ることができるとともに反応管に入るまでの高圧水蒸気
の冷却を防ぐことができ、反応管内の整流を実現するこ
とができる。
ることができるとともに反応管に入るまでの高圧水蒸気
の冷却を防ぐことができ、反応管内の整流を実現するこ
とができる。
［発明の実施例］
以下に第１図をネＳ照して本発明の一実施例について説
明１Ｊる１゜ 第１図にＪ３いて１２は反応管、１３３は管継手、１７
１は外部燃焼方式を荀１成り゛る燃焼器本体、１５は燃
焼器本体１４の周囲に設【Ｊられた＾周波Ｔ１イル、１
Ｇは燃焼器本体１４内にガス流路と平行に（［１つ燃焼
器本体及び反応室１２の軸線どｌ’？＋に）設（）られ
ｌ、：誘導加熱板、１７ｉま燃焼器本体１／Ｉｆご設（
）られた酸素ガス力入管、１Ｂは同じく水素ガス台入管
である１、 誘ン９加熱板１６は高周波−］イル１５）
の竹る磁界ぐ誘導加熱δれるように＜Ｃつ（Ｊ３す、該
誘導加熱板１Ｇの間に（３１該燃焼器本体１４の軸線ど
へ１１行なガス流路が形成２＼れ（いる、。
明１Ｊる１゜ 第１図にＪ３いて１２は反応管、１３３は管継手、１７
１は外部燃焼方式を荀１成り゛る燃焼器本体、１５は燃
焼器本体１４の周囲に設【Ｊられた＾周波Ｔ１イル、１
Ｇは燃焼器本体１４内にガス流路と平行に（［１つ燃焼
器本体及び反応室１２の軸線どｌ’？＋に）設（）られ
ｌ、：誘導加熱板、１７ｉま燃焼器本体１／Ｉｆご設（
）られた酸素ガス力入管、１Ｂは同じく水素ガス台入管
である１、 誘ン９加熱板１６は高周波−］イル１５）
の竹る磁界ぐ誘導加熱δれるように＜Ｃつ（Ｊ３す、該
誘導加熱板１Ｇの間に（３１該燃焼器本体１４の軸線ど
へ１１行なガス流路が形成２＼れ（いる、。
前記の叫さ荀１成の外部燃焼装′ＩＩにおいＵ ｆ、Ｌ
、酸素ガス導入管１７及び水素ガス導入管１８が燃焼
洲本（Ａ１４の軸線に沿って配置されるととしに燃焼器
本体１４内にはでの軸線と平行に配置ｎされた誘導加熱
板１Ｇに」二って燃焼器本体の軸線と平行イｆ刀ス流路
がｈ’４成されでいるので、燃焼器本体１４内で渦流が
（［じるＯＪ能ｔ’ｌが殆どなく、また、ガス流路の檗
で−れ自Ｉ′、）が面状加熱器となっているので水素の
燃焼にＪ、−）（渦流が１１じる可能↑’Ｉ ｂ殆どな
い。 位、つて、前記の如き本発明の外部燃焼方式では
燃焼器本体１４内で渦流を発（ＬｌＪる恐れが殆ど（７
いため、発生水蒸気の停滞は仝＜イ［じイ１い９゜ なお、誘導加熱板１Ｇは高抵抗の耐熱ｆＦ高硬鳴材でｈ
η成され、この実施例て゛は、ＳｉＣで二Ｊ−ティング
された炭素根から成っている。 εＬだ、誘導加熱板１
６の形状Ｃ，１平扱Ｃ・あつ（しよいｌＪ（筒形ぐあっ
て′ｂＪ、く、史に、複数（・なくとムＪ、い。
、酸素ガス導入管１７及び水素ガス導入管１８が燃焼
洲本（Ａ１４の軸線に沿って配置されるととしに燃焼器
本体１４内にはでの軸線と平行に配置ｎされた誘導加熱
板１Ｇに」二って燃焼器本体の軸線と平行イｆ刀ス流路
がｈ’４成されでいるので、燃焼器本体１４内で渦流が
（［じるＯＪ能ｔ’ｌが殆どなく、また、ガス流路の檗
で−れ自Ｉ′、）が面状加熱器となっているので水素の
燃焼にＪ、−）（渦流が１１じる可能↑’Ｉ ｂ殆どな
い。 位、つて、前記の如き本発明の外部燃焼方式では
燃焼器本体１４内で渦流を発（ＬｌＪる恐れが殆ど（７
いため、発生水蒸気の停滞は仝＜イ［じイ１い９゜ なお、誘導加熱板１Ｇは高抵抗の耐熱ｆＦ高硬鳴材でｈ
η成され、この実施例て゛は、ＳｉＣで二Ｊ−ティング
された炭素根から成っている。 εＬだ、誘導加熱板１
６の形状Ｃ，１平扱Ｃ・あつ（しよいｌＪ（筒形ぐあっ
て′ｂＪ、く、史に、複数（・なくとムＪ、い。
本実施例では、装［６゛の使用間外ｉ １１１ｆに燃焼
器本体１４と反応管１２の内部を窒素ガスＣパージした
後、酸に；ガスと水素ガスとをその体積比が１：１．２
５となる流れうで燃焼器本体１４内に吹き込みつつ高周
波コイル１５に高周波交流を流し−（誘導＋１１１熱板
１Ｇの表面）晶１σが９００℃となるＪ：うに１ｊ１１
熱した。 そして燃焼器本体１４内の流れを観察したと
ころ、渦流を全く（Ｌしることなく、発生水蒸気は極め
Ｃ円滑に反応管１２内に流入していることかわかった。
器本体１４と反応管１２の内部を窒素ガスＣパージした
後、酸に；ガスと水素ガスとをその体積比が１：１．２
５となる流れうで燃焼器本体１４内に吹き込みつつ高周
波コイル１５に高周波交流を流し−（誘導＋１１１熱板
１Ｇの表面）晶１σが９００℃となるＪ：うに１ｊ１１
熱した。 そして燃焼器本体１４内の流れを観察したと
ころ、渦流を全く（Ｌしることなく、発生水蒸気は極め
Ｃ円滑に反応管１２内に流入していることかわかった。
」、た、中位時間当りの流吊し第３図の従＊に１１η
よりしはるかに高い口とがわかった。 更に誘導加熱板
１６のＩ？ｆ？（の程度を調合したところ、摩耗トｄは
第３図の従来装置のヒータにくらべて極めて少＜２いこ
とがわかった。
よりしはるかに高い口とがわかった。 更に誘導加熱板
１６のＩ？ｆ？（の程度を調合したところ、摩耗トｄは
第３図の従来装置のヒータにくらべて極めて少＜２いこ
とがわかった。
［発明の効宋］
以上のように、本発明によれば、従来の外部燃焼方式よ
りも発生水、熱気の流れをｆｆ Ｆ吊させずに反応管内
へ送り込むことの−ＣきるＮｆ現な外部燃焼方式が提供
される。
りも発生水、熱気の流れをｆｆ Ｆ吊させずに反応管内
へ送り込むことの−ＣきるＮｆ現な外部燃焼方式が提供
される。
すな１つら、本発明によれば次のような効宋を仝Ｊるこ
とのｒきる？Ｊｉ現な外部燃焼装［？′１が提供される
。
とのｒきる？Ｊｉ現な外部燃焼装［？′１が提供される
。
（ｉ ） 燃焼器本体１４内で発生水蒸気の渦流が生
じないので反応管へのびｔ ｔｌｉが大きく、従−）で
、燃焼器本体く′？ｌなわら燃焼室）の容積を小さくす
ることがて゛きる。
じないので反応管へのびｔ ｔｌｉが大きく、従−）で
、燃焼器本体く′？ｌなわら燃焼室）の容積を小さくす
ることがて゛きる。
（白） 燃焼器本体内で渦流が発生しないのでエネルギ
ーｎ失が少なくなり、水素及び酸素の消費トハが減少ケ
る。
ーｎ失が少なくなり、水素及び酸素の消費トハが減少ケ
る。
（ｉｉｉ ） 発生水蒸気を燃焼器本体内に停滞させ
ずに反応管内に送り込むことができるので、反応管に送
り込む水蒸気の温度を１！″！ｉく保つことかぐさ、従
って、反応管内の温度の均一性を保つことが：ｉ易とな
った。
ずに反応管内に送り込むことができるので、反応管に送
り込む水蒸気の温度を１！″！ｉく保つことかぐさ、従
って、反応管内の温度の均一性を保つことが：ｉ易とな
った。
〈１ｖ） 燃焼器本体内で渦流が牛しないの（゛誘導
加熱板の１９粍が従来装；べのヒータの１°Ｌ耗にくら
べ（〕１常に少なく、従って、ヒータ″、ＩＩ゛のノ用
熱（木の交換費用が従来装置にくらべＣ低減でさる。
加熱板の１９粍が従来装；べのヒータの１°Ｌ耗にくら
べ（〕１常に少なく、従って、ヒータ″、ＩＩ゛のノ用
熱（木の交換費用が従来装置にくらべＣ低減でさる。
（Ｖ） 燃焼室を従来Ｒ７，１上りらかなり小ｌ〜す
（こ−（・きるため、たとえば縦形炉に取りイ・口Ｊ
ｉＪ−ること乙可能になった。
（こ−（・きるため、たとえば縦形炉に取りイ・口Ｊ
ｉＪ−ること乙可能になった。
第１図は本発明にＪ、る外部燃焼方式の一実施例を示し
た概略図、第２図は炉内燃焼り式にＩＪづく従来の酸化
装置の要部類−８図、第３図は外部燃焼方式にＦ、ｔ−
づ〈従来の酸化装置の要部概略図ぐある。 １．７．１２・・・反応管、 ２・・・じゃま根、 ３
・・・熱遮断板、 ４・・・’１−Ｌ９体Ｍ板、 ５・
・・ボート、６・・・ガス力入管、 ８・・・燃焼室、
９，１３・・°菅継千、 １４・・・燃焼器本体、
１１・・・水素ガス導入管並ヒーク、 １１）・・・
高周波コイル、 １Ｇ・・・誘橡加熱板。 第２図
た概略図、第２図は炉内燃焼り式にＩＪづく従来の酸化
装置の要部類−８図、第３図は外部燃焼方式にＦ、ｔ−
づ〈従来の酸化装置の要部概略図ぐある。 １．７．１２・・・反応管、 ２・・・じゃま根、 ３
・・・熱遮断板、 ４・・・’１−Ｌ９体Ｍ板、 ５・
・・ボート、６・・・ガス力入管、 ８・・・燃焼室、
９，１３・・°菅継千、 １４・・・燃焼器本体、
１１・・・水素ガス導入管並ヒーク、 １１）・・・
高周波コイル、 １Ｇ・・・誘橡加熱板。 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板を熱酸化するための反応管に連結して該
反応管内に高温水蒸気を供給するための外部燃焼装置で
あって、 水素ガス導入口と酸素ガス導入口とを具備するとともに
該反応管に連結された燃焼器本体と、該燃焼器本体の周
囲に設けられた高周波コイルと、該燃焼器本体内に水蒸
気の流れ方向と平行に配置された少なくとも一つ以上の
誘導加熱板とを有して成る外部燃焼装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18400585A JPS6245128A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 外部燃焼装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18400585A JPS6245128A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 外部燃焼装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245128A true JPS6245128A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16145654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18400585A Pending JPS6245128A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 外部燃焼装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6245128A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205425A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Tel Sagami Ltd | 酸化炉 |
| JPH01252809A (ja) * | 1987-09-01 | 1989-10-09 | Tel Sagami Ltd | 縦型酸化装置 |
| JPH0273730U (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | ||
| JPH03212933A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18400585A patent/JPS6245128A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01252809A (ja) * | 1987-09-01 | 1989-10-09 | Tel Sagami Ltd | 縦型酸化装置 |
| JPH01205425A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-17 | Tel Sagami Ltd | 酸化炉 |
| JPH0273730U (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | ||
| JPH03212933A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
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