JPS6242577A - 非線形抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子及びその製造方法Info
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- JPS6242577A JPS6242577A JP60182068A JP18206885A JPS6242577A JP S6242577 A JPS6242577 A JP S6242577A JP 60182068 A JP60182068 A JP 60182068A JP 18206885 A JP18206885 A JP 18206885A JP S6242577 A JPS6242577 A JP S6242577A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 abstract description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- -1 inorganic acid salts Chemical class 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001053 Nickel-zinc ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N caproic acid ethyl ester Natural products CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052595 hematite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011019 hematite Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N iron(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Fe+3].[Fe+3] LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/823—Device geometry adapted for essentially horizontal current flow, e.g. bridge type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導電性スイッチングのような機能を備えた非
線形抵抗素子に関するものである。
線形抵抗素子に関するものである。
従来の技術
導電性スイッチングを行うような非線形抵抗素子は0V
ONIC素子として知られ、主にカルコゲン元素からな
る非晶質半導体をその材料として用いる。また、遷移金
属の酸化物においてもこれと同様な電気的性質の見られ
ることが知られ、ヘマタイト、マグネタイト、ニッケル
フェライト。
ONIC素子として知られ、主にカルコゲン元素からな
る非晶質半導体をその材料として用いる。また、遷移金
属の酸化物においてもこれと同様な電気的性質の見られ
ることが知られ、ヘマタイト、マグネタイト、ニッケル
フェライト。
ニッケル亜鉛フェライト、酸化ニッケルなどが報告され
ている。これら従来の非線形抵抗素子では、材料が薄膜
や焼結体の形で利用されているが、閾値電圧の低さなど
の点から薄膜で構成するのが有利であり、比較的安定な
特性?示す非晶質半導体の素子ではほとんどが薄膜型で
ある。
ている。これら従来の非線形抵抗素子では、材料が薄膜
や焼結体の形で利用されているが、閾値電圧の低さなど
の点から薄膜で構成するのが有利であり、比較的安定な
特性?示す非晶質半導体の素子ではほとんどが薄膜型で
ある。
これの基本的な構造を第2図と第3図に示す。
なお、図において、1は基体、2はアクティブ層、3.
4は電極である。
4は電極である。
このように、形成した膜を膜厚の方向で使用するサンド
イッチ型(第2図)と、膜上その表面方向で使用するプ
レーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場
合も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成される
のが普通である。
イッチ型(第2図)と、膜上その表面方向で使用するプ
レーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場
合も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成される
のが普通である。
発明が解決しようとする問題点
前述のように、従来のスイッチング特性?示す非線形抵
抗素子ではそのアクティブ層?真空法で形成するため、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなく
、例えば非常に大きな基体上に素子上構成する必要のあ
るような用途に対してはコストが高くなるなどの理由で
これに対応することができない。
抗素子ではそのアクティブ層?真空法で形成するため、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなく
、例えば非常に大きな基体上に素子上構成する必要のあ
るような用途に対してはコストが高くなるなどの理由で
これに対応することができない。
本発明の目的は、このような問題点を解決したスイッチ
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法全提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法全提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するため本発明では、アクティブ層金形
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
全取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液?塗布乾燥した時に膜状になるものであればよく、
例えば硝酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、
錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などt用
いることができる。このような方法で薄膜を形成できる
化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイッチング
特性金星する化合物として酸化マンガンと酸化コバルト
の混合物?見出し、これ全アクティブ層に用いた。
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
全取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液?塗布乾燥した時に膜状になるものであればよく、
例えば硝酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、
錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などt用
いることができる。このような方法で薄膜を形成できる
化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイッチング
特性金星する化合物として酸化マンガンと酸化コバルト
の混合物?見出し、これ全アクティブ層に用いた。
作用
酸化マンガンと酸化コバルトの混合物薄膜は、マンガン
とコバルトの化合物を溶媒に混合溶解して基体上に塗布
、熱分解させることにより容易に得られる。この際、化
合物と溶媒の組合せt考慮することにより非常に安定な
溶液とすることができ、インキとして長期間の保存が可
能である。このような形成法の導入により、ディップ、
スプレー、印刷などの工法τ用いることができるため、
大面積にわたって均一な膜?生産性良く安価に製造する
ことができる。また、熱分解によって得られた薄膜は、
その膜厚、電極間距離2組成などに依存して閾値電圧や
維持電流が変化するスイッチング特性を示し、この特性
の安定性は非常に良好である。
とコバルトの化合物を溶媒に混合溶解して基体上に塗布
、熱分解させることにより容易に得られる。この際、化
合物と溶媒の組合せt考慮することにより非常に安定な
溶液とすることができ、インキとして長期間の保存が可
能である。このような形成法の導入により、ディップ、
スプレー、印刷などの工法τ用いることができるため、
大面積にわたって均一な膜?生産性良く安価に製造する
ことができる。また、熱分解によって得られた薄膜は、
その膜厚、電極間距離2組成などに依存して閾値電圧や
維持電流が変化するスイッチング特性を示し、この特性
の安定性は非常に良好である。
実施例
以下に実施例tあげて本発明全説明する。
(実施例1)
第2図に示したサンドイッチ型の素子?作るため、第1
表に示すような組成で酸化マンガンと酸化コバルトの混
合物薄膜形成用塗布液を調製した。
表に示すような組成で酸化マンガンと酸化コバルトの混
合物薄膜形成用塗布液を調製した。
マンガンとコバルトの化合物として、成膜の非常に容易
な2−エチルヘキサン酸塩?使用し、溶媒はメチルイソ
ブチルケトンを使用した。電極として金の薄膜を形成し
たガラス基板上に、これら塗布液【スピンコードしたの
ち常温で乾燥し、大気中660°Cで60分間加熱焼成
してアクティブ層を形成し、さらにこの薄膜上に金の薄
膜を形成した。これらの素子の電圧印加時のI−v特性
全カーブトレーサーで測定すると、第1図に示したよう
なI−V曲線が得られる。測定結果を第1表中に示すが
、この表では第1図における”th (閾値電圧)とI
th(閾値電流)及びvh(維持電圧)と工h(維持電
流)全数値として示した。これらの値はすべて50H2
の周波数で掃引した時の数値である。また、アクティブ
層の厚みは、この薄膜の一部?エツチングして段差を形
成し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
な2−エチルヘキサン酸塩?使用し、溶媒はメチルイソ
ブチルケトンを使用した。電極として金の薄膜を形成し
たガラス基板上に、これら塗布液【スピンコードしたの
ち常温で乾燥し、大気中660°Cで60分間加熱焼成
してアクティブ層を形成し、さらにこの薄膜上に金の薄
膜を形成した。これらの素子の電圧印加時のI−v特性
全カーブトレーサーで測定すると、第1図に示したよう
なI−V曲線が得られる。測定結果を第1表中に示すが
、この表では第1図における”th (閾値電圧)とI
th(閾値電流)及びvh(維持電圧)と工h(維持電
流)全数値として示した。これらの値はすべて50H2
の周波数で掃引した時の数値である。また、アクティブ
層の厚みは、この薄膜の一部?エツチングして段差を形
成し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
さらに、これら素子に対し、sHzで±16Vの調波を
印加し特性の安定性音調べたところ、いずれにおいても
連続で10日間(400万回以上のスイッチングに相当
する)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に
±6%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実
用上充分であると考えられた。
印加し特性の安定性音調べたところ、いずれにおいても
連続で10日間(400万回以上のスイッチングに相当
する)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に
±6%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実
用上充分であると考えられた。
(以 下 余 白)
(実施例2)
実施例1と同様な組成の塗布液r用い、電極全スズ上ド
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドイッチ型
の素子全構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのI−V特性?カーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−V曲線が
得られ、この結果と第2表に示す。表中のサンプルfは
第1表のそれに対応し、同一のfのものは同じ塗布液で
アクティブ層を形成したことt示す。掃引周波数は50
Hzである。この表から、若干の変動はあるがほぼ実施
例1と同じ結果の得られることが分る。また、実施例1
と同様な安定性の試験上行い。
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドイッチ型
の素子全構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのI−V特性?カーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−V曲線が
得られ、この結果と第2表に示す。表中のサンプルfは
第1表のそれに対応し、同一のfのものは同じ塗布液で
アクティブ層を形成したことt示す。掃引周波数は50
Hzである。この表から、若干の変動はあるがほぼ実施
例1と同じ結果の得られることが分る。また、実施例1
と同様な安定性の試験上行い。
これらにおいても約4oO万回以上のスイッチングの後
でも特性は安定していることを確認した。
でも特性は安定していることを確認した。
(実施例3)
ガラス基板上に金の薄膜金形成し、この薄膜を一部エッ
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜全電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布i%l−用いてアクティブ層?形成した。その形成条
件は実施例1と同様である。このようにして第3図に示
したプレーナ型の素子全作成した。これらに直流電圧と
印加し、!−V特性を測定すると実施例1や2と同様に
第1図に示したようなI−V曲線が得られた。この結果
全第3表に示す。同様にサンプルfは実施例1の逼に対
応する。サンドイッチ型素子に比べ電極間間隔が大きい
ことに対応して閾値電圧が増大していることが分る。こ
れらにおいても特性の安定性は実用上充分であることr
確認した。
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜全電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布i%l−用いてアクティブ層?形成した。その形成条
件は実施例1と同様である。このようにして第3図に示
したプレーナ型の素子全作成した。これらに直流電圧と
印加し、!−V特性を測定すると実施例1や2と同様に
第1図に示したようなI−V曲線が得られた。この結果
全第3表に示す。同様にサンプルfは実施例1の逼に対
応する。サンドイッチ型素子に比べ電極間間隔が大きい
ことに対応して閾値電圧が増大していることが分る。こ
れらにおいても特性の安定性は実用上充分であることr
確認した。
(以下金 白)
(実施例4)
直径I NMのステンレス線を実施例1のf4の塗布液
中に浸漬し、約tsmt/SθCの速度で引きあげたの
ち乾燥し、6oO°Cで9Q分間加熱焼成して、ステン
レス線表面に酸化マンガンと酸化コバ/I/ )の混合
物薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電極金形底して
素子?構成した。このものでは掃引周波数50 HZ
K オイテVthカ6.2 V%I thが0、2’
mム、vhが2.1v、工りが2.6mムの、実施例1
〜3と同様なスイッチング特性が見られた。
中に浸漬し、約tsmt/SθCの速度で引きあげたの
ち乾燥し、6oO°Cで9Q分間加熱焼成して、ステン
レス線表面に酸化マンガンと酸化コバ/I/ )の混合
物薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電極金形底して
素子?構成した。このものでは掃引周波数50 HZ
K オイテVthカ6.2 V%I thが0、2’
mム、vhが2.1v、工りが2.6mムの、実施例1
〜3と同様なスイッチング特性が見られた。
なお、本実施例1〜4では用いた基体と電極材料の耐熱
性の点から焼成温度はSOO〜650’Cで行ったが、
例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。用
いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無機酸塩
、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドなど
で適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく使用す
ることができる。また、電極材料としては本実施例以外
の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドミ
ウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの導電性酸
化物、あるいはカーボンなども使用することができる。
性の点から焼成温度はSOO〜650’Cで行ったが、
例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。用
いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無機酸塩
、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドなど
で適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく使用す
ることができる。また、電極材料としては本実施例以外
の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドミ
ウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの導電性酸
化物、あるいはカーボンなども使用することができる。
発明の効果
以上のように本発明の非線形抵抗素子は、酸化マンガン
と酸化コバルトの混合物薄膜とこれから電気的リードを
取るための電極とからなり、酸化マンガンと酸化コバル
トの混合物薄膜金マンガン化合物とコバルト化合物全溶
媒に溶解した溶液?基体上に塗布し、乾燥後、大気中で
加熱焼成することによって形成するという方法で製造さ
れることにより、スイッチング特性を有する非線形抵抗
素子を生産性良く安価に提供することができ、大面積に
わたっても製造が容易であるという点においてその実用
的な有用性は大きい。
と酸化コバルトの混合物薄膜とこれから電気的リードを
取るための電極とからなり、酸化マンガンと酸化コバル
トの混合物薄膜金マンガン化合物とコバルト化合物全溶
媒に溶解した溶液?基体上に塗布し、乾燥後、大気中で
加熱焼成することによって形成するという方法で製造さ
れることにより、スイッチング特性を有する非線形抵抗
素子を生産性良く安価に提供することができ、大面積に
わたっても製造が容易であるという点においてその実用
的な有用性は大きい。
第1図は本発明の非線形抵抗素子の電流−電圧特性図、
第2図はサンドイッチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はプレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 第 1 図 1電流
第2図はサンドイッチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はプレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 第 1 図 1電流
Claims (2)
- (1)酸化マンガンと酸化コバルトの混合物薄膜と、こ
の薄膜から電気的リードを取るための電極とからなり、
導電性スイッチング特性を有することを特徴とする非線
形抵抗素子。 - (2)マンガン化合物とコバルト化合物を溶媒に溶解し
た溶液を基体上に塗布し、乾燥した後、加熱、焼成する
ことによって酸化マンガンと酸化コバルトの混合物薄膜
を形成することを特徴とする非線形抵抗素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182068A JPS6242577A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182068A JPS6242577A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6242577A true JPS6242577A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16111787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60182068A Pending JPS6242577A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6242577A (ja) |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182068A patent/JPS6242577A/ja active Pending
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