JPS6240726A - Ｘ線リングラフィー用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線リングラフィー用マスクおよびその製造方法Info
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- JPS6240726A JPS6240726A JP60179422A JP17942285A JPS6240726A JP S6240726 A JPS6240726 A JP S6240726A JP 60179422 A JP60179422 A JP 60179422A JP 17942285 A JP17942285 A JP 17942285A JP S6240726 A JPS6240726 A JP S6240726A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims 1
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 15
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 abstract 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- MMUFWPDCMXTBMU-UHFFFAOYSA-N [OH-].C(C)OC[NH3+] Chemical compound [OH-].C(C)OC[NH3+] MMUFWPDCMXTBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 125000000864 peroxy group Chemical group O(O*)* 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/148—Light sensitive titanium compound containing
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＸ線リソグラフィに用いるＸ線マスクに係り、
Ｘ線に対して昼コントラストなＸ線マスクを簡便かつ精
度よく製造する方法に関するものである。
Ｘ線に対して昼コントラストなＸ線マスクを簡便かつ精
度よく製造する方法に関するものである。
Ｘ線マスクの基本構造は第２図に示すごとく。
周辺をリング１に支持された軟Ｘ線を透過し易い材料か
ら成るメンブレン２と、該メンブレン上に形成された軟
Ｘ線が透過し難い材料から成るパターン３により構成さ
れる。このうち、前記パターンを形成する方法として従
来、第３図（ａ）に示すごとく、Ａｕ、 ’ｌ’ａ、
Ｗｆ、ｆどのＸ線を吸収するパターン材料２３上に多層
レジストパターン２４を形成し、＃多層レジストパター
ン２４をマスクとして゛ 前記Ａｕ、Ｔａ、Ｗをドライ
加工する方法や、第２図（ｂｌに示すごとく、メンブレ
ン上に形成した多層レジスト２４′の穴部に′ｒｊＬ解
メッキメツキ法Ｘ線吸収体としてＡｕ２３’を堆積する
方法が用いられている（シムクナス、ソリッドステート
テクノロジー９月号 第１９２〜１９９頁、１９８４年
（Ａ、几、Ｓｈｉｍｋｕｎａｓ、５ｏｌｉｄ Ｓｔａ
ｔｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、 Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ
１９８４、ｐ 、１９２〜１９９）参照）。しかし、
いずれの方法においても多層レジスト法を用いるため、
製造工程が複雑でパターン欠陥が発生し易く、かつ、パ
ターンの寸法精度が劣化する難点ｆＪｓあった。
ら成るメンブレン２と、該メンブレン上に形成された軟
Ｘ線が透過し難い材料から成るパターン３により構成さ
れる。このうち、前記パターンを形成する方法として従
来、第３図（ａ）に示すごとく、Ａｕ、 ’ｌ’ａ、
Ｗｆ、ｆどのＸ線を吸収するパターン材料２３上に多層
レジストパターン２４を形成し、＃多層レジストパター
ン２４をマスクとして゛ 前記Ａｕ、Ｔａ、Ｗをドライ
加工する方法や、第２図（ｂｌに示すごとく、メンブレ
ン上に形成した多層レジスト２４′の穴部に′ｒｊＬ解
メッキメツキ法Ｘ線吸収体としてＡｕ２３’を堆積する
方法が用いられている（シムクナス、ソリッドステート
テクノロジー９月号 第１９２〜１９９頁、１９８４年
（Ａ、几、Ｓｈｉｍｋｕｎａｓ、５ｏｌｉｄ Ｓｔａ
ｔｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、 Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ
１９８４、ｐ 、１９２〜１９９）参照）。しかし、
いずれの方法においても多層レジスト法を用いるため、
製造工程が複雑でパターン欠陥が発生し易く、かつ、パ
ターンの寸法精度が劣化する難点ｆＪｓあった。
本発明の目的は製造歩留りが藁く、面精度なＸ線リソグ
ラフィ用マスクおよびその製造方法を提供することにあ
る。
ラフィ用マスクおよびその製造方法を提供することにあ
る。
本発明の主眼は前記ＸＰｆＭ吸収パターンを形成する材
料として重金属を含み、かつ、電子線に感度ヲ有スるペ
ロキソを含むポリタングステン酸を用いることによって
、従来、使用されていた多層レジストプロセスを無くし
、簡便で精度＾いＸ線マスクを製作する方法を提案する
ものである。
料として重金属を含み、かつ、電子線に感度ヲ有スるペ
ロキソを含むポリタングステン酸を用いることによって
、従来、使用されていた多層レジストプロセスを無くし
、簡便で精度＾いＸ線マスクを製作する方法を提案する
ものである。
前記ポリタングステン酸はＳｉウェハ上にスピン塗布が
可能であるうえ、その主要成分にＷが含ｌｎるため、こ
のパターンがそのまま、軟Ｘ線吸収体として使用し得る
。
可能であるうえ、その主要成分にＷが含ｌｎるため、こ
のパターンがそのまま、軟Ｘ線吸収体として使用し得る
。
以下、本発明の詳細を実施例を用いて説明する。
実施例１
第１図に軟Ｘ線吸収パターンの形成工程を示す。
Ｓｉウェハ３１上にＢＮ（ｉ化硼素）から成る薄膜３２
を形成し、約１．０μｍ厚のペロキソ含有ポリタングス
テン酸膜３３をスピン塗布する。その後、１４０°Ｃの
窒素あるいは空気雰囲気中で約１０分間、熱処理を施し
、ポリタングステン酸膜３３を硬化させた。こｎに５０
μＣ／ｃｍ２の電子線３４を照射し、ポリタングステン
酸硬化膜３３に変質部３３′を形成する（第１図（ａ）
ｏ次にこのＳｉウェハ３１をエトラメチルアンモニウム
水酸化物水溶液に浸漬し、前記変質部以外を溶解除去し
て現像せしめる（第１図（ｂ）。その後、Ｓｉウェハ３
１の中央部を除去開口してＸ線透過部を形成してＸ線マ
スクを作製した（第１図（ｃ）０こ乙に波長約１０人の
Ｎｅ％性Ｘ線を照射して、前記ポリタングステン酸硬化
膜から成るＸ線吸収パターンのコントラストを測定した
結果、８の高コントラストが得らｎた。
を形成し、約１．０μｍ厚のペロキソ含有ポリタングス
テン酸膜３３をスピン塗布する。その後、１４０°Ｃの
窒素あるいは空気雰囲気中で約１０分間、熱処理を施し
、ポリタングステン酸膜３３を硬化させた。こｎに５０
μＣ／ｃｍ２の電子線３４を照射し、ポリタングステン
酸硬化膜３３に変質部３３′を形成する（第１図（ａ）
ｏ次にこのＳｉウェハ３１をエトラメチルアンモニウム
水酸化物水溶液に浸漬し、前記変質部以外を溶解除去し
て現像せしめる（第１図（ｂ）。その後、Ｓｉウェハ３
１の中央部を除去開口してＸ線透過部を形成してＸ線マ
スクを作製した（第１図（ｃ）０こ乙に波長約１０人の
Ｎｅ％性Ｘ線を照射して、前記ポリタングステン酸硬化
膜から成るＸ線吸収パターンのコントラストを測定した
結果、８の高コントラストが得らｎた。
実施例２
第４図を用いて説明する。
実施例１と同様にＳｉ基板４１上にＢＮ膜４２を形成、
その上に５０００λのＡｕ膜４３を真空蒸着したのちペ
ロキソを含むポリタングステン酸７漠４４を約５０００
人スピン塗布した。同様に１４０°Ｃ１１０分のＮ２中
熱処理を行い、前記ポリタングステン膜４４を熱硬化さ
せた後、′ａ子線照射により該膜４４を部分的に変質さ
せて変質部４４′を形成した（第４図（ａ）ｏその後前
邦と同様にテトラメチルアンモニウム水酸化物硬化膜を
現像し、変質部４４′を残す（第４図（ｂ）。この変質
部４４′をマスクとして下層のＡｕ膜４３をフッ酸−フ
ッ化アンモン水溶液でエツチングし、ポリタングステン
酸硬化膜とＡｕｉの２層から成るＸ線吸収パターンを形
成した第４図（Ｃ）。最後に８ｉ基板４１の中央部を除
去開口してＸ線透過部を形成する第４図（ｄ）。
その上に５０００λのＡｕ膜４３を真空蒸着したのちペ
ロキソを含むポリタングステン酸７漠４４を約５０００
人スピン塗布した。同様に１４０°Ｃ１１０分のＮ２中
熱処理を行い、前記ポリタングステン膜４４を熱硬化さ
せた後、′ａ子線照射により該膜４４を部分的に変質さ
せて変質部４４′を形成した（第４図（ａ）ｏその後前
邦と同様にテトラメチルアンモニウム水酸化物硬化膜を
現像し、変質部４４′を残す（第４図（ｂ）。この変質
部４４′をマスクとして下層のＡｕ膜４３をフッ酸−フ
ッ化アンモン水溶液でエツチングし、ポリタングステン
酸硬化膜とＡｕｉの２層から成るＸ線吸収パターンを形
成した第４図（Ｃ）。最後に８ｉ基板４１の中央部を除
去開口してＸ線透過部を形成する第４図（ｄ）。
実施例１と同様にＮｅ特性Ｘ線（λ中１０λ）に対する
コントラストを調べた結果、コントラスト１２を得た。
コントラストを調べた結果、コントラスト１２を得た。
従来はＸ線吸収パターンの形成に多層レジスト法を用い
ていたが、プロセスが複雑なうえ、多層レジスト形成、
Ａｕパターン形成とパターン変換が２回あるため、形成
されたパターンの寸法精度が悪く、また、欠陥が多かっ
た。本発明にょゎば電子線描画で形成したパターンがそ
のまま、Ｘ線吸収パターンとなるため、炸裂工程数が大
幅に低減し歩留りが高いうえ、パターンの寸法精度も大
幅に向上する。
ていたが、プロセスが複雑なうえ、多層レジスト形成、
Ａｕパターン形成とパターン変換が２回あるため、形成
されたパターンの寸法精度が悪く、また、欠陥が多かっ
た。本発明にょゎば電子線描画で形成したパターンがそ
のまま、Ｘ線吸収パターンとなるため、炸裂工程数が大
幅に低減し歩留りが高いうえ、パターンの寸法精度も大
幅に向上する。
なお、本発明はＸ線マスクに限らず、ホトマスクに使わ
れているクロム薄膜に代えて適用しても同様の効果があ
ることは言うまでもない。
れているクロム薄膜に代えて適用しても同様の効果があ
ることは言うまでもない。
第１図、および第４図は本発明によるＸ線マスク作製工
程の実施例を示す図、第２図および第３図は従来技術を
説明するための（８）である。 符号の続開 １．２１．２１’、３１および４１：ｓｉ基板、２．２
２．２２′、３２および４２：メンブレン。 ３．２３．２３’３３’、４３および４４’：Ｘ線吸収
パターン、３４．４５：電子線 ３／： Ｓ、、基板 ３Ｚ： メンフーレ〉 ３３、３３’：メＲ豫層体 ３４：電Ｊ琢 菊２図 １： リ〉２− ￥５３目 ２１：基板 ｚ２二 メンフ゛レジ ２４．２４’ ： り層レジ′スト ２３、 ｚ３′：メＪＪｄ１％
程の実施例を示す図、第２図および第３図は従来技術を
説明するための（８）である。 符号の続開 １．２１．２１’、３１および４１：ｓｉ基板、２．２
２．２２′、３２および４２：メンブレン。 ３．２３．２３’３３’、４３および４４’：Ｘ線吸収
パターン、３４．４５：電子線 ３／： Ｓ、、基板 ３Ｚ： メンフーレ〉 ３３、３３’：メＲ豫層体 ３４：電Ｊ琢 菊２図 １： リ〉２− ￥５３目 ２１：基板 ｚ２二 メンフ゛レジ ２４．２４’ ： り層レジ′スト ２３、 ｚ３′：メＪＪｄ１％
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、軟Ｘ線を透過し易い薄膜上に軟Ｘ線を透過し難い材
料から成るパターンを形成したＸ線リソグラフィ用マス
クにおいて、前記軟Ｘ線を透過し難い材料の少なくとも
一部がペロキソを含むポリタングステン酸の熱硬化物で
あることを特徴とするＸ線リソグラフィ用マスク。 ２、軟Ｘ線を透過し易い薄膜上に軟Ｘ線を透過し難い材
料から成るパターンを形成したＸ線リソグラフィ用マス
クの形成プロセスにおいて、前記パターンの形成プロセ
スの少なくとも一部にペロキソを含むポリタングステン
酸を用いたことを特徴とするＸ線リソグラフィ用マスク
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17942285A JPH0682602B2 (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | Ｘ線リングラフィー用マスクおよびその製造方法 |
| US06/893,780 US4719161A (en) | 1985-08-16 | 1986-08-06 | Mask for X-ray lithography and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17942285A JPH0682602B2 (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | Ｘ線リングラフィー用マスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240726A true JPS6240726A (ja) | 1987-02-21 |
| JPH0682602B2 JPH0682602B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16065588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17942285A Expired - Lifetime JPH0682602B2 (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | Ｘ線リングラフィー用マスクおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4719161A (ja) |
| JP (1) | JPH0682602B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273794A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスクの製造方法およびそれにより製造されたｘ線マスクを用いた半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4873162A (en) * | 1986-08-20 | 1989-10-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and a manufacture method therefor |
| US4866746A (en) * | 1986-09-04 | 1989-09-12 | Nissin Electric Co., Ltd. | Coated material and X-ray exposure mask |
| DE3729432A1 (de) * | 1987-09-03 | 1989-03-16 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung einer maske fuer strahlungslithographie |
| US4932872A (en) * | 1989-06-16 | 1990-06-12 | Lepton Inc. | Method for fabricating X-ray masks |
| US5178989A (en) * | 1989-07-21 | 1993-01-12 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Pattern forming and transferring processes |
| US5376586A (en) * | 1993-05-19 | 1994-12-27 | Fujitsu Limited | Method of curing thin films of organic dielectric material |
-
1985
- 1985-08-16 JP JP17942285A patent/JPH0682602B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-08-06 US US06/893,780 patent/US4719161A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273794A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスクの製造方法およびそれにより製造されたｘ線マスクを用いた半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4719161A (en) | 1988-01-12 |
| JPH0682602B2 (ja) | 1994-10-19 |
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