JPS6242580A - 非線形抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6242580A JPS6242580A JP60182071A JP18207185A JPS6242580A JP S6242580 A JPS6242580 A JP S6242580A JP 60182071 A JP60182071 A JP 60182071A JP 18207185 A JP18207185 A JP 18207185A JP S6242580 A JPS6242580 A JP S6242580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- nonlinear resistance
- resistance element
- electrode
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- -1 inorganic acid salts Chemical class 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008375 Decussocarpus nagi Nutrition 0.000 description 1
- 244000309456 Decussocarpus nagi Species 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001053 Nickel-zinc ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N caproic acid ethyl ester Natural products CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052595 hematite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011019 hematite Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N iron(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Fe+3].[Fe+3] LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/823—Device geometry adapted for essentially horizontal current flow, e.g. bridge type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導電性スイッチングのような機能を備えた非
線形抵抗素子に関するものである。
線形抵抗素子に関するものである。
従来の技術
導電性スイッチングを行うような非線形抵抗素子はオボ
ニノク(OVONIC)素子として知られ、主にカルコ
ゲン元素からなる非晶質半導体をその材料として用いる
。また、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気
的性質の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタ
イト、ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、
酸化ニッケルなどが報告されている。これら従来の非線
形抵抗素子では、材料が薄膜や焼結体の形で利用されて
いるが、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するの
が有利であり、比較的安定な特性を示す非晶質半導体の
素子ではほとんどが薄膜型である。
ニノク(OVONIC)素子として知られ、主にカルコ
ゲン元素からなる非晶質半導体をその材料として用いる
。また、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気
的性質の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタ
イト、ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、
酸化ニッケルなどが報告されている。これら従来の非線
形抵抗素子では、材料が薄膜や焼結体の形で利用されて
いるが、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するの
が有利であり、比較的安定な特性を示す非晶質半導体の
素子ではほとんどが薄膜型である。
これの基本的な構造を第2図と第3図に示す。
なお、図において、1は基体、2はアクティブ層、3.
4は電極である。
4は電極である。
このように、形成した膜を膜厚の方向で使用するサンド
インチ型(第2図)と、膜をその表面方向で使用するプ
レーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場
合も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成される
のが普通である。
インチ型(第2図)と、膜をその表面方向で使用するプ
レーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場
合も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成される
のが普通である。
発明が解決しようとする問題点
前述のように、従来のスイッチング特性を示す非線形抵
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するため、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなり
、゛例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要の
あるような用途に対してはコストが高くなるなどの理由
でこれに対応することができない。
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するため、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなり
、゛例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要の
あるような用途に対してはコストが高くなるなどの理由
でこれに対応することができない。
本発明の目的は、このような問題点を解決したスイッチ
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法を提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法を提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するため本発明では、アクティブ層を形
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液を塗布乾燥した時に膜状になるものであればよく、
例えば硝酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、
錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などを用
いることができる。このような方法で薄膜を形成できる
化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイッチング
特性を呈する化合物として酸化マンガンと酸化ニッケル
の混合物を見出し、これをアクティブ層に用いた。
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液を塗布乾燥した時に膜状になるものであればよく、
例えば硝酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、
錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などを用
いることができる。このような方法で薄膜を形成できる
化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイッチング
特性を呈する化合物として酸化マンガンと酸化ニッケル
の混合物を見出し、これをアクティブ層に用いた。
作用
酸化マンガンと酸化ニッケルの混合物薄膜は、マンガン
とニッケルの化合物を溶媒に混合溶解して基体上に塗布
、熱分解させることにより容易に得られる。この際、化
合物と溶媒の組合せを考慮することにより非常に安定な
溶液とすることができ、インキとして長期間の保存が可
能である。このような形成法の導入により、ディップ、
スプレー、印刷などの工法を用いることができるため、
大面積にわたって均一な膜を生産性良く安価に製造する
ことができる。また、熱分解によって得られた薄膜は、
その膜厚、電極間距離、組成などに依存して閾値電圧や
維持電流が変化するスイッチング特性を示し、この特性
の安定性は非常に良好である。
とニッケルの化合物を溶媒に混合溶解して基体上に塗布
、熱分解させることにより容易に得られる。この際、化
合物と溶媒の組合せを考慮することにより非常に安定な
溶液とすることができ、インキとして長期間の保存が可
能である。このような形成法の導入により、ディップ、
スプレー、印刷などの工法を用いることができるため、
大面積にわたって均一な膜を生産性良く安価に製造する
ことができる。また、熱分解によって得られた薄膜は、
その膜厚、電極間距離、組成などに依存して閾値電圧や
維持電流が変化するスイッチング特性を示し、この特性
の安定性は非常に良好である。
実施例
以下に実施例をあげて本発明を説明する。
(実施例1)
第2図に示したサンドイッチ型の素子を作るため、第1
表に示すような組成で酸化マンガンと酸化ニッケルの混
合物薄膜形成用塗布液を調製した。
表に示すような組成で酸化マンガンと酸化ニッケルの混
合物薄膜形成用塗布液を調製した。
マンガンとニッケルの化合物として、成膜の非常に容易
な2−エチルヘキサン酸塩を使用し、溶媒はメチルイソ
ブチルケトンを使用した。電極として金の薄膜を形成し
たガラス基板上に、これら塗布液をスピンコードしだの
ち常温で乾燥し、大気中550”Cで60分間加熱焼成
してアクティブ層を形成し、さらにこの薄膜上に金の薄
膜を形成した。これらの素子の電圧印加時のX −V特
性をカーブトレーサーで測定すると、第1図に示したよ
りなI−V曲線が得られる。測定結果を第1表中に示す
が、この表では第1図におけるvth (閾値電圧)と
”th(閾値電流)及びvh(維持電圧)と工h(維持
電流)を数値として示した。これらの値はすべて50)
tzの周波数で掃引した時の数値である。また、アクテ
ィブ層の厚みは、この薄膜の一部をエツチングして段差
を形成し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
な2−エチルヘキサン酸塩を使用し、溶媒はメチルイソ
ブチルケトンを使用した。電極として金の薄膜を形成し
たガラス基板上に、これら塗布液をスピンコードしだの
ち常温で乾燥し、大気中550”Cで60分間加熱焼成
してアクティブ層を形成し、さらにこの薄膜上に金の薄
膜を形成した。これらの素子の電圧印加時のX −V特
性をカーブトレーサーで測定すると、第1図に示したよ
りなI−V曲線が得られる。測定結果を第1表中に示す
が、この表では第1図におけるvth (閾値電圧)と
”th(閾値電流)及びvh(維持電圧)と工h(維持
電流)を数値として示した。これらの値はすべて50)
tzの周波数で掃引した時の数値である。また、アクテ
ィブ層の厚みは、この薄膜の一部をエツチングして段差
を形成し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
さらに、これら素子に対し、6服で±16vの調波を印
加し特性の安定性を調べたところ、いずれにおいても連
続で10日間(400万回以上のスイッチングに相当す
る)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に±
6%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実用
上充分であると考えられた。
加し特性の安定性を調べたところ、いずれにおいても連
続で10日間(400万回以上のスイッチングに相当す
る)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に±
6%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実用
上充分であると考えられた。
(以 下金 白)
(実施例2)
実施例1と同様な組成の塗布液を用い、電極をスズをド
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドインチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのニーv特性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−4曲線が
得られ、この結果を第2表に示す。表中のサンプル凪は
第1表のそれに対応し、同一の隘のものは同じ塗布液で
アクティブ層を形成したことを示す。掃引周波数は50
t4zである。この表から、若干の変動はあるがほぼ実
施例1と同じ結果の得られることが分る。
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドインチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのニーv特性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−4曲線が
得られ、この結果を第2表に示す。表中のサンプル凪は
第1表のそれに対応し、同一の隘のものは同じ塗布液で
アクティブ層を形成したことを示す。掃引周波数は50
t4zである。この表から、若干の変動はあるがほぼ実
施例1と同じ結果の得られることが分る。
また、実施例1と同様な安定性の試験を行い、これらに
おいても約400万回以上のスイッチングの後でも特性
は安定していることを確認した。
おいても約400万回以上のスイッチングの後でも特性
は安定していることを確認した。
(実施例3)
ガラス基板上に金の薄膜を形成し、この薄膜を一部エソ
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この」二に実施例1と同様の
塗布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条件
は実施例1と同様である。このようにして第3図に示し
たプレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印
加し、ニーV特性を測定すると実施例1や2と同様に第
1図に示したようなI−4曲線が得られた。この結果を
第3表に示す。同様にサンプル凪は実施例1の気に対応
する。サンドインチ型素子に比べ電極間間隔が大きいこ
とに対応して閾値電圧が増大していることが分る。これ
らにおいても特性の安定性は実用上充分であることを確
認した。
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この」二に実施例1と同様の
塗布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条件
は実施例1と同様である。このようにして第3図に示し
たプレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印
加し、ニーV特性を測定すると実施例1や2と同様に第
1図に示したようなI−4曲線が得られた。この結果を
第3表に示す。同様にサンプル凪は実施例1の気に対応
する。サンドインチ型素子に比べ電極間間隔が大きいこ
とに対応して閾値電圧が増大していることが分る。これ
らにおいても特性の安定性は実用上充分であることを確
認した。
(以 下金 白)
(実施例4)
直径I NHのステンレス線を実施例1の隘4の塗布液
中に浸漬し、約6m/secの速度で引きあげたのち乾
燥し、500 ’Cで9Q分間加熱焼成して、ステンレ
ス線表面に酸化マンガンと酸化ニッケルの混合物薄膜を
形成し、さらにこの膜表面に銀電極を形成して素子を構
成した。このものでは掃引周波数50田にオイテvth
カ乙6v1工thカ1.1m人、vhが3.0 V 1
1hが3.6m人の、実施例1〜3と同様なスイッチン
グ特性が見られた。
中に浸漬し、約6m/secの速度で引きあげたのち乾
燥し、500 ’Cで9Q分間加熱焼成して、ステンレ
ス線表面に酸化マンガンと酸化ニッケルの混合物薄膜を
形成し、さらにこの膜表面に銀電極を形成して素子を構
成した。このものでは掃引周波数50田にオイテvth
カ乙6v1工thカ1.1m人、vhが3.0 V 1
1hが3.6m人の、実施例1〜3と同様なスイッチン
グ特性が見られた。
なお、本実施例1〜4では用いた基体と電極材料の耐熱
性の点から焼成温度はSOO〜66o′Cで行ったが、
例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。用
いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無機酸塩
、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドなど
で適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく使用す
ることができる。また、電極材料としては本実施例以外
の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドミ
ウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの導電性酸
化物、あるいはカーボンなども使用することができる。
性の点から焼成温度はSOO〜66o′Cで行ったが、
例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。用
いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無機酸塩
、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドなど
で適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく使用す
ることができる。また、電極材料としては本実施例以外
の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドミ
ウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの導電性酸
化物、あるいはカーボンなども使用することができる。
発明の効果
以上のように本発明の非線形抵抗素子は、酸化マンガン
と酸化ニッケルの混合物薄膜とこれから電気的リードを
取るための電極とからなり、酸化マンガンと酸化ニッケ
ルの混合物薄膜をマンガン化合物とニッケル化合物を溶
媒に溶解した溶液を基体上に塗布し、乾燥後、大気中で
加熱焼成することによって形成するという方法で製造さ
れることによシ、スイッチング特性を有する非線形抵抗
素子を、生産性良く安価に提供することができ、大面積
にわたっても製造が容易であるという点においてその実
用的な有用性は大きい。
と酸化ニッケルの混合物薄膜とこれから電気的リードを
取るための電極とからなり、酸化マンガンと酸化ニッケ
ルの混合物薄膜をマンガン化合物とニッケル化合物を溶
媒に溶解した溶液を基体上に塗布し、乾燥後、大気中で
加熱焼成することによって形成するという方法で製造さ
れることによシ、スイッチング特性を有する非線形抵抗
素子を、生産性良く安価に提供することができ、大面積
にわたっても製造が容易であるという点においてその実
用的な有用性は大きい。
第1図は本発明の非線形抵抗素子の電流−電圧特性図、
第2図はサンドイッチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はプレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 第1図 工電流
第2図はサンドイッチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はプレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 第1図 工電流
Claims (2)
- (1)酸化マンガンと酸化ニッケルの混合物薄膜と、こ
の薄膜から電気的リードを取るための電極とからなり、
導電性スイッチング特性を有することを特徴とする非線
形抵抗素子。 - (2)マンガン化合物とニッケル化合物を溶媒に溶解し
た溶液を基体上に塗布し、乾燥した後、加熱、焼成する
ことによって酸化マンガンと酸化ニッケルの混合物薄膜
を形成することを特徴とする非線形抵抗素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182071A JPS6242580A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182071A JPS6242580A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6242580A true JPS6242580A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16111840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60182071A Pending JPS6242580A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6242580A (ja) |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182071A patent/JPS6242580A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR850006552A (ko) | 전해전극 및 그 제조공정 | |
KR20100063608A (ko) | 정전용량형 환경유해가스 센서 및 그 제조방법 | |
JPS6242582A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS6242580A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS6242584A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
KR102118470B1 (ko) | 멤리스터 및 이의 제조 방법 | |
JPS6242579A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS6242576A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS6242574A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS6242577A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS6242578A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS6242575A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS6242581A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS6242583A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
JPS62242314A (ja) | 非線形抵抗素子およびその製造方法 | |
JPS62242313A (ja) | 非線形抵抗素子およびその製造方法 | |
JPS62242311A (ja) | 非線形抵抗素子およびその製造方法 | |
JPS62242312A (ja) | 非線形抵抗素子およびその製造方法 | |
Okamoto et al. | Protonic conduction and electrochromism of amorphous peroxopolytungstic acid | |
JP3045896B2 (ja) | オゾンセンサの製造方法 | |
CN108232011B (zh) | 一种非晶钛酸锶薄膜器件及其制备方法 | |
KR102233811B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | |
JPH02190754A (ja) | 湿度センサ | |
JPS60220505A (ja) | 透明導電膜およびその形成方法 | |
JPS639327B2 (ja) |