JPS6242584A - 非線形抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子及びその製造方法Info
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- JPS6242584A JPS6242584A JP60182075A JP18207585A JPS6242584A JP S6242584 A JPS6242584 A JP S6242584A JP 60182075 A JP60182075 A JP 60182075A JP 18207585 A JP18207585 A JP 18207585A JP S6242584 A JPS6242584 A JP S6242584A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導電性スイッチングのような機能を備えた非
線形抵抗素子に関するものである。
線形抵抗素子に関するものである。
従来の技術
導電性スイッチングを行うような非線形抵抗素子はオボ
ニツク(OVONIC)素子として知られ、主にカルコ
ゲン元素からなる非晶質半導体をその材料として用いる
。また、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気
的性質の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタ
イト、ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、
酸化ニッケルなどが報告されている。これら従来の非線
形抵抗素子は、材料が薄膜や焼結体の形で利用されてい
るが、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するのが
有利であり、比較的安定な特性を示す非晶質半導体の素
子ではほとんどが薄膜型である。
ニツク(OVONIC)素子として知られ、主にカルコ
ゲン元素からなる非晶質半導体をその材料として用いる
。また、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気
的性質の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタ
イト、ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、
酸化ニッケルなどが報告されている。これら従来の非線
形抵抗素子は、材料が薄膜や焼結体の形で利用されてい
るが、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するのが
有利であり、比較的安定な特性を示す非晶質半導体の素
子ではほとんどが薄膜型である。
これの基本的な構造を第2図と第3図に示す。
なお、図において、1は基体、2はアクティブ層、3.
4は電極である。
4は電極である。
このように、形成した膜を膜厚の方向で使用するサンド
インチ型(第2図)と、膜をその表面方向で使用するブ
レーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場
合も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成される
のが普通である。
インチ型(第2図)と、膜をその表面方向で使用するブ
レーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場
合も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成される
のが普通である。
発明が解決しようとする問題点
前述のように、従来のスイッチング特性を示す非線形抵
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するため、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなく
、例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要のあ
るような用途に対してはコストが高くなるなどの理由で
これに対応することができない。
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するため、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなく
、例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要のあ
るような用途に対してはコストが高くなるなどの理由で
これに対応することができない。
本発明の目的は、このような問題点を解決したスイッチ
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法を提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法を提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するため本発明では、アクティブ層を形
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液を塗布乾燥した時に膜状キル基の付い、ヒ有機金属
などを用いることができる。このような方法で薄膜を形
成できる化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイ
ッチング特性を呈する化合物として酸化マンガン、酸化
コバルトおよび酸化鉄の混合物を見出し、これをアクテ
ィブ層に用いた。
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液を塗布乾燥した時に膜状キル基の付い、ヒ有機金属
などを用いることができる。このような方法で薄膜を形
成できる化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイ
ッチング特性を呈する化合物として酸化マンガン、酸化
コバルトおよび酸化鉄の混合物を見出し、これをアクテ
ィブ層に用いた。
作 用
酸化マンガン、酸化コバルトおよび酸化鉄の混合物薄膜
は、マンガン、コバルトおよび鉄の化合物を溶媒に混合
溶解して基体上に塗布、熱分解させることにより容易に
得ることができる。この際、化合物と溶媒の組合せを適
当に考慮することにより非常に安定な溶液とすることが
でき、インキとして長期間の保存が可能である。このよ
うな形成法の導入によシ、ディップ、スプレー、印刷な
どの工法を用いることができるため、大面積にわたり均
一な膜を生産性良く安価に製造することができる。また
、熱分解によって得られた薄膜は、その膜厚、電極間距
離1組成などに依存して閾値電圧や維持電流が変化する
スイッチング特性を示し、この特性の安定性は非常に良
好である。
は、マンガン、コバルトおよび鉄の化合物を溶媒に混合
溶解して基体上に塗布、熱分解させることにより容易に
得ることができる。この際、化合物と溶媒の組合せを適
当に考慮することにより非常に安定な溶液とすることが
でき、インキとして長期間の保存が可能である。このよ
うな形成法の導入によシ、ディップ、スプレー、印刷な
どの工法を用いることができるため、大面積にわたり均
一な膜を生産性良く安価に製造することができる。また
、熱分解によって得られた薄膜は、その膜厚、電極間距
離1組成などに依存して閾値電圧や維持電流が変化する
スイッチング特性を示し、この特性の安定性は非常に良
好である。
実施例
以下に実施例をあげて本発明を説明する。
(実施例1)
第2図に示したサンドインチ型の素子を作るため、第1
表に示すような組成で酸化マンガン、酸化コバルトおよ
び酸化鉄の混合物薄膜形成用塗布液を調製した。マンガ
ン、コバルトおよび鉄の化合物として、皮膜の非常に容
易な2−エチルヘキサン酸塩を使用し、溶媒はメチルイ
ンブチルケトンを使用した。電極として金の薄膜を形成
したガラス基板上にこれら塗布液をスピンコードしたの
ち常温で乾燥し、大気中660℃で6o分間加熱焼成し
てアクティブ層を形成し、さらKこの薄膜上に金の薄膜
を形成した。これらの素子の電圧印加時I−V特性をカ
ーブトレーサーで測定すると、第1図に示したようなI
−V曲線が得られる。測定結果を第1表中に示すが、こ
の表では第1図におけるvth (閾値電圧)と工th
(閾値電流)及びvh(維持電圧)とIh(維持電流
)を数値として示した。これらの値はすべて5oHzの
周波数で掃引した時の数値である。また、アクティブ層
の厚みは、この薄膜の一部をエツチングして段差を形成
し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
表に示すような組成で酸化マンガン、酸化コバルトおよ
び酸化鉄の混合物薄膜形成用塗布液を調製した。マンガ
ン、コバルトおよび鉄の化合物として、皮膜の非常に容
易な2−エチルヘキサン酸塩を使用し、溶媒はメチルイ
ンブチルケトンを使用した。電極として金の薄膜を形成
したガラス基板上にこれら塗布液をスピンコードしたの
ち常温で乾燥し、大気中660℃で6o分間加熱焼成し
てアクティブ層を形成し、さらKこの薄膜上に金の薄膜
を形成した。これらの素子の電圧印加時I−V特性をカ
ーブトレーサーで測定すると、第1図に示したようなI
−V曲線が得られる。測定結果を第1表中に示すが、こ
の表では第1図におけるvth (閾値電圧)と工th
(閾値電流)及びvh(維持電圧)とIh(維持電流
)を数値として示した。これらの値はすべて5oHzの
周波数で掃引した時の数値である。また、アクティブ層
の厚みは、この薄膜の一部をエツチングして段差を形成
し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
さらに、これら素子に対し、5Hzで±15■の調波を
印加し特性の安定性を調べたところ、いずれにおいても
連続で10日間(400万回以上のスイッチングに相当
する)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値±
5%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実用
上充分であると考えられた。
印加し特性の安定性を調べたところ、いずれにおいても
連続で10日間(400万回以上のスイッチングに相当
する)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値±
5%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実用
上充分であると考えられた。
(実施例2)
実施例1と同様な組成の塗布液を用い、電極をスズをド
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドイッチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのI−V%性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−V曲線が
得られ、この結果を第2表に示す。表中のサンプル惠は
第1表のそれに対応し、同一の泥のものは同じ塗布液で
アクティブ層を形成したことを示す。掃引周波数は60
Hzである。この表から、若干の変動はあるがほぼ実施
例1と同じ結果の得られることが分る。実施例1と同様
な安定性の試験を行い、これらにおいても約400万回
以上のスイッチングの後でも特性は安定していることを
確認した。
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドイッチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのI−V%性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−V曲線が
得られ、この結果を第2表に示す。表中のサンプル惠は
第1表のそれに対応し、同一の泥のものは同じ塗布液で
アクティブ層を形成したことを示す。掃引周波数は60
Hzである。この表から、若干の変動はあるがほぼ実施
例1と同じ結果の得られることが分る。実施例1と同様
な安定性の試験を行い、これらにおいても約400万回
以上のスイッチングの後でも特性は安定していることを
確認した。
(実施例3)
ガラス基板上に金の薄膜を形成し、この薄膜を一部エッ
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条袢は
実施例1と同様である。このようにして第3図に示した
プレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印加
し、■−V特性を測定すると実施例1や2と同様に第1
図に示したようなニー7曲線が得られた。この結果を第
3表に示す。同様にサンプル泥は実施例1の泥に対応す
る。サンドインチ型素子に比べ電極間間隔が大きいこと
に対応して閾値電圧が増大していることが分る。これら
においても特性の安定性は実用上充分であることを確認
した。
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条袢は
実施例1と同様である。このようにして第3図に示した
プレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印加
し、■−V特性を測定すると実施例1や2と同様に第1
図に示したようなニー7曲線が得られた。この結果を第
3表に示す。同様にサンプル泥は実施例1の泥に対応す
る。サンドインチ型素子に比べ電極間間隔が大きいこと
に対応して閾値電圧が増大していることが分る。これら
においても特性の安定性は実用上充分であることを確認
した。
第 2 表
第 3 表
(実施例4)
直径1mのステンレス線を実施例1の鳳8の塗布液中に
浸漬し、約5■/s e c の速度で引きあげたのち
乾燥し、5oo℃で90分間加熱焼成して、ステンレス
線表面に酸化マンガン、酸化コバルトおよび酸化鉄の混
合物薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電極を形成し
て素子を構成した。このものでは掃引周波数5oHzに
おいてvthが8.TV、 ”th カ0.1mA、
Vhカ6.4V、 Ihカ2.9mAの、実施例1〜3
と同様なスイッチング特性が見られた。 ゛ なお、本実施例1〜4では、用いた基体と電極材料の耐
熱性の点から焼成温度は600〜850t:で行ったが
、例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際に
はこの温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。
浸漬し、約5■/s e c の速度で引きあげたのち
乾燥し、5oo℃で90分間加熱焼成して、ステンレス
線表面に酸化マンガン、酸化コバルトおよび酸化鉄の混
合物薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電極を形成し
て素子を構成した。このものでは掃引周波数5oHzに
おいてvthが8.TV、 ”th カ0.1mA、
Vhカ6.4V、 Ihカ2.9mAの、実施例1〜3
と同様なスイッチング特性が見られた。 ゛ なお、本実施例1〜4では、用いた基体と電極材料の耐
熱性の点から焼成温度は600〜850t:で行ったが
、例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際に
はこの温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。
用いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無機酸
塩、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドな
どで適当な溶 。
塩、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドな
どで適当な溶 。
媒に溶解するものであれば、支障なく使用することがで
きる。また、電極材料としては本実施例以外の銅、アル
ミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドミウム、アン
チモンをドープした酸化スズなどの導電性酸化物、ある
いはカーボンなども使用することができる。
きる。また、電極材料としては本実施例以外の銅、アル
ミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドミウム、アン
チモンをドープした酸化スズなどの導電性酸化物、ある
いはカーボンなども使用することができる。
発明の効果
以上のように本発明の非線形抵抗素子は、酸化マンガン
、酸化コバルトおよび酸化鉄の混合物薄膜とこれから電
気的リードを取るための電極とからなり、酸化マンガン
、酸化コバルトおよび酸化鉄の混合物薄膜をマンガン化
合物、コバルト化合物および鉄化合物を溶媒に混合溶解
した溶液を基体上に塗布し、乾燥後、大気中で加熱焼成
することによって形成するという方法で製造されること
により、スイッチング特性を有する非線形抵抗素子を生
産性良く安価に提供することができ、大面積にわたって
も製造が容易であるという点においてその実用的な有用
性は大きい。
、酸化コバルトおよび酸化鉄の混合物薄膜とこれから電
気的リードを取るための電極とからなり、酸化マンガン
、酸化コバルトおよび酸化鉄の混合物薄膜をマンガン化
合物、コバルト化合物および鉄化合物を溶媒に混合溶解
した溶液を基体上に塗布し、乾燥後、大気中で加熱焼成
することによって形成するという方法で製造されること
により、スイッチング特性を有する非線形抵抗素子を生
産性良く安価に提供することができ、大面積にわたって
も製造が容易であるという点においてその実用的な有用
性は大きい。
第1図は本発明の非線形抵抗素子の電流−電圧特性図、
第2図はサンドインチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はプレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 工電麦
第2図はサンドインチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はプレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 工電麦
Claims (2)
- (1)酸化マンガン、酸化コバルトおよび酸化鉄の混合
物薄膜と、この薄膜から電気的リードを取るための電極
とからなり、導電性スイッチング特性を有することを特
徴とする非線形抵抗素子。 - (2)マンガン化合物、コバルト化合物および鉄化合物
を溶媒に混合溶解した溶液を基体上に塗布し、乾燥した
後、加熱、焼成することによって酸化マンガン、酸化コ
バルトおよび酸化鉄の混合物薄膜を形成することを特徴
とする非線形抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182075A JPS6242584A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182075A JPS6242584A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6242584A true JPS6242584A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16111909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60182075A Pending JPS6242584A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6242584A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0334676A2 (en) * | 1988-03-28 | 1989-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving device having MIM structure |
EP0335630A2 (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Switching device and method of preparing it |
US5270965A (en) * | 1988-03-28 | 1993-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving device having metal-insulator-metal(mim)structure |
CN102544366A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-07-04 | 天津大学 | 基于钴铁氧体纳米薄膜的电阻开关及制备方法 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182075A patent/JPS6242584A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0334676A2 (en) * | 1988-03-28 | 1989-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving device having MIM structure |
EP0335630A2 (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Switching device and method of preparing it |
US5075738A (en) * | 1988-03-28 | 1991-12-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Switching device and method of preparing it |
US5270965A (en) * | 1988-03-28 | 1993-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving device having metal-insulator-metal(mim)structure |
CN102544366A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-07-04 | 天津大学 | 基于钴铁氧体纳米薄膜的电阻开关及制备方法 |
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