JPS6243946B2 - - Google Patents
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- JPS6243946B2 JPS6243946B2 JP55087415A JP8741580A JPS6243946B2 JP S6243946 B2 JPS6243946 B2 JP S6243946B2 JP 55087415 A JP55087415 A JP 55087415A JP 8741580 A JP8741580 A JP 8741580A JP S6243946 B2 JPS6243946 B2 JP S6243946B2
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- Japan
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- silver
- composition
- sintered
- dielectric loss
- main component
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SSWAPIFTNSBXIS-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)tungsten;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].[O-][W]([O-])(=O)=O SSWAPIFTNSBXIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、磁器組成物、特に高誘電率で焼結温
度の低い磁器組成物に関するものである。 従来、高誘電率系誘電体として、チタン酸バリ
ウム〔BaTiO3〕を主成分とするものが広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がらBaTiO3を主成分とするものは焼結温度とし
て通常1300℃〜1400℃の高温を必要とした。従つ
て例えばこれを用いて積層コンデンサ等々のデバ
イスを構成しようとする場合には、内部電極等々
の導電部分の構成材料としてこの高い焼結温度に
適合したものが要求され、例えば主成分が白金ま
たパラジウム等の高価な貴金属を使用しなければ
ならないなどという欠点を有していた。 このため、銀等を主成分とする安価な内部電極
を使用可能とするためには焼結温度ができるだけ
低温、特に1000℃以下の温度で焼結できる誘電体
が強く要望されていた。 本発明の目的は、1000℃以下の温度で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、しかも比
抵抗の高い組成物を提供することにある。そして
更に、これを用いて得る磁器の焼結密度を高めそ
の機械的強度を増大することもまた本発明の目的
である。 本発明者等は既に1000℃以下で焼結できるPb
（Fe〓Ｗ〓）O3とPb（Fe〓Nb〓）O3とからなる
二成分系高電率磁器組成物を提案した（特開昭52
−87700号公報）。この組成物は優れた誘電特性を
有しており、磁器コンデンサとして実用化されよ
うとしている。しかしながら誘電損失、比抵抗お
よび機械的強度がやや不満足であり、その用途は
自ら狭い範囲に限定せざるを得なかつた。 本発明はこの欠点を改良したものであり、この
二成分系組成物をPb（Fe〓Ｗ〓）x（Fe〓Nb〓）1
−ｘO3と表わしたとき配合比ｘが0.2≦ｘ≦0.5の範
囲内にある主成分組成物に、副成分として銀
（Ag）を0.02〜２原子％含有せしめることによつ
て、高誘電率を保ち、かつ誘電損失を減少させ、
比抵抗を増大せしめ、しかも焼結密度を高めると
共に機械的強度を増大させ、実用性の高い安価
な、積層コンデンサ等々のデバイス構成用として
極めて優れた特性を有する磁器組成物を提供する
ものである。 以下、本発明を実施の一例により詳細に説明す
る。 出発原料として、酸化鉛（PbO）、酸化鉄
（Fe2O3）、酸化タングステン（WO3）および酸化
ニオブ（Nb2O5）を使用し、所定の配合比に秤量
する。これをボールミル中で湿式混合した後、
750℃〜850℃で予焼を行つた。この粉末に酸化銀
（Ag2O）を所定量添加し、ボールミル中で混合均
一化する。過、乾燥後、直径約16mm、厚さ約10
mmの円柱状に約0.7ton／cm2の圧力で加圧成型した
後、850℃〜980℃で焼結した。得られた焼結本の
密度をアルキメデス法で測定し、その後約0.5mm
の円板状に切断した。機械的強度を抗折力で評価
するため、この円板から長さ約12mm、幅２mmの矩
形板を切り出した。電気的特性を評価するために
は上記と同様な円板の両面に銀電極を焼付けた。
このようにして得られた磁器の配合比と諸特性の
関係を次表に示す。
度の低い磁器組成物に関するものである。 従来、高誘電率系誘電体として、チタン酸バリ
ウム〔BaTiO3〕を主成分とするものが広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がらBaTiO3を主成分とするものは焼結温度とし
て通常1300℃〜1400℃の高温を必要とした。従つ
て例えばこれを用いて積層コンデンサ等々のデバ
イスを構成しようとする場合には、内部電極等々
の導電部分の構成材料としてこの高い焼結温度に
適合したものが要求され、例えば主成分が白金ま
たパラジウム等の高価な貴金属を使用しなければ
ならないなどという欠点を有していた。 このため、銀等を主成分とする安価な内部電極
を使用可能とするためには焼結温度ができるだけ
低温、特に1000℃以下の温度で焼結できる誘電体
が強く要望されていた。 本発明の目的は、1000℃以下の温度で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、しかも比
抵抗の高い組成物を提供することにある。そして
更に、これを用いて得る磁器の焼結密度を高めそ
の機械的強度を増大することもまた本発明の目的
である。 本発明者等は既に1000℃以下で焼結できるPb
（Fe〓Ｗ〓）O3とPb（Fe〓Nb〓）O3とからなる
二成分系高電率磁器組成物を提案した（特開昭52
−87700号公報）。この組成物は優れた誘電特性を
有しており、磁器コンデンサとして実用化されよ
うとしている。しかしながら誘電損失、比抵抗お
よび機械的強度がやや不満足であり、その用途は
自ら狭い範囲に限定せざるを得なかつた。 本発明はこの欠点を改良したものであり、この
二成分系組成物をPb（Fe〓Ｗ〓）x（Fe〓Nb〓）1
−ｘO3と表わしたとき配合比ｘが0.2≦ｘ≦0.5の範
囲内にある主成分組成物に、副成分として銀
（Ag）を0.02〜２原子％含有せしめることによつ
て、高誘電率を保ち、かつ誘電損失を減少させ、
比抵抗を増大せしめ、しかも焼結密度を高めると
共に機械的強度を増大させ、実用性の高い安価
な、積層コンデンサ等々のデバイス構成用として
極めて優れた特性を有する磁器組成物を提供する
ものである。 以下、本発明を実施の一例により詳細に説明す
る。 出発原料として、酸化鉛（PbO）、酸化鉄
（Fe2O3）、酸化タングステン（WO3）および酸化
ニオブ（Nb2O5）を使用し、所定の配合比に秤量
する。これをボールミル中で湿式混合した後、
750℃〜850℃で予焼を行つた。この粉末に酸化銀
（Ag2O）を所定量添加し、ボールミル中で混合均
一化する。過、乾燥後、直径約16mm、厚さ約10
mmの円柱状に約0.7ton／cm2の圧力で加圧成型した
後、850℃〜980℃で焼結した。得られた焼結本の
密度をアルキメデス法で測定し、その後約0.5mm
の円板状に切断した。機械的強度を抗折力で評価
するため、この円板から長さ約12mm、幅２mmの矩
形板を切り出した。電気的特性を評価するために
は上記と同様な円板の両面に銀電極を焼付けた。
このようにして得られた磁器の配合比と諸特性の
関係を次表に示す。
【表】
ここで誘電率および誘電損失は周波数1KHz、
温度20℃で測定した。比抵抗は、直流100Vを印
加して温度20℃で測定した。 抗折強度は三点法で支点間距離を0.9cmにと
り、τ＝３／２ Ｐｎｌ／ωｔ２〔Kg／cm2〕なる式に従
い求めた （ただし、τ：抗折強度、ω：試料の幅〔cm〕、
ｔ：試料の厚さ〔cm〕、ｌ：支点間距離〔cm〕、Ｐ
n：最大破壊荷重〔Kg〕とする）。 前表に示した結果からも明らかなように、副成
分として銀（Ag）を含有せしめることにより、
焼結密度を上昇させて抗折強度を高め、しかも高
誘電率を保ち、かつ誘電損失を減少せしめると共
に、比抵抗を著しく高めて、実用性に富む優れた
高誘電率磁器組成物が得られることがわかる。な
おここで抗折強度を高めることにより、取扱時や
外装時に入る亀裂を防ぎ、信頼性を向上させるこ
とができる。 こうした優れた特性を示す本発明の磁器組成物
は、焼結温度が1000℃以下の低温であることと相
俟つて、これを構成材料とした例えば積層コンデ
ンサ等々のデバイスにおいてその内部電極の低価
格化を実現できるという極めて優れた効果を提供
するものである。 なお、本発明の磁器組成物は、主成分配合比ｘ
が0.2未満あるいは0.5を越える範囲では、キユリ
ー点が室温よりも高温側あるいは低温側に大きく
ずれ、室温における誘電率が低くなるので不都合
である。また副成分である銀（Ag）の添加量が
0.02原子％未満の場合は、焼結密度、抗折強度、
誘電損失および比抵抗の改善効果が小さく、２原
子％を越えると抗折強度が小さくなりかつ誘電損
失が大きくなるので不都合である。 なお実施例では添加物として酸化銀Ag2Oを使
用したが、これは他の化合物形態でもよく、更に
は金属銀粉末を加えても同様な効果を示すことが
確認されている。
温度20℃で測定した。比抵抗は、直流100Vを印
加して温度20℃で測定した。 抗折強度は三点法で支点間距離を0.9cmにと
り、τ＝３／２ Ｐｎｌ／ωｔ２〔Kg／cm2〕なる式に従
い求めた （ただし、τ：抗折強度、ω：試料の幅〔cm〕、
ｔ：試料の厚さ〔cm〕、ｌ：支点間距離〔cm〕、Ｐ
n：最大破壊荷重〔Kg〕とする）。 前表に示した結果からも明らかなように、副成
分として銀（Ag）を含有せしめることにより、
焼結密度を上昇させて抗折強度を高め、しかも高
誘電率を保ち、かつ誘電損失を減少せしめると共
に、比抵抗を著しく高めて、実用性に富む優れた
高誘電率磁器組成物が得られることがわかる。な
おここで抗折強度を高めることにより、取扱時や
外装時に入る亀裂を防ぎ、信頼性を向上させるこ
とができる。 こうした優れた特性を示す本発明の磁器組成物
は、焼結温度が1000℃以下の低温であることと相
俟つて、これを構成材料とした例えば積層コンデ
ンサ等々のデバイスにおいてその内部電極の低価
格化を実現できるという極めて優れた効果を提供
するものである。 なお、本発明の磁器組成物は、主成分配合比ｘ
が0.2未満あるいは0.5を越える範囲では、キユリ
ー点が室温よりも高温側あるいは低温側に大きく
ずれ、室温における誘電率が低くなるので不都合
である。また副成分である銀（Ag）の添加量が
0.02原子％未満の場合は、焼結密度、抗折強度、
誘電損失および比抵抗の改善効果が小さく、２原
子％を越えると抗折強度が小さくなりかつ誘電損
失が大きくなるので不都合である。 なお実施例では添加物として酸化銀Ag2Oを使
用したが、これは他の化合物形態でもよく、更に
は金属銀粉末を加えても同様な効果を示すことが
確認されている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉄タングステン酸鉛〔Pb（Fe〓Ｗ〓）O3〕
および鉄ニオブ酸鉛〔Pb（Fe〓Nb〓）O3〕から
なる二成分系組成物をPb（Fe〓Ｗ〓）x（Fe〓Nb
〓）1-xO3と表わしたときに、配合比ｘが0.2≦ｘ
≦0.5の範囲内にある主成分組成物に、副成分と
して銀（Ag）を0.02原子％以上２原子％以下含
有せしめたことを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8741580A JPS5711871A (en) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | Ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8741580A JPS5711871A (en) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | Ceramic composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5711871A JPS5711871A (en) | 1982-01-21 |
| JPS6243946B2 true JPS6243946B2 (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=13914239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8741580A Granted JPS5711871A (en) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | Ceramic composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5711871A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181407A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
-
1980
- 1980-06-27 JP JP8741580A patent/JPS5711871A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5711871A (en) | 1982-01-21 |
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