JPS6240849B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、ウエハとキヤリアの接触部分の乾
燥の容易化と塵埃の付着と再汚染を防止できるよ
うにした半導体ウエハの乾燥方法に関する。

（従来技術） 従来の洗浄ウエハの乾燥方法を第１図に示す。
第１図ａは平面図、第１図ｂは簡略断面図であ
る。一般的にバツチ処理で行なわれているこの方
式はロータ１の中にウエハ２の入つたキヤリア３
を入れ、高速回転して乾燥させるものであり、キ
ヤリア３ごと乾燥させるので、ウエハ２とキヤリ
ア３の接触部分が乾燥し難い。

また、静電気が発生して塵埃などを引き寄せる
とともに、バツチで行なうため、微少な塵埃や汚
れが落ちきつてないウエハ２の水滴が遠心力によ
つて外側のカバー４に当たつて飛び散り、それが
清浄なウエハ２の上に付着したまま乾燥して再汚
染の原因となる。

（発明の目的） この発明は、上記従来の欠点を除去するために
なされたもので、ウエハを容易に乾燥でき、塵埃
などの引き寄せを防止できるとともに、再汚染を
なくすることができる半導体ウエハの乾燥方法を
提供することを目的とする。

（発明の構成） この発明の半導体ウエハの乾燥方法は、半導体
ウエハ主面の一部に第１バキユームノズルを密接
させ、この半導体ウエハを吸着保持した状態でバ
キユームノズルとともに半導体ウエハを高速回転
させ、この半導体ウエハ表面上に付着した水分を
飛散除去した後回転を停止、バキユームノズルを
半導体ウエハ主面から開放し、半導体ウエハ主面
の一部に第１バキユームノズルが密接した部分と
重ならないように半導体ウエハ主面部分に第２バ
キユームノズルを密接させ、半導体ウエハを吸着
保持した状態で第２バキユームノズルとともに半
導体ウエハを高速回転させ、半導体ウエハ表面に
残存した水分を飛散させて除去するようにしたも
のである。

（実施例） 以下、この発明の半導体ウエハの乾燥方法の実
施例について図面に基づき説明する。第２図ａは
その一実施例に適用される第１バキユームノズル
の平面図であり、第２図ｂは簡略断面図である。
この第２図ａ、第２図ｂの両図に示す第１バキユ
ームノズル１０は図示していない半導体ウエハを
吸着するためのドーナツ状の溝２０があり、第１
バキユームノズル１０の内側の排水のための穴３
０があいている。

第３図ａはこの発明に適用される第２バキユー
ムノズル４０の構造を示す平面図、第３図ｂはそ
の断面図である。この第２バキユームノズル４０
は図示しない半導体ウエハを吸着するための溝５
０があり、吸着面の直径は第１バキユームノズル
１０のドーナツ状の吸着部と重ならないようにか
つ内側に位置するべく第１バキユームノズル１０
より小さくなつている。

次に、第４図により、上記第１、第２バキユー
ムノズルを用いて、この発明の半導体ウエハの乾
燥方法の説明をする。まず、第４図ａに示すよう
に、第１ステツプ（第１飛散除去工程）では第１
バキユームノズル１０上に濡れた半導体ウエハ６
０を第１バキユームノズル１０の中心に合わせる
ようにのせる。

このとき、半導体ウエハ６０は素子を傷つけな
いように素子形成面と対向する面（裏面）が第１
バキユームノズル１０上に密接するようにのせる
とよい。

次に、図示しない真空系により吸着させ、同じ
く図示しない回転系により第１バキユームノズル
１０を高速回転させると、半導体ウエハ６０上の
水滴７０は矢印で示すように、回転遠心力によ
り、半導体ウエハ６０外に飛散させる。

これによつて、第１バキユームノズル１０の吸
着部以外は乾燥される。

次に、高速回転している第１バキユームノズル
１０の回転を停止して、半導体ウエハ６０を第１
バキユームノズル１０から取りはずし、第４図ｂ
に示す第２ステツプ（第２飛散除去工程）で第１
バキユームノズル１０と同様、半導体ウエハ６０
を第２バキユームノズル４０の中心に合わせるよ
うにのせる。

このとき、半導体ウエハ６０は素子を傷めない
ように素子形成面と対向する面が第２バキユーム
ノズル４０上に密接するようにのせるとよい。

次に、図示しない真空系により半導体ウエハ６
０を第２バキユームノズル４０に吸着させ、同様
に図示しない回転系により第２バキユームノズル
４０を高速回転させると、第１バキユームノズル
１０の吸着部に残存していた水滴７０は回転遠心
力によつて半導体ウエハ６０外に飛ばされる。第
１ステツプ（工程）、第２ステツプ（工程）を通
して行なえば、半導体ウエハ６０上の水分が完壁
に除去される。

第１実施例を以上説明したように、第１飛散除
去工程で、半導体ウエハ裏面をバキユームチヤツ
クした部分と重ならない部分を第２飛散除去工程
でバキユームチツクするため、特に第１飛散除去
工程でのバキユームチヤツクとウエハ裏面との間
に残存する水分を完全に飛散除去することができ
る。

さらに、第１飛散除去工程でのバキユームチヤ
ツク位置は、第２飛散除去工程でのバキユームチ
ヤツク位置より外側、すなわち、半導体ウエハ外
周方向であると、半導体ウエハ表面上の水分はよ
り完全にウエハ外に除去することができる。

また、乾燥をバツチ処理で行なう従来の方式に
較べて乾燥時に清浄なウエハを汚染することが無
くなるとともに、不必要なキヤリアの乾燥を省く
ことができるので、塵埃の発生が減少し、静電気
の発生も少なくなり塵埃吸着も減少する。

このように乾燥を枚葉式で行なうため、乾燥の
環境条件を清浄な状態に保つことが容易に行なえ
品質が向上する。

（発明の効果） 以上のように、この発明の半導体ウエハの乾燥
方法によれば、キヤリアの乾燥を省き、枚葉式に
より、半導体ウエハの主面の一部に第１バキユー
ムノズルを密接させて半導体ウエハを吸着保持し
た状態で第１バキユームノズルとともに半導体ウ
エハを高速回転させ、この半導体ウエハ上に付着
した水分を飛散除去した後回転を停止し、第１バ
キユームノズルを半導体ウエハの主面から開放し
てその一部に第１バキユームノズルが密接した部
分と重ならないようにこの主面の部分に第２バキ
ユームノズルを密接させ、半導体ウエハを吸着保
持した状態で第２バキユームノズルとともに半導
体ウエハを高速回転させ、その表面に残存した水
滴を飛散除去するようにしたので、乾燥の環境条
件を清浄な状態に保つことができ、乾燥を容易か
つ清潔に行なうことができる利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは従来のウエハ乾燥装置の平面図、第
１図ｂは第１図ａの断面図、第２図ａはこの発明
の半導体ウエハの乾燥方法の一実施例に適用され
る第１バキユームノズルの平面図、第２図ｂは第
２図ａの断面図、第３図ａはこの発明の半導体ウ
エハの乾燥方法に適用される第２バキユームノズ
ルの平面図、第３図ｂは第３図ａの断面図、第４
図ａおよび第４図ｂはこの発明の半導体ウエハの
乾燥方法の工程説明図である。 １０……第１バキユームノズル、２０，５０…
…吸着溝、３０……排水用穴、６０……半導体ウ
エハ、７０……水滴。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハの主面の一部に第１バキユーム
   ノズルを密接させ、前記半導体ウエハを吸着保持
   した状態で前記第１バキユームノズルとともに前
   記半導体ウエハを高速回転させ、この半導体ウエ
   ハ表面上に付着した水分を飛散除去した後回転を
   停止して前記第１バキユームノズルを前記半導体
   ウエハの主面から開放する第１飛散除去工程と、
   前記半導体ウエハの主面の一部に前記第１バキユ
   ームノズルが密接した部分と重ならない前記半導
   体ウエハの主面部分に第２バキユームノズルを密
   接させ、前記半導体ウエハを吸着保持した状態で
   この第２バキユームノズルとともに前記半導体ウ
   エハを高速回転させ、この半導体ウエハの表面上
   に残存した水分を飛散除去する第２飛散除去工程
   とを含む２ステツプ飛散除去による半導体ウエハ
   の乾燥方法。 ２ 第１バキユームノズルの前記半導体ウエハ吸
   着保持位置は前記第２バキユームノズルの前記半
   導体ウエハ吸着保持位置より外側であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウエ
   ハの乾燥方法。 ３ 半導体ウエハの主面は半導体素子が形成され
   る面と対向する面であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の半導体ウエハの乾燥方法。