JPS6237974A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6237974A
JPS6237974A JP17796885A JP17796885A JPS6237974A JP S6237974 A JPS6237974 A JP S6237974A JP 17796885 A JP17796885 A JP 17796885A JP 17796885 A JP17796885 A JP 17796885A JP S6237974 A JPS6237974 A JP S6237974A
Authority
JP
Japan
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region
junction
capacitance
same
impurity region
Prior art date
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Pending
Application number
JP17796885A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuji Tara
多良　勝司
Jutaro Kotani
小谷　壽太郎
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、サージ保護の為のｐｎ接合での容量値を減少
させることで、良好々高周波特性が、得られる半導体装
置に関する。
従来の従術 Ｇ　ａ　Ａ　ｓ等の化合物半導体を用いたショットキー
障壁形ゲート構造電界効果トランジスタ（以下、ＭＥＳ
　　ＦＥＴ　　と略記する）では同ＭＥＳ　　ＦＥＴ　
　自体のサージ耐圧が小さいため、第３図に示すよう々
、半絶縁性基板１に形成されたｎ影領域２内に、２　”
−ノ 接合長ｌのｐ影領域３を形成されたｐｎ接合をそのゲー
ト電極のサージ保護手段として接続している。この場合
、ｐ影領域３の濃度は、ｎ影領域２に比べて大きいため
、逆方向バイアス印加時の空乏層は、ｎ影領域２内で犬
きぐ広がっているが、小さな容量を持たせるだめに、空
乏層を大きくする必要から、ｐ影領域３は、できる限り
浅い構造となっている。
発明が解決しようとする問題点 この様な従来の構造では、接合長ｌがマスク合わせのず
れ防止のため、通常、２μｍ以上あり、この結果、接合
容量は、大きなものとなる。他方、保護ダイオードこみ
のＭＥＳ　　ＦＥＴ　　の高周波でのＮＦは、ゲート容
量と正と相関があり、ＭＥＳＦＥＴ　単独のものに比べ
て、ＮＦが大きくなるという問題があった。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するため、本発明は制御入力端子のサ
ージ保護手段としてのｐｎ接合を、半絶縁性半導体基板
に形成されたー導電形不純物領域３′ゾ と、これに−都市なり合い、同等もしくは深い位置捷で
濃度プロフィルをもつ反対導電形不純物領域とで形成し
たものである。
作　　用 この構造により、保護ダイオードでの容量が、小さな値
となり、実質上、保護ダイオードをもだないＭＥＳ　　
ＦＥＴ　　と同程度のＮＦレベルが維持できるものにな
る。
実施例 第１図は、本発明の一実施例によるｐｎ接合の断面図で
あり、半絶縁性基板１に形成された、ｎ影領域２内に、
同じ深さ、もしくは、それ以」−の深さをもつｐ影領域
３を形成させたものである。
乙の場合、接合容量はｎ影領域２の深さＷの寸法のみに
依存し、しかも、この寸法Ｗは、ｎ形不純物のイオン注
入の深さに相当する長さで、実態的にも、０．３μｍ以
下である。これは、第３図に示された従来の構造のよう
に、接合長が２．０μｍ以上であるものにくらべると、
それの約−以下であり、これに比例して、その接合容量
も顕著に減少させることかできる。
第２図は、とのｐｎ接合ダイオードをＭＥＳＦＥＴ　　
のゲートに結合させた本発明実施例品と第３図示構造の
ｐｎ接合をゲート結合した従来のものとの高周波ＩＧＨ
ｚ　　でのＮＦレベルを比較して示しだ特性図（ヒスト
グラム）であり、本実施例製品は、この特性図から、高
周波でのＮＦレベルが確実に低下したことが確認できる
。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、実施例にて示したよう
に、高周波でのＮＦを低下させることで、セットのＮＦ
を低下させる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の要部断面
図、第２図はその特性図、第３図は従来の半導体装置の
要部断面図である。 １・・・・・・半絶縁性基板、２・・・・・・ｎ影領域
、３・・・・・・ｐ影領域。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 制御入力端子のサージ保護手段に、半絶縁性半導体基板
    に形成された一導電形不純物領域と、これに一部重なり
    合い、同等もしくは深い位置まで濃度プロフィルをもつ
    反対導電形不純物領域とで形成されたｐｎ接合をそなえ
    た半導体装置。
JP17796885A 1985-08-13 1985-08-13 半導体装置 Pending JPS6237974A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0956604A (ja) * 1995-08-25 1997-03-04 Yoshinari Hasegawa 魔法瓶の保温槽

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