JPS6242581A - 非線形抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子及びその製造方法Info
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- JPS6242581A JPS6242581A JP60182072A JP18207285A JPS6242581A JP S6242581 A JPS6242581 A JP S6242581A JP 60182072 A JP60182072 A JP 60182072A JP 18207285 A JP18207285 A JP 18207285A JP S6242581 A JPS6242581 A JP S6242581A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導電性スイッチングのような機能を備えた非
線形抵抗素子に関するものである。
線形抵抗素子に関するものである。
従来の技術
導電性スイッチングを行うような非線形抵抗素子はオボ
ニック(OVONIC)素子として知られ、主にカルコ
ゲン元素からなる非晶質半導体をその材料として用いる
。また、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気
的性質の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタ
イト、ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、
酸化ニッケルなどが報告されている。これら従来の非線
形抵抗素子では、材料が薄膜や焼結体の形で利用されて
いるが、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するの
が有利であり、比較的安定な特性を示す非晶質半導体の
素子ではほとんどが薄膜型である。
ニック(OVONIC)素子として知られ、主にカルコ
ゲン元素からなる非晶質半導体をその材料として用いる
。また、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気
的性質の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタ
イト、ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、
酸化ニッケルなどが報告されている。これら従来の非線
形抵抗素子では、材料が薄膜や焼結体の形で利用されて
いるが、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するの
が有利であり、比較的安定な特性を示す非晶質半導体の
素子ではほとんどが薄膜型である。
これの基本的な構造を第2図と第3図に示す。
なお、図において1は基体、2はアクティブ層、3.4
は電極である。
は電極である。
このように形成した膜を膜厚の方向で使用するサンドイ
ンチ型(第2図)と、膜をその表面方向で使用するプレ
ーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場合
も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成されるの
が普通である。
ンチ型(第2図)と、膜をその表面方向で使用するプレ
ーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場合
も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成されるの
が普通である。
発明が解決しようとする問題点
前述のように、従来のスイッチング特性を示す非線形抵
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するため、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなり
、1例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要の
あるような用途に対してはコストが高くなるなどの理由
でこれに対応することができない。
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するため、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなり
、1例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要の
あるような用途に対してはコストが高くなるなどの理由
でこれに対応することができない。
本発明の目的は、このような問題点を解決したスイッチ
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法を提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法を提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
問題点を解決するだめの手段
上記目的を達成するため本発明では、アクティブ層を形
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液を塗布乾燥した時に膜状になるものであればよく、
例えば硝酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、
錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などを用
いることができる。このような方法で薄膜を形成できる
化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイッチング
特性を呈する化合物として酸化マンガン、酸化ニッケル
および酸化鉄の混合物を見出し、これをアクティブ層に
用いた。
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液を塗布乾燥した時に膜状になるものであればよく、
例えば硝酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、
錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などを用
いることができる。このような方法で薄膜を形成できる
化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイッチング
特性を呈する化合物として酸化マンガン、酸化ニッケル
および酸化鉄の混合物を見出し、これをアクティブ層に
用いた。
作用
酸化マンガン、酸化ニッケルおよび酸化鉄の混合物薄膜
は、マンガン、ニッケルおよび鉄の化合物を溶媒に混合
溶解して基体上に塗布、熱分解させることにより容易に
得ることができる。この際、化合物と溶媒の組合せを適
当に考慮することにより非常に安定な溶液とすることが
でき、インキとして長期間の保存が可能である。このよ
うな形成法の導入により、ディップ、スプレー、印刷な
どの工法を用いることができるため、大面積にわたり均
一な膜を生産性良く安価に製造することができる。また
、熱分解によって得られた薄膜は、その膜厚、電極間距
離、組成などに依存して閾値電圧や維持電流が変化する
スイッチング特性を示し、この特性の安定性は非常に良
好である。
は、マンガン、ニッケルおよび鉄の化合物を溶媒に混合
溶解して基体上に塗布、熱分解させることにより容易に
得ることができる。この際、化合物と溶媒の組合せを適
当に考慮することにより非常に安定な溶液とすることが
でき、インキとして長期間の保存が可能である。このよ
うな形成法の導入により、ディップ、スプレー、印刷な
どの工法を用いることができるため、大面積にわたり均
一な膜を生産性良く安価に製造することができる。また
、熱分解によって得られた薄膜は、その膜厚、電極間距
離、組成などに依存して閾値電圧や維持電流が変化する
スイッチング特性を示し、この特性の安定性は非常に良
好である。
実施例
以下に実施例をあげて本発明を説明する。
(実施例1)
第2図に示したサンドイッチ型の素子を作るため、第1
表に示すような組成で酸化マンガン、酸化ニッケルおよ
び酸化鉄の混合物薄膜形成用塗布液を調製した。マンガ
ン、ニッケルおよび鉄の化合物として、成膜の非常に容
易な2−エチルへキサン酸塩を使用し、溶媒はメチルイ
ソブチルケトンを使用した。電極として金の薄膜を形成
したガラス基板上にこれら塗布液をスピンコードしだの
ち常温で乾燥し、大気中550’Cで60分間加熱焼成
してアクティブ層を形成し、さらにこの薄膜上に金の薄
膜を形成した。これらの素子の電圧印加時のI−、”/
特性をカーブトレーサーで測定すると、第1図に示した
ようなI−V曲線が得られる〇測定結果を第1表中に示
すが、この表では第1図におけるvth(閾値電圧)と
”th(閾値電流)及びvh(維持電圧)とIh(維持
電流)を数値として示した。これらの値はすべて50H
zの周波数で掃引した時の数値である。また、アクティ
ブ層の厚みは、この薄膜の一部をエツチングして段差を
形成し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
表に示すような組成で酸化マンガン、酸化ニッケルおよ
び酸化鉄の混合物薄膜形成用塗布液を調製した。マンガ
ン、ニッケルおよび鉄の化合物として、成膜の非常に容
易な2−エチルへキサン酸塩を使用し、溶媒はメチルイ
ソブチルケトンを使用した。電極として金の薄膜を形成
したガラス基板上にこれら塗布液をスピンコードしだの
ち常温で乾燥し、大気中550’Cで60分間加熱焼成
してアクティブ層を形成し、さらにこの薄膜上に金の薄
膜を形成した。これらの素子の電圧印加時のI−、”/
特性をカーブトレーサーで測定すると、第1図に示した
ようなI−V曲線が得られる〇測定結果を第1表中に示
すが、この表では第1図におけるvth(閾値電圧)と
”th(閾値電流)及びvh(維持電圧)とIh(維持
電流)を数値として示した。これらの値はすべて50H
zの周波数で掃引した時の数値である。また、アクティ
ブ層の厚みは、この薄膜の一部をエツチングして段差を
形成し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
さらに、これら素子に対し、5Hzで±16vの調波を
印加し特性の安定性を調べだところ、いずれにおいても
連続で1o日間(4oo万回以上のスイッチングに相当
する)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に
±5%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実
用上充分であると考えられた。
印加し特性の安定性を調べだところ、いずれにおいても
連続で1o日間(4oo万回以上のスイッチングに相当
する)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に
±5%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実
用上充分であると考えられた。
(以 下金 白)
(実施例2)
実施例1と同様な組成の塗布液を用い、電極をスズをド
ープした酸化インンウム薄膜に置換えてサンドインチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのI−4特性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−V曲、線
が得られ、この結果を第2表に示す。表中のサンプル集
は第1表のそれに対応し、同一の述のものは同じ塗布液
でアクティブ層を形成したことを示す。掃引周波数は5
0H2である。この表から、若干の変動はあるがほぼ実
施例1と同じ結果の得られることが分る。また、実施例
1と同様な安定性の試験を行い、これらにおいても約4
00万回以上のスイッチングの後でも特性は安定してい
ることを確認した。
ープした酸化インンウム薄膜に置換えてサンドインチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのI−4特性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−V曲、線
が得られ、この結果を第2表に示す。表中のサンプル集
は第1表のそれに対応し、同一の述のものは同じ塗布液
でアクティブ層を形成したことを示す。掃引周波数は5
0H2である。この表から、若干の変動はあるがほぼ実
施例1と同じ結果の得られることが分る。また、実施例
1と同様な安定性の試験を行い、これらにおいても約4
00万回以上のスイッチングの後でも特性は安定してい
ることを確認した。
(実施例3)
ガラス基板上に金の薄膜を形成し、この薄膜を一部エッ
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条件は
実施例1と同様である。このようにして第3図に示しだ
ブレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印加
し、ニー■特性を測定すると実施例1や2と同様に第1
図に示したようなニーv曲線が得られた。この結果を第
3表に示す。同様にサンプル述は実施例1の述に対応す
る。サンドイッチ型素子に比べ電極間間隔が大きいこと
に対応して閾値電圧が増大(−ていることが分る。これ
らにおいても特性の安定性は実用上充分であることを確
認した。
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条件は
実施例1と同様である。このようにして第3図に示しだ
ブレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印加
し、ニー■特性を測定すると実施例1や2と同様に第1
図に示したようなニーv曲線が得られた。この結果を第
3表に示す。同様にサンプル述は実施例1の述に対応す
る。サンドイッチ型素子に比べ電極間間隔が大きいこと
に対応して閾値電圧が増大(−ていることが分る。これ
らにおいても特性の安定性は実用上充分であることを確
認した。
(以 下 余 白)
第 2 表
第 3 表
(実施例4)
直径1 mmのステンレス線を実施例1のNL18の塗
布液中に浸漬し、約s mm / secの速度で引き
あげたのち乾燥し、500℃で9o分間加熱焼成して、
ステンレス線表面に酸化マンガン、酸化ニッケルおよび
酸化鉄の混合物薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電
極を形成して素子を構成した。このものでは掃引周波数
5oHzにおいてvthが5.8v。
布液中に浸漬し、約s mm / secの速度で引き
あげたのち乾燥し、500℃で9o分間加熱焼成して、
ステンレス線表面に酸化マンガン、酸化ニッケルおよび
酸化鉄の混合物薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電
極を形成して素子を構成した。このものでは掃引周波数
5oHzにおいてvthが5.8v。
Ithカ0.3 mA、 Vhが3.3v、工りが1.
7m人の、実施例1〜3と同様なスイッチング特性が見
られた。
7m人の、実施例1〜3と同様なスイッチング特性が見
られた。
なお、本実施例1〜4では、用いた基体と電極材料の耐
熱性の点から焼成温度は500〜550℃で行ったが、
例えばアルεすなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。用
いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無機酸塩
、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドなど
で適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく使用す
ることができる。また、電極材料としては本実施例以外
の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドε
ウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの導電性酸
化物、あるいはカーボンなども使用することができる。
熱性の点から焼成温度は500〜550℃で行ったが、
例えばアルεすなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。用
いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無機酸塩
、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドなど
で適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく使用す
ることができる。また、電極材料としては本実施例以外
の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドε
ウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの導電性酸
化物、あるいはカーボンなども使用することができる。
発明の効果
以上のように本発明の非線形抵抗素子は、酸化マンガン
、酸化ニッケルおよび酸化鉄の混合物薄膜とこれから電
気的リードを取るための電極とからなり、酸化マンガン
、酸化ニッケルおよび酸化鉄の混合物薄膜をマンガン化
合物、ニッケル化合物および鉄化合物を溶媒に混合溶解
した溶液を基体上に塗布し、乾燥後、大気中で加熱焼成
することによって形成するという方法で製造されること
により、スイッチング特性を有する非線形抵抗素子を生
産性良く安価に提供することができ、大面積にわたって
も製造が容易であるという点においてその実用的な有用
性は太きい。
、酸化ニッケルおよび酸化鉄の混合物薄膜とこれから電
気的リードを取るための電極とからなり、酸化マンガン
、酸化ニッケルおよび酸化鉄の混合物薄膜をマンガン化
合物、ニッケル化合物および鉄化合物を溶媒に混合溶解
した溶液を基体上に塗布し、乾燥後、大気中で加熱焼成
することによって形成するという方法で製造されること
により、スイッチング特性を有する非線形抵抗素子を生
産性良く安価に提供することができ、大面積にわたって
も製造が容易であるという点においてその実用的な有用
性は太きい。
第1図は本発明の非線形抵抗素子の電流−電圧特性図、
第2図はサンドイッチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はブレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 工電流
第2図はサンドイッチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はブレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 工電流
Claims (2)
- (1)酸化マンガン、酸化ニッケルおよび酸化鉄の混合
物薄膜と、この薄膜から電気的リードを取るための電極
とからなり、導電性スイッチング特性を有することを特
徴とする非線形抵抗素子。 - (2)マンガン化合物、ニッケル化合物および鉄化合物
を溶媒に混合溶解した溶液を基体上に塗布し、乾燥した
後、加熱、焼成することによって酸化マンガン、酸化ニ
ッケルおよび酸化鉄の混合物薄膜を形成することを特徴
とする非線形抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182072A JPS6242581A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182072A JPS6242581A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6242581A true JPS6242581A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16111859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60182072A Pending JPS6242581A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6242581A (ja) |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182072A patent/JPS6242581A/ja active Pending
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