JPS62242312A - 非線形抵抗素子およびその製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子およびその製造方法Info
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- JPS62242312A JPS62242312A JP61085340A JP8534086A JPS62242312A JP S62242312 A JPS62242312 A JP S62242312A JP 61085340 A JP61085340 A JP 61085340A JP 8534086 A JP8534086 A JP 8534086A JP S62242312 A JPS62242312 A JP S62242312A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 150000002506 iron compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- -1 inorganic acid salts Chemical class 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001053 Nickel-zinc ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N caproic acid ethyl ester Natural products CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052595 hematite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011019 hematite Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N iron(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Fe+3].[Fe+3] LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導電性スイッチングのような機能を備えた非
線形抵抗素子およびその製造方法に関するものであり、
エレクトロニクス産業において利用できる。
線形抵抗素子およびその製造方法に関するものであり、
エレクトロニクス産業において利用できる。
従来の技術
導電性スイッチングを行うような非線形抵抗素子は0V
ONIC素子として知られ、主にカルコゲン元素からな
る非晶質半導体をその材料として用いている。′T!だ
、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気的性質
の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタイト、
ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、酸化ニ
ッケルなどが報告されている。これら従来の非線形抵抗
素子では、材料が薄膜や焼結体の形で利用されているが
、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するのが有利
であり、比較的安定々特性を示す非晶質半導体の素子で
はほとんどが薄膜型である。
ONIC素子として知られ、主にカルコゲン元素からな
る非晶質半導体をその材料として用いている。′T!だ
、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気的性質
の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタイト、
ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、酸化ニ
ッケルなどが報告されている。これら従来の非線形抵抗
素子では、材料が薄膜や焼結体の形で利用されているが
、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するのが有利
であり、比較的安定々特性を示す非晶質半導体の素子で
はほとんどが薄膜型である。
これの基本的な構造を第2図と第3図に示す。
このように、形成した膜を膜厚の方向で使用するサンド
イッチ型(第2図)と膜をその表面方向で使用するプレ
ーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場合
も、アモティブ層は真空蒸着やスパッタで形成されるの
が普通である。
イッチ型(第2図)と膜をその表面方向で使用するプレ
ーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場合
も、アモティブ層は真空蒸着やスパッタで形成されるの
が普通である。
第2図において、1および3は電極、2はアク3 ・
ティブ層、4は基体である。また、第3図において、6
はアクティブ層、6および7は電極、8は基体である。
はアクティブ層、6および7は電極、8は基体である。
発明が解決しようとする問題点
前述のように、従来のスイッチング特性を示す非線形抵
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するため、
製造上の歩留りや生産性において不利であるばかりでな
く、例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要の
あるような用途に対しては、コストが高くなるなどの理
由でこれに対応することができ々い。本発明の目的は、
このような問題点を解決したスイッチング特性を持つ非
線形抵抗素子とその製造方法を提供し、これらの素子を
生産性良く安価に製造できるようにすることである。
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するため、
製造上の歩留りや生産性において不利であるばかりでな
く、例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要の
あるような用途に対しては、コストが高くなるなどの理
由でこれに対応することができ々い。本発明の目的は、
このような問題点を解決したスイッチング特性を持つ非
線形抵抗素子とその製造方法を提供し、これらの素子を
生産性良く安価に製造できるようにすることである。
問題点を解決するだめの手段
上記目的を達成するため、本発明ではアクティブ層を形
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。また、金属化合物としては、適当な溶媒に
溶け、溶液を塗布乾燥した時に膜状になるものであれば
何を用いてもよい。
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。また、金属化合物としては、適当な溶媒に
溶け、溶液を塗布乾燥した時に膜状になるものであれば
何を用いてもよい。
例えば、硝酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩
、錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などを
用いることができる。このような方法で薄膜を形成でき
る化合物は多いが1発明者らはこのなかからスイッチン
グ特性を呈する化合物として酸化マンガン、酸化ビスマ
スおよび酸化鉄の混合物を見出し、これをアクティブ層
に用いた。
、錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などを
用いることができる。このような方法で薄膜を形成でき
る化合物は多いが1発明者らはこのなかからスイッチン
グ特性を呈する化合物として酸化マンガン、酸化ビスマ
スおよび酸化鉄の混合物を見出し、これをアクティブ層
に用いた。
作用
本発明によれば、酸化マンガン、酸化ビスマスおよび酸
化鉄の混合物薄膜は、マンガン、ビスマスおよび鉄の化
合物を溶媒に混合溶解して基体上に塗布、熱分解させる
ことにより容易に得ることができる。この際、化合物と
溶媒の組合せを適当に考慮することにより非常に安定表
情液とすることができ、インキとして長期間の保存が可
能である。このような形成法の導入により、ディップ、
スプレー、印刷などの工法を用いることができるため、
大面積にわたり均一な膜を生産性良く安価に製造するこ
とができる。また、熱分解によって6・・−。
化鉄の混合物薄膜は、マンガン、ビスマスおよび鉄の化
合物を溶媒に混合溶解して基体上に塗布、熱分解させる
ことにより容易に得ることができる。この際、化合物と
溶媒の組合せを適当に考慮することにより非常に安定表
情液とすることができ、インキとして長期間の保存が可
能である。このような形成法の導入により、ディップ、
スプレー、印刷などの工法を用いることができるため、
大面積にわたり均一な膜を生産性良く安価に製造するこ
とができる。また、熱分解によって6・・−。
得られた薄膜は、その膜厚、電極間距離1組成々どに依
存して閾値電圧や維持電流が変化するスイッチング特性
を示し、この特性の安定性は非常に良好である。
存して閾値電圧や維持電流が変化するスイッチング特性
を示し、この特性の安定性は非常に良好である。
実施例
以下に実施例をあげて本発明の詳細な説明する。
〈実施例1〉
第2図に示したサンドイッチ型の素子を作るため、下記
の第1表に示すような組成で酸化マンガン、酸化ビスマ
スおよび酸化鉄の混合物薄膜形成用塗布液を調製した。
の第1表に示すような組成で酸化マンガン、酸化ビスマ
スおよび酸化鉄の混合物薄膜形成用塗布液を調製した。
ここで、マンガン、ビスマスおよび鉄の化合物として、
成膜の非常に容易な2−エチルヘキサン酸塩を使用し、
溶媒はメチルインブチルケトンを使用した。そして、電
極として金の薄膜を形成したガラス基板上にこれら塗布
液をスピンコードしたのち常温で乾燥し、大気中550
℃で60分間加熱焼成してアクティブ層を形成し、さら
にこの薄膜上に金の薄膜を形成した。
成膜の非常に容易な2−エチルヘキサン酸塩を使用し、
溶媒はメチルインブチルケトンを使用した。そして、電
極として金の薄膜を形成したガラス基板上にこれら塗布
液をスピンコードしたのち常温で乾燥し、大気中550
℃で60分間加熱焼成してアクティブ層を形成し、さら
にこの薄膜上に金の薄膜を形成した。
これらの素子の電圧印加時のI−V特性をカーブトレー
サーで測定すると、第1図に示したようなI−V曲線が
得られる。測定結果を同じく下記の第1表中に示すが、
この表では第1図におけるvth (閾値電圧)と工t
h(閾値電流)およびvh(維持電圧)と工h(維持電
流)を数値として示した。これらの値はすべて5011
2の周波数で掃引した時の数値である。才だ、アクティ
ブ層の厚みは、この薄膜の一部をエツチングして段差を
形成し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
サーで測定すると、第1図に示したようなI−V曲線が
得られる。測定結果を同じく下記の第1表中に示すが、
この表では第1図におけるvth (閾値電圧)と工t
h(閾値電流)およびvh(維持電圧)と工h(維持電
流)を数値として示した。これらの値はすべて5011
2の周波数で掃引した時の数値である。才だ、アクティ
ブ層の厚みは、この薄膜の一部をエツチングして段差を
形成し、接触式の表面粗さ計で測定したものである。
(以下余白)
7・・ 。
9、−
さらに、これら素子に対し、5Hzで±15Vの鋸波を
印加し特性の安定性を調べたところ、いずれにおいても
連続で1o日間(400万回以上のスイッチングに相当
する)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に
±5%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実
用上充分であると考えられた。
印加し特性の安定性を調べたところ、いずれにおいても
連続で1o日間(400万回以上のスイッチングに相当
する)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に
±5%以上の変動は認められず、その特性の安定性は実
用上充分であると考えられた。
〈実施例2〉
実施例1と同様な組成の塗布液を用い、電極をスズをド
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドイッチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのI−V特性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなニー7曲線が
得られ、この結果を下記の第2表に示す。表中のサンプ
ル煮は第1表のそれに対応し、同一の墓のものは同じ塗
布液でアクティブ層を形成したことを示す。また、掃引
周波数は50)IZである。
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドイッチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
まったく同様である。これらのI−V特性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなニー7曲線が
得られ、この結果を下記の第2表に示す。表中のサンプ
ル煮は第1表のそれに対応し、同一の墓のものは同じ塗
布液でアクティブ層を形成したことを示す。また、掃引
周波数は50)IZである。
く第2表〉
この表から、若干の変動はあるがほぼ実施例1と同じ結
果の得られることが分る。また、実施例1と同様な安定
性の試験を行い、これらにおいても約400万回以上の
スイッチングの後でも特性は安定していることを確認し
た。
果の得られることが分る。また、実施例1と同様な安定
性の試験を行い、これらにおいても約400万回以上の
スイッチングの後でも特性は安定していることを確認し
た。
〈実施例3〉
ガラス基板上に金の薄膜を形成し、この薄膜を一部エッ
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条件は
実施例1と同様である。このようにして第3図に示した
プレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印加
し、ニーV特性を測定すると実施例1や2と同様に第1
図に示したようなI−V曲線が得られた。この結果を下
記の第3表に示す。この第3表でも同様にサンプル屋は
実施例1の煮に対応する。
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条件は
実施例1と同様である。このようにして第3図に示した
プレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印加
し、ニーV特性を測定すると実施例1や2と同様に第1
図に示したようなI−V曲線が得られた。この結果を下
記の第3表に示す。この第3表でも同様にサンプル屋は
実施例1の煮に対応する。
(以下余白)
〈第3表〉
13、、、−
このプレーナ型の実施例3では、サンドイッチ型素子に
比べ電極間間隔が大きいことに対応して閾値電圧が増大
していることが分る。これらにおいても特性の安定性は
実用上充分であることを確認した。
比べ電極間間隔が大きいことに対応して閾値電圧が増大
していることが分る。これらにおいても特性の安定性は
実用上充分であることを確認した。
〈実施例4〉
直径1鼠のステンレス線を実施例1の扁8の塗布液中に
浸漬し、約5wn/Becの速度で引きあげたのち乾燥
し、500℃で90分間加熱焼成して、ステンレス線表
面に酸化マンガン、酸化ビスマスおよび酸化鉄の混合物
薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電極を形成して素
子を構成した。このものでは掃引周波数60Hzにおい
てvthが7.8V、 IB、 カo、s mA、 V
hカ3.6 V 、 Ihカ2.9mAの、実施例1〜
3と同様なスイッチング特性が見られた。
浸漬し、約5wn/Becの速度で引きあげたのち乾燥
し、500℃で90分間加熱焼成して、ステンレス線表
面に酸化マンガン、酸化ビスマスおよび酸化鉄の混合物
薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電極を形成して素
子を構成した。このものでは掃引周波数60Hzにおい
てvthが7.8V、 IB、 カo、s mA、 V
hカ3.6 V 、 Ihカ2.9mAの、実施例1〜
3と同様なスイッチング特性が見られた。
々お、本実施例1〜4では、用いた基体と電極材料の耐
熱性の点から焼成温度は500〜550℃で行ったが、
例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。ま
た、用いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無
機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシ
ドなどで適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく
使用することができる。さらに、電極材料としては本実
施例以外の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ
酸カドミウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの
導電性酸化物、あるいはカー酸化マンガン、酸化ビスマ
スおよび酸化鉄の混合物薄膜とこれから電気的リードを
取るための電極とからなり、酸化マンガン、酸化ビスマ
スおよび酸化鉄の混合物薄膜をマンガン化合物、ビスマ
ス化合物および鉄化合物を溶媒に混合溶解した溶液を基
体上に塗布し、乾燥後、大気中で加熱焼成することによ
って形成するという方法で製造されることにより、スイ
ッチング特性を有する非線形抵抗素子を、生産性良く安
価に提供することができ、大面積にわたっても製造が容
易であるという点に16ペー5 おいてその実用的な有用性は大きい。
熱性の点から焼成温度は500〜550℃で行ったが、
例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。ま
た、用いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無
機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシ
ドなどで適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく
使用することができる。さらに、電極材料としては本実
施例以外の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ
酸カドミウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの
導電性酸化物、あるいはカー酸化マンガン、酸化ビスマ
スおよび酸化鉄の混合物薄膜とこれから電気的リードを
取るための電極とからなり、酸化マンガン、酸化ビスマ
スおよび酸化鉄の混合物薄膜をマンガン化合物、ビスマ
ス化合物および鉄化合物を溶媒に混合溶解した溶液を基
体上に塗布し、乾燥後、大気中で加熱焼成することによ
って形成するという方法で製造されることにより、スイ
ッチング特性を有する非線形抵抗素子を、生産性良く安
価に提供することができ、大面積にわたっても製造が容
易であるという点に16ペー5 おいてその実用的な有用性は大きい。
第1図は本発明の非線形抵抗素子の電流−電圧特性を示
す図、第2図はサンドイッチ型素子の構造を示す断面図
、第3図はプレーナ型素子の構造を示す断面図である。 Z、t・・・jクラ1ブ”ルー 〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 T電球
す図、第2図はサンドイッチ型素子の構造を示す断面図
、第3図はプレーナ型素子の構造を示す断面図である。 Z、t・・・jクラ1ブ”ルー 〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 T電球
Claims (2)
- (1)酸化マンガン、酸化ビスマスおよび酸化鉄の混合
物薄膜と、これから電気的リードを取るための電極とか
らなり、導電性スイッチング特性を有することを特徴と
する非線形抵抗素子。 - (2)マンガン化合物、ビスマス化合物および鉄化合物
を溶媒に混合溶解した溶液を基体上に塗布し、乾燥した
後、加熱、焼成することによって酸化マンガン、酸化ビ
スマスおよび酸化鉄の混合物薄膜を形成することを特徴
とする非線形抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61085340A JPS62242312A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 非線形抵抗素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61085340A JPS62242312A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 非線形抵抗素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62242312A true JPS62242312A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13855920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61085340A Pending JPS62242312A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 非線形抵抗素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62242312A (ja) |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP61085340A patent/JPS62242312A/ja active Pending
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