JPS62206546A - Ｘ線レジストの被膜形成方法 - Google Patents
Ｘ線レジストの被膜形成方法Info
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- JPS62206546A JPS62206546A JP61049642A JP4964286A JPS62206546A JP S62206546 A JPS62206546 A JP S62206546A JP 61049642 A JP61049642 A JP 61049642A JP 4964286 A JP4964286 A JP 4964286A JP S62206546 A JPS62206546 A JP S62206546A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線露光により超ＬＳＩ等に用いられる微細パ
ターンをレジスト上に複写するＸ線レジストの被膜形成
方法に関する。
ターンをレジスト上に複写するＸ線レジストの被膜形成
方法に関する。
Ｘ線露光技術は、サブミクロンのパターンを形成するた
めの極めて有望な複写技術として期待され、現在各方面
で精力的な研究開発が行われている。Ｘ線レジスト上に
形成されたポリビニルアルコール膜を通してＸ線を照射
する従来から知られている大気中でのＸ線露光方法は１
文献ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィジイクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）。
めの極めて有望な複写技術として期待され、現在各方面
で精力的な研究開発が行われている。Ｘ線レジスト上に
形成されたポリビニルアルコール膜を通してＸ線を照射
する従来から知られている大気中でのＸ線露光方法は１
文献ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィジイクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）。
Ｖｏｌ、２４． Ｎｏ、７． Ｊｕｌｙ、 １９８５．
ｐｐ、Ｌ５４５−Ｌ５４７に記されている。この従来
のＸ線露光方法の概略図を第３図（ａ）〜（ｄ）に示し
、同図を用いて、Ｘ線レジストの被膜形成工程を含めた
従来のＸ線露光方法を簡単に説明する。すなわち、基板
１上にＸ線レジスト（Ｒ［−５０００Ｐ、日立化成−社
製）を大気中で任意の回転数で回転塗布し、適切な温度
の下において窒素中で乾燥することにより、任意の膜厚
のＸ線レジスト膜２を形成する（第３図（ａ））。次に
、このＸ線レジスト膜２が塗布され基板１の上に、ポリ
ビニルアルコールを大気中で任意の回転数で回転塗布し
、適切な温度の下において窒素中で乾燥することにより
、任意の膜厚のポリビニルアルコール膜３を形成する（
第３図（ｂ））。この様にして作成したサンプル４にＸ
線マスク５を通して大気中でＸ線露光を行う（第３図（
Ｃ））最後に現像を行うことにより複写されたレジスト
パターン６が得られる（第３図（ｄ））。
ｐｐ、Ｌ５４５−Ｌ５４７に記されている。この従来
のＸ線露光方法の概略図を第３図（ａ）〜（ｄ）に示し
、同図を用いて、Ｘ線レジストの被膜形成工程を含めた
従来のＸ線露光方法を簡単に説明する。すなわち、基板
１上にＸ線レジスト（Ｒ［−５０００Ｐ、日立化成−社
製）を大気中で任意の回転数で回転塗布し、適切な温度
の下において窒素中で乾燥することにより、任意の膜厚
のＸ線レジスト膜２を形成する（第３図（ａ））。次に
、このＸ線レジスト膜２が塗布され基板１の上に、ポリ
ビニルアルコールを大気中で任意の回転数で回転塗布し
、適切な温度の下において窒素中で乾燥することにより
、任意の膜厚のポリビニルアルコール膜３を形成する（
第３図（ｂ））。この様にして作成したサンプル４にＸ
線マスク５を通して大気中でＸ線露光を行う（第３図（
Ｃ））最後に現像を行うことにより複写されたレジスト
パターン６が得られる（第３図（ｄ））。
ところで、Ｘ線レジストの感度は露光雰囲気の状態によ
って異なることが知られている０例えば真空中露光と大
気中露光とでは、Ｘ線レジストの感度が異なり、特に後
者において感度が劣化する傾向がある。大気中でのＸ線
露光において、Ｘ線レジストの露光感度が劣化する原因
は、大気中の酸素が要因であることが知られている。前
記従来の技術のＸ線露光方法の特徴は、ポリビニルアル
コール膜により露光時に大気中の酸素をＸ線レジストか
ら遮蔽することにより、Ｘ線レジストの露光感度を改善
していることである。第４図に各種露光雰囲気に対する
Ｘ線レジスト（ＲＥ−５０００Ｐ）の感度曲線を示す。
って異なることが知られている０例えば真空中露光と大
気中露光とでは、Ｘ線レジストの感度が異なり、特に後
者において感度が劣化する傾向がある。大気中でのＸ線
露光において、Ｘ線レジストの露光感度が劣化する原因
は、大気中の酸素が要因であることが知られている。前
記従来の技術のＸ線露光方法の特徴は、ポリビニルアル
コール膜により露光時に大気中の酸素をＸ線レジストか
ら遮蔽することにより、Ｘ線レジストの露光感度を改善
していることである。第４図に各種露光雰囲気に対する
Ｘ線レジスト（ＲＥ−５０００Ｐ）の感度曲線を示す。
図で、感度特性１１は、Ｘ線レジスト上に形成されたポ
リビニルアルコール膜を通してＸ線を照射する前記従来
の技術のＸ線露光方法によるＸ線レジスト（ＲＥ−５０
００Ｐ）の感度曲線である。
リビニルアルコール膜を通してＸ線を照射する前記従来
の技術のＸ線露光方法によるＸ線レジスト（ＲＥ−５０
００Ｐ）の感度曲線である。
図において、感度特性１２および感度特性１３は、それ
ぞれ大気中および真空中でＸ線を直接Ｘ線レジスト（Ｒ
Ｅ−５０００Ｐ）に照射した場合の感度曲線であり、比
較のために示した。
ぞれ大気中および真空中でＸ線を直接Ｘ線レジスト（Ｒ
Ｅ−５０００Ｐ）に照射した場合の感度曲線であり、比
較のために示した。
ここで、零膜厚になる点でのＸ線のドース量を感度と定
義する。第４図かられかるように、大気中でＸ線レジス
ト（ＲＥ−５０００Ｐ）に直接Ｘ線を照射した場合の感
度は７００ｍＪ／ ａｉであるのに比して、前記従来の
技術の露光方法による感度は３００ｍＪ／ ａｌと露光
感度が大幅に改善されていることがわかる。
義する。第４図かられかるように、大気中でＸ線レジス
ト（ＲＥ−５０００Ｐ）に直接Ｘ線を照射した場合の感
度は７００ｍＪ／ ａｉであるのに比して、前記従来の
技術の露光方法による感度は３００ｍＪ／ ａｌと露光
感度が大幅に改善されていることがわかる。
しかしながら、真空中でＸ線レジスト（ＲＥ−５０００
Ｐ）に直接Ｘ線を照射した場合の感度は１００＋ｗＪ／
ａＪであることから、前記従来の技術の露光方法によっ
てもなお、真空中での露光感度に較べると大幅に感度が
劣化していることがわかる。このことは、酸素遮蔽膜と
してのポリビニルアルコール膜がその役目を十分に果た
していないことによるものと思われる。そこで、本発明
者は、ポリビニルアルコール膜の酸素遮蔽効果を調べる
ために、ポリビニルアルコール膜の膜厚に対する露光感
度依存性の実験を行った。第５図にその結果を示す１図
より、ポリビニルアルコール膜の膜厚変化（０，２５μ
ｍ〜２．０μｍ）に対して、その感度特性はほとんど変
化していないことがわかる。
Ｐ）に直接Ｘ線を照射した場合の感度は１００＋ｗＪ／
ａＪであることから、前記従来の技術の露光方法によっ
てもなお、真空中での露光感度に較べると大幅に感度が
劣化していることがわかる。このことは、酸素遮蔽膜と
してのポリビニルアルコール膜がその役目を十分に果た
していないことによるものと思われる。そこで、本発明
者は、ポリビニルアルコール膜の酸素遮蔽効果を調べる
ために、ポリビニルアルコール膜の膜厚に対する露光感
度依存性の実験を行った。第５図にその結果を示す１図
より、ポリビニルアルコール膜の膜厚変化（０，２５μ
ｍ〜２．０μｍ）に対して、その感度特性はほとんど変
化していないことがわかる。
従って、ポリビニルアルコール膜の膜厚を厚くしても大
気中の酸素の遮蔽効果を上げることはできず、大気中で
のＸ線レジストの感度を改善することができないという
問題点があった。
気中の酸素の遮蔽効果を上げることはできず、大気中で
のＸ線レジストの感度を改善することができないという
問題点があった。
本発明の目的は、このような従来の問題点を除去し、よ
り高感度な大気中でのＸ線露光方法を提供することにあ
る。
り高感度な大気中でのＸ線露光方法を提供することにあ
る。
本発明は表面にポリビニルアルコールの被膜を有するＸ
線レジストにおいて、前記ポリビニルアルコールを窒素
雰囲気中でＸ線レジスト上に回転塗布し、真空中で乾燥
させることにより前記ポリビニルアルコール膜を形成す
ることを特徴とするＸ線レジストの被膜形成方法である
。
線レジストにおいて、前記ポリビニルアルコールを窒素
雰囲気中でＸ線レジスト上に回転塗布し、真空中で乾燥
させることにより前記ポリビニルアルコール膜を形成す
ることを特徴とするＸ線レジストの被膜形成方法である
。
前述したように、ポリビニルアルコール膜の膜厚変化に
対して、その感度曲線はほとんど変化してぃない。この
ことから、０．２５μ■以上の膜厚に対しては、酸素に
対する透過率はすでに飽和領域にあり、Ｘ線露光時にポ
リビニルアルコール膜を通して外部から進入する酸素の
大部分は遮蔽されているものと考えられる。従って、な
お真空中での露光感度に比して感度を劣化させる主な要
因としては、ポリビニルアルコール膜とＸ線レジスト間
およびＸ線レジスト内部に、ポリビニルアルコール膜形
成時に含有された酸素の影響が考えられる。 このこと
から、本発明ではポリビニルアルコール膜形成時に含有
される酸素を除くために、ポリビニルアルコールを窒素
雰囲気中で回転塗布し、真空中で乾燥させるもので、こ
の結果大気中の酸素の遮蔽効果の高いポリビニルアルコ
ール膜を形成することができる。従って、より高感度な
大気中でのＸ線露光が可能となる。
対して、その感度曲線はほとんど変化してぃない。この
ことから、０．２５μ■以上の膜厚に対しては、酸素に
対する透過率はすでに飽和領域にあり、Ｘ線露光時にポ
リビニルアルコール膜を通して外部から進入する酸素の
大部分は遮蔽されているものと考えられる。従って、な
お真空中での露光感度に比して感度を劣化させる主な要
因としては、ポリビニルアルコール膜とＸ線レジスト間
およびＸ線レジスト内部に、ポリビニルアルコール膜形
成時に含有された酸素の影響が考えられる。 このこと
から、本発明ではポリビニルアルコール膜形成時に含有
される酸素を除くために、ポリビニルアルコールを窒素
雰囲気中で回転塗布し、真空中で乾燥させるもので、こ
の結果大気中の酸素の遮蔽効果の高いポリビニルアルコ
ール膜を形成することができる。従って、より高感度な
大気中でのＸ線露光が可能となる。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（（１）は本発明のＸ線レジストの被膜
形成工程とこれにつづくＸ線露光工程の実施例を説明す
るための図である。第３図（ａ）〜（ｄ）と同一構成部
分には同一番号を付して説明する。
形成工程とこれにつづくＸ線露光工程の実施例を説明す
るための図である。第３図（ａ）〜（ｄ）と同一構成部
分には同一番号を付して説明する。
まず、基板１上にＸ線レジスト（ＲｌＥ−５０００Ｐ、
日立化成■社製）を大気中で回転塗布し、１００℃、窒
素中で１０分間乾燥することにより膜厚１μＩのＸ線レ
ジスト膜２を形成した（第１図（ａ））、次に、Ｘ線レ
ジストが塗布された基板１の上に、ポリビニルアルコー
ルを窒素中で回転塗布し、８０℃、真空中（真空度数１
ｏｐａ）で１５分間乾燥することにより膜厚１μｍのポ
リビニルアルコール膜３を形成した（第１図（ｂ））、
この様にして、作成したサンプル４にＸ線マスク５を通
して大気中でＸ線露光を行った（第１図（Ｃ））。最後
に現像を行うことにより複写されたレジストパターン６
が得られた（第１図（ｄ） ）。
日立化成■社製）を大気中で回転塗布し、１００℃、窒
素中で１０分間乾燥することにより膜厚１μＩのＸ線レ
ジスト膜２を形成した（第１図（ａ））、次に、Ｘ線レ
ジストが塗布された基板１の上に、ポリビニルアルコー
ルを窒素中で回転塗布し、８０℃、真空中（真空度数１
ｏｐａ）で１５分間乾燥することにより膜厚１μｍのポ
リビニルアルコール膜３を形成した（第１図（ｂ））、
この様にして、作成したサンプル４にＸ線マスク５を通
して大気中でＸ線露光を行った（第１図（Ｃ））。最後
に現像を行うことにより複写されたレジストパターン６
が得られた（第１図（ｄ） ）。
第２図に本発明の実施例による効果としてＸ線レジスト
（ＲＥ−５０００Ｐ） （７） Ｘ線（ＳｉＫａ線、波
長７．１３人）ドース量に対する感度特性を表す。図に
おいて、横軸はＸ線ドース量を表し、縦軸はＸ線ド、−
入量が零のとき１．０になるように規格化した残存膜厚
が示されている。感度特性２１は、本実施例により求め
られた感度曲線を、感度特性２２は、前記従来の技術の
項で述べたＸ線露光方法により求められた感度曲線を示
している。図により、前記従来の技術の露光方法による
感度は３００ｍＪ／ｃｓ＃であるのに比して、本実施例
により感度が１７０ｍＪ／ａ＆とかなり改善されている
ことがわかる。
（ＲＥ−５０００Ｐ） （７） Ｘ線（ＳｉＫａ線、波
長７．１３人）ドース量に対する感度特性を表す。図に
おいて、横軸はＸ線ドース量を表し、縦軸はＸ線ド、−
入量が零のとき１．０になるように規格化した残存膜厚
が示されている。感度特性２１は、本実施例により求め
られた感度曲線を、感度特性２２は、前記従来の技術の
項で述べたＸ線露光方法により求められた感度曲線を示
している。図により、前記従来の技術の露光方法による
感度は３００ｍＪ／ｃｓ＃であるのに比して、本実施例
により感度が１７０ｍＪ／ａ＆とかなり改善されている
ことがわかる。
以上述べたようにポリビニルアルコールを窒素中で回転
塗布し、真空中で乾燥してポリビニルアルコール膜を形
成することにより、その感度改善効果は明らかであり１
本発明の目的は達成される。
塗布し、真空中で乾燥してポリビニルアルコール膜を形
成することにより、その感度改善効果は明らかであり１
本発明の目的は達成される。
以上説明したように本発明によれば、ポリビニルアルコ
ール膜の・大気遮蔽効果を増すことができ、大気中での
高感度なＸ線露光を実現できる効果を有するものである
。
ール膜の・大気遮蔽効果を増すことができ、大気中での
高感度なＸ線露光を実現できる効果を有するものである
。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明による実施例の被膜形成
工程を含めたＸ線露光工程を工程順に示す概略図。 第２図は本発明による実施例の効果を説明するための感
度特性を示す図、第３図（ａ）〜（−）は従来の被膜形
成工程を含めたＸ線露光工程を工程順に示す概略図、第
４図は従来のＸ線露光方法の効果を説明するための感度
特性を示した図、第Ｓ図は従来のＸ線露光方法を分析し
、問題点を説明するための感度特性を示した図である。 ｌ・・・基板、２・・・Ｘ線レジスト膜、３・・・ポリ
ビニルアルコール膜、４・・・サンプル、５・・・Ｘ線
マスク、６・・・レジストパターン
工程を含めたＸ線露光工程を工程順に示す概略図。 第２図は本発明による実施例の効果を説明するための感
度特性を示す図、第３図（ａ）〜（−）は従来の被膜形
成工程を含めたＸ線露光工程を工程順に示す概略図、第
４図は従来のＸ線露光方法の効果を説明するための感度
特性を示した図、第Ｓ図は従来のＸ線露光方法を分析し
、問題点を説明するための感度特性を示した図である。 ｌ・・・基板、２・・・Ｘ線レジスト膜、３・・・ポリ
ビニルアルコール膜、４・・・サンプル、５・・・Ｘ線
マスク、６・・・レジストパターン
Claims (1)
- （１）表面にポリビニルアルコールの被膜を有するＸ線
レジストにおいて、前記ポリビニルアルコールを窒素雰
囲気中でＸ線レジスト上に回転塗布し、真空中で乾燥さ
せることにより前記ポリビニルアルコール膜を形成する
ことを特徴とするＸ線レジストの被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049642A JPS62206546A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | Ｘ線レジストの被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049642A JPS62206546A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | Ｘ線レジストの被膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62206546A true JPS62206546A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12836861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049642A Pending JPS62206546A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | Ｘ線レジストの被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62206546A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01121802A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラーフィルタの製造法 |
| JPH01159643A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Fujitsu Ltd | エックス線露光方法 |
| JPH02103501A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617348A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 | Fujitsu Ltd | Exposing method |
| JPS60211940A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Toshiba Corp | フオトリングラフイ−法 |
| JPS60222849A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Nec Corp | Ｘ線露光方法 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61049642A patent/JPS62206546A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617348A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 | Fujitsu Ltd | Exposing method |
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| JPH01159643A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Fujitsu Ltd | エックス線露光方法 |
| JPH02103501A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
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